Nghiên cứu xác định hàm lượng một số chất hữu cơ trong dược phẩm và nước tiểu bằng phương pháp von ampe

Nghiên cứu xác định hàm lượng một số chất hữu cơ trong dược phẩm và nước tiểu bằng phương pháp von ampe Nghiên cứu xác định hàm lượng một số chất hữu cơ trong dược phẩm và nước tiểu bằng phương pháp von ampe luận văn tốt nghiệp thạc sĩ

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN HOÀNG THÁI LONG NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH LƢỢNG VẾT ASEN TRONG MÔI TRƢỜNG NƢỚC BẰNG PHƢƠNG PHÁP VON-AMPE HỊA TAN LUẬN ÁN TIẾN SỸ HĨA HỌC HÀ NỘI - 2011 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN HOÀNG THÁI LONG NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH LƢỢNG VẾT ASEN TRONG MÔI TRƢỜNG NƢỚC BẰNG PHƢƠNG PHÁP VON-AMPE HÒA TAN CHUYÊN NGÀNH: MÃ SỐ: HĨA HỌC PHÂN TÍCH 62 44 29 01 LUẬN ÁN TIẾN SỸ HÓA HỌC NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS TS HỒNG THỌ TÍN GS TS TỪ VỌNG NGHI HÀ NỘI - 2011 MỤC LỤC Contents MỤC LỤC DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ TỪ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ MỞ ĐẦU 11 Chƣơng TỔNG QUAN 14 1.1 GIỚI THIỆU VỀ ASEN 14 1.1.1 Sơ lƣợc asen 14 1.1.2 Độc tính asen 15 1.1.3 Asen nƣớc tự nhiên 16 1.1.4 Ô nhiễm asen nƣớc ngầm 16 1.2 CÁC PHƢƠNG PHÁP PHÂN TÍCH LƢỢNG VẾT ASEN TRONG MẪU MÔI TRƢỜNG 17 1.2.1 Giới thiệu chung 17 1.2.2 Một số phƣơng pháp quang phổ thông dụng 18 1.2.3 Các phƣơng pháp quang phổ phát xạ nguyên tử plasma cặp cảm ứng (ICP-AES) khối phổ plasma cặp cảm ứng (ICP-MS) 18 1.2.4 Phƣơng pháp kích hoạt nơtron (NAA) 19 1.2.5 Phƣơng pháp von-ampe hòa tan 20 1.3 CÁC PHƢƠNG PHÁP VON-AMPE HÒA TAN (SV) 26 1.3.1 Nguyên tắc chung 27 1.3.2 Các loại điện cực dùng phƣơng pháp SV 27 1.3.3 Các kỹ thuật ghi đƣờng SV 30 1.3.4 Một số phƣơng pháp von-ampe thông dụng 30 1.3.5 Ƣu điểm phƣơng pháp SV 33 1.3.6 Xu hƣớng phát triển phƣơng pháp SV 34 1.4 NHỮNG ĐIỂM CẦN CHÚ Ý KHI PHÂN TÍCH LƢỢNG VẾT 35 1.4.1 Sự nhiễm bẩn chất phân tích 35 1.4.2 Thí nghiệm trắng 36 1.5 KẾT LUẬN CHUNG 36 Chƣơng NỘI DUNG VÀ PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 39 2.1 NỘI DUNG NGHIÊN CỨU 39 2.2 PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 40 2.2.1 Tiến trình thí nghiệm 40 2.2.2 Phƣơng pháp định lƣợng As xác định độ nhạy, GHPH 42 2.3 THIẾT BỊ, DỤNG CỤ VÀ HÓA CHẤT 43 2.3.1 Thiết bị dụng cụ 43 2.3.2 Hóa chất 44 Chƣơng KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ BÀN LUẬN 45 3.1 NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH AsIII BẰNG PHƢƠNG PHÁP VONAMPE HÒA TAN CATOT 45 3.1.1 Đặc tính SV asen điện cực HMDE 