Thông tin tài liệu
Bộ giáo dục đào tạo Trờng đại học Bách khoa hà nội Nguyễn Tuyết nga Nghiên cứu công nghệ chế tạo số tính chất màng nhạy ion họ Nasicon Luận án tiến sĩ vật lý Hà nội - 2004 Bộ giáo dục đào tạo Trờng đại học Bách khoa hà nội **************** Nguyễn Tuyết nga Nghiên cứu công nghệ chế tạo số tính chất màng nhạy ion họ Nasicon Chuyên ngành: Vật lý thùc nghiƯm M· sè: 1.02.02 Ln ¸n tiÕn sÜ vËt lý Ng−êi h−íng dÉn khoa häc: PGS.TS Vâ Th¹ch sơn PGS.TS trần Kim lan Hà nội - 2004 lời cảm ơn Trớc hết muốn bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới Bộ giáo dục Đào tạo, LÃnh đạo Trờng Đại học Bách khoa Hà nội, LÃnh ®¹o ViƯn VËt lý Kü tht ®· t¹o mäi ®iỊu kiện để hoàn thành luận án cách thuận lợi Tôi vô biết ơn PGS TS Võ Thạch Sơn, ngời thầy trực tiếp hớng dẫn Tôi vinh hạnh đợc làm việc dới hớng dẫn thầy Thầy đà giúp qua chặng đờng dài đầy vất vả để hoàn thành luận án Tôi đà học đợc nhiều kiến thức khoa học cần thiết bổ ích thời gian làm việc với thầy đà nhận đợc hớng dẫn tận tình chu đáo, cảm thông, chia sẻ đầy tình ngời thầy lúc gặp khó khăn Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành đến cố PGS.TS cô giáo Trần Kim Lan, Phó vụ trởng, Vụ quan hệ Quốc tế, Bộ Giáo dục Đào tạo Cô đà giúp đỡ nhiều suốt trình nghiên cứu để hoàn thành luận án Đây chút thành nhỏ bé mà em muốn dâng tặng đến hơng hồn cô để tỏ lòng biết ơn em với cô Tôi chân thành cảm ơn GS.TS Claude Deslouis, giám đốc phòng thí nghiệm Bề mặt hệ thống điện hoá, trờng Đại học Piere et Marie Curie, Paris, Cộng hoà Pháp, ngời đà giúp nhiều việc phân tích đánh giá kết thực nghiệm Với giúp đỡ nhiệt tình giáo s đồng nghiệp khác phòng thí nghiệm, đà có đợc kết thực nghiệm quý báu góp phần quan trọng cho luận án Tôi xin chân thành cảm ¬n tiÕn sÜ F Haubert ®· gióp ®ì viƯc mô phổ CIS thực nghiệm Nhân đây, xin gửi lời cảm ơn đến bạn đồng nghiệp phòng thí nghiệm đà giúp đỡ nhiều suốt thời gian thực tập phòng thí nghiệm Tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành tới PGS Nguyễn Hạnh, Bộ môn Hoá vô - Đại cơng, Khoa Công nghệ Hoá học, Trờng Đại học Bách khoa Hà nội Thầy đà hớng dẫn giúp đỡ rÊt nhiỊu lÜnh vùc c«ng nghƯ sol – gel Tôi xin chân thành cảm ơn PGS.TS Lê Xuân Quế, Viện kỹ thuật nhiệt đới, Viện KH & CNVN giúp đỡ hiệu nghiên cứu Tôi xin chia sẻ tiếc thơng biết ơn đến bạn đồng nghiệp đà khuất Ths Trần Viết Lực giúp đỡ tận tình trình làm việc phòng thí nghiệm Vật liệu gốm Cảm biến, Bộ môn Vật liệu Điện tử, Viện Vật lý Kỹ thuật Tôi xin chân thành cảm ơn Trung tâm ITIMS đà giúp đỡ thực số phép đo thực nghiệm Tôi muốn bày tỏ lòng biết ơn đến tất thầy, anh chị em bạn Bộ môn Vật liệu điện tử, Bộ môn Vật lý đại cơng nh Viện Vật lý Kỹ thuật đà giúp đỡ thực phép đo thực nghiệm, hoàn chỉnh luận án ủng hộ mặt tinh thần, khích lệ suốt trình học tập Cuối cùng, muốn nói lời cảm ơn tới tất ngời thân yêu gia đình Sự chia sẻ, thông cảm động viên ngời thân nguồn động lực to lớn thiếu đợc để vợt qua khó khăn hoàn thành luận án Lời cam đoan Tôi xin cam đoan công trình nghiên cứu riêng Các kết hợp tác nghiên cứu mà sử dụng luận án đà đợc đồng ý đồng tác giả Các số liệu, kết luận án trung thực cha đợc công bố công trình khác Tác giả luận án Nguyễn Tuyết Nga Mục lục Trang phụ bìa Lời cảm ơn Lời cam đoan Mục lục Danh mục ký hiệu chữ viết tắt Trang Mở đầu Ch−¬ng I: Tỉng quan tµi liƯu I.1 VËt liƯu NASICON I.1.1 Các tính chất điện - vật lý I.1.2 CÊu tróc tinh thĨ I.I.2.1 CÊu tróc m¹ng cđa vËt liƯu NASICON I.I.2.2 Quá trình chuyển dời ion Na+ 10 I.1.3 TÝnh dÉn ®iÖn ion 13 I.I.3.1 Cơ chế dẫn điện ion 13 I.I.3.2 TÝnh dÉn ®iƯn ion vËt liƯu NASICON 15 I.2 Bản chất màng lọc lựa ion - phơng pháp xác định điện 17 I.2.1 Phân biên màng lọc lựa ion rắn/ láng 17 I.2.2 C¸c mô hình lý thuyết cấu trúc phân biên 17 I.2.2.1 Lý thuyÕt Helmholtz 17 I.2.2.2 Lý thuyÕt Gouy - Chapman 18 I.2.2.3 Lý thuyÕt Stern 20 I.2.2.4 Lý thuyÕt Grahame 22 I.2.3 