Bài giảng Điện tử số - Chương 7: Bộ nhớ bán dẫn

Bài giảng Điện tử số - Chương 7: Bộ nhớ bán dẫn trình bày các nội dung chính sau: DRAM, SRAM, Bộ nhớ cố định – ROM, bộ nhớ bán cố định, mở rộng dung lượng bộ nhớ.

Nội dung Chương 1: Hệ đếm Chương 2: Đại số Boole phương pháp biểu diễn hàm Chương 3: Cổng logic TTL CMOS Chương 4: Mạch logic tổ hợp Chương 5: Mạch logic Chương 6: Mạch phát xung tạo dạng xung  Chương 7: Bộ nhớ bán dẫn Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 154 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ bán dẫn Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 155 https://fb.com/tailieudientucntt Nội dung  Khái niệm chung  DRAM  SRAM  Bộ nhớ cố định – ROM  Bộ nhớ bán cố định  Mở rộng dung lượng nhớ Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 156 https://fb.com/tailieudientucntt Khái niệm chung  Khái niệm:  Bộ nhớ thiết bị có khả lưu trữ thông tin (nhị phân) Muốn sử dụng nhớ, trước tiên ta phải ghi liệu thơng tin cần thiết vào nó, sau lúc cần thiết phải lấy liệu ghi trước để sử dụng Thủ tục ghi vào đọc phải kiểm soát chặt chẽ, tránh nhầm lẫn nhờ định vị xác vị trí nhớ nội dung theo mã địa  Những đặc trưng nhớ  Dung lượng nhớ  Dung lượng nhớ số bit thơng tin tối đa lưu giữ Dung lượng biểu thị số từ nhớ n bit Từ nhớ n bit số bit (n) thơng tin mà ta đọc ghi đồng thời vào nhớ Ví dụ: Một nhớ có dung lượng 256 bit; có cấu trúc để truy cập lúcc bit thơng tin, ta biểu thị dung lượng nhớ 32 từ nhớ x bit = 32 byte  Cách truy cập thơng tin: Có cách trực tiếp gián tiếp  Truy cập trực tiếp, hay gọi truy cập ngẫu nhiên (random access) Ở cách này, không gian nhớ chia thành nhiều ô nhớ Mỗi ô nhớ chứa từ nhớ n bit có địa xác định, mã hố số nhị phân k bit Như vậy, người sử dụng truy cập trực tiếp thông tin ô nhớ có địa nhớ Mỗi nhớ có k bit địa có 2k nhớ ghi 2k từ nhớ n bit  Truy cập (serial access) hay gọi kiểu truy cập Các đĩa từ, băng từ, trống từ, ghi dịch…có kiểu truy cập Các bit thông tin đưa vào lấy cách  Tốc độ truy cập thông tin  Đây thông số quan trọng nhớ Nó đặc trưng thời gian cần thiết để truy cập thông tin Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 157 https://fb.com/tailieudientucntt Khái niệm chung – Phân loại nhớ BỘ NHỚ BÁN DẪN Bộ nhớ cố định ROM MROM PROM Bộ nhớ bán cố định EPROM EEPROM Bộ nhớ đọc/viết SRAM DRAM  Dựa thời gian viết cách viết, chia thành: nhớ cố định, nhớ bán cố định nhớ đọc/viết  Bộ nhớ cố định ROM (Read Only Memory): có nội dung viết sẵn lần  MROM: loại ROM sau viết (bằng mặt nạ-mask) từ nhà máy khơng viết lại  PROM dạng khác, bit viết thiết bị ghi người sử dụng lần (Programmable ROM)  Bộ nhớ đọc/ viết nhiều lần RAM (Random Access Memory) gồm hai loại:  RAM tĩnh-SRAM (Static RAM) thường xây dựng mạch điện tử trigơ  RAM động-DRAM (Dynamic RAM) xây dựng sở nhớ điện tích tụ điện; nhớ phải hồi phục nội dung đặn, không nội dung theo rị điện tích tụ Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 158 https://fb.com/tailieudientucntt Khái niệm chung – Phân loại nhớ BỘ NHỚ BÁN DẪN Bộ nhớ cố định ROM MROM PROM Bộ nhớ bán cố định EPROM EEPROM Bộ nhớ đọc/viết SRAM DRAM  Giữa ROM RAM có lớp nhớ gọi EPROM (Erasable PROM), liệu xố tia cực tím ghi