1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

THỰC NGHIỆM 4 TRANSISTOR TRƯỜNG FET KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG FET

56 141 3

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 56
Dung lượng 8,14 MB

Nội dung

THỰC NGHIỆM 4 TRANSISTOR TRƯỜNG FET KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG FET Lớp môn học: ELT203521 Khoa: Điện tử viễn thông Trường Đại học Công Nghệ Đại học Quốc Gia Hà Nội II.THỰC NGHIỆM 1. Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS Mạch trên proteus 1.1. Khảo sát khuếch đại 1 chiều (DC): Các bước làm: Câu hỏi: Nêu đặc điểm khác biệt giữa transistor trường (yếu tố điều khiển bằng thế) và transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển bằng dòng). Transistor trường (FET) Transistor lưỡng cực (BJT) Là transistor đơn cực Là một linh kiện lưỡng cực Độ ổn định nhiệt tốt Phụ thuộc vào nhiệt độ Đắt tiền Rẻ tiền Kích thước nhỏ Kích thước lớn Không có thế offset Có thế offset Trở kháng lối ra thấp (độ lợi ít) Trở kháng lối ra cao (độ lợi cao) Có tốc độ chuyển mạch và tần số cắt cao hơn Có tốc độ chuyển mạch và tần số cắt thấp hơn Công suất tiêu thụ thấp Công suất tiêu thụ cao Có hệ số nhiệt độ dương Có hệ số nhiệt độ âm Phân cực khó Phân cực đơn giản Có 3 chân: drain, source và gate Có 3 chân: common, emitter và base Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào các hạt mang điện đa số là lỗ trống hoặc electron Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mang điện đa số cũng như thiểu số Trở kháng lối vào lớn Trở kháng lối vào nhỏ (1kΩ 3kΩ) Là thiết bị điều khiển bằng điện áp Là thiết bị điều khiển dòng điện Ít nhiễu (Do không có lớp chuyển tiếp và tiếp giáp) Nhiễu hơn FET (Do có lớp tiếp giáp pn) Câu hỏi: Ghi giá trị dòng và thế trên của transistor trường I_D= 2.32mA V_DS = 0.17V Chỉnh P2 để dòng ID qua T1 ~ 1mA. => V_DS = 0.07V U_V 9.3V 3.56V 1.01V 0.7V 0.25V 0.24V I_D 0mA 0mA 0.38mA 1.83mA 3.2mA 3.24mA V_DS 11V 11V 9.6V 4.72V 0,66V 0.3V Câu hỏi: Biểu diễn đồ thị giữa dòng ID (trục y) và thế VDS (trục x) 1.2. Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC): Các bước làm: Chú thích: Đầu ra là đường màu xanh, đầu vào là đường màu vàng. Câu hỏi: Ghi các kết quả vào bảng A4B3. Tính hệ số khuếch đại thế A = VoutVin cho mỗi bước. Ghi các kết quả vào bảng A43. V_in (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV Biên độ V_out 150mV 1.55V 3.1V 4.75V 5.75V 5.75V A 15 15.5 15.5 15.76 14.125 12.25 Các bước làm:

CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM ĐỘC LẬP – TỰ DO – HẠNH PHÚC ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ  THỰC NGHIỆM TRANSISTOR TRƯỜNG FET KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG FET Lớp môn học: ELT-2035-21 Khoa: Điện tử viễn thông Trường Đại học Công Nghệ - Đại học Quốc Gia Hà Nội II.THỰC NGHIỆM Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS Mạch proteus 1.1 Khảo sát khuếch đại chiều (DC): Các bước làm: Câu hỏi: Nêu đặc điểm khác biệt transistor trường (yếu tố điều khiển thế) transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển dòng) Transistor trường (FET) - Là transistor đơn cực - Độ ổn định nhiệt tốt - Đắt tiền Transistor lưỡng cực (BJT) - Là linh kiện lưỡng cực - Phụ thuộc vào nhiệt độ - Rẻ tiền - Kích thước nhỏ - Khơng offset - Trở kháng lối thấp (độ lợi ít) - Có tốc độ chuyển mạch tần số cắt cao - Công suất tiêu thụ thấp - Có hệ số nhiệt độ dương - Phân cực khó - Có chân: drain, source gate - Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mang điện đa số lỗ trống electron - Trở kháng lối vào lớn - Là thiết bị điều khiển điện áp - Ít nhiễu (Do khơng có lớp chuyển tiếp tiếp giáp) - Kích thước lớn - Có offset - Trở kháng lối cao (độ lợi cao) - Có tốc độ chuyển mạch tần số cắt thấp - Công suất tiêu thụ cao - Có hệ số nhiệt độ âm - Phân cực đơn giản - Có chân: common, emitter base - Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mang điện đa số thiểu số - Trở kháng lối vào nhỏ (1kΩ -3kΩ) - Là thiết bị điều khiển dòng điện - Nhiễu FET (Do có lớp tiếp giáp p-n) Câu hỏi: Ghi giá trị dòng transistor trường = 2.32mA = 0.17V Chỉnh P2 để dòng ID qua T1 ~ 1mA => = 0.07V -9.3V -3.56V -1.01V -0.7V 0.25V 0.24V 0mA 0mA 0.38mA 1.83mA 3.2mA 3.24mA 11V 11V 9.6V 4.72V 0,66V 0.3V Câu hỏi: Biểu diễn đờ thị dịng ID (trục y) VDS (trục x) 1.2 Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC): Các bước làm: Chú thích: Đầu đường màu xanh, đầu vào đường màu vàng 10 42 Bảng A4-B8 100Hz 1kHz 10kHz 100KHz 1MHz 10MHz Biên độ 3.55 3.55 3.6 3.6 3.6 4.5 A 6.7 6.6 6.5 6.7 6.7 6.7 Câu hỏi: Biểu diễn đồ thị kết phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số 43 Câu hỏi: So sánh biên độ sóng để tính mát biên độ (%) ảnh hưởng điện A trở vào sơ đồ 4.2 Sơ đồ Drain chung CD 44 45 Các bước làm: I=0.29mA V=0.59V 46 47 48 Bảng A4-B9 49 (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV Biên độ 1.53mV 34.85mV 56.25mV A 0.165 18.15m V 0.1675 0.1835 0.1824 Câu hỏi: Vẽ dạng tín hiệu vào (đã vẽ trên) 4.3 Sơ đồ Gate chung CG 50 400mV 500mV 76.75mV 92mV 0.1827 0.23 Các bước làm: 51 I= 0.01mA V=12V Bảng A4-B10 52 53 54 55 (IN) 0.1V 1V 2V 3V 4V 5V Biên độ 92.7mV 926mV 2.34V 2.28V 2.65V 4.73V A 0.925 0.895 0.96 0.875 0.926 0.84 Câu hỏi: Vẽ dạng tín hiệu vào (đã vẽ trên) => Tín hiệu khơng có thay đổi đáng kể 56 ... tưởng Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET 15 2.1 Khảo sát hoạt động với tín hiệu chiều (DC) Các bước làm: 16 Bảng A4-B5 (IN) 0.5V 1V 2V 3V 4V 5V Biên độ 0.24V 0.24V 0.24V 0.24V 0.24V 0.24V V ⟶12V Biên... sơ đồ 4. 2 Sơ đồ Drain chung CD 44 45 Các bước làm: I=0.29mA V=0.59V 46 47 48 Bảng A4-B9 49 (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV Biên độ 1.53mV 34. 85mV 56.25mV A 0.165 18.15m V 0.1675 0.1835 0.18 24 Câu...II.THỰC NGHIỆM Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS Mạch proteus 1.1 Khảo sát khuếch đại chiều (DC): Các bước làm: Câu hỏi: Nêu đặc điểm khác biệt transistor trường

Ngày đăng: 17/10/2021, 12:39

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w