Sự hình thành điện màng lọc lùa ion 23 I.2.3.1 CÊu trúc phân biên vật liệu ion rắn/ dung dịch Điện phân biên 23 I.2.3.2 Hiệu điện màng dẫn ion dới điều kiện dòng không 24 I.2.3.3 Các giả thiết trình tính toán 25 I.2.3.4 Hiệu điện phân biên 25 I.2.3.5 HiÖu ®iƯn thÕ khch t¸n 26 I.2.3.6 Hiệu điện màng lọc lùa ion vµ hƯ läc lùa 28 I.2.4 Các điện cực lọc lựa ion 30 I.2.4.1 §iƯn cùc thuû tinh 30 I.2.4.2 Các điện cực së mµng NASICON 31 I.2.5 Cơ chế phản ứng trao đổi ion bề mặt cđa mµng läc lùa ion 32 I.2.5.1Chun dêi cđa ion phân biên màng NASICON/chất lỏng 32 I.2.5.2 Những đóng góp khác vào phổ trở kháng phức phân biên màng NASICON/Chất lỏng 34 KÕt luËn ch−¬ng 36 Chơng II: Nghiên cứu Công nghệ chế tạo vật liệu NASICON II.1 Các phơng pháp công nghệ 38 II.1.1 Phơng pháp cỉ ®iĨn 38 II.1.2 Phơng pháp nhiệt thuỷ phân 39 II.1.3 Ph−¬ng ph¸p sol - gel 40 II.1.3.1 Cơ chế trình sol-gel tõ alkoxide 42 II.1.3.2 Sù gel ho¸ 44 II.I.3.3 Giai đoạn sấy 45 II.I.3.4 Qu¸ trình thiêu kết 47 II.1.4 ứng dụng phơng pháp sol - gel từ alkoxide để tổng hợp vật liệu 47 II.1.4.1 Alkoxide phøc hỵp 47 II.1.4.2 Hỗn hợp alkoxide 48 II.1.4.3 Alkoxide - dung dÞch 48 II.2 Tỉng hỵp vËt liÖu NASICON 49 II.2.1 Phơng pháp hỗn hợp hai alkoxide - dung dịch 51 II.2.1.1 Quá trình hình thành gel 52 II.2.1.2 Chng cất đẳng phí 52 II.2.1.3 NÐn định dạng màng NASICON 56 II.2.1.4 Xác định chế độ kết tinh pha NASICON 56 II.2.2 Phơng pháp hỗn hợp alkoxide - dung dịch 75 II.2.2.1 Qui trình công nghệ 76 II.2.2.2 Khảo sát tính chÊt cđa vËt liƯu 78 KÕt luËn ch−¬ng 80 Chơng III: Nghiên cứu hệ NASICON/ Chất lỏng III.1 Quá trình tan ph¶n øng NASICON víi n−íc 82 III.1.1 Ph¶n øng cđa bét NASICON víi n−íc 82 III.1.1 ChuÈn bÞ thùc nghiÖm 82 III.1.1 KÕt qu¶ thùc nghiƯm 83 III.1.2 Phản ứng màng NASICON víi n−íc 86 III.1.2.1 Chn bÞ thùc nghiƯm 86 III.1.2.2 KÕt qu¶ thùc nghiƯm 87 III.1.2.3 Mô hình hoá 92 III.1.2.4 Thảo luận kết mô pháng 94 III.2 Khảo sát trình trao đổi ion phân biên NASICON/ dung dÞch XCl 96 III.2.1 Chn bÞ thùc nghiƯm 96 III.2.1.1 ChuÈn bÞ mÉu 96 III.2.1.2 ChuÈn bÞ dung dÞch XCl 96 III.2.1.3 Mô tả thực nghiệm 97 III.2.2 Khảo sát trình trao đổi ion phụ thuộc thời gian phân biên NASICON/ NaCl 0.1M 98 III.2.2.1 KÕt qu¶ thùc nghiƯm 98 III.2.2.2 Mô hình ho¸ 100 III.2.2.3 Thảo luận kết mô 102 III.2.3 Khảo sát trình trao đổi ion phân biên NASICON/ XCl 106 III.2.3.1 KÕt qu¶ thùc nghiƯm 106 III.2.3.2 Th¶o luËn kÕt mô 109 KÕt luËn ch−¬ng 112 Chơng IV: nghiên cứu hệ NASICON/ chất rắn IV.1 Khảo sát trình trao đổi ion phân biên NASICON/Me 113 IV.1.1 Mô hình lý thuyết 113 IV.1.2 Hiệu ứng độ nhám 115 IV.1.2.1 Chn bÞ thùc nghiƯm 115 IV.1.2.2 KÕt qu¶ thùc nghiƯm 116 IV.1.2.3 Mô hình hoá thảo luận kết 117 IV.I.3 HiƯu øng ®é Èm 121 IV.1.3.1 Chn bÞ thùc nghiƯm 121 IV.1.3.2 KÕt qu¶ thùc nghiÖm 123 IV.1.3.3 Mô hình hoá thảo luận kết 124 IV.2 Khảo sát trình trao đổi ion phân biên NASICON /Ag1-xNaxCl 126 IV.2.1 Chn bÞ thùc nghiƯm 126 IV.2.2 KÕt qu¶ thùc nghiƯm 127 IV.2.3 Mô hình hoá 129 IV.2.3.1 Mô hình 129 IV.2.3.2 Thảo luận kết mô 129 KÕt luËn ch−¬ng 133 ChơngV: chế tạo thử nghiệm cảm biến lọc lựa ion Na+ trªn cë së vËt liƯu NASICOn V.1 Nguyªn lý hoạt động cảm biến 135 V.2 §iƯn cùc chn néi 136 V.3 Thiết kế chế tạo cảm biến 138 V.4 Khảo sát đặc trng cảm biến 139 V.4.1 Đặc trng - nồng ®é cđa c¶m biÕn 139 V.4.2 Giới hạn phát cảm biến (LD) 140 V.4.3 Thêi gian ®¸p øng ν 141 V.4.4 TÝnh läc lùa ion 142 V.4.5 Nồng độ hoạt độ 145 KÕt luËn ch−¬ng 147 KÕt luËn 148 Danh mục ký hiệu chữ viết tắt Chữ viết t¾t TiÕng Anh TiÕng ViƯt NASICON Na Super Ionic Conductor NASICON ISE Ion Selection Electrode §iƯn cùc läc lùa ion σ Conductivity §é dÉn k Boltzman costant H»ng sè Boltzman F Faraday’s constant H»ng sè Faraday Chemical activity of ion i Hoạt độ hoá học ion i ci Concentration of ion Nång ®é cđa ion Ke Thermodynamic constant H»ng sè nhiƯt ®éng häc Z Electric charge of ion §iƯn