lại được, EEPROM (Electric EPROM) xố dịng điện Các loại cịn gọi nhớ bán cố định  Các nhớ DRAM thường thoả mãn yêu cầu cần nhớ có dung lượng lớn; khi cần có tốc độ truy xuất lớn phải dùng nhớ SRAM có giá thành đắt Nhưng hai loại có nhược điểm thuộc loại “bay hơi” (volatile), thông tin bị nguồn ni bị ngắt Do chương trình dùng cho việc khởi động PC BIOS thường phải nạp nhớ ROM Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 159 https://fb.com/tailieudientucntt Khái niệm chung – Tổ chức nhớ  Bộ nhớ thường tổ chức gồm nhiều vi mạch nhớ ghép lại để có độ dài từ tổng số từ cần thiết Những chip nhớ thiết kế cho có đầy đủ số chức nhớ như:  Một ma trận nhớ gồm ô nhớ, ô nhớ ứng với bit nhớ  Mạch logic giải mã địa ô nhớ  Mạch logic cho phép đọc nội dung ô nhớ  Mạch logic cho phép viết nội dung ô nhớ  Các đệm vào, đệm mở rộng địa Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 160 https://fb.com/tailieudientucntt DRAM  Các ô nhớ xắp xếp theo hàng cột ma trận nhớ Địa ô nhớ chia thành hai phần: địa hàng cột Hai địa đọc vào đệm cách Xử lý kiểu gọi hợp kênh, lý để giảm kích thước giải mã, tức giảm kích thước giá thành vi mạch Quá trình dồn kênh địa điều khiển tín hiệu RAS (Row Access Strobe) CAS (Column Access Strobe)  Nếu RAS mức tích cực thấp DRAM nhận địa đặt vào sử dụng địa hàng  Nếu CAS mức tích cực thấp DRAM nhận địa đặt vào sử dụng địa cột  Một nhớ DRAM gồm có transistor trường MOS có trở lối vào lớn tụ điện C linh kiện lưu trữ bit thông tin tương ứng với hai trạng thái có khơng có điện tích tụ  Transistor hoạt động công tắc, cho phép nạp hay phóng điện tích tụ thực phép đọc hay viết Cực cửa (Gate) transistor nối với dây hàng (còn gọi dây từ-WL-Word Line) cực máng (Drain) nối với dây cột (còn gọi dây bit BL-Bit Line), cực nguồn (Source) nối với tụ điện Điện áp nạp tụ tương đối nhỏ, cần sử dụng khuếch đại nhạy mạch nhớ Do dịng rị transistor nên nhớ cần nạp lại trước điện áp tụ thấp ngưỡng Q trình thực nhờ chu kỳ “làm tươi” (refresh), điện áp tụ xác định (ở trạng thái hay 1) mức điện áp logic viết lại vào ô nhớ Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 161 https://fb.com/tailieudientucntt SRAM VCC Tra Tra Tra C WL Trs Trs WL BL BL BL BL  Một ô nhớ SRAM giữ thông tin trạng thái mạch trigơ Thuật ngữ “tĩnh” nguồn ni chưa bị cắt thơng tin ô nhớ giữ nguyên Khác với ô nhớ DRAM, nhớ trigơ cung cấp tín hiệu số mạnh nhiều có transistor nhớ, chúng có khả khuếch đại tín hiệu cấp trực tiếp cho đường bit Trong DRAM, khuếch đại tín hiệu khuếch đại cần nhiều thời gian thời gian truy nhập dài Khi định địa trigơ SRAM, transistor bổ sung cho trigơ, giải mã địa chỉ…cũng đòi hỏi DRAM  Như DRAM, cực cửa transistor nối với đường từ cực máng nối với cặp đường bit Nếu số liệu đọc từ nhớ, giải mã hàng kích hoạt đường dây từ WL tương ứng Hai transistor T dẫn nối trigơ nhớ với cặp dây bit Như hai lối Q Q_ nối với đường bit tín hiệu truyền tới khuếch đại cuối đường dây Vì điện chênh lệch lớn nên xử lý khuếch đại nhanh DRAM (cỡ 10 ns ngắn hơn), chip SRAM cần địa cột sớm thời gian truy nhập không giảm Như SRAM không cần thực phân kênh địa hàng cột Sau số liệu ổn định, giải mã cột chọn cột phù hợp cho tín hiệu số liệu tới đệm