Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 67 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
67
Dung lượng
12,56 MB
Nội dung
BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện Chương : MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ 7.1 CÁC CHỈ TIÊU MẠCH KHUẾCH ĐẠI RS Ii Io + Vi - VS ~ ANL + Vi RL - Zo Zi Độ lợi công suất RS ViVo ~ VO VS + Vi - Zi + - ZO VO ANL.Vi RL 7.2 MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG BJT 7.2.1 Mạng hai cửa theo tham số H 7.2.1 Mạng hai cửa theo tham số H hi hrVo hfIi 1/ho 7.2.2 Mơ hình tương đương BJT cho mạch CE, CC CB Mơ hình tương đương BJT cho mạch CE, CC hie hfeIb CE hreVce 1/hoe CC Mơ hình tương đương BJT cho mạch CE, CC hie hreVce hfeIb 1/hoe Đặt 7.2.2 Mơ hình tương đương BJT cho mạch CE, CC CB Mơ hình tương đương BJT cho mạch CE, CC hie hreVce hfeIb hoe 7.2.2 Mơ hình tương đương BJT cho mạch CE, CC CB Mơ hình tương đương BJT cho mạch CE, CC hie hreVce hfeIb hoe 7.2.2 Mơ hình tương đương BJT cho mạch CE, CC CB Mơ hình tương đương BJT cho mạch CE, CC hie hreVce hfeIb hoe Tóm lại với CC CE hie hrevce CC hfeIb 1/hoe CE Gần IC B C I b hie hfeIb E hie= βre hre= hfe = β hoe = re= 26mV/IEQ 26mV/ ICQ 10 7.5.3 Phân tích mạch KĐ vùng tần số thấp Giản đồ Bode ảnh hưởng tụ CE: AvS AvSmid (dB) fLce Av S Av Smid fLCs ( dB ) Nhận xét: điện áp ngõ vào mạch khuếch đại giảm 70,7% hay 3dB tần số này, điện áp ngõ giảm 3dB 53 7.5.3 Phân tích mạch KĐ vùng tần số thấp Giản đồ Bode ( đáp ứng tần số) ảnh hưởng tụ tần số thấp fL=max[fLCS;fLCC;fLCE] 54 7.5.3 Phân tích mạch KĐ vùng tần số thấp Mạch khuếch đại dùng FET Xét mạch sau 55 7.5.3 Phân tích mạch KĐ vùng tần số thấp Mạch khuếch đại dùng FET 56 7.5.3 Phân tích mạch KĐ vùng tần số thấp Mạch khuếch đại dùng FET fL=max[fLS;fLC;fLE] 57 7.5.4 Phân tích mạch KĐ vùng tần số cao Dùng BJT Vcc Rb1 Rs Rc C1 VS Vin Rb2 Re C2 Vout Ce Rl 58 7.5.4 Phân tích mạch KĐ vùng tần số cao Dùng BJT Mô hình hybrid – π BJT 59 7.5.4 Phân tích mạch KĐ vùng tần số cao C Mi (1 AV )C bc Ci CWi C be C Mi Dùng BJT C Mo AV C o CWo C ce C Mo C bc Trong đó: CWi, CWo: điện dung dây dẫn ngõ vào ngõ mạch khuếch đại, thường điện dung bé bỏ qua CMi CMo :điện dung ảnh hưởng hiệu ứng Miller ngõ vào ngõ 60 Ảnh hưởng tụ Ci: Lưu ý: Khi xét ảnh hưởng tụ phải bỏ qua ảnh hưởng tụ lại hf e (RC // RL ) V0 V0 Vi Zi AvSmid x x VS Vi VS hie Zi RS hfe (RC // RL ) V0 V0 Vi Zi // jXCi AvS x x VS Vi VS hie RS Zi // jXci Av S Av Smid jX Ci Z i Z i jX Ci R Zi x S jX Ci Z i Zi RS Z i jX Ci jX Ci Z i R S Z i R S jX Ci jX Ci Zi x f Hi f 1 2 ( Z i // RS )C i 2Ri C i LPF RS Z i Zi jX Ci RS R jX RS R Ci 61 Tần số cắt cao: Tần số cắt cao ngõ vào: f Hi C i CWi C be C Mi C Mi (1 AV )Cbc Ri Zi // RS Tần số cắt cao ngõ ra: f Ho C o CWo C ce C Mo C Mo AV C bc 2 R i C i 2 R o C Ro Z0 // RL fH=min[fHi; fHo] 62 BW = fH - fL 63 Dùng FET xét mạch sau 64 Sơ đồ mạch tương đương tần số cao 65 Dùng FET Áp dụng thevenin ta có fH=min[fHi; fHo] 66