tÝch cđa ion PIH Plane of Internal Hemholtz MỈt phẳng nội Helmholtz PEH Plane of External Hemholtz Mặt phẳng ngoại Helmholtz AFM Atomic Force Microscope Hiển vi lực nguyên tư SEM Scanning Electron Microscope HiĨn vi ®iƯn tư qt CIS Complex Impedance Spectroscopy Phỉ trë kh¸ng phøc DTA Differential Thermal Analyse Ph©n tÝch nhiƯt vi sai TGA Thermal Gravity Analyse Phân tích nhiệt khối lợng XRD X Ray Diffraction Nhiễu xạ tia X Góc phân tán HC Humidity Condition Điều kiện ẩm DC Dry Condition Điều kiện khô RE Reference Electrode §iƯn cùc chn IE Internal Reference Electrode §iƯn cùc chn néi e Carrier charge §iƯn tÝch h¹t tải Ea Activation Energy Năng lợng hoạt hoá Cdl Double layer Capacitance §iƯn dung líp kÐp ρ Resistivity §iƯn trë suất Permittivity Hằng số điện môi Permittivity of vacuum Hằng số điện môi chân không 146 muốn giữ cho hệ số hoạt độ không đổi lực ion phải đợc giữ không đổi Lực ion phụ thuộc vào nồng độ số ion xuất dung dịch Dung dịch đệm thờng đợc đa vào để giữ cho lực ion không thay đổi nồng độ dung dịch thay đổi Trong trờng hợp dung dịch NaCl có sử dụng dung dịch đệm dung dịch có ion Na+, Cl- ion A, B hợp chất đệm Khi f đợc xác định nh sau: ( f = / 1c Na + + 1C Cl − + Z A2 c A + Z B2 c B ) (V.18) Trong dải hoạt động cảm bién nồng độ nhỏ phần đóng góp chúng vào cho lực ion nhỏ không đáng kể so với phần ®ãng gãp cđa c¸c ion A, B C¸c ion A, B có nồng độ không đổi lực ion f không đổi có nghĩa hệ số hoạt độ không thay đổi nồng độ NaCl thay đổi Nh dung dịch đệm giữ không thay đổi tức đảm bảo mối quan hệ tuyến tính nồng độ hoạt độ suốt dải đo -150 ion Na+ dung dịch dịch đệm không -200 đợc chứa ion Na+ để khỏi làm sai -250 lệch phép đo Chúng sử dụng hợp chất hữu N(-CH2-CH2OH)3 (trietanolamin) Sau đó, HCl đợc pha thêm vào để đợc dung dịch EMF (mV) Trong phép đo nồng độ Không sử dụng dung dịch đệm Sử dụng dung dịch ®Öm -300 -350 -400 -450 -500 -5 10 cã ®é pH = 6,6 H×nh V.10 biĨu -4 10 10 -3 -2 10 10 -1 10 -1 C / mol.l diễn đờng đặc trng EMF phụ Hình V.10 Đặc trng - nồng độ sử dụng dung dịch đệm thuộc vào nồng độ So sánh hai đờng đặc trng sử dụng dung dịch đệm không sử dụng ta thấy rằng, khác biệt nhiều hay nói cách khác phép đo đòi hỏi độ xác cao cần thiết phải sử dụng dung dịch đệm 147 Kết luận chơng Đà chế tạo đợc cảm biến lọc lựa ion Na+ sở vật liệu NASICON với điện cực chuẩn nội Ag1-xNaxCl nhận đợc phơng pháp bay chân không Đà khảo sát đặc trng - nồng độ cảm biến Cảm biến hoạt động tốt khoảng nồng độ 100 - 10-4 mol/l Đà xác định thông số đặc trng quan trọng cảm biến: giới hạn phát LD=1.8 10-4 mol/l, thời gian đáp ứng = 30 ữ 50s, hệ lọc lựa ion cảm biến chế tạo ion K+ vµ Li+: s s K Na = 3.310−3 vµ K Na = 5.810−4 + + , Li + ,K + Đối với phép đo đòi hỏi độ xác cao cần thiết phải sử dụng dung dịch đệm cho cảm biến 148 Kết luận Đà nghiên cứu thành công qui trình công nghệ chế tạo gốm dẫn ion nhanh NASICON với thành phần Na1+xZr2SixP3-xO12 hai phơng pháp: phơng pháp hai alkoxide-dung dịch (phơng pháp hai alkoxide) alkoxide-dung dịch (phơng pháp alkoxide) Phơng pháp hai alkoxide cho sản phẩm có độ tinh khiết cao (hàm lợng pha điện môi thờng xuất NASICON tổng hợp phơng pháp khác nh ZrO2, SiO2, trờng hợp này, thấp hơn), độ dẫn cao so với phơng pháp alkoxide (= 1.02x10-4 S.cm-1 3.5x10-4 S.cm-1) Tuy nhiên, phơng pháp alkoxide có u điểm giá thành sản phẩm thấp thích hợp với điều kiện Việt nam Chất lợng vật liệu đà đợc khẳng định thông qua phép đo phổ trở kháng phức (CIS), hiển vi lực nguyên tử (AFM), hiển vi điện tử quét (SEM), nhiễu xạ tia X đà so sánh víi vËt liƯu cđa phßng thÝ nghiƯm LIES (INP Grenoble Cộng hoà Pháp) Lần Việt nam, đà nghiên cứu ứng dụng phơng pháp chng cất đẳng phí sử dụng toluen nhằm loại bỏ nớc chống kết khối mao quản gel NASICON để nhận đợc bột gốm có kích thớc siêu mịn ( 200nm) Đà xác định đợc chế độ kết tinh tối u cho vật liệu từ thiết lập qui trình công nghệ ổn định để chế