số liệu tới mạch  Viết số liệu thực theo cách ngược lại Qua đệm vào giải mã cột, số liệu viết đặt vào khuếch đại phù hợp Cùng lúc giải mã hàng kích hoạt đường dây từ làm transistor T dẫn Trigơ đưa số liệu lưu trữ vào cặp dây bit Tuy vậy, khuếch đại nhạy transistor nên cấp cho đường bit tín hiệu phù hợp với số liệu viết Do đó, trigơ chuyển trạng thái phù hợp với số liệu giữ giá trị lưu trữ phụ thuộc vào việc số liệu viết trùng với số liệu lưu trữ hay không Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 162 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ cố định – MROM +V +5V R4 Các chip RAM khơng thích hợp cho chương trình khởi động thơng tin bị tắt nguồn Do phải dùng đến ROM, số liệu cần lưu trữ viết lần theo cách không bay để nhằm giữ R3 R2 R1 Các dây hàng (i hàng) Các dây bit (j cột)  MROM – ROM lập trình theo kiểu mặt nạ Hình 7-6 MROM diode đơn giản  Được chế tạo phiến silic theo số bước xử lý quang khắc khếch tán để tạo tiếp giáp bán dẫn có tính dẫn điện theo chiều (như diode, transistor trường) Người thiết kế định rõ chương trình muốn ghi vào ROM, thông tin sử dụng để điều khiển q trình làm mặt nạ Hình 7-6 ví dụ đơn giản sơ đồ MROM dùng diode  Chỗ giao dây từ (hàng) dây bit (cột) tạo nên phần tử nhớ (ô nhớ) Một diode đặt (hình vẽ) cho phép lưu trữ số liệu “0” Ngược lại vị trí khơng có diode cho phép lưu trữ số liệu “1” Khi đọc từ số liệu thứ i ROM, giải mã đặt dây từ xuống mức logic thấp, dây cịn lại mức cao Do diode nối với dây phân cực thuận, dẫn làm cho điện lối dây bit tương ứng mức logic thấp, dây bit lại giữ mức cao  Cả hai công nghệ MOS lưỡng cực dùng để chế tạo MROM Thời gian truy nhập nhớ lưỡng cực khoảng từ 50 – 90 ns, nhớ MOS lâu khoảng 10 lần Do ROM lưỡng cực nhanh có khả kích hoạt tốt mạch nhớ MOS dung lượng có kích thước nhỏ tiêu thụ lượng Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 163 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ cố định – PROM  PROM gồm có diode MROM chúng có mặt đầy đủ tạo vị trí giao dây từ dây bit Mỗi diode nối với cầu chì Bình thường chưa lập trình, cầu chì cịn ngun vẹn, nội dung PROM tồn Khi định vị đến bit cách đặt xung điện lối tương ứng, cầu chì bị đứt bit Bằng cách ta lập trình tồn bit PROM Như vậy, việc lập trình thực người sử dụng lần nhất, sửa đổi Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 164 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ bán cố định - EPROM (Erasable PROM)  Số liệu vào viết vào xung điện lưu giữ theo kiểu khơng bay Đó loại ROM lập trình xóa Hình 7- cấu trúc transistor dùng để làm ô nhớ gọi FAMOST (Floating gate avalanche injection MOS transistor)  Trong ô nhớ dùng transistor này, cực cửa nối với đường từ, cực máng nối với đường bit cực nguồn nối với nguồn chuẩn coi nguồn cho mức logic Khác với transistor MOS bình thường, transistor loại cịn có thêm cửa gọi cửa (floating gate); vùng vật liệu thêm vào vào lớp cách điện cao hình 7-7 Nếu cửa khơng có điện tích khơng ảnh hưởng đến cực cửa điều khiển transistor hoạt động bình thường Tức dây từ kích hoạt (cực cửa có điện dương) transtor dẫn, cực máng nguồn nối với qua kênh dẫn dây bit có mức logic Nếu cửa có điện tử với điện tích âm chúng ngăn trường