Nghiên cứu công nghệ chế tạo dây và cột nano silic trên cơ sở công nghệ vi cơ điện tử

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI - NGUYỄN VĂN MINH NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO DÂY VÀ CỘT NANO SILIC TRÊN CƠ SỞ CÔNG NGHỆ VI CƠ ĐIỆN TỬ LUẬN ÁN TIẾN SĨ NGÀNH: KHOA HỌC VẬT LIỆU Hà Nội – 2019 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI - NGUYỄN VĂN MINH NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO DÂY VÀ CỘT NANO SILIC TRÊN CƠ SỞ CÔNG NGHỆ VI CƠ ĐIỆN TỬ LUẬN ÁN TIẾN SĨ NGÀNH: KỸ THUẬT VIỄN THÔNG Mã số: 9440122 Người hướng dẫn khoa học: PGS TS Chu Mạnh Hoàng GS TS Vũ Ngọc Hùng Hà Nội - 2019 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tơi, tơi thực hướng dẫn khoa học tập thể thầy hướng dẫn Các số liệu luận án trung thực chưa tác giả khác công bố Hà Nội, ngày tháng TÁC GIẢ TM Tập thể hướng dẫn i năm MỤC LỤC Lời cam đoan Mục lục Danh mục ký hiệu chữ viết tắt Danh mục cá hình vẽ đồ thị Lời cảm ơn Mở đầu CHƯƠNG TỔNG QUAN VỀ DÂY VÀ CỘT NANO SILIC 1.1 Giới thiệu chung dây cột nano silic 1.2 Tình hình nghiên cứu giới 1.2.1 Tổng quan phương pháp chế tạo dây nano silic Kỹ thuật quang khắc Kỹ thuật khắc giao thoa laser Kỹ thuật khắc trực tiếp chùm tia laser (laser direct writing) Kỹ thuật khắc chùm điện tử 10 Kỹ thuật khắc chùm ion tiêu tụ 11 Kỹ thuật khắc đầu mũi dò quét 13 Kỹ thuật khắc kỹ thuật đúc nano (nano-imprint) 13 1.2.2 Tổng quan kỹ thuật chế tạo cột nano silic 15 Kỹ thuật ăn mịn khơ 15 Kỹ thuật ăn mịn hóa học với hỗ trợ kim loại 17 Công nghệ chế tạo cột nano silic sử dụng kỹ thuật ăn mịn hóa học hỗ trợ kim loại kết hợp với khắc hạt nano 21 1.3 Tình hình nghiên cứu dây cột nano silic nước 23 1.4 Mục tiêu nghiên cứu luận án 24 1.5 Khảo sát phương pháp chế tạo đơn lớp hạt nano xếp khít khơng xếp khít đế 25 Các kỹ thuật chế tạo đơn lớp hạt xếp khít 25 Các kỹ thuật chế tạo đơn lớp hạt không xếp khit 28 CHƯƠNG 2.1 CÁC KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 34 Quy trình chế tạo dây nano silic 34 2.1.1 Quy trình chế tạo dây nano silic sử dụng kỹ thuật quang khắc ăn mòn ướt 34 2.1.2 Quy trình chế tạo dây nano silic sử dụng kỹ thuật quang khắc ăn mòn ướt kết hợp với tượng dính ướt 37 2.2 Quy trình chế tạo cột nano Silic 39 ii 2.3 Các kỹ thuật sử dụng quy trình chế tạo khảo sát đặc trưng dây cột nano silic 45 2.3.1 Kỹ thuật quang khắc quay phủ 45 2.3.2 Kỹ thuật phún xạ màng mỏng Ag 46 2.3.3 Kỹ thuật hiển vi điện tử quét hiệu ứng trường 47 2.3.4 Kỹ thuật đo đặc trưng I-V 48 2.3.5 Kỹ thuật đo phổ phản xạ 49 2.3.6 Kỹ thuật đo phổ huỳnh quang 49 2.3.7 Kỹ thuật đo phổ Raman 50 CHƯƠNG CHẾ TẠO DÂY NANO SILIC TRÊN CƠ SỞ CÔNG NGHỆ VI CƠ KHỐI ƯỚT 51 3.1 Kết chế tạo dây nano silic 51 3.1.1 Dây nano silic chế tạo kỹ thuật quang khắc truyền thống ăn mòn ướt 52 Quang khắc hình 52 Ăn mòn tạo dây SiO2 52 Ăn mòn tạo dây nano Si 54 3.1.2 Dây nano silic chế tạo kỹ thuật quang khắc ăn mòn ướt kết hợp với tượng dính ướt 57 Ăn mòn tạo dây nano SiO2 57 Ăn mòn tạo dây nano Si 59 3.2 Đặc trưng I-V dây nano silic 60 3.3 Kết luận 63 CHƯƠNG CHẾ TẠO ĐƠN LỚP HẠT NANO SILICA XẾP KHÍT VÀ KHƠNG XẾP KHÍT TRÊN ĐẾ SILIC 65 4.1 Tập hợp đơn lớp hạt nano silica 65 4.1.1 Tập hợp đơn lớp hạt silica kích thước 50 nm 66 4.1.2 Tập hợp đơn lớp hạt silica kích thước 235 nm, 295 nm, 385 nm 76 4.2 Thu nhỏ hạt silica HF 79 4.2.1 Thu nhỏ hạt silica 50 nm 79 4.2.2 Thu nhỏ hạt 235 nm 295 nm 83 4.3 Kết luận 91 CHƯƠNG CHẾ TẠO CỘT NANO SILIC BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĂN MỊN HĨA HỌC HỖ TRỢ KIM LOẠI VÀ KHẮC HẠT NANO 92 5.1 Chế tạo cột nano silic với hạt silica 295 nm 95 5.1.1 Khảo sát ảnh hưởng bề dày lớp Ag 95 5.1.2 Ăn mịn hóa học tạo cột nano Si 98 Khảo sát ảnh hưởng thời gian ăn mòn 98 iii Ảnh hưởng q trình ăn mịn ngang 99 5.2 Chế tạo cột nano silic với hạt silica 235 nm 101 5.2.1 Chế tạo lưới Ag đế silic 102 5.2.2 Khảo sát ảnh hưởng số yếu tố tới chất lượng cột nano silic 103 Ảnh hưởng nhiệt độ nung ủ hạt silica trước ăn mòn thu nhỏ HF tới tách cột silic 103 Ảnh hưởng kích thước hạt silica tới kích thước cột nano silic 106 Ảnh hưởng thời gian ăn mòn silic dung dịch HF/H 2O2 107 5.3 Tính chất quang cột nano silic 109 5.3.1 Phổ huỳnh quang 109 Nguồn gốc phổ huỳnh quang cột nano silic 109 Ảnh hưởng kích thước cột nano silic tới phổ huỳnh quang 116 5.3.2 Phổ phản xạ 118 Sự phụ thuộc độ phản xạ vào đường kính cột nano silic 118 Sự phụ thuộc độ phản xạ vào chiều cao cột nano silic 122 5.3.3 Phổ tán xạ Raman 123 5.3.4 Hiệu ứng tán xạ Raman tăng cường bề mặt (SERS) 125 5.4 Kết luận 127 KẾT LUẬN CHUNG iv Danh mục ký hiệu chữ viết tắt AFM (Atomic Force Microscope): Ảnh hiển vi lực nguyên tử BHF (Buffered HF): Dung dịch HF đệm ( dung dịch HF có pha thêm NH4F theo tỷ lệ định) CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor): loại công nghệ bán dẫn dùng để chế tạo mạch tích hợp tảng kim loại-ơxít-bán dẫn CVD (Chemical Vapor Deposition): Lắng đọng hóa học DRIE (Deep Reactive Ion Etching): Ăn mòn sâu ion hoạt hóa FET (Field Effect Transitor): Tranzito hiệu ứng trường FTIR (Fourier Transformation