tạo vật liệu Đà nghiên cứu trình tơng tác vật liệu NASICON với nớc thông qua khảo sát thay đổi độ pH dung dịch chứa bột NASICON thay đổi tính chất điện - vật lý màng NASICON Các trình tơng tác đợc mô hình hoá phơng pháp sơ đồ tơng đơng đợc mô với trợ giúp phần mềm Impedance để so sánh với thực nghiệm Quá trình tơng tác đợc mô tả trao đổi Na+/ H3O+ NASICON dung dịch hoà tan pha vô định hình giàu natri kiểu Na2O Lần đầu tiên, công trình đà phát hiƯn b¸n ngut thø ba phỉ CIS ë vïng tần số thấp f 10-1 ữ10-5 Hz mô tả cho trình khuếch tán 149 tơng tác NASICON với dung dịch XCl (X=Na, Li, K) Quá trình tơng tác gồm hai bớc: trình chuyển dời ion phân biên màng/dung dịch trình khuếch tán cation từ dung dịch vào bên vật liệu Đà khảo sát tác động hiệu ứng độ ẩm, hiệu ứng độ nhám tới trình trao đổi ion phân biên NASICON/Me nhận thấy diện trình trao đổi ion phân biên NASICON/ Me Đối với loại điện cực khác công nghệ lắng đọng điện cực khác tác động hiệu ứng độ ẩm độ nhám lên phân biên NASICON/ Me khác Đà khảo sát tính chất hệ Ag/Ag1-xNaxCl/NASICON/Ag1-xNaxCl/Ag phổ CIS Đa sơ đồ tơng đơng mô trình trao đổi ion diễn hệ vật liệu phân biên NASICON/Ag1-xNaxCl Đà xác định đợc giá trị x 0.1 tức tỷ lệ NaCl chiếm khoảng 5% khối lợng Đà chế tạo cảm biến lọc lựa ion natri sở vật liệu NASICON Đặc trng - nồng độ EMF = f(c) đà đợc khảo sát cho thấy cảm biến hoạt động ổn định khoảng nồng độ c = 100 ữ 10-4 mol/l Đà xác định thông số đặc trng quan trọng cảm biến: giới hạn phát LD=1.8 10-4 mol/l, thời gian đáp ứng = 30 ữ 50s, hệ số lọc lựa ion cảm biến chế tạo ion K+ vµ s s = 3.310 −3 vµ K Na = 5.810 −4 Li+: K Na + + ,Li + ,K + 150 Danh mục công trình đ công bố Võ Thạch Sơn, Phan Quốc Phô, Nguyễn Tuyết Nga, Trần Viết Lực Trần Kim Lan, ảnh hởng hiệu ứng độ ẩm đến phân biên NASICON/Me, Tuyển tập báo cáo khoa học Hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ 5, Hà nội, 2001, tr 489-492 Vo Thach Son, Tran Viet Luc, Tran Kim Lan, Phan Quoc Pho and Nguyen Tuyet Nga, CO2 sensor using perovskite Oxide/NASICON structure, Proceedings of the 4th German-Vietnamese Seminar on Physics and Engineering, 2001, Dresden - Germany, pp 153-155 Nguyễn Tuyết Nga, Võ Thạch Sơn, Trần Viết Lực, Trần Kim Lan Phan Quốc Phô , ảnh hởng công đoạn nhiệt độ cao đến tính chất điện vật liệu NASICON, Tuyển tập báo cáo khoa học Hội nghị vật lý Chất rắn toàn quốc lần thứ 3, Nha Trang, - 10 / 8/ 2001, Tập II - A Những vấn đề đại vật lý chất rắn, Nhà xuất khoa häc kÜ thuËt 2003, tr 236 - 240 Nguyen Tuyet Nga, Vo thach Son, Tran Kim Lan, Phan Quoc Pho and Tran Viet Luc, Stability of NASICON in water, Proceedings of the 5th German-Vietnamese Seminar on Physics and Engineering, Hue - Vietnam, 2002, pp 33-36 Nguyen Tuyet Nga, Vo thach Son, Tran Kim Lan, Phan Quoc Pho and Tran Viet Luc, AgCl - NaCl internal reference electrode for Na+ selected sensor, Proceedings of the 5th German-Vietnamese Seminar on Physics and Engineering, Hue, Vietnam 25 February - 02 March, 2002, pp 37-39 Vo Thach Son, Tran Viet Luc, Tran Kim Lan and Nguyen Tuyet Nga, New improving of CO2 sensor for again effect of environment humidity, Proceedings of the 5th Vietnamese - German Seminar on Physics and Engineering, Hue, Vietnam 25 February - 02 March, 2002, pp 44-47 Tran Viet Luc, Nguyen Hanh, Vo Thach Son, Tran Kim Lan and Nguyen Tuyet Nga, CO2 sensing on perovskite/ NASICON structure with perovskite layer obtained by spin-on method, Proceedings of the 5th German-Vietnamese Seminar on Physics and Engineering, Hue - Vietnam, 2002, pp 48-51 151 Nguyen Tuyet Nga, Vo thach Son, Nguyen Hanh, Tran Kim Lan, New Alkoxide - Citrat method for synthesis of NASICON, Proceedings of the 6th Vietnamese - German Seminar on Physics and Engineering, ChemnitzGermany, 2003, pp 196-199 Vo Thach Son, Tran Viet Luc, Tran Kim Lan, Nguyen Tuyet Nga, Simulating of Perovskite/NASICON system by complex impedance