45 3.1.2 Khảo sát yếu tố ảnh hƣởng đến tín hiệu hòa tan As 47 3.1.3 Đánh giá phƣơng pháp 63 3.2 NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH AsIII BẰNG PHƢƠNG PHÁP VONAMPE HÒA TAN ANOT 67 3.2.1 Đặc tính SV asen điện cực AuFE 67 3.2.2 Khảo sát yếu tố ảnh hƣởng đến tín hiệu hịa tan As 69 3.2.3 Đánh giá phƣơng pháp 87 3.3 LỰA CHỌN PHƢƠNG PHÁP PHÂN TÍCH AsIII 92 3.3.1 Nhận xét phƣơng pháp phân tích AsIII khảo sát 92 3.3.2 Lựa chọn phƣơng pháp phân tích AsIII 93 3.4 NGHIÊN CỨU KHỬ AsV ĐỂ PHÂN TÍCH BẰNG ASV 93 3.4.1 Khảo sát yếu tố ảnh hƣởng đến hiệu suất khử AsV Na2S2O4 94 3.4.2 Đánh giá phƣơng pháp khử AsV 100 3.5 ÁP DỤNG THỰC TẾ VÀ XÂY DỰNG QUY TRÌNH PHÂN TÍCH 103 3.5.1 Kiểm sốt chất lƣợng quy trình phân tích qua phân tích mẫu chuẩn 103 3.5.2 Phân tích mẫu thực tế 106 KẾT LUẬN 117 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN 119 TÀI LIỆU THAM KHẢO 121 PHỤ LỤC 137 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ TỪ VIẾT TẮT TT Tiếng Việt Tiếng Anh Viết tắt, kí hiệu Biên độ xung Pulse amplitude Dòng đỉnh Peak current Điện cực màng vàng Gold film electrode AuFE Điện cực rắn đĩa quay Rotating disk electrode RDE Điện cực so sánh Ag/AgCl Silver/silver chloride electrode SSC Độ lệch chuẩn tƣơng đối Relative standard deviation RSD Giới hạn định lƣợng Limit of quantification GHĐL Giới hạn phát Limit of detection GHPH Phần tỷ Part per billion 10 Sóng vng Square wave SQW 11 Than thủy tinh Glassy carbon GC 12 Thế điện phân làm giàu Deposition potential Edep 13 Thế điện phân tạo màng Film deposition potential 14 Thế đỉnh Peak potential 15 Thế làm điện cực Cleaning potential Ip ppb Efilm-dep Ep Eclean 16 Thời gian điện phân làm giàu Deposition time tdep 17 Thời gian làm điện cực Cleaning time tclean 18 Tốc độ quay điện cực The rotating speed of electrode 19 Tốc độ quét Sweep rate 20 Von-ampe hòa tan Stripping voltammetry 21 Von-ampe hòa tan anot Anodic stripping voltammetry ASV 22 Von-ampe hòa tan catot Cathodic stripping voltammetry CSV 23 Von-ampe hòa tan hấp phụ Adsorptive stripping voltammetry AdSV 24 Vòng / phút Rounds per minute rpm 25 Xung vi phân Differential Pulse DP v SV DANH MỤC CÁC BẢNG Trang Bảng 1.1 GHPH điển hình số phƣơng pháp phân tích đại [11] 33 Bảng 3.1 Các điều kiện thí nghiệm đƣợc cố định ban đầu để khảo sát yếu tố ảnh hƣởng đến tín hiệu hịa tan catot asen 48 Bảng 3.2 Kết xác định Ip asen với EA khác 49 Bảng 3.3 Kết xác định Ip asen v khác 49 Bảng 3.4 Kết xác định Ip asen khác 50 Bảng 3.5 Kết xác định Ip asen Edep khác 51 Bảng 3.6 Kết xác định Ip asen tdep khác 52 Bảng 3.7 Kết xác định Ip