Infrared): phổ hồng ngoại biến đổi Fourrier MACE (Metal Assisted Chemical Etching): Ăn mịn hóa học hỗ trợ (xúc tác) kim loại MEMS (Micro Electro-Mechanical System): Hệ thống vi điện tử RIE (Reactive Ion Etching): Ăn mịn ion hoạt hóa QCM (Quartz Crystal Micro-balance): vi cân tinh thể thạch anh SC (Standard cleaning): Quy trình rửa phiến silic chuẩn SOI (Silicon On Insulator): Đế silic có lớp SiO2 mỏng nằm đế silic lớp silic linh kiện SERS (Surface Enhance Raman Scattering): Tán xạ Raman tăng cường bề mặt SEM (Scanning Electronic Microscope): Hiển vi điện tử quét TEM ( transmission electron microscopy): Hiển vi điện tử truyền qua VLS (Vapor-Liquid-Solid): Hơi-Lỏng-Rắn v Danh mục bảng Bảng 1.1 Sự thay đổi phương ăn mòn theo tỷ lệ HF:H2O2 nhiệt độ dung dịch ăn mòn Bảng 2.1 Các bước rửa bề mặt đế silic: Bảng 2.2 Các bước quy trình nhằm chế tạo dây nano silic: Bảng 2.3 Các bước xử lý đế silic dính ướt Bảng 4.1 Ảnh hưởng công suất xạ hồng ngoại tới tốc độ bay dung mơi % diện tích vùng đơn lớp Bảng 4.2 Ảnh hưởng góc nghiêng đế β tới diện tích vùng đơn lớp Bảng 4.3 Ảnh hưởng thời gian ăn mòn hạt silica HF tới đường kính hạt với quy trình nung ủ hai bước Bảng 4.4 Sự phụ thuộc đường kính hạt nano silica 295 nm vào thời gian ăn mịn HF Bảng 4.5 Ảnh hưởng kích thước hạt silica sau thu nhỏ tới kích thước cột nano silic Các kết tính tốn giá trị đường kính hạt silica cột nano silic tính trung bình từ kết thống kê kích thước phần mềm ImageJ có sai số cỡ 10 nm Bảng 4.6 Chế độ tập hợp hạt silica tối ưu ứng với hạt kích thước khác Bảng 4.7 Chế độ nung ủ tối ưu để thu nhỏ hạt nano silica có kích thước khác Bảng 5.1 Ảnh hưởng thời gian ăn mòn silic HF/H2O2 tới chiều cao cột nano silic Bảng 5.2 Ảnh hưởng kích thước hạt silica sau thu nhỏ tới kích thước cột nano silic Các kết tính tốn giá trị đường kính hạt silica cột nano silic tính trung bình từ kết thống kê kích thước phần mềm ImageJ có sai số cỡ 10 nm Bảng 5.3 Ảnh hưởng thời gian ăn mòn silic tới chiều cao cột Bảng 5.4 Chiều cao cột nano silic tính tốn theo thời gian ăn mịn silic dung dịch HF/H2O2 Bảng 5.5 Tổng hợp đỉnh phổ đo (với đế SERS có cột nano silic) phổ chuẩn tương ứng với dao động liên kết phân tử axit acetylsalicylic thuốc aspirin vi Danh mục hình vẽ đồ thị Hình 1.1 Cột silic nuôi cấy đế silic phương pháp VLS công bố năm 1964 [97]: a) Cột micro silic; b) Dây nano silic Hình 1.2 Thống kê số trích dẫn có từ “nanowires“ trang web of science [119] Hình 1.3 Ảnh hiển vi lực nguyên tử (AFM) hiển vi điện tử quét (SEM) dây nano silic ứng dụng làm áp điện trở [20] Hình 1.4 Dây nano Silic ứng dụng transitor hiệu ứng trường (FET) trong: a) cảm biến sinh học [55]; b) cảm biến hóa học [10] Hình 1.5 Ứng dụng dây nano silic pin mặt trời: (a) mơ hình pha tạp kiểu lõi vỏ tạo chuyển tiếp p-n cho dây nano silic; (b) ảnh SEM dây nano silic chế tạo Erik C Garnett cộng năm 2008 [28] Hình 1.6 Cột nano silic ứng dụng để chế tạo siêu tụ điện [8] Cột nano sau chế tạo oxi hóa để tạo thành lớp oxit bên cấu trúc silic để tạo lớp điện mơi, sau W Ni phủ lên để tạo điện cực Hình 1.7 (a) Cột nano silic phủ Ag phía nhằm tăng cường tán xạ Raman; b) phổ Raman tăng cường có cường độ lớn bậc so với phổ Raman thường [43] Hình 1.8 Các bước cơng nghệ quang khắc với chất cảm quang dương (a) chất cảm quang âm (b) Hình 1.9 Quy trình cơng nghệ chế tạo dây nano silic có kích thước 10 nm kỹ thuật quang khắc phiến silic có lớp oxit đệm để ăn mòn dừng (phiến SOI) (af); Ảnh TEM mặt cắt ngang dây nano silic kích thước 10 nm [117] Hình 1.10 Quy trình cơng nghệ chế tạo dây nano silic với mặt nạ dây nano kim loại Dây nano kim chế tạo phương pháp lắng đọng nghiêng thu nhỏ chùm ion nghiêng [92] Hình 1.11 Hình mơ tả kỹ thuật giao thoa chùm laser (a) [4] Ảnh SEM dây nano chất cảm quang ché tạo kỹ thuật giao thoa chùm laser (b) Hình 1.12 Sơ đồ nguyên lý kỹ thuật khắc trực tiếp chùm laser [63] Hình 1.13 Dây nano silic kích thước 60 nm chế tạo kỹ thuật khắc trực tiếp chùm laser [63] Hình 1.14 Quy trình khắc chùm điện tử Hình 1.15 Ảnh SEM dây nano silic kích thước nhỏ 10 nm chế tạo kỹ thuật khắc chùm điện tử [61] vii Hình 1.16 Tác động chùm điện tử, chùm ion nhẹ chuyện động nhanh (hạt proton, hay ion hydro H+ ion nặng chuyển động chậm (Ga) lên bề mặt đế rắn [105] Hình 1.17 Dây nano silic chế tạo phương phắp khắc chùm ion [105] Hình 1.18 Hình vẽ mơt tả lớp SiO2 hình thành qt đầu mũi dị lên mặt đến silic (a) dây nano silic hình thành sau ăn mòn (b) c) Ảnh hiển vi lực nguyên tử (AFM) dây nano silic chế tạo kỹ thuật qt đầu mũi dị [47] Hình 1.19 Quy trình cơng nghệ kỹ thuật khắc kỹ thuật đúc nano [90] Hình 1.20 Ảnh SEM dây nano silic chế tạo kỹ thuật đúc nano [90] Hình 1.21 a) Cấu trúc hệ ăn mòn ion hoạt hóa Si b) Q trình ăn mịn ion hoạt hóa có tính đẳng hướng Hình 1.22 Cột nano silic chế tạo kỹ thuật RIE không dùng mặt nạ [83] Hình 1.23 Quy trình ăn mịn khơ sâu theo chế BOSCH (a,b); vách cấu trúc tương đối phẳng (c) với độ gồ ghề bề mặt nhỏ (d) [46] Hình 1.24 Ảnh SEM cấu trúc cột nano silic chế tạo kỹ thuật ăn mịn khơ: a) chiều từ xuống; b) chiều mặt cắt ngang [28] Hình 