method in frequency range 5Hz- 13MHz, Proceedings of the 6th Vietnamese - German Seminar on Physics and Engineering, Chemnitz, Germany 2003, pp 200-205 10 Nguyen Tuyet Nga, Vo Thach Son and C.Deslouis, Impedance studies of the system NASICON/Aqueous solution, Communications in Physics 2003, Vol.13 No4, pp 252-256 11 Nguyen Tuyet Nga, Vo Thach Son and C.Deslouis, Interaction model of the interface NASICON with aqueous solution, Communications in Physics 2004, Vol.14 No2, pp 105-110 152 Tài liệu tham khảo Tiếng Việt Nguyễn Đức Chiến, Trần Kim Lan, Nguyễn Tuyết Nga (1995), Thông báo khoa học trờng đại học, Chuyên đề Vật lý, tr 100 - 102 Ngun Tut Nga, Vâ Th¹ch Sơn, Trần Viết Lực, Trần Kim Lan Phan Quốc Phô (2003), Tuyển tập báo cáo khoa học Hội nghị vật lý Chất rắn toàn quốc lần thứ 3, Nha Trang, - 10 / 8/ 2001, TËp II - A Những vấn đề đại vật lý chất rắn, Nhà xuất khoa học kĩ thuật, tr.236 - 240 Võ Thạch Sơn, Phan Quốc Phô, Nguyễn Tuyết Nga, Trần Viết Lực Trần Kim Lan (2001), Tuyển tập báo cáo khoa học Hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ 5, Hà nội, tr 489-492 Võ Thạch Sơn, Phan Quốc Phô, Trần Kim Lan (1999), Tạp chí khoa học công nghệ, XXXVII, (1) 59 - 63 TiÕng Anh Ahmad A, Glassgow C, Wheat T.A (1995), Solid State Ionics, (76), 143 Ahmad A, Wheat T A, Kuriakose A, Canaday J D, Mc Donnald A G (1987), Solid State Ionics, (24), 89 Armstrong R.D, Sellick D.P (1975), Electrode Process in Solid state ionics, Edited by Kleitz and J Duruy, P Reindel, 261 Auborn J J, Johnson JR D W (1981), Solid State Ionics, (5), 315 Balagopal S, Landro T, Zeccevic S , Sutija D, Elangovan S, Khandra A (1999), Seperation and Purification Technology, (15), 231 - 237 10 Bayard M L, Barna G G (1978), Journal of Electroanalytical Chemistry, (91), 201 11 Bergman E, Voinov M (1976), Journal of Electroanalytical Chemistry, (67), 145- 154 153 12 Blanchard - Desce M, Fosset B, Guyot F, Jullien L, Palacin S (1987), Chimie Organique Experimentable, Hermann (Paris) France 13 Bohnke O, Ronchetti S, Mazza D (1999), Solid State Ionics, (122), 127-136 14 Boilot J P, Colomban Ph (1995), J Master Sci Lett, (4), 15 Boilot J.P, Colomban Ph (1985),"J.Mater.Sci.Lett",(4), 22 16 Boilot P, Collin G, Colomban P (1988), Journal of Solid State Chemistry, (73), 160- 171 17 Boilot P, Collin G, Colomban Ph (1982), J Solid State Ionics, (6), 877 18 Bouquin O, Perthuis H, Colomban Ph (1985), Journal of Materials Science Letters, ( 4) 956-959 19 Bringker C J, Scherer G W (1990), Sol - gel Science, Academic Pres, ins Boston 20 Brumleve T R, Buck R P (1991), J Electroanal Chem., (313), 21 Buck R P (1977), Theory design and biomedical applycation of solid state chemical sensors, ed P W Cheung, D.G Fleming, W H.Ko, M R Neuman, CRC Press Inc., Palm Beach, 3-39 22 Buck R P (1982), Ion- Selective Electrode review, (4), 3-74 23 Bunker B C, Arnold G W, Day D E, Bray P J (1986), J Non - Cryst Solid (87), 226 24 Butchereite, Schreiber M (1994), Solid State Ionics, (69), 25 Byoldas (1975), J.Mater.Sci, (10), 1856 26 Cammann K, Ahlers B, Henn D, Dumschat C, Schlega A (1996), Sensors and Actuators B, (35-36), 26 - 31 27 Cammann K, Xie S L (1989), Ion - Selective Electrodes, th Symposium on ionSelective Electrodes MatrafÜred 1988, ed E Pugor, Pergammon Press, Oxford, 43-79 28 Caneiro, Fabry P, Khireddine H, Sieber E (1991), Analytical Chemistry, (63), 219 29 Caneiro, P Fabry, H Khireddine, E Siebert (1991), Anal Chem (63), 2550 154 30 Caravel G, Poignet N, Siebert E, Fabry P (2002), Sensors and Actuators B, (76), 506-511 31 Chu W F, Loenhard V, Edmann H, Ilgenstein M (1991), Sensors and Actuators B, (4), 321 32 Colomban P, Collin G, Boilot J P (1988), Solid State Ionics, (28- 30), 403 33 Colomban Ph (1989), Ceramics International, 1523 34 Conti F, Eisenman G (1965), Biophysical Journal, 247- 256 35 Donnan F G, Guggenheim E A (1932), Z Phys