asen nồng độ HCl khác 54 Bảng 3.8 Kết xác định Ip asen (n = 3) nồng độ CuII khác 55 Bảng 3.9 Kết xác định Ip asen nồng độ AA khác 56 Bảng 3.10 Kết xác định Ip nồng độ Na-DDTC khác 57 Bảng 3.11 Kết xác định Ip asen nồng độ Na-DDTC khác 58 Bảng 3.12 Kết xác định Ip nồng độ AsIII khác dùng dƣ lƣợng lớn dùng vừa đủ Na-DDTC 59 Bảng 3.13 Kết xác định Ip asen có mặt Cl , NO3 , SO42 , PO43 mức nồng độ từ 0,2 đến M 61 Bảng 3.14 Kết xác định Ip asen có mặt FeII, FeIII, ZnII mức nồng độ từ 200 đến 1000 ppb 62 Bảng 3.15 Kết xác định Ip asen có mặt PbII, CdII, mức nồng độ từ 20 đến 100 ppb 62 Bảng 3.16 Kết xác định lặp lại Ip dung dịch AsIII có nồng độ 5, 30, 50 ppb phƣơng pháp DP-CSV 63 Bảng 3.17 Kết xác định Ip asen nồng độ khác DPCSV 64 Bảng 3.18 Các giá trị a, b, Sy, GHPH, R tính đƣợc với phƣơng pháp DP-CSV 64 Bảng 3.19 Kết xác định Ip dung dịch AsIII DP-CSV 65 Bảng 3.20 Kết xác định nồng độ AsIII mẫu PTN, sai số tƣơng đối (RE) sai số tƣơng đối cho phép (REPTN) mẫu 66 Bảng 3.21 Các điều kiện thí nghiệm đƣợc cố định ban đầu để khảo sát yếu tố ảnh hƣởng đến tín hiệu hòa tan anot asen 70 Bảng 3.22 Các điều kiện để chế tạo AuFE ex-situ 70 Bảng 3.23 Kết xác định Ip asen EA khác 71 Bảng 3.24 Kết xác định Ip asen v khác 71 Bảng 3.25 Kết xác định Ip asen khác 72 Bảng 3.26 Kết xác định Ip asen với CAu-In khác 75 Bảng 3.27 Kết xác định Ip AuFE ex-in với Eclean-2 khác 76 Bảng 3.28 Kết xác định Ip AuFE ex-in với tclean-2 khác 76 Bảng 3.29 Kết xác định Ip asen AuFE ex-in với Edep khác 77 Bảng 3.30 Kết xác định Ip asen AuFE với tdep khác 78 Bảng 3.31 Kết xác định Ip asen nồng độ HCl khác 79 Bảng 3.32 Kết xác định Ip asen nồng độ AA khác 79 Bảng 3.33 Kết xác định Ip không đuổi có đuổi DO 80 Bảng 3.34 Kết xác định Ip asen có mặt Cl , NO3 , SO42 , PO43 mức nồng độ khác 83 Bảng 3.35 Kết xác định Ip asen có AsO43 nồng độ khác 84 Bảng 3.36 Kết xác định Ip asen có mặt FeII, FeIII, ZnII, PbII CdII mức nồng độ khác 85 Bảng 3.37 Kết xác định Ip asen có mặt CuII nồng độ khác 86 Bảng 3.38 Kết ghi lặp lại Ip asen loại điện cực AuFE ex-situ AuFE ex-in phƣơng pháp DP-ASV 87 Bảng 3.39 Kết xác định Ip nồng độ AsIII khác kiểu điện cực AuFE ex-situ AuFE ex-in 89 Bảng 3.40 Các giá trị b, Sy, GHPH, R tính đƣợc phƣơng pháp DP-ASV dùng hai loại điện cực AuFE ex-situ AuFE ex-in 89 Bảng 3.41 Kết xác định nồng độ AsIII mẫu PTN, sai số tƣơng đối (RE) sai số tƣơng đối cho phép (REPTN) mẫu 91 Bảng 3.42 Nhận xét phƣơng pháp DP-CSV DP-ASV để xác định AsIII 93 Bảng 3.43 Hiệu suất khử AsV dùng lƣợng Na2S2O4 khác 95 Bảng 3.44 Hiệu suất khử AsV đun nhiệt độ khác 96 Bảng 3.45 