1.25 Cơ chế ăn mịn silic dung dịch HF/H2O2 với xúc tác kim loại quý (Au, Ag, Pt) Hình 1.26 Cơ chế vận chuyển silic theo đề xuất Bing Jiang cộng năm 2017 [41] Hình 1.27 Ảnh SEM mơ tả không trùng định hướng đế phương ăn mòn: đế định hướng (111); phương ăn mòn a); thay đổi phương q trình ăn mịn b); thay đổi liên tục theo đường zig zag (c) [58] Hình 1.28 Hình thái cấu trúc silic ăn mịn phương pháp hóa học hỗ trợ Ag (a) Ảnh TEM bề mặt silic sau ăn mòn (b) Cơ chế tạo vách silic xốp (c) [31] Hình 1.29 Các cấu hình ăn mịn hóa học hỗ trợ kim loại: cấu hình đơn giản với dung dịch HF/H2O2 (a); dùng điện trường điều khiển dịng lỗ trống khơng khuếch tán ngược trở lại bề mặt cấu trúc ăn mòn (b) [76] Hai cấu hình dùng dịng điện để phun lỗ trống vào vùng tiếp xúc kim loại/đế Si (c-d ) [49] Hình 1.30 Số lượng cơng bố kỹ thuật khắc hạt nano hàng năm, tính từ năm 1995 đến năm 2012 [18] Hình 1.31 Quy trình cơng nghệ kỹ thuật khắc hạt nano [52] Hình 1.32 (a) Lưới kim loại chế tạo kỹ thuật khắc hạt nano; (b) Cột nano silic sau ăn mòn [16] c) Dây nano silic chế tạo kỹ thuật khắc hạt nano có tỷ lệ cạnh cao [52] viii cột nano silic chênh tương đối nhiều so với đường kính hạt silica, cỡ 40 nm Đây vấn đề cần nghiên cứu cải thiện tương lai Sự phụ thuộc phổ huỳnh quang, phổ Raman đặc trưng phản xạ theo kích thước cột nano silic khảo sát Trong đó, cường độ huỳnh quang cường độ tán xạ Raman tỷ lệ thuận với đường kính chiều cao cột; độ phản xạ tỷ lệ nghịch với đường kính chiều cao cột Nhờ tính chất này, cột nano silic ứng dụng đèn LED pin mặt trời Cột nano silic sử dụng để nghiên cứu hiệu ứng tán xạ Raman tăng cường bề mặt cho thấy khả tăng cường cường độ phổ Raman nhiều lần Tuy nhiên, việc nghiên cứu theo hướng ứng dụng cần phải khảo sát ảnh hưởng kích thước yếu tố khác tới phổ Raman thu 128 KẾT LUẬN CHUNG Như vậy, sở khảo sát quy trình cơng nghệ giới thực hiên, hai quy trình công nghệ chế tạo dây nano silic silic đơn tinh thể với tỷ lệ cạnh cao thực thành cơng luận án Trong quy trình thứ nhất, dây nano silic tạo từ kết hợp thu nhỏ chiều rộng dây mặt nạ ơ-xít từ thang micromet xuống kích thước 50 nm Quy trình thứ ứng dụng tượng dính ướt để tách dây micro SiO2 thành hai dây nano Dây SiO2 dùng làm mặt nạ bảo vệ để chế tạo dây nano silic cách ăn mòn dị hướng ướt dung dịch kiềm KOH Dây nano silic chế tạo có tỷ lệ cạnh cao (cỡ 2.105) Chiều dài dây điều chỉnh chiều dài dây Cr thiết kế mặt nạ quang dùng cho quang khắc Chiều cao dây nano silic điều chỉnh thời gian ơ-xi hóa phiến silic ban đầu thời gian ăn mòn silic dung dịch KOH sau tẩy dây nano SiO Bề rộng dây nano silic điều chỉnh bề rộng dây SiO2 kích thước nano thời gian ăn mòn silic dung dịch KOH Luận án đưa phương pháp tập hợp đơn lớp hạt nano silica xếp khít với kích thước hạt 50 nm, 235 nm 295 nm với diện tích vài mm2 đế silic Trong nghiên cứu này, phương pháp điều khiển tốc độ di chuyển đường tiếp xúc dung môi với bề mặt đế dựa xạ hồng ngoại để tăng diện tích vùng đơn lớp sử dụng Sự phụ thuộc đơn lớp hạt xếp khít vào cơng suất chiếu xạ hồng ngoại, góc nghiêng mẫu khảo sát Sau chế tạo thành công đơn lớp hạt nano silica xếp khít, cơng nghệ chế tạo đơn lớp hạt nano silica khơng xếp khít nghiên cứu thực HF Đơn lớp hạt nano silica khơng xếp khít chế tạo thành cơng từ đơn lớp hạt nano silica xếp khít với kích thước hạt 50 nm, 235 nm 295 nm Dựa công nghệ thu nhỏ hạt đề xuất, hạt silica vi chế tạo với độ xác kích thước nano Quy trình chế tạo cột nano silic đơn tinh thể xếp tuần hoàn dựa kết hợp kỹ thuật ăn mịn hóa học hỗ trợ kim loại với kỹ thuật khắc hạt nano thực Quy trình cho phép điều chỉnh khoảng cách cột nano silic dựa việc lựa chọn kích thước hạt nano silica ban đầu điều chỉnh đường kính cột nano silic dựa đường kính hạt nano silica sau ăn mòn thu nhỏ với độ chênh lệch cỡ 40 nm Cột nano silic có đường kính từ 100 nm n 200 nm; chiu cao t ữ àm với chất lượng độ đồng cao chế tạo Vói chiều cao cột nano silic lớn hơn, chất lượng cột giảm nhanh 129 Tính chất quang cấu trúc cột nano silic khảo sát cách đo phổ huỳnh quang, phổ phản xạ phổ Raman Phổ huỳnh quang thu lớp silic xốp với cấu trúc nano đơn tinh thể bao quanh cột nano silic gây ra, hiệu ứng giam giữ lượng tử Cường độ phổ huỳnh quang cường độ phổ Raman tỷ lệ tuyến tính với đường kính chiều cao cột Độ phản xạ đo vùng bước khả kiến hồng ngoại gần cấu trúc cột nano silic có kích thước 100 ÷ 200 nm phân bố tuần hoàn %, tỷ lệ thuận với chiều cao cột tỷ lệ nghịch với đường kính cột nano silic Việc chế tạo thành công dây cột nano silic sở cho việc triển khai ứng dụng nano điện tử nano quang tử Các dây nano silic đơn tinh thể nằm ngang đế silic với tỷ lệ cạnh cao sử dụng mạch nano quang điện tử tích hợp tỷ lệ lớn ứng dụng linh kiện cộng hưởng nano Một số ứng dụng khác hướng tới tương lai gần chế tạo cảm biến sinh học, hóa học Trong đó, cấu trúc cột nano silic định hướng vng góc với đế, có trật tự đối xứng dạng lục giác phân bố tuần hồn, kích thước cột nằm thang chiều dài bước sóng tỏ có khả tương tác mạnh với ánh sáng khả kiến hồng ngoại gần, hướng tới ứng dụng pin mặt trời