Chem, (A162), 346 36 Eisenman G (1962), Boiphysical Journal, 259 37 Eisenman G (1962), Biophys J , (2), 259 38 Engell J E, Mortensen S (1984), Ion sensitive measuring electrode device, Radiometer Inst., Patent WO84/01829 39 Etien Duguet, Introduction to Hybrid Organic-Inorgranic Materials, University Bordeaux-1 40 Fabin Qiu, Qifeng Zhu, Xiaotian Yang, Yujun Quan, Liangyan Sun (2003), Sensors and Actuators B, (7059), 41 Fabrice Brunet, Nikolai Bagdassarov and Ronald Miletich (2003), Solid State Ionics, Volume 159, Issues 1-2, 35-47 42 Fabry P, Gros J P, Million-Brodaz J.F, Kleitz M (1988), Sensors and Actuators, (15), 33 - 49 43 Fabry P, Huang Y L, Caneiro A and Patrat G (1992), Sensors and Actuators B, (6299), 303 44 Fabry P, Million-Bordaz J F, Kleitz M (1984), Solid state ionics for ISFET, Symposium Electrochemical Sensors, Rome, June 12-14 45 Fabry P, Montero-Ocampo C, Armand M (1988), Sensors and Actuators (15), 1- 46 Fabry P, Siebert E, BruyÌre J C, Muret P (1995), Sensors and Actuators B, (26-27), 407- 410 155 47 Fabry P, Siebert E, NASICON a Sensitive Membrane for Ion Anlysis, Chemical Sensor Technology, S Yamanchi Ed, Volum 4, 111-123 48 Fuente R.O, Figueiredo F.M, Marques F.M.B, Franco J.I (2001), Solid State Ionics, (140), 173-179 49 Goodenough J B, Hong H P, Kafalas J A (1976), Material Research Bulletin, (11), 203-220 50 Gordon R S, Miller G R, Mcentire B J (1981), Solid State Ionics, (3/4), 234- 243 51 Gordran C, F Albert, Siebert E B J (1986), Solid State Ionics, (84) 131 52 Gondran C, Siebert E, Fabry P (1997), Sensors and Actuators B, (44), 554-558 53 Guessous A, Sarradin J, Papet P, Pradel A, Ribes M (1995), Sensors and Actuators B, (26-27), 360-363 54 Gulens J, Hildebandt B H, Canaday J D, Kuriakose A.K, Wheat T.A, Ahmad A (1989), Solid State Ionics, (35), 45 55 Haibo Qiu, Lian Gao, Chude Feng, Jingkun Guo, Dongsheng Yan (1995) Journal of Materials Science, (30), 5508 - 5513 56 Hong H.Y.P (1976), Material Research Bulletin, (11), 173-182 57 Huang Y L, Caneiro A, Attari M, Fabry P (1991), Thin Solid Films, (196), 283 58 Indenbom V (1995), Electrochimica Acta, 18 (40), 2985 - 2991 59 Iquierdo R, Quenneville E, Trigylidas D, Girand F, Meunie M, Ivanov D, Paleologou M, Yelon A (1997), J.Elctrrochem.Soc., (144L), 323 60 Ivanov D, Currie J, Bouchard H, Lecours A, Adrian J, Yelon A (1993), Extended Abstracts of the th international Conference on Solid State Sensors and Actuators, Tranducers’93, Yokohama, Japan, 382 61 Ivanov D, Currie J, Bouchard H, Lecours A, Adrian J, Yelon A, Poulin S (1994), Solid State Ionics, (67), 295 62 Ivanov-Schitz A.K, Bykov A.B (1997), Solid State Ionics, Volume 100, Issues 1-2, September, 153-155 63 Jamnik J (2003), Solid State Ionics, (157), 19-28 156 64 Kida Tetsuya, Shimanoe Kengo, Minura Norio, Yamazoe Noboru (2001), Sensors and Actuators B, (75), 179-187 65 Koji Makino, Yasushi Katayama, Takashi Miura and Tomiya Kishi (2001), Journal of Power Sources, Volumes 97-98, July, 512-514 66 Komorowski P J, Argyropoulos S A, Hanock R G V (1991), Solid State Ionics, (48), 295 67 Kreuer K, Kohler H, Naler J (1989), High Conductivity Solid Ionic Conductors ed by T Takahash, World scientific, Singapore, 242 68 Krok Freanciszek (1987), Solid State Ionics, (24), 21-28 69 Kuriakose K, Ahmad A, T Wheat A (1983), Progress in Solid Electrolyte, Ennergy, Mine and Resource, Ottawa, Canada 70 Lang Th, Caron M, R Iquierdo, Ivanov D, Currie J.F, Yelon A (1996), Sensors and Actuators B, (31), 9-12 71 Leo C J, Chowdari B V Subba Rao R, G V, Souquet J L (2002),, Materials Research Bulletin, Volume 37, Issue 8, July, p 1419-1430 72 Leohard V, Erdmann H, Ilgenstein M, Cammann K, Krause J (1994), Sensors and Actuators B, (18-19), 329-332 73 Levie R DE (1965), Electochim Acta, (10), 113 74 Lindner E, Toth K, Punggor E (1988), Dynamic Characteristics of ion selective Electrodes, CRC