Hiệu suất khử AsV đun thời gian khác 97 Bảng 3.46 Hiệu suất khử AsV tính đƣợc nồng độ HCl khác 98 Bảng 3.47 Hiệu suất khử AsV hỗn hợp có chứa AsIII nồng độ khác 100 Bảng 3.48 Kết phân tích lặp lại dung dịch AsV 50 ppb khử dithionit 101 Bảng 3.49 Kết xác định GHPH, GHĐL độ nhạy phƣơng pháp phân tích asen dùng dithionit để khử AsV 101 Bảng 3.50 Kết xác định Ip nồng độ AsIII khác dung dịch dùng để khử AsV Na2S2O4 102 Bảng 3.51 Kết phân tích asen mẫu chuẩn CASS-4 105 Bảng 3.52 Kết phân tích AsIII để đánh giá quy trình bảo quản mẫu 108 Bảng 3.53 Ký hiệu, loại mẫu vị trí ( ) điểm lấy mẫu để phân tích asen 109 Bảng 3.54 Kết phân tích nồng độ tổng AsIII + AsV, AsIII, AsV phƣơng pháp DP-ASV/AuFE ex-in tổng AsIII + AsV phƣơng pháp HG-AAS 111 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ Trang Hình 1.1 Khoảng làm việc điện cực platin, thủy ngân, cacbon dung dịch khác [122] 28 Hình 1.2 Các giai đoạn đƣờng von-ampe phân tích ASV [56] 31 Hình 2.1 Sơ đồ minh họa trình ghi đƣờng SV 42 Hình 3.1 Các đƣờng von-ampe vòng dung dịch AsIII 50 ppb HMDE điều kiện dung dịch chế độ điện phân khác 46 Hình 3.2 Ảnh hƣởng EA đến Ip asen 49 Hình 3.3 Ảnh hƣởng v đến Ip asen 50 Hình 3.4 Ảnh hƣởng đến Ip asen 50 Hình 3.5 Ảnh hƣởng Edep đến Ip asen 52 Hình 3.6 Ảnh hƣởng tdep đến Ip asen 52 Hình 3.7 Ảnh hƣởng nồng độ HCl đến Ip asen 54 Hình 3.8 Ảnh hƣởng nồng độ CuII đến Ip asen 55 Hình 3.9 Giá trị Ip asen (A) đƣờng SV (B) lần đo lặp lại dung dịch phân tích khơng chứa AA 56 Hình 3.10 Ảnh hƣởng nồng độ AA đến Ip asen 57 Hình 3.11 Giá trị Ip asen (A) đƣờng SV (B) lần đo lặp lại dung dịch phân tích chứa AA 0,5 mM 57 Hình 3.12 (A): Ảnh hƣởng nồng độ Na-DDTC đến Ip; (B): đƣờng SV dung dịch AsIII ppb khơng chứa có chứa 250 nM NaDDTC 58 Hình 3.13 Ảnh hƣởng nồng độ Na-DDTC đến Ip nồng độ AsIII khác 59 Hình 3.14 Các đƣờng SV dung dịch AsIII nồng độ 5, 30, 50 ppb ghi lặp lại (n = 11) phƣơng pháp DP-CSV 63 Hình 3.15 Đƣờng hồi quy tuyến tính Ip CAsIII đƣờng SV ghi đƣợc STT 40 41 Kỹ thuật đo Dạng & đối Điện cực tƣợng phân tích Chất điện ly Chất khử DP-CSV HMDE L-cysteine AsIII, AsV HCl M Nƣớc tự nhiên & II IV 20mM & HCl & Cu & Se Nƣớc máy 0,03 M (70 C) DP-CSV HMDE HCl M & AsIII CuCl2 0,75 Lá thuốc CRM, mM & Natri nƣớc khống dietyldithiođóng chai cacbamat Eđp (V) -0,4 tđp (giây) 50 144 42 43 44 DP-ASV Đ/c kim cƣơng pha tạp bo – mạ vàng ASV AuNPs/GC modified BPPG Na2SO3 ~20 mM & HCl M, (50 C, 30 ph) Tổng As vô Nƣớc sông HCl M AsIII H2SO4 M AsIII, AsV SQW-ASV Nƣớc biển, nƣớc Điện cực vi khoáng, nƣớc sợi Au máy HCl 0,1 M môi trƣờng nƣớc biển pH -0,45 120 GHPH 120 μM