điều khiển cửa cửa dù dây từ kích hoạt khơng thể phát trường đủu mạnh với cực cửa điều khiển để làm thông transistor Lúc đường bit không nối với nguồn chuẩn ô nhớ coi giữ giá trị ID v0 v1 v GS Hình 7-7 Cấu trúc EPROM Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 165 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ bán cố định - EPROM (Erasable PROM)  Việc nạp điện tử vào vùng cửa nổi, tức tạo ô nhớ mang giá trị thực xung điện có độ dài cỡ 50 ms độ lớn + 20 V đặt cực cửa va cực máng Lúc điện tích mang lượng lớn qua lớp cách điện đế cửa Chúng tích tụ vùng cửa giữ sau xung lập trình tắt Đó cửa cách điện cao với xung quanh điện tử khơng cịn đủ lượng sau lạnh đi, để vượt ngồi lớp cách điện Chúng giữ thời gian dài (ít 10 năm)  Để xố thơng tin, tức làm điện tích điện tử vùng cửa nổi, phải chiếu ánh sáng tử ngoại UV vào chíp nhớ Lúc này, điện tử hấp thụ đượ lượng nhảy lên mức lượng cao rời khỏi cửa giống cách mà chúng thâm nhập vào Trong chip EPROM có cửa sổ làm thuỷ tinh thạch anh ánh sáng tử ngoại qua cần xoá số liệu nhớ Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 166 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ bán cố định - EEPROM (Electrically Erasable PROM)  Cửa sổ thạch anh có giá thành đắt khơng tiện lợi nên năm gần xuất chip PROM xố số liệu phương pháp điện Cấu trúc nhớ giống hình 7-8  Việc nạp điện tử cho cửa thực cách EPROM Bằng xung điện tương đối dài, điện tích mang lượng cao phát đế thấm qua lớp cửa ôxit tích tụ cửa Để xố EEPROM, lớp kênh màng mỏng ôxit vùng cửa trải xuống đế cực máng giữ vai trò quan trọng Các lớp cách điện lý tưởng được, điện tích thấm qua lớp phân cách với xác suất thấp Xác suất tăng lên bề dày lớp giảm điện hai điện cực hai mặt lớp cách điện tăng lên Muốn phóng điện tích vùng cửa điện (-20 V) đặt vào cực cửa điều khiển cực máng Lúc điện tử âm cửa chảy cực máng qua kênh màng mỏng ôxit số liệu lưu giữ xoá Điều lưu ý phải cho dịng điện tích chảy khơng q lâu khơng vùng cửa lại trở nên tích điện dương làm cho hoạt động transistor không trạng thái bình Nguồn Máng Cửa thường (mức nhớ 1) Cửa điều khiển Cửa Lớp Lớpôxit ôxit n- Nguồn - - - - - - - - Lớp ôxit n- Máng Đường hầm ơxít Đế bán dẫn loại p Hình 7-8 Cấu trúc EEPROM Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 167 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ bán cố định - Bộ nhớ FLASH  Trong năm gần đây, loại nhớ không bay xuất thị trường, thường sử dụng thay cho ổ đĩa mềm cứng máy tính Đó nhớ flash Cấu trúc chúng EEPROM, có lớp kênh ơxit ô nhớ mỏng Do cần điện cỡ 12 V cho phép thực 10 000 chu trình xố lập trình Bộ nhớ flash hoạt động gần mềm dẻo DRAM SRAM lại không bị số liệu bị cắt điện Hình 7- sơ đồ khối  Phần mạng nhớ bao gồm ô nhớ FAMOST mô tả mục Giống SRAM, nhớ flash không dồn phân kênh địa Các giải mã hàng cột chọn đường từ nhiều cặp đường bit Số liệu đọc đưa đệm số liệu I/O viết vào ô nhớ định địa đệm qua cổng I/O Xử lý đọc thực với điện MOS thông thường 5V Để lập trình nhớ, đơn vị điều khiển flash đặt xung điện ngắn cỡ 10 s 12 V gây nên chọc thủng thác lũ vào transistor nhớ để nạp vào cửa Một chip nhớ flash Mb lập trình khoảng sec, khác với EEPROM việc xoá thực chip Thời gian