Hiệu ứng tán xạ Raman tăng cường bề mặt khảo sát Kết bước đầu cho thấy cấu trúc cột nano silic phân bố tuần hồn có tiềm để ứng dụng làm đế SERS với khảo sát tương lai 130 Tài liệu tham khảo [1] Bagal A, Chang C.H (2013) Fabrication of subwavelength periodic nanostructures using liquid immersion Lloyd’s mirror interference lithography Opt Lett, 38, 2531– 2534 [2] Bezares F.J, Long J.P, Glembocki O.J, Guo J, Rendell R.W, Kasica R, Shirey L, Owrutsky J.C, Caldwell J.D (2013) Mie resonance-enhanced light absorption in periodic silicon nanopillar arrays Opt Express, 21, 27587 [3] Bradford E.B, Vanderhoff J.W, Alfrey T (1956) The use of monodisperse latexes in an electron microscope investigation of the mechanism of emulsion polymerization J Colloid Sci, 11, 135–149 [4] Burrowg G.M, Gaylord T.K (2011) Multi-beam interference advances and applications: Nano-electronics, photonic crystals, metamaterials, subwavelength structures, optical trapping, and biomedical structures Micromachines, 2, 221–257 [5] C Delerue, G Allan and ML (1993) Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon 48, 24–36 [6] C Muthuselvi S.P and R.V.K (2017) Vapor Diffusion Growth and Characterization of Aspirin – Perchloric acid Vibrational Spectroscopy Vapor Diffusion Growth and Characterization of Aspirin – Perchloric acid Complex Crystal Elixir Vib Spec, 40673–40678 [7] Cao D.T, Ngan L.T.Q, Viet T Van, Anh C.T (2013) Effect of AgNO3 concentration on structure of aligned silicon nanowire arrays fabricated via silver-assisted chemical etching Int J Nanotechnol, 10, 343 [8] Chang S.W, Oh J., Boles S.T, Thompson C.V (2010) Fabrication of silicon nanopillar-based nanocapacitor arrays Appl Phys Lett doi: 10.1063/1.3374889 [9] Chen C.Y, Hsiao P.H (2015) Silver-assisted chemical etching on silicon with polyvinylpyrrolidone-mediated formation of silver dendrites ChemPhysChem, 16, 540–545 [10] Chen Y, Wang X, Erramilli S, Mohanty P, Kalinowski A (2006) Silicon-based nanoelectronic field-effect pH sensor with local gate control Appl Phys Lett doi: 10.1063/1.2392828 [11] Cheung C.L, Nikolić R.J, Reinhardt C.E, Wang T.F (2006) Fabrication of nanopillars by nanosphere lithography Nanotechnology, 17, 1339–1343 [12] Choi D.G, Yu H.K, Jang S.G, Yang S.M (2004) Colloidal lithographic 131 nanopatterning via reactive ion etching J Am Chem Soc, 126, 7019–7025 [13] Choi J, Honsberg C, Alford T, Goodnick S (2015) Development of Nanosphere Lithography Technique with Enhanced Lithographical Accuracy on Periodic Si Nanostructure for Thin Si Solar Cell Application [14] Choi J, Honsberg C, Alford T, Goodnick S (2015) Development of Nanosphere Lithography Technique with Enhanced Lithographical Accuracy on Periodic Si Nanostructure for Thin Si Solar Cell Application [15] Choi J.Y, Alford T.L, Honsberg C.B (2014) Solvent-controlled spin-coating method for large-scale area deposition of two-dimensional silica nanosphere assembled layers Langmuir, 30, 5732–5738 [16] Choi J.Y, Alford T.L, Honsberg C.B (2015) Fabrication of periodic silicon nanopillars in a two-dimensional hexagonal array with enhanced control on structural dimension and period Langmuir, 31, 4018–4023 [17] Choi W.K, Liew T.H, Dawood M.K, Smith H.I, Thompson C.V., Hong M.H (2008) Synthesis of silicon nanowires and nanofin arrays using interference lithography and catalytic etching Nano Lett, 8, 3799–3802 [18] Colson P, Henrist C, Cloots R (2013) Nanosphere lithography: A powerful method for the controlled manufacturing of nanomaterials J Nanomater doi: 10.1155/2013/948510 [19] Cui B, Clime L, Li K, Veres T (2008) Fabrication of large area nanoprism arrays and their application for surface enhanced Raman spectroscopy Nanotechnology, 19, 1–6 [20] Dao D.V, Toriyama T, Sugiyama S (2004) Noise and frequency analyses of a miniaturized 3-DOF accelerometer utilizing silicon nanowire piezoresistors Proc IEEE Sensors, 2004, 1464–1467 [21] Denkov N.D, Velev O.D, Kralchevsky P.A, Ivanov I.B, Yoshimura H, Nagayama K (1993) Two-dimensional crystallization [6] Nature, 361, 26 [22] Denkov N.D, Velev O.D, Kralchevsky P.A, Ivanov I.B, Yoshimura H, Nagayamat K (1992) Mechanism of Formation of Two-Dimensional Crystals from Latex Particles on Substrates Langmuir, 8, 3183–3190 [23] Dimitrov A.S, Nagayama K (1996) Continuous Convective Assembling of Fine Particles into Two-Dimensional Arrays on Solid Surfaces Langmuir, 12, 1303– 1311 [24] El-Zahry M.R, Refaat I.H, Mohamed H.A, Lendl B (2016) Sequential SERS 132 determination of aspirin and vitamin C using in situ laser-induced photochemical silver substrate synthesis in a moving flow cell Anal Bioanal Chem, 408, 4733– 4741 [25] Feng C, Choi H.W (2014) Density-tunable non–close-packed monolayer of silica nanospheres prepared by single-step freeze-drying J Vac Sci Technol B, Nanotechnol Microelectron Mater Process Meas Phenom, 32, 051805 [26] Garnett E, Yang P (2010) Light trapping in silicon nanowire solar cells Nano Lett, 10, 1082–1087 [27] Garnett E.C, Brongersma M.L, Cui Y, McGehee M.D (2011) Nanowire Solar Cells Annu Rev Mater Res, 41, 269–295 [28] Garnett E.C, Yang P (2008) Silicon nanowire radial p-n junction solar cells J Am Chem Soc, 130, 9224–9225 [29] Gonchar K.A, Zubairova A.A, Schleusener A, Osminkina L.A, Sivakov V (2016) Optical Properties of Silicon Nanowires Fabricated by Environment-Friendly Chemistry Nanoscale Res Lett doi: 10.1186/s11671-016-1568-5 [30] Grundner M, Jacob H (1986) Investigations on hydrophilic and hydrophobic silicon (100) wafer surfaces by X-ray photoelectron and high-resolution electron energy loss-spectroscopy Appl Phys A Solids Surfaces, 39, 73–82 [31] Han H, Huang Z, Lee W (2014) Metal-assisted chemical etching of silicon and nanotechnology applications Nano Today, 9, 271–304 [32] Hanestad R, Butterbaugh J.W, Ben-Hamida A, Gelmi I (2001) Stiction-free release etch with anhydrous HF/water vapor processes Proc SPIE, 4557, 58–68 [33] Harada Y, Li X, Bohn P.W, Nuzzo R.G (2001) Catalytic amplification of the soft lithographic patterning of Si Nonelectrochemical orthogonal fabrication of photoluminescent porous Si pixel arrays J Am Chem Soc, 123, 8709–8717 [34] Hasan M, Huq M.F, Mahmood Z.H (2013) A review on electronic and optical properties of silicon nanowire and its different growth techniques Springerplus doi: 10.1186/2193-1801-2-151 [35] Helms C.R, Deal B.E (1992) Mechanisms of the HF/H O vapor phase etching of SiO J Vac Sci Technol A Vacuum, Surfaces, Film, 10, 806–811 [36] Ho J.W, Wee Q, Dumond J, Tay A, Chua S.J (2013) Versatile pattern generation of periodic, high aspect ratio Si nanostructure arrays with sub-50-nm resolution on a wafer scale Nanoscale Res Lett, 8, 1–10 [37] Holmes P.J, Snell J.E (1966) A vapour etching technique for the photolithography of 133 silicon dioxide Microelectron Reliab, 5, 337–341 [38] Hsieh H.Y, Huang S.H, Liao K.F, Su S.K, Lai C.H, Chen L.J (2007) High-density ordered triangular Si nanopillars with sharp tips and varied slopes: One-step fabrication and excellent field emission properties Nanotechnology doi: 10.1088/0957-4484/18/50/505305 [39] Huang Z, Geyer N, Werner P, De Boor J, Gösele U (2011) Metal-assisted chemical etching of silicon: A review Adv Mater, 23, 285–308 [40] Hull R (1999) Properties of Crystalline Silicon Datarev Ser doi: 10.1007/s10725008-9301-8 [41] Jiang B, Dai H, Zhao Q, Lin J, Chu L, Li Y, Fu P, Wu G, Ji J, Li M (2017) The path of mass transfer during Au thin film-assisted chemical etching by designed surface barriers RSC Adv, 7, 11522–11527 [42] Jiang P, Prasad T, McFarland M.J, Colvin V.L (2006) Two-dimensional nonclosepacked colloidal crystals formed by spincoating Appl Phys Lett doi: 10.1063/1.2218832 [43] Kanipe K.N, Chidester P.P.F, Stucky G.D, Moskovits M (2016) Large Format Surface-Enhanced Raman Spectroscopy Substrate Optimized for Enhancement and Uniformity ACS Nano, 10, 7566–7571 [44] Karadan P, John S, Anappara A.A, Narayana C, Barshilia H.C (2016) Evolution mechanism of mesoporous silicon nanopillars grown by metal-assisted chemical etching and nanosphere lithography: correlation of Raman spectra and red photoluminescence Appl Phys A Mater Sci Process doi: 10.1007/s00339-0160203-8 [45] Kim S, Bowden S, Honsberg C.B (2018) Fabrication of nanopillar structure by silica nanosphere lithography and passivation with wet chemical oxidation cleaning 2017 IEEE 44th Photovolt Spec Conf PVSC 2017, 1–3 [46] Köhler M (1999) Etching in Microsystem Technology doi: 10.1002/9783527613786 [47] Kyoung Ryu Y, Aitor Postigo P, Garcia F, Garcia R (2014) Fabrication of sub-12 nm thick silicon nanowires by processing scanning probe lithography masks Appl Phys Lett doi: 10.1063/1.4881977 [48] Laariedh F, Sow I, Ferchichi A, Zelsmann M, Boussey J (2015) Large-area, costeffective Surface-Enhanced Raman Scattering (SERS) substrates fabrication Microelectron Eng, 145, 124–127 [49] Lai C.Q, Zheng W, Choi W.K, Thompson C.V (2015) Metal assisted anodic etching 134 of silicon Nanoscale, 7, 11123–11134 [50] Leontis I, Othonos A, Nassiopoulou A.G (2013) Structure, morphology, and photoluminescence of porous Si nanowires: Effect of different chemical treatments Nanoscale Res Lett, 8, 383 [51] Li H, Ye T, Shi L, Xie C (2017) Fabrication of ultra-high aspect ratio (>160:1) silicon nanostructures by using Au metal assisted chemical etching J Micromechanics Microengineering, 27, 124002 [52] Li L, Fang Y, Xu C, Zhao Y, Wu K, Limburg C, Jiang P, Ziegler K.J (2017) Controlling the Geometries of Si Nanowires through Tunable Nanosphere Lithography ACS Appl Mater Interfaces, 9, 7368–7375 [53] Li W, Hu M, Ge P, Wang J, Guo Y (2014) Humidity sensing properties of morphology-controlled ordered silicon nanopillar Appl Surf Sci, 317, 970–973 [54] Lin G, Chang Y, Liu E, Kuo H, Lin H, Lin G (2011) Low refractive index Si nanopillars on Si substrate Low refractive index Si nanopillars on Si substrate 181923, 2005–2008 [55] Lin S.P, Chi T.Y, Lai T.Y, Liu M.C (2012) Investigation into the effect of varied functional biointerfaces on silicon nanowire MOSFETs Sensors (Switzerland), 12, 