MnII, 80 μM FeII, 10 μM CrIII, CdII, 200 μM ZnII, MgII, CaII phophat không ảnh 0,3 ppb hƣởng; FeII MnII tiêu thụ Na2S2O8 để phân hủy asen hữu cơ, phải tăng lƣợng chất oxy hóa SeIV nM nM làm giảm 65% đến 90% đỉnh asen; GeIV, HfIV, GaIII, ThIV, TlI, YIII, ErIII, NdIII, MoVI, RbII, ZnII, NH4+, PbII, NiII, InIII, CoII, CrVI, CrIII, ScIII, SnII, LiI, AlIII, VIV, LuIII, GdIII, SbIII, CdII, HCO3 , BO3 , F , C2O42 , HPO42 , SO42 , S2 , 0,004 ppb ClO4 , Br , I không ảnh hƣởng nồng độ gấp 100 lần asen; KI; NaI, FeII, FeIII, BiIII, AuIII, MgII, CaII€không gây ảnh hƣờng nồng độ gấp 1000 lần asen; Triton X-100 1,4 ppm làm hoàn toàn đỉnh asen AsIII: 0,005 ppb AsV: 0,08 ppb" 0,8 µM Khử AsV âm -1,4 đến -1 V tùy vào kích cỡ vi điện cực 30 144 Yếu tố cản trở TLTK Năm [53] 2007 [90] 2007 CuII PbII ảnh hƣởng, nhƣng không đề cập đầy đủ báo này; Axit humic ppm không làm giảm cƣờng độ nhƣ độ lặp lại đỉnh asen [108] 2007 Không đề cập [25] 2007 Nhiều ion kim loại, chất HĐBM đƣợc thử tác AsIII: 0,2 dụng cản trở, nhìn chung khoảng nồng độ thƣờng nM (pH 8) thấy chúng nƣớc tự nhiên, chất ion III,V As : 0,3 ảnh hƣởng đáng kể đến kết xác nM (pH 1) định AsIII AsV [99] 2007 STT 45 46 Kỹ thuật đo Dạng & đối Điện cực tƣợng phân tích DP-ASV Điện cực sợi Au đ/c Tổng As vô màng kim Nƣớc giếng, nƣớc cƣơng pha máy tạp bo phủ Au ASV AsIII AuFE/GC Chất điện ly HCl M 145 47 AsIII, AsV Nƣớc máy 48 ASV Au/BDD AsIII HNO3 0,1 M Đệm photphat 0,1 M (pH 7) AsIII HCl 0,1 M 49 50 AsIII, AsV Nƣớc máy Eđp (V) Đ/c sợi Au: HCl M + HCl M Đ/c màng kim 0,01 g Na2SO3 -0,45 (~20 mM) cƣơng: HCl III M & Au 100 50 C, 30 ph ppb DP-ASV Au/BDD LS-ASV & SQW-ASV AuNPs/CNT s CV PtNPs/SPCE s Chất khử -0,4 Đệm photphat Khử điện hóa -0,4 0,1 M (pH 5) -1,5V -0,4 tđp (giây) 120 180 60 LS: 240 SQW: 120 H2SO4 M 145 GHPH Yếu tố cản trở CuII ảnh hƣởng tỷ lệ Cu:As 1, khắc phục cách cho qua Chelex 100; 0,005 ppb Axit humic ppm trở lên ảnh hƣởng mạnh sợi Au (giảm 50% đỉnh) yếu màng kim cƣơng (giảm 9% đỉnh), 1,8 ppb Không đề cập AsIII: ppb AsV: 100 Không đề cập ppb HNO3: 30 ppb Không đề cập Đệm: ppb TLTK Năm [109] 2007 [60] 2008 [126] 2008 [93] 2008 0,6 µg/L Khơng đề cập 0,1 µg/L [125] 2008 CuII, AlIII, BiIII, CdII, CrIII, CrVI, FeII, FeIII, NiII, PbII, 5,68 µg/L SbV, SnII, ZnII, SeIV khơng ảnh hƣởng; 50 µM SbIII ảnh hƣởng [100] 2009 STT Kỹ thuật đo Dạng & đối Điện cực tƣợng phân tích Chất điện ly Chất khử Eđp (V) tđp (giây) GHPH Yếu tố cản trở TLTK Năm nM 0,1 µM I , 1µM Br , 100 µM F mM SO42 không ảnh hƣởng; Ở nồng độ cao hon làm giảm đỉnh As kết hợp với OH gây ảnh hƣởng S2 làm giảm đến 50% chiều cao