Press Inc., Boca Raton 75 Lisa C, Klein C (1988) Sol-gel Technology for thin film, fibers, preform, electrinic and specialty shape, 407 76 Lisdat Fred, Minura Norio, Yamazoe Noboru (1994), Chemistry Letters, 174 77 Lisdat Fred, Minura Norio, Yamazoe Noboru (1996), Sensors and Actuators B, (30), 195-200 78 Longo M, Horowitz Harold S (1981), Preparation and characterization of material, 29 - 41 79 Loyd I.K, Gupta T.K, Hall B.O (1983), Solid State Ionics, (11), 39-44 157 80 Manickam M (2003), Journal of Power Sources, Volume 113, Issue 1, January, (179), 18 81 Martucci A, Sartori S, Guliemi M, Di Vona M L, Licoccia S, Travrsa E (2002), Journal of European Ceramic Society, (22), 1995-2000 82 Mauvy F, Gordran Ch, Siebert E (1999), Electrochimica Acta, (44), 2219 83 Mauvy F, Siebert E, Fabry F (1999), Talanta, (48), 293 - 303 84 Memet J.B, Girault P, Sabot R, Compere C, Deslouis C (2002), Electrochimica Acta , (47), 1043 - 1050 85 Miller G R, Entire B Mc G, Hadnagy T.D, Rasmussen J R, Gordon R S, Virkar A V, ed by P Vashishita, J N Mundy, G K Shenay (1979), Fast Ion Transport in Solids, Elsevier North Holland Inc., 83 86 Minura N, Yao S, Shimizu Y, and Yamazoe N (1993), Sensors and Actuators B, (13-14), 387 87 Mocrette M, Barboux P, Laurent A, Perriere J (1997), Solid State Ionics, (93), 283 88 Moft W.E (1979), Talanta, (26), 719-725 89 Moft W.E (1981), The principles of Ion Selective Electrode and of Membranes Transport, Elsevier Scientific Publishing Company, Amsterdam 90 Moini A, Clearfield A, Adv.Ceram Mater, (1987) 173 91 Mouline A, Alami M, Brochu R, Olazcuaga R, Parent C, Le Flem G (2000), Journal of Solid State Chemistry, Volume 152, Issue 2, July, 453-459 92 Mouline A, Alami M, Brochu R, Olazcuaga R, Parent C, Le Flem G (2000), Materials Research Bulletin, Volume 35, Issue 6, April, p 899-908 93 Nguyen Tuyet Nga, Vo Thach Son and C.Deslouis (2004), Communications in Physics, Vol.14 No2, 105-110 94 Nguyen Tuyet Nga, Vo Thach Son and C.Deslouis (2003), Communications in Physics, Vol.13 No4, 252-256 95 Nguyen Tuyet Nga, Vo thach Son, Nguyen Hanh, Tran Kim Lan (2003), Proceedings of the 6th Vietnamese - German Seminar on Physics and Engineering, Chemnitz, Germany 25 - 31 May, 196- 199 158 96 Nguyen Tuyet Nga, Vo thach Son, Tran Kim Lan, Phan Quoc Pho and Tran Viet Luc (2002), Proceedings of the 5th Vietnamese- German Seminar on Physics and Engineering, Hue - Vietnam, 33-36 97 Nguyen Tuyet Nga, Vo thach Son, Tran Kim Lan, Phan Quoc Pho and Tran Viet Luc (2002), Proceedings of the 5th German-Vietnamese Seminar on Physics and Engineering, Hue, Vietnam 25 February - 02 March, 37-39 98 Pasierb P, Komornicki S, Gajerski R, Kozinski S, Rekas M (2003), Solid State Ionics, (157), 357-363 99 Perthuis H, Colomban Ph (1986), Ceram Int., 1239 100 Puigsegur, R Mouazer , M Cretin , M Persin (2003), Separation and Purification Technology 00 101 Pungor E, Lindner E, Graf E, Niegreisz Z, Toth K (1988), Analytical Chemistry, (60), 295 -301 102 Ramisrez-Salgado Joel, Fabry Pierre (2003), Solid State Ionics, (1580), 297 103 Rei W.B, West A.R (1991), Solid State Ionics, (45), 239-244 104 Rhodes R K, R Buck P (1979), Anal Chim Acta, (111), 185 105 Rog G, Kozlowska A, Zakula K, Bogusz W, Pycior W (1991), Journal of Applied Electrochemistry, (21), 308 106 Roy R (1956), "J.Amer.Ceram.Soc", (39), 145 107 Saito Y, Maruyama T(1998), Solid State Ionics, (28-30), 1644 108 Sanchez C, Livage J, Henry M, Babonneau F (1985), "J.Non Crytalline Solids", (100), 65 109 Sandblom J, Eisenman G, Walker J.L (1967), Journal of Physical Chemistry, (71), 3862 - 3878 110 Sandifer J R (1988), Analytical Chemistry, (60), 1553-1562 111 Schimid H, Cutgard C, Cameron C (1982), Solid State Ionics, (6), 877 112 Shannon R D, Prewitt C T (1969), Acta Cryst, 925 113 Testsuya Kida, Yuji Myachi, Kengo Shimanoe, Noboru Yamazeo (2001), Sensors