16867–16878 [56] Liu R, Zhang F, Con C, Cui B, Sun B (2013) Lithography-free fabrication of silicon nanowire and nanohole arrays by metal-assisted chemical etching Nanoscale Res Lett, 8, 155 [57] McSweeney W, Geaney H, O’Dwyer C (2015) Metal-assisted chemical etching of silicon and the behavior of nanoscale silicon materials as Li-ion battery anodes Nano Res, 8, 1395–1442 [58] McSweeney W, Geaney H, O’Dwyer C (2015) Metal-assisted chemical etching of silicon and the behavior of nanoscale silicon materials as Li-ion battery anodes Nano Res, 8, 1395–1442 [59] Meier C, Lüttjohann S, Offer M, Wiggers H (2009) Advances in Solid State Physics doi: 10.1007/978-3-540-85859-1 [60] Mikhael B, Elise B, Xavier M, Sebastian S, Johann M, Laetitia P (2011) New Silicon Architectures by Gold-Assisted Chemical Etching 3866–3873 [61] Mirza M.M, Zhou H, Velha P, Li X, Docherty K.E, Samarelli A, Ternent G, Paul D.J (2012) Nanofabrication of high aspect ratio (∼50:1) sub-10  nm silicon nanowires using inductively coupled plasma etching J Vac Sci Technol B, 135 Nanotechnol Microelectron Mater Process Meas Phenom, 30, 06FF02 [62] Morales J.S.D, Gandan S, Ren D, Ochalski T.J, Huffaker D.L (2017) Optical spectroscopy of p-GaAs nanopillars on Si for monolithic integrated light sources 10114, 2–7 [63] Nam W, Mitchell J.I, Ye P.D, Xu X (2015) Laser direct synthesis of silicon nanowire field effect transistors Nanotechnology doi: 10.1088/0957- 4484/26/5/055306 [64] Nassiopoulou A.G, Gianneta V, Katsogridakis C (2011) Si nanowires by a singlestep metal-assisted chemical etching process on lithographically defined areas: Formation kinetics Nanoscale Res Lett, 6, 1–8 [65] Newman R.H (1991) Two-dimensional crystallization of proteins on lipid monolayers Electron Microsc Rev, 4, 197–203 [66] Ngan Luong T.Q, Cao T.A, Cao Dao Tran (2013) Low-concentration organic molecules detection via surface-enhanced Raman spectroscopy effect using Ag nanoparticles-coated silicon nanowire arrays Adv Nat Sci Nanosci Nanotechnol doi: 10.1088/2043-6262/4/1/015017 [67] Nghiem T.H.L, Le T.N, Do T.H, Vu T.T.D, Do Q.H, Tran H.N (2013) Preparation and characterization of silica-gold core-shell nanoparticles J Nanoparticle Res doi: 10.1007/s11051-013-2091-6 [68] Nguyen T, Nguyen T.T, Vuong A.X, Mai L.D, Nguyen T.H, Nguyen C.D, Nguyen L.H (2013) Growth of silicon nanowires by sputtering and evaporation methods Phys Status Solidi Appl Mater Sci, 210, 1429–1432 [69] Núñez C.G, Navaraj W.T, Liu F, Shakthivel D, Dahiya R (2018) Large-Area SelfAssembly of Silica Microspheres/Nanospheres by Temperature-Assisted DipCoating ACS Appl Mater Interfaces, 10, 3058–3068 [70] O’Dwyer C, McSweeney W, Collins G (2016) Quantum Confined Intense Red Luminescence from Large Area Monolithic Arrays of Mesoporous and NanocrystalDecorated Silicon Nanowires for Luminescent Devices ECS J Solid State Sci Technol, 5, R3059–R3066 [71] Pavlenko M, Siuzdak K, Coy E, Jancelewicz M, Jurga S, Iatsunskyi I (2017) Silicon/TiO2core-shell nanopillar photoanodes for enhanced photoelectrochemical water oxidation Int J Hydrogen Energy, 42, 30076–30085 [72] Pham V.B, Pham X.T, Nhat T, Phan K (2015) Facile fabrication of a silicon nanowire sensor by two size reduction steps for detection of alpha-fetoprotein 136 biomarker of liver cancer doi: 10.1088/2043-6262/6/4/045001 [73] Pham V.T, Dutta M, Bui H.T, Fukata N (2014) Effect of nanowire length on the performance of silicon nanowires based solar cell Adv Nat Sci Nanosci Nanotechnol doi: 10.1088/2043-6262/5/4/045014 [74] Phan H.P, Kozeki T, Dinh T, Fujii T, Qamar A, Zhu Y, Namazu T, Nguyen N.T, Dao D.V (2015) Piezoresistive effect of p-type silicon nanowires fabricated by a top-down process using FIB implantation and wet etching RSC Adv, 5, 82121– 82126 [75] Prayudi Lianto (2013) Mechanism and Catalyst Stability of Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon [76] Prayudi Lianto (2013), PHD thesis, Universitas Pelita Harapan [77] Ramayya E.B, Vasileska D, Goodnick S.M, Knezevic I (2008) Electron transport in silicon nanowires: The role of acoustic phonon confinement and surface roughness scattering J Appl Phys doi: 10.1063/1.2977758 [78] Ruan W Dong, Lu Z Cheng, Ji N., Wang C Xu, Zhao B., Zhang J Hu (2007) Facile Fabrication of Large Area Polystyrene Colloidal Crystal Monolayer via Surfactant-free Langmuir-Blodgett Technique Chem Res Chinese Univ, 23, 712– 714 [79] Sabater A.A, Greulich J.M, Tucher N, Bläsi B, Glunz S.W (2017) Angle-dependent reflectance of isotextured silicon 33rd Eur Photovolt Slar Energy Conf Exhib, 25– 29 [80] Sallum L.F, Soares F.L.F, Ardila J.A, Carneiro R.L (2014) Determination of acetylsalicylic acid in commercial tablets by SERS using silver nanoparticle-coated filter paper Spectrochim Acta - Part A Mol Biomol Spectrosc, 133, 107–111 [81] Sattler K.D (2017) Silicon Nanomaterials Sourcebook: Hybrid Materials, Arrays, Networks, and Devices, Volume Two [82] Schmidt B.V, Wittemann J.V, Senz S., Go U (2009) Silicon Nanowires  : A Review on Aspects of their Growth and their Electrical Properties 2681–2702 [83] Schmidt M.S, Hübner J., Boisen A (2012) Large area fabrication of leaning silicon nanopillars for Surface Enhanced Raman Spectroscopy Adv Mater doi: 10.1002/adma.201103496 [84] Schmudde M., Grunewald C., Goroncy C., Noufele C.N, Stein B., Risse T., Graf C (2016) Controlling the Interaction and Non-Close-Packed Arrangement of Nanoparticles on Large Areas ACS Nano, 10, 3525–3535 137 [85] Silencieux F, Bouchoucha M, Mercier O, Turgeon S, Chevallier P, Kleitz F, Fortin MA (2015) Mesoporous Silica Nanoparticles under Sintering Conditions: A Quantitative Study Langmuir, 31, 13011–13021 [86] Sivakov V.A, Voigt F, Berger A, Bauer G, Christiansen S.H (2010) Roughness of silicon nanowire sidewalls and room temperature photoluminescence Phys Rev B Condens Matter Mater Phys, 82, 1–6 [87] Solis-Tinoco V, Marquez S, Sepulveda B, Lechuga LM (2016) Fabrication of wellordered silicon nanopillars embedded in a microchannel: Via metal-assisted chemical etching: A route towards an opto-mechanical biosensor RSC Adv, 6, 85666–85674 [88] Sun M.C, Kim G, Lee J.H, Kim H, Kim S.W, Kim H.W, Lee J.H, Shin H, Park B.G (2013) Patterning of Si nanowire array with electron beam lithography for sub-22 nm Si nanoelectronics technology Microelectron Eng, 110, 141–146 [89] Sze S.M, Ng K.K (2007) Physics of Semiconductor Devices [90] Talin A.A, Hunter L.L, Léonard F, Rokad B (2006) Large area, dense silicon nanowire array chemical sensors Appl Phys Lett, 89, 153102 [91] Thompson C V (2004) Metal Assisted Chemical and Electrochemical Etching of Silicon 1–32 [92] Tong H.D, Chen S, Van Der Wiel W.G, Carlen E.T, Van Berg A Den (2009) Novel top-down wafer-scale fabrication of single crystal silicon nanowires Nano Lett, 9, 1015–1022 [93] Trinh P V., Thang B.H, Chuc N.V, Hong P.N, Minh P.N (2017) Effect of Annealing Time on the Power Conversion Efficiency of Silicon Nanowire Based Solar Cell Prepared by Wet Diffusion Technique J Nano- Electron Phys, 9, 06025-1-06025–4 [94] Van Tuan P, Anh Tuan C, Thanh Thuy T, Binh Nam V, Toan Thang P, Hong Duong P, Thanh Huy P (2014) Layered structure in core-shell silicon nanowires J Lumin, 154, 46–50 [95] Tuyen L.D, Liu A.C, Huang C.C, Tsai P.C, Lin J.H, Wu C.W, Chau L.K, Yang T.S, Minh L.Q, Kan H.C, Hsu C.C (2012) Doubly resonant surface-enhanced Raman scattering on gold nanorod decorated inverse opal photonic crystals Opt Express, 20, 29266 [96] Vogel N, Goerres S, Landfester K, Weiss CK (2011) A convenient method to produce close- and non-close-packed monolayers using direct assembly at the airwater interface and subsequent plasma-induced size reduction Macromol Chem 138 Phys, 212, 1719–1734 [97] Wagner R.S, Ellis W.C (1964) Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth Appl Phys Lett, 4, 89–90 [98] Walavalkar S.S, Hofmann C.E, Homyk A.P, Henry M.D, Atwater H.A, Scherer A (2010) Tunable visible and near-IR emission from sub-10 nm etched single-crystal Si nanopillars Nano Lett, 10, 4423–4428 [99] Wang A.X, Kong X (2015) Review of recent progress of plasmonic materials and nano-structures for surface-enhanced raman scattering Materials (Basel), 8, 3024– 3052 [100] Wang D, Ji R, Du S, Albrecht A, Schaaf P (2013) Ordered arrays of nanoporous silicon nanopillars and silicon nanopillars with nanoporous shells Nanoscale Res Lett, 8, 1–9 [101] Wang D, Ji R, Du S, Albrecht A, Schaaf P (2013) Ordered arrays of nanoporous silicon nanopillars and silicon nanopillars with nanoporous shells Nanoscale Res Lett, 8, 1–9 [102] Wang T.J, Hsu K.C, Liu Y.C, Lai C.H, Chiang H.P (2016) Nanostructured SERS substrates produced by nanosphere lithography and plastic deformation through direct peel-off on soft matter J Opt (United Kingdom), 18, [103] Wang Z.W, Cai J.Q, Wu Y.Z, Wang H.J, Xu X.L (2015) Ordered silicon nanorod arrays with controllable geometry and robust hydrophobicity Chinese Phys B, 24, 2–5 [104] Ward L.T, Tung T Bui and Chien M Dang (2018) Reduction of isotropic etch for silicon nanowires created by metal assisted deep reactive ion etching 15, 93–107 [105] Watt F, Bettiol A.A, Van Kan J.A, Teo E.J, Breese M.B.H (2005) Ion Beam Lithography and Nanofabrication: a Review Int J Nanosci, 04, 269–286 [106] Wen X, Zhang P, Smith T.A, Anthony R.J, Kortshagen U.R, Yu P, Feng Y, Shrestha S, Coniber G Tunability Limit of Photoluminescence in Colloidal Silicon Nanocrystals Nat Publ Gr, 1–10 [107] Wijesuriya S (2016) Fabrication and Optimisation of SERS Substrates for Medical Diagnostics and Monitoring A thesis submitted to Brunel University For the Degree of Doctor of Philosophy [108] Wu Y, Zhang C, Yuan Y, Wang Z, Shao W, Wang H, Xu X (2013) Fabrication of wafer-size monolayer close-packed colloidal crystals via slope self-assembly and thermal treatment Langmuir, 29, 14017–14023 139 [109] Yan W, Dottermusch S, Reitz C, Richards B.S (2016) Hexagonal arrays of roundhead silicon nanopillars for surface anti-reflection applications Appl Phys Lett doi: 10.1063/1.4963912 [110] Yan X, Yao J, Lu G, Li X, Zhang J, Han K, Yang B (2005) Fabrication of nonclose-packed arrays of colloidal spheres by soft lithography J Am Chem Soc, 127, 7688–7689 [111] Yang J, Luo F, Kao T.S, Li X, Ho G.W, Teng J, Luo X, Hong M (2014) Design and fabrication of broadband ultralow reflectivity black Si surfaces by laser micro/nanoprocessing Light Sci Appl, 3, [112] Yangyang Q, Zhang M, Wang X (2014) Electron transport characteristics of silicon nanowires by metal-assisted chemical etching doi: 10.1063/1.4866578 [113] Yin Y, Lu Y, Gates B, Xia Y (2001) Template-assisted self-assembly: A practical route to complex aggregates of monodispersed colloids with well-defined sizes, shapes, and structures J Am Chem Soc, 123, 8718–8729 [114] Yoshimura H, Endo S, Matsumoto M, Nagayama K, Kagawa Y (1989) Hexagonal structure of two-dimensional crystals of the alpha beta complex thermophilic ATP synthase J Biochem, 106, 958–60 [115] Yu X, Shen X, Mu X, Zhang J, Sun B, Zeng L, Yang L, Wu Y, He H, Yang D (2015) High Efficiency Organic/Silicon-Nanowire Hybrid Solar Cells: Significance of Strong Inversion Layer Sci Rep doi: 10.1038/srep17371 [116] Yu Y, Fan G, Fermi A, Mazzaro R, Morandi V, Ceroni P, Smilgies D.M, Korgel B.A (2017) Size-Dependent Photoluminescence Efficiency of Silicon Nanocrystal Quantum Dots J Phys Chem C, acs.jpcc.7b08054 [117] Za’bah N.F, Kwa K.S.K, Bowen L, Mendis B, O’Neill A (2012) Top-down fabrication of single crystal silicon nanowire using optical lithography J Appl Phys, 112, 024309 [118] Zelenina A Silicon nanocrystals in various dielectric matrices: Structural and optical properties Anastasiya Zelenina, PHD thesis [119] Zhang A, Zheng G, M Lieber C (2016) Nanowires doi: 10.1007/978-3-319-419817 [120] Zhang Z, Yao K, Liu Y, Jin C, Liang X, Chen Q, Peng L.M (2007) Quantitative analysis of current-voltage characteristics of semiconducting Decoupling of contact effects Adv Funct Mater, 17, 2478–2489 140 nanowires: DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH ĐÃ CƠNG BỐ CỦA LUẬN ÁN [1] Hoang Manh Chu, Minh Van Nguyen, Hung Ngoc Vu, and Kazuhiro Hane (2015) Fabrication of single-crystal silicon nanowires based on surface wet adhesion, Mater Lett., 11.2015, 94, 152 (ISI, IF: 2.7, Q1) [2] Nguyen Van Minh, Vu Ngoc Hung, and Chu Manh Hoang (2015) An overview of emerging methods for fabricating single-crystal silicon nanowires SPMS2015 proceedings, ISBN:978-604-938-722-7, 11.2015, p 371–373 [3] Nguyen Van Minh, Nghiem Thi Ha Lien, Vu Ngoc Hung, and Chu Manh Hoang (2015) Close-packed silica nanoparticle assembly using drop-coating technique ICAMN2015, ISBN:978-604-913-232-2, 11.2015, p 188–192 [4] Hoang Manh Chu, Minh Van Nguyen, Hung Ngoc Vu, and Kazuhiro Hane (2016) 25 nm single-crystal silicon nanowires fabricated by anisotropic wet etching Journal of Nanoscience and Nano-technology, Vol 16, 11.2016, pp 1–5 (ISI, IF: 1.4, Q2) [5] Minh Van Nguyen, Son Nguyen Ngoc, Hoang Manh Chu (2016) Plamonic nanostructures based on monolayer of close-packaged silica nanoparticles Hội nghị quang học – quang phổ toàn quốc lần thứ 9, ISBN: 978-604-913-578-1, 11.2016, pp 206–209 [6] Nguyen Van Minh, Do Thi Hue, Nghiem Thi Ha Lien, Vu Thu Hien, Vu Ngoc Hung, Chu Manh Hoang (2016) Self-assembly of close-packed monolayer of silica nanospheres on silicon substrate with infrared irradiation The 2nd International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology, ISBN: 978-604-95-0010-7, 10.2016, pp 119–122 [7] Minh Nguyen, Son Nguyen, Lien Nghiem, Hoang Chu (2017) Non-close packaged monolayer of silica nanoparticles on silicon substrate using HF vapour etching, Micro & Nano Letters, 4.2017, pp, Online ISSN 1750-0443 (ISI, IF: 0.8, Q3) [8] Nguyen Ngoc Son, Nguyen Van Minh, Chu Manh Hoang (2016) Absorption and scattering of gold-shell semi-sphere nanoparticles Hội nghị quang học – quang phổ toàn quốc lần thứ 9, ISBN: 978-604-913-578-1, 11.2016, pp 385–388 [9] Nguyen Van Minh, Nguyen Huu Dung, Nghiem Thi Ha Lien, Vu Ngoc Hung, and Chu Manh Hoang (2017) Hexagonally packaged monolayer of silica nano-spheres assembled by one-step spin-coating SPMS2017 proceedings, ISBN: 978-604-95-03269, 11.2017, pp 488–491 141 [10] Nguyen Van Minh, Do Thi Hue, Nghiem Thi Ha Lien, Chu Manh Hoang (2018) Close- packed monolayer self-assembly of silica nanospheres assisted by infrared irradiation Electronic Materials Letters, 1.2018, Volume 14, Issue 1, pp 64–69 (ISI, IF: 2.9, Q2) 142 ... ? ?trên- xuống” công nghệ vi điện tử với điều kiện công nghệ nước Vì vậy, NCS lựa chọn đề tài ? ?Nghiên cứu công nghệ chế tạo dây cột nano silic sở công nghệ vi điện tử? ?? Mục đích nghiên cứu + Chế tạo. .. nhóm nghiên cứu PGS.TS Đặng Mậu Chiến trường ĐHQG Hồ Chí Minh có nghiên cứu công nghệ chế tạo dây cột nano silic công nghệ vi điện tử [72, 104] Như vậy, thấy cơng nghệ chế tạo dây nano silic. .. VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI - NGUYỄN VĂN MINH NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO DÂY VÀ CỘT NANO SILIC TRÊN CƠ SỞ CÔNG NGHỆ VI CƠ ĐIỆN TỬ LUẬN ÁN TIẾN SĨ NGÀNH: KỸ THUẬT VI? ??N