đỉnh asen có mặt nồng độ 200 nM; 100µM Al, 15µM Mn and 15µM Fe không ảnh hƣởng chiều cao, nhƣng lại làm đỉnh dịch phía âm; 1µM Zn, 0.5µM Bi hay µM SbIII MMA, DMA khơng có đỉnh khơng ảnh hƣởng phép xác định [46] 2010 III III 51 CSV (As ) & SQW-ASV (AsIII,V) Vi sợi Au rung AsIII, AsV Nƣớc ngầm As : đệm H3BO3 10 mM (pH 9) KCl 0,01 M + mM EDTA để tránh kết tủa sắt AsIII,V: HCl 0,1 M 60 146 Ghi chú: LS-ASV: linear scan anodic stripping voltammetry; AA: axit ascorbic; AuFE: gold film electrode; GC: glassy carbon; DCCSV: direct current cathodic stripping voltammetry; FSDP-CSV: fast scan differential pulse stripping voltammetry; HĐBM: hoạt động bề mặt; UMEA: ultramicroelectrode array; AuUMEAs: gold ultramicroelectrode arrays; CPE: carbon paste electrode; Au-NMGE: gold nanoparticle modified glassy carbon electrode; Nano-Au/PANI/GC: nano-Au/polyaniline-modified glassy carbon; AuNPs/GC modified BPPG: gold nanoparticles on a basal-plane pyrolytic graphite electrode; Au/BDD: gold modified boron doped diamond; AuNPs/CNTs: gold nanoparticles modified carbon nanotubes; PtNPs/SPCEs: platinum nanoparticle-modified carbon-based screenprinted electrodes 146 Phụ lục P2 Các chƣơng trình đo máy Metrohm 693 VA – Processor để phân tích AsIII phƣơng pháp DP-CSV Hình P2.1 Chƣơng trình để ghi đƣờng von-ampe vịng khơng điện phân làm giàu Hình P2.2 Chƣơng trình để ghi đƣờng von-ampe vịng có điện phân làm giàu 147 Hình P2.3 Chƣơng trình để ghi đƣờng SV asen kỹ thuật xung vi phân (DP-CSV) 148 Phụ lục P3 Mẫu PTN chứa III As 20 ppb Mẫu PTN chứa III As ppb Mẫu PTN chứa III As 60 ppb Hình P 3.1 Các đƣờng SV phân tích mẫu PTN chứa AsIII nồng độ 5, 20, 60 ppb để đánh giá độ phƣơng pháp DP-CSV (ĐKTN: nhƣ Bảng 3.20) 149 Phụ lục P4 Chƣơng trình đo để xác định asen phƣơng pháp DP-ASV máy Metrohm 797 Computrace Hình P4.1 Cửa sổ chƣơng trình điện phân tạo điện cực AuFE ex-situ Hình P 4.2 Cửa sổ chƣơng trình xác định AsIII phƣơng pháp DP-ASV 150 Hình P4.3 Cửa sổ chƣơng trình xác định AsIII phƣơng pháp DP-ASV 151 Phụ lục P5 Hình P 5.1 Chứng mẫu chuẩn CASS-4 (trang 1) 152 Hình P 5.2 Chứng mẫu chuẩn CASS-4 (trang 2) 153 Phụ lục P6 Bản đồ vị trí lấy mẫu nƣớc đầm phá nƣớc thải thị Hình P 6.1 Bản đồ vị trí lấy mẫu nƣớc đầm phá Tam Giang – Cầu Hai, Thừa Thiên Huế Hình P 6.2 Bản đồ vị trí lấy mẫu nƣớc thải thị thành phố Huế 154 Phụ lục P7 Các đƣờng SV phân tích mẫu thực tế phƣơng pháp DP-ASV/AuFE ex-in Phan tich As(III) Mau HN1 Phan tich AsIII Mau HN2 Phan tich AsIII Mau HN3 12.0u 10.0u As (III) As (III) As (III) 10.0u 9.00u 10.0u 6.00u I (A) I (A) I (A) 8.00u 8.00u 8.00u 