xố cho tồn bộ nhớ flash khoảng sec Xử lý đọc, lập trình xố điều khiển lệnh có độ dài byte xử lý viết vào ghi lệnh mạch điều khiển flash Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 168 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ bán cố định - Bộ nhớ FLASH  Mục đích sử dụng nhớ flash để thay cho ổ đĩa mềm ổ đĩa cứng dung lượng nhỏ Do mạch tích hợp nên có ưu điểm kích thước nhỏ tiêu thụ lượng thấp, không bị ảnh hưởng va đập Các đĩa cứng chất rắn dựa sở nhớ flash có lợi cơng suất tiêu thụ giá thành có dung lượng tới vài Mbyte Các card nhớ loại có ưu điểm không gặp phải vấn đề thông tin trường hợp RAM CMOS pin Ni-Cd bị hỏng Thời gian lưu trữ thơng tin nhớ flash 10 năm, thông thường 100 năm, với khoảng thời gian đĩa mềm cứng bị hỏng VPP WE CE OE  Nhược điểm nhớ flash xố theo kiểu chip trang Hình 7-9 Sơ đồ nhớ FLASH Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 169 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ bán cố định - Bộ nhớ CACHE  Việc nạp điện tử vào vùng cửa nổi, tức tạo ô nhớ mang giá trị thực xung điện có độ dài cỡ 50 ms độ lớn + 20 V đặt cực cửa va cực máng Lúc điện tích mang lượng lớn qua lớp cách điện đế cửa Chúng tích tụ vùng cửa giữ sau xung lập trình tắt Đó cửa cách điện cao với xung quanh điện tử khơng cịn đủ lượng sau lạnh đi, để vượt ngồi lớp cách điện Chúng giữ thời gian dài (ít 10 năm)  Để xố thơng tin, tức làm điện tích điện tử vùng cửa nổi, phải chiếu ánh sáng tử ngoại UV vào chíp nhớ Lúc này, điện tử hấp thụ đượ lượng nhảy lên mức lượng cao rời khỏi cửa giống cách mà chúng thâm nhập vào Trong chip EPROM có cửa sổ làm thuỷ tinh thạch anh ánh sáng tử ngoại qua cần xoá số liệu nhớ Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 170 https://fb.com/tailieudientucntt Bộ nhớ bán cố định - EPROM (Erasable PROM)  Với máy tính có tốc độ nhanh (trên 33MHz), cần phải xen trạng thái đợi truy xuất liệu tới DRAM rẻ tiền có thời gian thâm nhập chậm (60-120ns) Điều làm giảm hiệu suất máy Có thể giải cách dùng SRAM có thời gian thâm nhập ngắn (20-25 ns, chí 12 ns) giá thành lại đắt Bộ nhớ Cache kết hợp lợi điểm nhanh SRAM rẻ DRAM Giữa CPU nhớ DRAM, người ta xen vào nhớ SRAM nhanh có dung lượng nhỏ 1/10 1/100 lần nhớ gọi cache; điều khiển mạch điều khiển cache, nhớ lưu trữ tạm thời số liệu thường gọi cung cấp cho CPU thời gian ngắn  Cache chứa thông tin vừa CPU sử dụng gần Khi CPU đọc số liệu đưa địa tới điều khiển cache Sau hai trình sau xảy ra:  Cache hit: địa có sẵn RAM cache  Cache miss: ngược lại, địa khơng có sẵn RAM cache Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 171 https://fb.com/tailieudientucntt Mở rộng dung lượng nhớ  Các vi mạch nhớ bán dẫn có dung lượng xác định Muốn có nhớ có dung lượng lớn hơn, ta tìm cách ghép nhiều vi mạch nhớ nhằm ba mục đích sau:  Tăng độ dài nhớ, không làm tăng số lượng từ nhớ  Tăng số lượng từ nhớ không làm tăng độ dài từ nhớ  Tăng số lượng độ dài từ nhớ Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 172 https://fb.com/tailieudientucntt Mở rộng độ dài từ  Trên chíp nhớ, có đến số hữu hạn lối ra, thường bit Muốn có độ dài từ lớn hơn, chẳng hạn từ lên 16 bit, ta tiến hành ghép nhiều chíp nhớ hình 7-10 RAM Đối với ROM cách làm tương tự, khác trường hợp này, khơng có lối vào R/W A0 BUS địa An-1 RAM I  RAM II  D0 BUS liệu Dn-1 BUS liệu Hình 7-10 Sơ đồ mở rộng độ dài từ Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 173 https://fb.com/tailieudientucntt Mở rộng dung lượng (1)  Muốn mở rộng dung lượng, ta ghép nhiều chíp lại với Như biết, dung lượng có liên quan đến số lối vào địa (C = 2N x độ dài từ, với N số lối vào địa chỉ) Cứ tăng chíp cần có thêm lối vào địa  Khác với trường hợp mở rộng độ dài từ, mở rộng dung lượng lối vào/ra liệu D R/ nối song song Một phần dung lượng trữ vào chíp Sự phân chia dựa sở tổ hợp địa vào lối vào điều khiển Hình 7-11 sơ đồ ví dụ A0 A0 IC A11 2k A11 A12 A13 A0 IC A11 2k A0 IC A11 2k A0 IC A11 2k Bộ giải mã vào Hình 7-11 Phương pháp mở rộng dung lượng Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 174 https://fb.com/tailieudientucntt Mở rộng dung lượng (2)  Để thực phép mở rộng ta phải sử dụng số lối vào địa dành riêng cho giải mã (thường địa có trọng số cao) Ở sơ đồ ta chọn địa A12 A13 để giải mã Do ta nhận giá trị tương ứng Các giá trị tác động lên lối vào CS để mở IC nhớ Các IC nhớ làm ROM RAM hai tùy chọn Tuần tự mở IC theo A12, A13 bảng hoạt động sau A13 A12 _CS IC I 000016 - 0FFF16 _CS1 _CS2 IC II 100016 - 1FFF16 _CS3 IC III 200016 - 2FFF16 1 _CS4 IC IV 300016 - 3FFF16 A0 IC A11 2k A11 A13 Khoảng địa A0 A12 IC mở A0 IC A11 2k A0 IC A11 2k Bộ giải mã vào Hình 7-11 Phương pháp mở rộng dung lượng Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 175 https://fb.com/tailieudientucntt A0 IC A11 2k Câu hỏi Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 176 https://fb.com/tailieudientucntt Tài liệu tham khảo  Giáo trình Kỹ thuật số - Trần Văn Minh, NXB Bưu điện 2002  Cơ sở kỹ thuật điện tử số, Đại học Thanh Hoa, Bắc Kinh, NXB Giáo dục 1996  Kỹ thuật số, Nguyễn Thúy Vân, NXB Khoa học kỹ thuật 1994  Lý thuyết mạch logic Kỹ thuật số, Nguyễn Xuân Quỳnh, NXB Bưu điện 1984  Fundamentals of logic design, fourth edition, Charles H Roth, Prentice Hall 1991  Digital engineering design, Richard F.Tinder, Prentice Hall 1991  Digital design principles and practices, John F.Wakerly, Prentice Hall 1990  VHDL for Programmable Logic by Kevin Skahill, Addison Wesley, 1996  The Designer's Guide to VHDL by Peter Ashenden, Morgan Kaufmann, 1996  Analysis and Design of Digital Systems with VHDL by Dewey A., PWS Publishing, 1993 Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 177 https://fb.com/tailieudientucntt Phụ lục Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 178 https://fb.com/tailieudientucntt ... Cửa thường (mức nhớ 1) Cửa điều khiển Cửa Lớp Lớpôxit ôxit n- Nguồn - - - - - - - - Lớp ôxit n- Máng Đường hầm ơxít Đế bán dẫn loại p Hình 7-8 Cấu trúc EEPROM Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com... NHỚ BÁN DẪN Bộ nhớ cố định ROM MROM PROM Bộ nhớ bán cố định EPROM EEPROM Bộ nhớ đọc/viết SRAM DRAM  Dựa thời gian viết cách viết, chia thành: nhớ cố định, nhớ bán cố định nhớ đọc/viết  Bộ nhớ. . .Bộ nhớ bán dẫn Bài giảng Điện tử số V1.0 CuuDuongThanCong.com 155 https://fb.com/tailieudientucntt Nội dung  Khái niệm chung  DRAM  SRAM  Bộ nhớ cố định – ROM  Bộ nhớ bán cố định