1. Trang chủ
  2. » Tất cả

dien hoa doc

54 1 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Phản Ứng Oxy Hóa Khử
Thể loại bài viết
Định dạng
Số trang 54
Dung lượng 2,8 MB

Nội dung

Phản ứng oxy hóa khử phản ứng có thay đổi số oxy hóa vài nguyên tố (do có trao đổi electron chất Quá trình chooxy electron: khử chất hoá) trình oxy hoá:A e = A+ Td: Zn – 2e = Zn2+ * Quá trình nhận electron: trình khử:B + e = BTd: Cu2+ + 2e = Cu * Chất cho electron: chất khử Td:Kim loại: Zn; Cu; Al….phi kim loại Cl-; Br-,I* Zn Chất+nhận electron: chất oxy hoùa CuSO4 Cu + Td: Zn2+; Cu2+; Al3+….Cl2ZnSO ; Br2; I2; … OxhI/KhI : Kh I : I +ne Oxh /KhOxh Oxh + ne Kh II II II II OxhII + KhI OxhI + KhII Các phản ứng oxy hóa khử chia làm hai loại: Các phản ứng môi trường tham gia: phản ứng có chất Oxh chất khử tham gia phản ứng, dạng khử dạng Oxh gồm chất Thí dụ: Zn + CuSO4 = Cu + ZnSO4 Các phản ứng có mội trường tham gia: có mặt chất thứ ba làm môi trường cho phản ứng Chất thứ ba gọi môi trường, thường acid, baz hay nước 2KMnO4 + 5KNO2 + 3H2SO4 = 2MnSO4 + 5KNO3 + 3H2O MnO4- + 8H3O+ Daïng Oxh + 5e = Mn2+ + H2 O Dạng Kh  Nguyên tắc: Tổng số electron chất khử cho BẰNG tổng số electron chất Oxh thu vào  Trình tự tiến hành: Dựa vào thay đổi số Oxh nguyên tố phản ứng , xác định chất oxh chất khử Thành lập phường trình electron – ion dựa số electron trao đổi Trong trường hợp phản ứng xảy môi trường (acid, baz hay trung tính) dạng Oxh Khử chứa số nguyên tử oxy khác ta thêm ion H3O+ hay OH- H2O Thiết lập phương trình ion phản ứng Cân hệ số hợp thức chất có mặt phản ứng Khi nhúng kim loại vào dung dịch xảy hai tượng: Lớp điện Cation kim loại từ dung dịch kết tủa lại tích dương bề mặt KL Cation mạng lưới tinh thể kim loại dung dịch → Trênthành bề mặt lớp lại electron → Tíchtrên bề Hình điện tích kép điện âm mặt phân Sự chênh lệchchia điệnpha tích phụ thuộc: Bản chất KL: Càng hoạt động hoá học lớp điện tích kép lớn Hoạt độ dung dịch: lớn khuếch tán ion Kl → Lớp điện tích kép nhỏ Khi cho chất oxy hoá chất khử tiếp xúc trực tiếp → Hoá chuyển thành nhiệt Cu(r) + Ag+(dd) → Cu2+(dd) + Ag(r) Khi cho chất oxy hoá chất khử không tiếp xúc trực tiếp→ trình Oxh –khử diễn nơi khác nhau, electron di chuyển nhờ dây KL→ Hoá chuyển thành điện eMàng ngăn e- eChất oxh Chất khử Anode Cathode Nguyên tố Ganvanic hay pin điện hoá học thiết bị cho phép thu điện dựa phản ứng Oxh – khử xảy Nguyên tố Galvanic Zn/Cu Côn g tắc Chiều di chuyển Chiều cation di chuyển Hiệu điện cực nguyên tố Ganvanic phản ứng Oxh – khử sở diễn thuận nghịch gọi sức điện động nguyên tố Ganvanic m A' = −∆G = nFV = nFE ∆G = −n F E cell o ∆G = ∆G + RT ln π cell = −n F E cell F: Hằng số Faraday F = 96 484 A’ tính J (von-Culong) F = 23 061 Nếu A’ tính calo aA + bB cC + dD ∆G = −n F E cell ∆G ∆G RT ln π cell = + = E cell − n F − n F − nF o ∆G = −n F E cell 0 RT [C ] [ D] E = E − ln a b nF [ A] [ B] C d Walther Hermann Nernst Born: Briesen near Thorn (Torun) (Germany), Died: Ober-Zibelle near Bautzen (Germany),

Ngày đăng: 22/08/2021, 16:00

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình thành lớp điện tích kép trên bề mặt phân chia phaSự chênh lệch điện tích phụ  - dien hoa doc
Hình th ành lớp điện tích kép trên bề mặt phân chia phaSự chênh lệch điện tích phụ (Trang 3)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w