7.00u 6.00u 6.00u 5.00u 4.00u 4.00u 4.00u -0.20 -0.10 0.10 0.20 -0.20 0.30 -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) U (V) 0.10 0.20 0.30 U (V) Phan tich AsIII Mau HN4 Phan tich As(III) Mau HN5 14.0u As (III) As (III) 8.00u 12.0u 7.00u I (A) I (A) 10.0u 6.00u 8.00u 5.00u 6.00u 4.00u -0.20 -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 0.20 0.30 U (V) Phan tich tong As III & V Mau HN1 Phan tich tong As III & V Mau HN2 Phan tich tong As III & V Mau HN3 8.00u 9.00u 8.50u As (III) 7.50u 8.00u 8.00u As (III) As (III) 7.00u I (A) 7.50u I (A) I (A) 7.00u 7.00u 6.50u 6.50u 6.00u 6.00u 6.00u 5.50u -0.20 -0.10 0.10 0.20 -0.20 U (V) -0.10 0.10 0.20 -0.20 0.10 0.20 Phan tich tong As III & V HN5 8.00u As (III) 7.00u U (V) Phan tich tong As III & V Mau HN4 6.75u As (III) 7.50u 6.50u I (A) I (A) -0.10 U (V) 7.00u 6.25u 6.00u 6.50u 5.75u -0.20 -0.10 0.10 0.20 -0.20 U (V) -0.10 0.10 0.20 U (V) Hình P 7.1 Các đƣờng SV phân tích mẫu nƣớc giếng khoan HN1 – HN5 (ĐKTN: nhƣ Bảng 3.54) 155 Phan tich As(III) Mau QB1 Phan tich As(III) Mau QB2 Phan tich As(III) Mau QB3 1.60u 1.60u 1.80u 1.40u As (III) As (III) 1.40u As (III) 1.60u 1.20u I (A) I (A) 1.20u I (A) 1.20u 1.40u 1.00u 800n 1.00u 1.00u 800n 600n 800n 600n 400n -0.20 -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 0.10 U (V) 0.20 0.30 U (V) Phan tich As(III) Mau QB4 Phan tich As(III) Mau QB5 1.60u 1.60u As (III) As (III) 1.40u 1.40u 1.20u I (A) I (A) 1.20u 1.00u 1.00u 800n 800n 600n 600n -0.20 -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 0.20 0.30 U (V) Phan tich As(III & V) QB1 7.00u 6.80u Phan tich As(III & V) Mau QB2 Phan tich As(III & V) Mau QB3 7.50u 6.00u As III 5.00u 6.60u As (III) 7.00u 6.40u 4.00u I (A) I (A) I (A) As (III) 6.50u 3.00u 6.20u 6.00u 2.00u 6.00u 5.50u 1.00u 5.80u -0.20 -0.10 0.10 0.20 -0.20 U (V) -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 0.20 U (V) Phan tich As(III & V) Mau QB4 Phan tich As(III & V) Mau QB5 8.00u 8.50u 7.50u 8.00u As (III) I (A) I (A) 7.00u 7.50u As (III) 6.50u 7.00u 6.00u 6.50u -0.20 -0.10 0.10 0.20 -0.20 U (V) -0.10 0.10 0.20 U (V) Hình P 7.2 Các đƣờng SV phân tích mẫu nƣớc giếng khoan QB1 – QB5 (ĐKTN: nhƣ Bảng 3.54) 156 Phan tich As(III) Mau ND1 Phan tich As(III) Mau ND2 Phan tich As(III) Mau ND3 8.00u 8.00u As (III) As (III) As 5.00u 7.00u 6.00u I (A) 4.00u I (A) I (A) 7.00u 6.00u 5.00u 5.00u 4.00u 4.00u 3.00u -0.20 -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) Phan tich As(III) Mau ND4 0.10 0.20 0.30 0.20 0.30 U (V) Phan tich As(III & V) Mau ND1 Phan tich As(III & V) Mau ND2 3.50u 4.50u As III 3.00u As As III 3.50u I (A) 2.50u I (A) I (A) 4.00u 3.00u 2.00u 2.00u 1.50u 3.00u 1.00u 2.50u -0.20 1.00u 500n -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 U (V) -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 U (V) Phan tich As(III & V) Mau ND3 Phan tich As(III & V) Mau ND4 3.50u 3.00u As (III) As III 3.00u 2.00u I (A) I (A) 2.50u 2.00u 1.50u 1.00u 1.00u 500n -0.20 -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 U (V) -0.10 0.10 0.20 0.30 U (V) Hình P 7.3 Các đƣờng SV phân tích mẫu nƣớc giếng đào NĐ1 – NĐ3 nƣớc suối NĐ4 (ĐKTN: nhƣ Bảng 3.54) 157 6.00u Phan tich As(III) Mau DP1 Phan tich As(III) Mau DP2 Phan tich As(III) Mau DP3 9.00u 8.00u As (III) 5.00u As As (III) 8.00u 7.00u I (A) 4.00u I (A) I (A) 7.00u 6.00u 6.00u 5.00u 3.00u 5.00u 4.00u 2.00u -0.20 4.00u -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) Phan tich As(III) Mau DP4 5.00u 0.10 0.20 0.30 0.20 0.30 U (V) Phan tich As(III&V) Mau DP1 Phan tich As(III&V) Mau DP2 3.00u As (III) 8.00u As III As III 4.00u 2.50u 7.00u 2.00u I (A) I (A) I (A) 3.00u 6.00u 1.50u 2.00u 5.00u 1.00u 1.00u 4.00u 500n -0.20 -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 U (V) Phan tich As(III&V) Mau DP3 3.50u Phan tich As(III&V) Mau DP4 3.50u 3.00u 3.00u As III 2.50u I (A) I (A) 2.50u 2.00u 1.50u 1.50u 1.00u 1.00u 500n As III 2.00u 500n -0.20 -0.10 0.10 0.20 0.30 -0.20 -0.10 U (V) 0.10 0.20 0.30 U (V) Hình P 7.4 Các đƣờng SV phân tích mẫu nƣớc đầm phá ĐP1 – ĐP4 (ĐKTN: nhƣ Bảng 3.54) 9.00u Phan tich As(III&V) Mau NTDT1 Phan tich As(III&V) Mau NTDT2 4.00u As III Phan tich As(III & V) Mau NTDT3 4.50u As III As III 8.00u 4.00u 3.00u 3.50u I (A) I (A) I (A) 7.00u 3.00u 6.00u 2.00u 2.50u 5.00u 2.00u 1.00u -0.20 -0.10 0.10 U (V) 0.20 0.30 -0.20 -0.10 0.10 0.20 0.30 U (V) -0.20 -0.10 0.10 0.20 0.30 U (V) Hình P 7.5 Các đƣờng SV phân tích mẫu nƣớc thải thị NTĐT1 – NTĐT3 (ĐKTN: nhƣ Bảng 3.54) 158 ... để xác định AsV [47]; HCl / NaHCO3 /KI (xác định AsIII) [31]; NH4Cl / NH3 (xác định AsIII) [31]; HBr (xác định AsIII AsV) [92]… 1.2.5.3 Tình hình nghiên cứu xác định asen phƣơng pháp von- ampe. .. QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ BÀN LUẬN 3.1 NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH AsIII BẰNG PHƢƠNG PHÁP VON- AMPE HỊA TAN CATOT Để có sở cho việc lựa chọn phƣơng pháp nhằm phát triển, xây dựng quy trình phân tích xác định. .. học để xác định riêng AsIII; sau dùng chất khử hóa học để khử AsV mẫu AsIII xác định tổng asen vô Dựa vào kết xác định tổng asen vô kết xác định riêng AsIII, tính đƣợc nồng độ AsV Một số tác