and Actuators B, (80), 28-32 159 114 Tran Viet Luc, Nguyen Hanh, Vo Thach Son, Tran Kim Lan and Nguyen Tuyet Nga (2002), Proceedings of the 5th German-Vietnamese Seminar on Physics and Engineering, Hue, Vietnam 25 February - 02 March, 48-51 115 Tranqui D, Capponi J J, Joubert J C, Fast ion transportion Solid, Elsevier North Holland Inc 116 Tranqui D, Capponi J J, Joubert J Shannon C, R D (1981), Journal of Solid State Chemistry, (39), 219 117 Vaikus R, Orliukas A, Bukun N, Ukshe E (1989), Solid State Ionics, (21-36), 231 118 Vijaya Prakash G (2000),, Materials Letters, Volume 46, Issue 1, October, 15-20 119 Vo Thach Son, Phan Quoc Pho (2000), Proceedings of the 3th VietnameseGerman Seminar on Physics and Engineering, Ho Chi Minh - Vietnam, April 3-8, 99 - 102 120 Vo Thach Son, Tran Viet Luc, Tran Kim Lan, Nguyen Tuyet Nga, (2002) Proceedings of the 5th Vietnamese - German Seminar on Physics and Engineering, Hue, Vietnam 25 February - 02 March, 44-47 121 Vo Thach Son, Tran Viet Luc, Tran Kim Lan, Nguyen Tuyet Nga (2003), Proceedings of the 6th Vietnamese - German Seminar on Physics and Engineering, Chemnitz, Germany, 200-205 122 Vo Thach Son, Tran Viet Luc, Tran Kim Lan, Phan Quoc Pho, Nguyen Tuyet Nga (2001), Proceedings of the 4th German-Vietnamese Seminar on Physics and Engineering, 5-9 June, Dresden, Germany, 153-155 123 Von Alpen U, Bell M.F, Haffer H.H (1981), Solid State Ionics, (3/4), 215 124 Von Alpen U, Bell M.F, Haffer H.H (1982), Solid State Ionics, (7), 345 125 Von Alpen U, F.bell M, Chelhaus W W I (1979), Matter.Rel.Bull, (14), 1317 126 Wang Ling, Kumar R.V (2003), Solid State Ionics, (158), 309-315 127 Wikbly A (1971), J Electronal Chem., (33), 145 128 Will (1972), Proar Solid state Chem, (7), 141 129 Yao S, Shimizu Y, Minura N and Yamazoe N (1990), Chem.lett., 2033 130 Youichi Shimazu, Takashi Ushijima (2000), Solid state ionics, (132), 143-148 160 131 Zarzicki J, Prassas M, Phalippou J (1982), J.Mater.Sci, (17), 3371 TiÕng Ph¸p 132 Bard A.J, Faulkner L.R (1983), ElÐctrochimie: Principes, MÐthode et Application, Masson, Paris 133 Barij M (1987), ThÌse, Paris VIII 134 Bernier PR J C (1987), ProcÐdÐs de Sol - gel CongrÌs, Bombannes, France (Sept 28 - Oct.2), Part 135 Colomban Ph (1985), L’industrie CÐramique, (792), 186 136 Cretia M (1996), ThÌse, Institut National Polytechnique de Grenoble 137 DÐportes C, Duclot M, Fabry P, Fouletier J, Hammou A, Kleitz M, Siebert E and Souquet J L (1994), ElÐctrochimie des solides, Presse Universitaire de Grenoble 138 Ean-Paul Diard, Bernard Le Gorrec, Claude Montella, "CinÐtique ElÐctrochimique (1996), chapitre II, Appendice 2, 56 139 Fabry P, Kleitz M (1983), Rapport d’activiÐ du contrat ISFET, SNEA-LEE (ENSEE), No 510-8309, April 140 Gondran C (1994), ThÌse, Institut National Polytechnique de Grenoble 141 I.U.P.A.C (1976), Pure Appl Chem., (48), 127 142 Jolivet J P (1994), De la solution µ l’oxide, Inter Editions / CNRS Edition 143 Khireddine H (1992), ThÌse, Institut National Politechnique de Grenoble 144 Mauvy Fabrice (1997), ThÌse, Institut National Politechnique de Grenoble 145 Poignet Nathalie (1997), ThÌse, Institut National Politechnique de Grenoble 146 Schouler Edmond (1979), ThÌse, Institut National Politechnique de Grenoble ... liệu Chơng II Nghiên cứu Công nghệ chế tạo vật liệu NASICON 38 II.1 Các phơng pháp công nghệ Tính chất điện - vật lý vµ cÊu tróc cđa vËt liƯu NASICON phơ thc nhiều vào công nghệ chế tạo Hiện nay,...Bộ giáo dục đào tạo Trờng đại học Bách khoa hà nội **************** Nguyễn Tuyết nga Nghiên cứu công nghệ chế tạo số tính chất màng nhạy ion họ Nasicon Chuyên ngành: Vật lý thực... liệu NASICON, phơng pháp xác định điện màng lọc lựa ion SSISE sở vật liệu NASICON Chơng 2: Nghiên cứu công nghệ tổng hợp vật liệu NASICON bao gồm nghiên cứu để đa qui trình công nghệ chế tạo vật
Ngày đăng: 27/02/2021, 12:37
Xem thêm:
