Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Chế tạo và nghiên cứu tính chất của vật liệu nano Zn2SnO4

Trong luận văn này, tác giả sử dụng phương pháp thủy nhiệt để tổng hợp các tinh thể nano kẽm stannate (ZTO). Nghiên cứu tập trung vào việc khảo sát ảnh hưởng của các yếu tố công nghệ như tỷ lệ mol các hóa chất ban đầu, nhiệt độ phản ứng và thời gian phản ứng lên quá trình hình thành và chuyển đổi pha, cũng như các tính chất quang đặc trưng của Zn2SnO4.

Đ I H C QU C GIA HÀ N I Ạ Ọ Ố Ộ

TR ƯỜ NG Đ I H C KHOA H C T  NHIÊN Ạ Ọ Ọ Ự

­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­

NGUY N NG C TÚ Ễ Ọ

CH  T O VÀ NGHIÊN C U TÍNH CH T C A V T LI U NANO Ế Ạ Ứ Ấ Ủ Ậ Ệ  

Zn2SnO4

Hà N i ­ 2014 ộ

Đ I H C QU C GIA HÀ N I Ạ Ọ Ố Ộ

TR ƯỜ NG Đ I H C KHOA H C T  NHIÊN Ạ Ọ Ọ Ự

L I CAM ĐOANỜ

Nh ng k t qu  đữ ế ả ược th  hi n trong lu n văn là nh ng k t qu  lao đ ngể ệ ậ ữ ế ả ộ  

c a b n thân, các k t qu  này đã đủ ả ế ả ược tôi tìm ra trong quá trình làm vi c và h cệ ọ  

t p t i Trung tâm Khoa h c V t li u trậ ạ ọ ậ ệ ường Đ i h c Khoa h c T  nhiên – Đ iạ ọ ọ ự ạ  

h c Qu c gia Hà N i t  tháng 07 năm 2013 đ n tháng 12 năm 2013. Các k t quọ ố ộ ừ ế ế ả này ch a đư ược công b  trên b t c  m t công trình nghiên c u nào c a ngố ấ ứ ộ ứ ủ ườ  ikhác. K t qu  c a lu n văn đế ả ủ ậ ược th c hi n theo hự ệ ướng nghiên c u trong đ  tàiứ ề  

"NGHIÊN C U CH  T O VÀ TÍNH CH T C A V T LI U HU NH QUANG PHAỨ Ế Ạ Ấ Ủ Ậ Ệ Ỳ  

Đ T HI M TRÊN C  SẤ Ế Ơ Ở LaPO4, Zn2SnO4,  Mã số  QGTĐ 13.04. M t s  k t quộ ố ế ả 

c a lu n văn đủ ậ ược th c hi n trên các thi t b  c a D  án Khoa h c và Công nghự ệ ế ị ủ ự ọ ệ Nano, Đ i h c Qu c gia Hà N i.ạ ọ ố ộ

L I C M  NỜ Ả Ơ

Trước khi trình bày n i dung chính c a lu n văn, tôi xin bày t  lòng bi tộ ủ ậ ỏ ế  

n sâu s c t i TS. Nguy n Duy Ph ng – gi ng viên H c vi n K  thu t M t mã

và PGS.TS. Nguy n Ng c Long ­ Trung tâm Khoa h c V t li u ­ Trễ ọ ọ ậ ệ ường Đ iạ  

h c Khoa h c T  nhiên, nh ng ngọ ọ ự ữ ười đã t n tình hậ ướng d n tôi th c hi n n iẫ ự ệ ộ  dung lu n văn. Cùng toàn th  các th y cô giáo trong khoa V t lý, th y cô trong bậ ể ầ ậ ầ ộ môn V t lý Ch t r n ­ Trậ ấ ắ ường Đ i h c Khoa h c T  nhiên, Đ i h c Qu c giaạ ọ ọ ự ạ ọ ố  

Hà N i đã d y b o tôi t n tình trong su t quá trình h c t p t i trộ ạ ả ậ ố ọ ậ ạ ường

Tôi xin c m  n các th y cô c a Trung tâm Khoa h c V t li u – Trả ơ ầ ủ ọ ậ ệ ườ  ng

Đ i h c Khoa h c T  nhiên, đã t o đi u ki n thu n l i nh t cho tôi trong quáạ ọ ọ ự ạ ề ệ ậ ợ ấ  trình t o m u và phân tích m u. C m  n ThS. Nguy n Duy Thi n – ngạ ẫ ẫ ả ơ ễ ệ ười mà tôi 

đã h c h i đọ ỏ ượ ấc r t nhi u k  năng quan tr ng trong quá trình làm thí nghi m.ề ỹ ọ ệ

Tôi xin chân thành c m  n đ  tài ả ơ ề "NGHIÊN C U CH  T O VÀ TÍNH CH TỨ Ế Ạ Ấ  

C A V T LI U HU NH QUANG PHA Đ T HI M TRÊN C  SỦ Ậ Ệ Ỳ Ấ Ế Ơ Ở LaPO4, Zn2SnO4, 

Mã s  ốQGTĐ 13.04

Nhân d p này tôi cũng xin đị ược g i l i c m  n chân thành t i gia đình,ử ờ ả ơ ớ  

b n bè, đ ng nghi p đã luôn bên tôi, c  vũ, đ ng viên, giúp đ  tôi trong trong quáạ ồ ệ ổ ộ ỡ  trình làm lu n văn này.ậ

          Tác gi  lu n vănả ậ

       Nguy n Ng c Túễ ọ

M C L CỤ Ụ

DANH M C HÌNH  NHỤ Ả

DANH M C B NG BI UỤ Ả Ể

L I NÓI Đ UỜ Ầ

Hi n nay v t li u bán d n oxit vùng c m r ng ngày càng đệ ậ ệ ẫ ấ ộ ượ ậc t p trung nghiên c u m  r ng đ  có th  phát tri n các  ng d ng trong m t s  lĩnh v c màứ ở ộ ể ể ể ứ ụ ộ ố ự  các v t li u bán d n truy n th ng (Si, GaAs, Ge) b  h n ch  Các v t li u có đậ ệ ẫ ề ố ị ạ ế ậ ệ ộ 

r ng vùng c m l n nh  TiOộ ấ ớ ư 2, ZTO, ZnO r t đấ ược quan tâm, trong đó v t li uậ ệ  ZTO có nhi u  u th  về ư ế ượt tr i vì có nhi u tính ch t v t lý thích h p, là ch t xúcộ ề ấ ậ ợ ấ  tác quang làm m t màu thu c nhu m, ch  t o các đi n c c trong su t cho pinấ ố ộ ế ạ ệ ự ố  

m t tr i, đi n c c c a pin Li­ion, làm c m bi n nh y khí, chíp nh  đi n trặ ờ ệ ự ủ ả ế ạ ớ ệ ở (memristor hay resistive random access memory RRAM ­ b  nh  truy xu t ng uộ ớ ấ ẫ  nhiên d a trên đi n tr ). Do có tính trong su t, memristor ZTO có th  có nhi uự ệ ở ố ể ề  

ng d ng r ng rãi khác nh  ch  t o các t m panel cho màn hình, các t m phim

transistor siêu m ng, màn hình xuyên th u. ỏ ấ

V t li u k m stannate (Znậ ệ ẽ 2SnO4) thường g i là ZTO thu c nhóm v t li uọ ộ ậ ệ  

AIIBIVO4 [3]. Đây là v t li u bán d n vùng c m r ng, đ  r ng vùng c m ph  bi nậ ệ ẫ ấ ộ ộ ộ ấ ổ ế  

c a chúng là 3,6 – 3,7 eV nh ng cũng có khi lên t i 4,1 – 4,2 eV [9,14]. ZTO có đủ ư ớ ộ linh đ ng đi n t  cao và nhi u đ c tính quang h c h p d n. Đi u đó khi n chúngộ ệ ử ề ặ ọ ấ ẫ ề ế  

có ph m vi  ng d ng r ng rãi trong nhi u lĩnh v c nh  trong pin m t tr i [7,14],ạ ứ ụ ộ ề ự ư ặ ờ  làm sensor phát hi n đ   m và các lo i khí ga d  cháy [8], làm đi n c c âm choệ ộ ẩ ạ ễ ệ ự  pin Li – ion và làm ch t quang xúc tác phá h y các ch t h u c  ô nhi m, các ch tấ ủ ấ ữ ơ ễ ấ  

m u công nghi p [9,15]. So v i các lo i oxit hai thành ph n, các lo i oxit baầ ệ ớ ạ ầ ạ  thành ph n nh  ZTO có tr ng thái b n v ng h n nên chúng đầ ư ạ ề ữ ơ ược xem là r t lýấ  

tưởng cho vi c  ng d ng trong các đi u ki n kh c nghi t nh  làm ch t ch ngệ ứ ụ ề ệ ắ ệ ư ấ ố  cháy và ch t  c ch  khói.ấ ứ ế

Hi n nay trên th  gi i có nhi u nhóm nghiên c u v  v t li u ZTO, tuyệ ế ớ ề ứ ề ậ ệ  nhiên các nghiên c u thứ ường ch  t p trung vào s n ph m t o ra và nghiên c uỉ ậ ả ẩ ạ ứ  

kh  năng  ng d ng v t li u nh m nâng cao hi u su t ch t lả ứ ụ ậ ệ ằ ệ ấ ấ ượng c a pin m tủ ặ  

tr i, mà ch a có nhi u nghiên c u v  quá trình hình thành và phát tri n v t li u,ờ ư ề ứ ề ể ậ ệ  

v  t i  u hóa quy trình công ngh , ngu n g c các tính ch t đ c tr ng c a v tề ố ư ệ ồ ố ấ ặ ư ủ ậ  

li u, các nghiên c u v  đ ng h c th y nhi t v n còn khá s  khai.ệ ứ ề ộ ọ ủ ệ ẫ ơ

Đ  có th  đ a ZTO vào  ng d ng r ng rãi trong k  thu t và cu c s ng thìể ể ư ứ ụ ộ ỹ ậ ộ ố  trong công ngh  ch  t o c n s  d ng các ti n ch t d  tìm và chi phí trong quáệ ế ạ ầ ử ụ ề ấ ễ  trình ch  t o ph i h p lý. Do đó vi c nghiên c u và ch  t o th  nghi m ZTO v iế ạ ả ợ ệ ứ ế ạ ử ệ ớ  

nh ng v t li u và hóa ch t phù h p v i đi u ki n c  s  v t ch t   Vi t Nam làữ ậ ệ ấ ợ ớ ề ệ ơ ở ậ ấ ở ệ  

c n thi t. ầ ế

Trên c  s  đó, chúng tôi đã l a ch n và th c hi n n i dung lu n văn c aơ ở ự ọ ự ệ ộ ậ ủ  mình v i tên g i “ớ ọ Ch  t o và nghiên c u tính ch t c a v t li u nano  ế ạ ứ ấ ủ ậ ệ Zn 2 SnO 4”. Trong lu n văn này, chúng tôi s  d ng phậ ử ụ ương pháp th y nhi t đ  t ng h p cácủ ệ ể ổ ợ  tinh th  nano k m stannate (ZTO). Nghiên c u c a chúng tôi t p trung vào vi cể ẽ ứ ủ ậ ệ  

kh o sát  nh hả ả ưởng c a các y u t  công ngh  nh  t  l  mol các hóa ch t banủ ế ố ệ ư ỷ ệ ấ  

đ u, nhi t đ  ph n  ng và th i gian ph n  ng lên quá trình hình thành và chuy nầ ệ ộ ả ứ ờ ả ứ ể  

đ i pha, cũng nh  các tính ch t quang đ c tr ng c a Znổ ư ấ ặ ư ủ 2SnO4. Thu c tính c uộ ấ  trúc và quang h c c a các m u ch  t o ra đã đọ ủ ẫ ế ạ ược nghiên c u b i m t s  phépứ ở ộ ố  

đo nh  nhi u x  tia X (XRD), ph  h p th  quang h c UV­Vis, quang ph  hu như ễ ạ ổ ấ ụ ọ ổ ỳ  quang và ph  tán x  Raman. ổ ạ

Ngoài ph n m  đ u, k t lu n và tài li u tham kh o, lu n văn đầ ở ầ ế ậ ệ ả ậ ược chia làm ba chương:

Chương 1: T NG QUAN V  V T LI U ZTOỔ Ề Ậ Ệ

Trong chương này, chúng tôi s  trình bày v  c u trúc, hình thái, m t sẽ ề ấ ộ ố tính ch t c a v t li u ZTO, cũng nh  các  ng d ng c a v t li u này trong đ iấ ủ ậ ệ ư ứ ụ ủ ậ ệ ờ  

s ng. ố

Chương 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP VÀ K  THU T TH C NGHI MỸ Ậ Ự Ệ

Trình   bày   m t   s   phộ ố ương   pháp   th c   nghi m   ch   t o   tinh   th   ZTO,ự ệ ế ạ ể  

phương pháp mà chúng tôi đã s  d ng và các phử ụ ương pháp k  thu t đỹ ậ ược sử 

d ng đ  phân tích, kh o sát tính ch t, hình thái h c c a tinh th  ZTO đi u chụ ể ả ấ ọ ủ ể ề ế 

được. 

Chương 3: K T QU  VÀ TH O LU NẾ Ả Ả Ậ

Phân tích, kh o sát các k t qu  thu đả ế ả ượ ừc t  các phép đo ph  nhi u x  tiaổ ễ ạ  

X (XRD),  nh hi n vi đi n t  quét (SEM), ph  h p th  quang h c UV­Vis, phả ể ệ ử ổ ấ ụ ọ ổ tán x  Raman, ph  hu nh quang (PL). T  đó rút ra các v n đ  c n chú ý, quyạ ổ ỳ ừ ấ ề ầ  trình ch  t o t t nh t đ  đ nh hế ạ ố ấ ể ị ướng cho các nghiên c u ti p theo. ứ ế

CHƯƠNG 1 ­ T NG QUAN V  V T LI U ZTOỔ Ề Ậ Ệ

ZTO thu c nhóm v t li u Aộ ậ ệ IIBIVO4 [2] có nhi u tính ch t n i b t nh : Đề ấ ổ ậ ư ộ 

r ng vùng c m l n (c  3,6 eV), có đ  linh đ ng đi n t  cao, nhi u đ c tínhộ ấ ớ ỡ ộ ộ ệ ử ề ặ  quang h c h p d n. Dọ ấ ẫ ưới đây là nh ng tìm hi u c a chúng tôi v  c u trúc v tữ ể ủ ề ấ ậ  

ta th y ZTO có các đ nh nhi u x  (111), (220), (311), (222), (400), (442) , (511),ấ ỉ ễ ạ  (440) và (531) l n lầ ượ ạ ịt t i v  trí các góc nhi u x    là 17,8ễ ạ o; 29,2o; 34,4o; 35,9o; 41,7o; 51,6o; 55,1o; 60,4o và 63,4o [4,19,21]

Hình 1  C u trúc l p ph ng c a tinh th  ZTO [12] ấ ậ ươ ủ ể

Trong m t ô c  s  có 16 nguyên t  Oxy, 8 nguyên t  Zn và 4 nguyên t  Snộ ơ ở ử ử ử  [12,19]

Ph  tán x  Raman:ổ ạ

Hình 1.3 là ph  Raman c a dây nano ZTO   nhi t đ  phòng. S  d ch đ nhổ ủ ở ệ ộ ự ị ỉ  Raman t i 669 cmạ ­1 và 528 cm­1  ng v i các đ nh ZTO đi n hình. Đ nh Raman t iứ ớ ỉ ể ỉ ạ  

528 cm­1 được m  r ng và chia thành 2 đ nh 522 cmở ộ ỉ ­1 và 532 cm­1, đi u này đề ượ  c

gi i thích là do  nh hả ả ưởng c a kích thủ ước v t li u nano ho c là do nguyên tậ ệ ặ ử oxy hay khuy t t t khác gây nên [12,13,18].ế ậ

Qua nhi u bài báo khoa h c đã đề ọ ược công b  cho th y hình thái c a v tố ấ ủ ậ  

li u ZTO r t đa d ng, chúng có th  là các h t nano, các dây nano hay các thanhệ ấ ạ ể ạ  nano, tùy thu c vào phộ ương pháp ch  t o. Các h t nano tinh th  ZTO ch  y uế ạ ạ ể ủ ế  

được ch  t o b ng phế ạ ằ ương pháp th y nhi t, các dây nano ZTO đủ ệ ược ch  t oế ạ  

b ng phằ ương pháp b c bay nhi t, nhi t plasma.ố ệ ệ

[19]

Hình 1.4 là  nh TEM c a các tinh th  nano ZTO  ả ủ ể được ch  t o b ngế ạ ằ  

phương pháp th y nhi tủ ệ , ta th y kích thấ ước h t thay đ i t  vài trăm nm (hìnhạ ổ ừ  1.4a [19]) đ n vài ch c nm ho c nh  h n nh  hình 1.4b [15]. ế ụ ặ ỏ ơ ư

Hình 1.5 là  nh SEM c a các dây nano ZTO đả ủ ượ ổc t ng h pợ  b ng ằ phươ  ngpháp l ng đ ng h i hóa h c đ n gi n, b ng cách nung nóng h n h p b t kimắ ọ ơ ọ ơ ả ằ ỗ ợ ộ  

lo i Zn và Sn   nhi t đ  800 ạ ở ệ ộ oC – 900 oC. Hình 1.5a là  nh SEM c a m u đả ủ ẫ ượ  c

t o ra trên n n Si, các dây nano phân b  r ng trên toàn b  b  m t Si, các s i dâyạ ề ố ộ ộ ề ặ ợ  nano có chi u dài lên đ n vài ch c μm. Hình 1.5b cho th y các dây nano có bề ế ụ ấ ề 

m t tr n nh n và có đặ ơ ẵ ường kính đi n hình ể vào kho ng 100 nm ­ 150 nm.ả

Hình 1.6 là  nh TEM c a các thanh nano và các tinh th  nano ZTO đả ủ ể ượ  c

ch  t o b ng phế ạ ằ ương pháp th y nhi t, v i vi c s  d ng Nủ ệ ớ ệ ử ụ 2H4.H2O làm ch tấ  

ki m thay vì s  d ng NaOH hay NHề ử ụ 3.H2O. Thanh nano ZTO được ch  t o v i tế ạ ớ ỷ 

l  là ZnClệ 2:SnCl4:N2H4.H2O = 2:1:8, th y nhi t   nhi t đ  250 ủ ệ ở ệ ộ oC trong th i gianờ  

24 h. Hình 1.6a là  nh TEM có đ  phân gi i th p c a m u ZTO, ta th y các thanhả ộ ả ấ ủ ẫ ấ  nano đ ng nh t. Hình 1.6b, 1.6c là  nh TEM phân gi i cao c a m t vài thanhồ ấ ả ả ủ ộ  nano, ta th y các thanh nano có đấ ường kính t  2 nm đ n 4 nm và dài kho ng 20ừ ế ả  

nm. Hình 1.6d là  nh TEM c a tinh th  nano ZTO.ả ủ ể

1.2. Tính ch t quangấ

Tính ch t quang c a v t li u nano ZTO ch a đấ ủ ậ ệ ư ược nghiên c u sâu, m t sứ ộ ố công b  cho th y v t li u nano ZTO có đ  r ng vùng c m (Eố ấ ậ ệ ộ ộ ấ g) ph  bi n là 3,7ổ ế  

eV tuy nhiên cũng có khi là 3,2 eV ho c 3,86 eV hay 4,1 eV, tùy theo khích thặ ướ  c

c a h t nano ZTO [9,14,15]. ZTOủ ạ  phát hu nh quang trong vùng bỳ ước sóng 550 nm 

đ n 630 nm.ế

Đ  xác đ nh đ  r ng vùng c m c a bán d n vùng c m th ng, ngể ị ộ ộ ấ ủ ẫ ấ ẳ ười ta 

thường dùng phương pháp đo ph  h p th  c a các m u v t li u.ổ ấ ụ ủ ẫ ậ ệ

Ph  h p th :ổ ấ ụ

Hình 1.7a là đ  th  s  ph  thu c c a  vào  c a ZTO, ta th y r ng ZTO cóồ ị ự ụ ộ ủ ủ ấ ằ  

đ  r ng vùng c m là 3,7 eV [4,19,22]. Hình 1.7b là đ  th  s  ph  thu c c a  vàoộ ộ ấ ồ ị ự ụ ộ ủ  

c a các m u ZTO n ng đ  NaOH khác nhau, ta th y đ  r ng vùng c m c a ZTOủ ẫ ồ ộ ấ ộ ộ ấ ủ  

có th  l n h n 3,7 eV.ể ớ ơ

550 nm. Đi u này đề ược gi i thích là do các nút khuy t oxy trong ZnO và SnOả ế 2 

gây ra. Các tâm phát x  ánh sáng c a ZTO đạ ủ ược hình thành trong quá trình th yủ  nhi t. Trong m t s  trệ ộ ố ường h p ph  hu nh quang c a ZTO tách thành 2 đ nh v iợ ổ ỳ ủ ỉ ớ  

bước sóng l n lầ ượt là 606,8 nm và đ nh 630,1 nm nh  trong hình 1.8b. Đi u nàyỉ ư ề  

được gi i thích là do nút khuy t oxy gây nên [17].ả ế

Trong m t s  báo cáo, khi đo hu nh quang c a ZTO t i nhi t đ  phòng, taộ ố ỳ ủ ạ ệ ộ  

th y xu t hi n m t đ nh phát x  UV t i 390 nm, m t đ nh phát x  màu xanh láấ ấ ệ ộ ỉ ạ ạ ộ ỉ ạ  cây t i 577,5 nm, các đ nh màu cam ­ đ  t i 651,4 và 671,1 nm nh  trong hình 1.9.ạ ỉ ỏ ạ ư  Các tâm phát x  ánh sáng vùng kh  ki n đạ ả ế ược cho là do khuy t t t c a tinh th ,ế ậ ủ ể  các nút khuy t oxy và s  đi n k  Zn trong quá trình t ng h p ZTO [9].ế ự ề ẽ ổ ợ

Hình 1  Ph   ổ huỳnh quang PL của ZTO tại nhi t đ  phòng [9 ệ ộ ].

1.3. Tính ch t quang xúc tácấ

Tính ch t quang hóa c a ZTO đấ ủ ược đánh giá qua s  m t màu c a lo iự ấ ủ ạ  

ch t màu hòa tan trong nấ ước. C  ch  h p th  chung c a bán d n vùng c m r ngơ ế ấ ụ ủ ẫ ấ ộ  (bao g m c  ZTO) đồ ả ược tóm t t theo các phắ ương trình sau:

Hình 1  Ph   ổ hấp th   ụ của ch t màu MO pha thêm ZTO  ấ

Hình 1.10 là ph  h p th  c a ch t màu MO (methyl orange) pha thêm b tổ ấ ụ ủ ấ ộ  ZTO v i các kho ng th i gian khác nhau. Cho b t ZTO vào ch t màu (MO), đớ ả ờ ộ ấ ể trong m t kho ng th i gian. Khi đo ph  h p th  c a MO ta th y c  20 phút đ nhộ ả ờ ổ ấ ụ ủ ấ ứ ỉ  

h p th  c a MO gi m d n. Sau m t kho ng th i gian kho ng 100 phút thì đ nhấ ụ ủ ả ầ ộ ả ờ ả ỉ  

h p th  c a ch t màu MO g n nh  bi n m t. Đi u đó nghĩa là ch t màu MO đãấ ụ ủ ấ ầ ư ế ấ ề ấ  

b  ZTO phá h y c u trúc.ị ủ ấ

1.4.  ng d ngỨ ụ

Ngày nay công ngh  nano phát tri n, ngệ ể ười ta quay tr  l i nghiên c u cácở ạ ứ  

lo i oxit 3 thành ph n, trong đó có ZTO. Do có c u trúc b n v ng, có đ  linhạ ầ ấ ề ữ ộ  

đ ng đi n t  cao và nhi u đ c tính quang h c h p d n nên ZTO độ ệ ử ề ặ ọ ấ ẫ ượ ức  ng d ngụ  

r ng rãi trong nhi u lĩnh v c cu c s ng. Ví d  nh :ộ ề ự ộ ố ụ ư

­ Làm sensor phát hi n đ   m, khí gas [8,19]:ệ ộ ẩ

Hình 1.11a là đ  nh y c a c m bi n khí ZTO v i các khí khác nhau. Hìnhộ ạ ủ ả ế ớ  1.11b là đường cong chu trình c a sensor đủ ược ch  t o t  v t li u nano (a1) vàế ạ ừ ậ ệ  

v t li u kh i (a2) ZTO, khi khí xung quanh đậ ệ ố ược chuy n đ i gi a không khí vàể ổ ữ  

200 ppm ethanol. Các sensor có th  phát hi n khí ethanol xu ng t i 200 ppm v iể ệ ố ớ ớ  nhi t đ  lên t i 250  ệ ộ ớ oC. Đi n tr  thay đ i g p 9 l n khi ti p xúc v i khí, v iệ ở ổ ấ ầ ế ớ ớ  kho ng th i gian ph c h i là hàng ch c giây. Ngay c  sau 100 l n l p l i cũngả ờ ụ ồ ụ ả ầ ặ ạ  không có s  thay đ i l n trong tín hi u quan sát đự ổ ớ ệ ược, đi u đó cho th y đ  nh yề ấ ộ ạ  

t t, ph n  ng nhanh và đ  b n cao c a sensor.ố ả ứ ộ ề ủ

­ Ch  t o pin m t tr i DSSCs:ế ạ ặ ờ

Hi n nay pin m t tr i h u c  đang thu hút s  quan tâm c a gi i khoa h c,ệ ặ ờ ữ ơ ự ủ ớ ọ  trong quá trình s  d ng nó không sinh ra khí nhà kính hay gây ra các hi u  ng tiêuử ụ ệ ứ  

c c t i khí h u toàn c u. ự ớ ậ ầ

u đi m c a pin m t tr i DSSCs làm t  v t li u có c u trúc nano:

Th  nh t: Pin có hi u su t khá cao và đứ ấ ệ ấ ược ch  t o t  nh ng v t li u rế ạ ừ ữ ậ ệ ẻ 

ti n, v i giá thành s n xu t th p và tiêu t n ít năng lề ớ ả ấ ấ ố ượng

Th  hai: Vứ ượ ượt đ c hi u su t chuy n đ i năng lệ ấ ể ổ ượng gi i h n, tính theoớ ạ  

lý thuy t đ i v i pin chuy n ti p p ­ n truy n th ng (31%).ế ố ớ ể ế ề ố

Hình 1.12 là c u t o c a pin m t tr i v i đi n c c ZTO. Anot g m đấ ạ ủ ặ ờ ớ ệ ự ồ ế 

th y tinh d n đi n (ITO), trên đó là m t l p màng ZTO đ c ch c, k  ti p là l pủ ẫ ệ ộ ớ ặ ắ ế ế ớ  ZTO x p. Trên b  m t c a màng ZTO x p đố ề ặ ủ ố ược th m m t l p ch t màu. Bấ ộ ớ ấ ề 

m t x p c a ZTO cho phép h p ph  đ  m t lặ ố ủ ấ ụ ủ ộ ượng l n phân t  ch t màu choớ ử ấ  

hi u su t thu ánh sáng. Các phân t  ch t màu thệ ấ ử ấ ường là ph c ruthenium. Catotứ  

g m m t đ  ITO đồ ộ ế ược ph  m t l p platin. Gi a anot và catot là m t l p ch tủ ộ ớ ữ ộ ớ ấ  

đi n ly l ng có th  th m vào màng x p ZTO. C p kh  iodide/triiodide  đệ ỏ ể ấ ố ặ ử ượ ử c s

d ng ph  bi n nh t. Trong cùng đi u ki n làm vi c thì pin m t tr i ZTO choụ ổ ế ấ ề ệ ệ ặ ờ  

đi n th  h  m ch cao h n so v i TiOệ ế ở ạ ơ ớ 2 tuy nhiên xét t ng th  thì hi u su t v nổ ể ệ ấ ẫ  không b ng do kh  năng chuy n đ i photon là th p h n ằ ả ể ổ ấ ơ [5,7,16,22]

1.5. M t s  phộ ố ương pháp th c nghi m ch  t o ZTOự ệ ế ạ

Phương pháp b c bay nhi t trong chân không:ố ệ

B c bay nhi t trong chân khôngố ệ  là k  thu tỹ ậ t oạ  màng m ngỏ  b ng cáchằ  bay 

h iơ các v t li uậ ệ  c n t o trong môi trầ ạ ườ  chân không cao và ng ng tng ư ụ trên đ ế  

B  ph n chính c a các thi t b  bay b c nhi t là m t bu ngộ ậ ủ ế ị ố ệ ộ ồ  chân không được hút chân   không   cao   (c   10ỡ ­5  ­   10­6  Torr)   nh   cácờ  b m   chân   khôngơ  (b m   khu chơ ế  tán ho cặ  b m phân tơ ử ). Người ta dùng m t thuy nộ ề  đi n trệ ở (thường làm b ngằ  các   v t   li u   ch u   nhi t   và   ít   tậ ệ ị ệ ương   tác   v i   v t   li u,   ví   dớ ậ ệ ụ như vônphram, tantan, b ch kimạ ) đ t nóng ch y các v t li u ngu n và sau đóố ả ậ ệ ồ  

ti p t c đ t sao cho v t li u bay h i và ng ng t  trên đ  ế ụ ố ậ ệ ơ ư ụ ế

Phương pháp nhi t plasma: ệ

Chùm lade xung có bước sóng ng n, m t đ  công su t l n đắ ậ ộ ấ ớ ược chi u r iế ọ  lên bia. Bia h p thuấ  năng lượng lade, cung c p đ ng năng l n cho h t v t li uấ ộ ớ ạ ậ ệ  phá v  liên k t m ng thoát kh i bia, phía trên bia hình thành m t vùng không gianỡ ế ạ ỏ ộ  

ch a ứ plasma phát sáng. Các h t v t li uạ ậ ệ  bia ng ng tư ụ t o màng trên đ ạ ế

S  t o thành các ch t m i này ph  thu c r t nhi u vào t  l  các ch t ph n  ng,ự ạ ấ ớ ụ ộ ấ ề ỷ ệ ấ ả ứ  

lượng nước dùng, ch t khoáng hóa, nhi t đ  (áp su t). Các ch t khoáng hóaấ ệ ộ ấ ấ  

nh m làm các ch t ph n  ng d  dàng hòa tan h n do ph n  ng t o ph c.ằ ấ ả ứ ễ ơ ả ứ ạ ứ  Vì v y,ậ  

phương pháp th y nhi t dùng đ  t ng h p các ch t m i kém b n nhi t và do đóủ ệ ể ổ ợ ấ ớ ề ệ  không th  dùng phể ương pháp này cho ph n  ng pha r n   nhi t đ  cao và nuôiả ứ ắ ở ệ ộ  

l n các tinh th ớ ể

Phương pháp sol­gel:

Phương pháp này là m t k  thu t t ng h p hóaộ ỹ ậ ổ ợ  keo đ  t o ra các v t li uể ạ ậ ệ  

có hình d ng mong mu n   nhi t đ  th p.ạ ố ở ệ ộ ấ  Nó được hình thành trên cơ sở ph nả  

ng th y

ứ ủ  phân và ph n  ng ng ng t  t  các ch t g c (alkoxide precursors). Côngả ứ ư ụ ừ ấ ố  

ngh  sol­gel   là  công  ngh   cho  phép  ta   tr n  l n   các  ch t     quy  mô   nguyênệ ệ ộ ẫ ấ ở  

tử và hạt keo  đ  t ngể ổ  h pợ  các v tậ  li uệ  có đ  s ch và tính đ ng nh t cao. Quáộ ạ ồ ấ  trình x yả  ra trong dung d ch l ng và các ti n ch t nh  ị ỏ ề ấ ư các mu i kim lo i thôngố ạ  qua các ph n  ng th y phân và ng ng t , s  d n đ n vi c hình thành m t phaả ứ ủ ư ụ ẽ ẫ ế ệ ộ  

m i ­ đó là Sol ­ Gel là h  phân tán d  th , các h t pha r n t o thành khung 3ớ ệ ị ể ạ ắ ạ  chi u, pha l ng n m ề ỏ ằ ở kho ng tr ng c a khung 3 chi u nói trên. B ng phả ố ủ ề ằ ươ  ngpháp sol ­ gel, không nh ngữ  t ngổ  h p đợ ược các oxit siêu m n (nhị ỏ h n 10 µm), cóơ  tính đ ng nh t cao, b  m t riêng l n, đ  tinh khi t hóa h c cao mà còn có thồ ấ ề ặ ớ ộ ế ọ ể 

t ng h p đổ ợ ược các tinh th  cể ỡ vài nanomet, các s n ph m d ng màng m ng, s i.ả ẩ ạ ỏ ợ

C  b n phả ố ương pháp trên đ u có nh ng  u đi m và nhề ữ ư ể ược đi m riêng.ể  

Đ  ch  t o ZTO dể ế ạ ưới d ng h t ho c dây nano thì ngạ ạ ặ ười ta s  d ng phử ụ ươ  ngpháp th y nhi t và sol­ gel. Hai phủ ệ ương pháp này d  th c hi n   nhi t đ  th p.ễ ự ệ ở ệ ộ ấ  Trong khi đó phương pháp nhi t plasma và b c bay nhi t trong chân không thìệ ố ệ  

c n nhi t đ  cao và cho ZTO dầ ệ ộ ướ ại d ng thanh

D a vào nh ng  u nhự ữ ư ược đi m trên và đi u ki n, c  s  v t ch t thíể ề ệ ơ ở ậ ấ  nghi m, phệ ương pháp đượ ử ục s  d ng đ  nghiên c u trong lu n văn này là phể ứ ậ ươ  ngpháp th y nhi t, đi u ki n nhi t đ  trong các ph n  ng là t  140 ủ ệ ề ệ ệ ộ ả ứ ừ oC đ n 200 ế oC, 

lu n văn t p trung nghiên c u  nh hậ ậ ứ ả ưởng c a các đi u ki n ph n  ng lên sủ ề ệ ả ứ ự hình thành pha tinh th , c u trúc, hình thái và kh o sát m t s  tính ch t quang c aể ấ ả ộ ố ấ ủ  ZTO

1.6. Các c  ch  h p th  và phát quangơ ế ấ ụ

Trong th c t  đ  s  d ng v t li u hi u qu , thích h p, các tính ch t c ,ự ế ể ử ụ ậ ệ ệ ả ợ ấ ơ  nhi t, đi n, quang, … c a t ng lo i v t li u c n ph i nghiên c u k  lệ ệ ủ ừ ạ ậ ệ ầ ả ứ ỹ ưỡng b ngằ  các công c  và k  thu t thích h p.ụ ỹ ậ ợ

Nghiên c u v  tính ch t quang cho ta k t qu  c a quá trình chuy n hoáứ ề ấ ế ả ủ ể  năng lượng x y ra trong v t li u khi v t li u đả ậ ệ ậ ệ ược kích thích b i ánh sáng hayở  

chính là quá trình tương tác gi a photon và v t li u bao g m c  tữ ậ ệ ồ ả ương tác photon 

­ đi n t  và photon ­ phonon. Qua đó thu nh n đệ ử ậ ược nh ng thông tin quan tr ngữ ọ  

v  b n ch t c a các quá trình chuy n d i ­ tái h p phát quang, các y u t   nhề ả ấ ủ ể ờ ợ ế ố ả  

hưởng đ n hu nh quang c a v t li u nh  hi u  ng b  m t, hi u  ng giam giế ỳ ủ ậ ệ ư ệ ứ ề ặ ệ ứ ữ 

lượng t , đi u ki n công ngh  ch  t o, nhi t đ , môi trử ề ệ ệ ế ạ ệ ộ ường,…. Nh ng hi uữ ể  

bi t nêu trên làm c  s  cho vi c  ng d ng v t li u trong ch  t o các linh ki nế ơ ở ệ ứ ụ ậ ệ ế ạ ệ  quang đi n t , đánh d u hu nh quang y ­ sinh.ệ ử ấ ỳ

V t li u bán d n kích thậ ệ ẫ ước nano mét có nh ng tính ch t quang đ c bi tữ ấ ặ ệ  

và h n h n so v i bán d n kh i. Nh ng tính ch t này là k t qu  c a s  giam giơ ẳ ớ ẫ ố ữ ấ ế ả ủ ự ữ 

lượng t  các h t t i đi n (hay giam gi  c a hàm sóng đi n t  và l  tr ng) vàử ạ ả ệ ữ ủ ệ ử ỗ ố  

nh h ng c a các tr ng thái b  m t. D i đây, ngoài nh ng tính ch t h p th ,

phát quang tương t  nh  c a v t li u kh i, m t s  tính ch t quang liên quan t iự ư ủ ậ ệ ố ộ ố ấ ớ  

h  h t t i đi n trong v t li u bán d n kích thệ ạ ả ệ ậ ệ ẫ ước nano mét được đ  c p, làm rõề ậ  

s  khác bi t so v i trong v t li u kh i.ự ệ ớ ậ ệ ố

1.6.1. C  ch  h p th  quangơ ế ấ ụ

Khi có ngu n năng lồ ượng t  bên ngoài t i kích thích vào v t li u thì sừ ớ ậ ệ ẽ 

x y ra quá trình tả ương tác gi a v t li u và ngu n năng lữ ậ ệ ồ ượng bên ngoài. V t li uậ ệ  

có th  s  h p th  m t ph n hay hoàn toàn năng lể ẽ ấ ụ ộ ầ ượng t i và chuy n đ i tr ngớ ể ổ ạ  thái. K t qu  c a quá trình h p th  này thế ả ủ ấ ụ ường là s  phát hu nh quang c a cácự ỳ ủ  

đi n t  nóng hay các tâm, s  tăng các tr ng thái dao đ ng m ng. Năng lệ ử ự ạ ộ ạ ượng kích thích vào m u có th  dẫ ể ướ ại d ng năng lượng c , quang, nhi t hay năng lơ ệ ượ  ng

đi n t  Thông thệ ừ ường, v t li u h p th  năng lậ ệ ấ ụ ượng t  nh ng ngu n b ng m iừ ữ ồ ằ ỗ  cách khác nhau. Tu  theo cách kích thích mà s  tác đ ng t i h  đi n t  hay hỳ ẽ ộ ớ ệ ệ ử ệ dao đ ng m ng nhi u h n. Khi dùng ánh sáng kích thích, ch  y u h  đi n tộ ạ ề ơ ủ ế ệ ệ ử trong v t li u s  ph n  ng trậ ệ ẽ ả ứ ước tiên. Sau đó có th  là các quá trình bi n đ iể ế ổ  thành quang hay nhi t, hay t  l  gi a hai ph n này tu  thu c vào b n ch t c aệ ỷ ệ ữ ầ ỳ ộ ả ấ ủ  

v t li u. ậ ệ

Quá trình h p th  ánh sáng luôn g n li n v i s  bi n đ i năng lấ ụ ắ ề ớ ự ế ổ ượ  ngphoton thành các d ng năng lạ ượng khác trong tinh th , nên m t cách t  nhiên cóể ộ ự  

th  phân lo i các c  ch  h p th  nh  sau [1,2]: ể ạ ơ ế ấ ụ ư

H p th  riêng hay h p th  c  b n, liên quan đ n các chuy n d i đi n tấ ụ ấ ụ ơ ả ế ể ờ ệ ử 

gi a các vùng năng lữ ượng được phép. 

H p th  exciton, liên quan đ n s  t o thành và phân hu  các tr ng tháiấ ụ ế ự ạ ỷ ạ  exciton

H p th  b i các h t t i đi n t  do, liên quan đ n các chuy n d i đi n tấ ụ ở ạ ả ệ ự ế ể ờ ệ ử (ho c l  tr ng) bên trong các vùng năng lặ ỗ ố ượng được phép tương  ng hay gi aứ ữ  các ti u vùng trong các vùng để ược phép. 

H p th  t p ch t, liên quan đ n các chuy n d i đi n t  (ho c l  tr ng)ấ ụ ạ ấ ế ể ờ ệ ử ặ ỗ ố  

gi a các m c bên trong tâm t p ch t ho c gi a các vùng năng lữ ứ ạ ấ ặ ữ ượng được phép 

và các m c t p ch t bên trong vùng c m.ứ ạ ấ ấ

H p th  gi a các t p ch t, liên quan đ n các chuy n d i đi n t  (ho c lấ ụ ữ ạ ấ ế ể ờ ệ ử ặ ỗ 

tr ng) gi a các m c t p ch t bên trong vùng c m. ố ữ ứ ạ ấ ấ

4a, 4b­ H p th  t p ch t ­ vùng g n; 4c, 4d­ H p th  t p ch t ­ vùng xa; 5­ H p ấ ụ ạ ấ ầ ấ ụ ạ ấ ấ  

Khi x y ra tả ương tác gi a electron trong v t r n v i b c x  đi n t  c nữ ậ ắ ớ ứ ạ ệ ừ ầ  

ph i th a mãn hai đ nh lu t: Đ nh lu t b o toàn năng lả ỏ ị ậ ị ậ ả ượng và đ nh lu t b o toànị ậ ả  xung lượng

Trong không gian véct  sóng k, năng lơ ượng c a đi n t  và l  tr ng đủ ệ ử ỗ ố ượ  c

bi u di n là hàm s  E(k), có d ng parabol   g n g c t a đ  Do c u trúc và phânể ễ ố ạ ở ầ ố ọ ộ ấ  

b  nguyên t  khác nhau trong các tinh th , các tr ng thái năng lố ử ể ạ ượng c a h  đi nủ ệ ệ  

t  vùng d n và các l  tr ng vùng hoá tr  phân b  có các c c tr  khác nhau trongử ẫ ỗ ố ị ố ự ị  không gian E(k). N u nh  c c ti u năng lế ư ự ể ượng vùng d n n m   k=0 và c c đ iẫ ằ ở ự ạ  năng lượng vùng hoá tr  cũng x y ra   k=0 thì các chuy n d i đi n t  là "th ng"ị ả ở ể ờ ệ ử ẳ  hay "tr c ti p" [1,2]. Có th  minh h a c u trúc vùng c m th ng c a bán d n nhự ế ể ọ ấ ấ ẳ ủ ẫ ư hình 1.14

Hình 1  Bán d n vùng c m xiên [1] ẫ ấ

1.6.2. C  ch  phát quangơ ế

M t ph n năng lộ ầ ượng mà v t li u h p th  s  đậ ệ ấ ụ ẽ ược chuy n đ i thànhể ổ  quang năng, tái phát x  t  v t li u. Hu nh quang là m t trong nh ng d ng phátạ ừ ậ ệ ỳ ộ ữ ạ  quang th  c p sau khi v t ch t b  kích thích. Hi n tứ ấ ậ ấ ị ệ ượng phát quang có b n ch tả ấ  

ngược v i quá trình h p th , là quá trình h i ph c đi n t  t  tr ng thái năngớ ấ ụ ồ ụ ệ ử ừ ạ  

lượng cao v  tr ng thái năng lề ạ ượng th p, gi i phóng photon.ấ ả

N u ch  v  gi n đ  năng lế ỉ ẽ ả ồ ượng, b  qua giá tr  tỏ ị ương  ng c a véct  sóng,ứ ủ ơ  

có th  minh h a quá trình h p th  và các kh  năng phát quang trong tinh th  nhể ọ ấ ụ ả ể ư hình 1.16

S  kích thích m u đự ẫ ược th c hi n qua h p th  vùng ­ vùng. Sau quá trìnhự ệ ấ ụ  (1) này đã t o ra nh ng đi n t  t  do   vùng d n và l  tr ng t  do   vùng hóa tr ạ ữ ệ ử ự ở ẫ ỗ ố ự ở ị  Các quá trình tái h p có b c x  c a c p đi n t  ­ l  tr ng x y ra ti p theo là: ợ ứ ạ ủ ặ ệ ử ỗ ố ả ế

Tái h p vùng ­ vùng: Tái h p vùng ­ vùng (2), đi n t  t  do   vùng d n vàợ ợ ệ ử ự ở ẫ  

l  tr ng t  do   vùng hóa tr  Quá trình này có th  ghi nh n đỗ ố ự ở ị ể ậ ượ ởc   nhi t đ  m uệ ộ ẫ  khá cao, khi không t n t i tr ng thái exciton trong tinh th ồ ạ ạ ể

Tái h p b c x  exciton: S  phân rã exciton (3) ch  quan sát đợ ứ ạ ự ỉ ượ ởc   nh ngữ  

v t li u hoàn h o (s ch, c u trúc tinh th  t t) và   nhi t đ  th p, sao cho năngậ ệ ả ạ ấ ể ố ở ệ ộ ấ  

lượng nhi t kT không vệ ượt quá năng lượng liên k t c a exciton.ế ủ

Tái h p c p đono – axepto: Khi trong ch t bán d n có c  t p ch t đôno vàợ ặ ấ ẫ ả ạ ấ  acépto v i n ng đ  đ  cao, thì tớ ồ ộ ủ ương tác Coulomb gi a đôno và axepto s  làmữ ẽ  thay  đ i năng lổ ượng liên k t c a chúng (so v i khi t p ch t  đ ng cô l p).ế ủ ớ ạ ấ ứ ậ  Kho ng cách năng lả ượng gi a các tr ng thái đôno và axépto trong c p là:ữ ạ ặ

Trong đó r là kho ng cách gi a đôno và axépto trong c p, e là đi n tích c aả ữ ặ ệ ủ  electron,   là h ng s  đi n môi c a ch t bán d n. Khi electron trên đôno tái h pε ằ ố ệ ủ ấ ẫ ợ  

v i l  tr ng trên axépto, năng lớ ỗ ố ượng c a photon phát ra đủ ược tính b ng bi u th cằ ể ứ  (1.1)

Tái h p b c x  trong n i b  tâm: Quá trình chuy n d i (6) x y ra trongợ ứ ạ ộ ộ ể ờ ả  

n i b  tâm. Các tâm phát quang này mang tính đ nh x  đ a phộ ộ ị ứ ị ương r t cao, sấ ự 

tương tác c a các chuy n d i đi n t  v i trủ ể ờ ệ ử ớ ường tinh th  xung quanh thể ường r tấ  

y u. Năng lế ượng c a các chuy n d i đi n t  hoàn toàn do c u trúc c a tâm quyủ ể ờ ệ ử ấ ủ  

đ nh. Các ion lo i 4f (đ t hi m, phóng x ), 3d (kim lo i chuy n ti p), tâm F trongị ạ ấ ế ạ ạ ể ế  

Halogen ki m, hay các g c phát quang phân t  có d ng ph c (complex) có thề ố ử ạ ứ ể 

ho t đ ng trong tinh th  dạ ộ ể ướ ại d ng nh ng tâm gi  cô l p nh  v y.ữ ả ậ ư ậ

Tái h p b c x  tâm sâu: Các tái h p (7), (8) tợ ứ ạ ợ ương t  nh  (4), (5) nh ngự ư ư  

v i các m c năng lớ ứ ượng đôno và axépto n m sâu trong vùng c m. Trong cácằ ấ  

trường h p này,  nh hợ ả ưởng c a trủ ường tinh th  t i các tái h p cũng y u h n. ể ớ ợ ế ơ

CHƯƠNG 2 ­ CÁC PHƯƠNG PHÁP VÀ K  THU T TH C NGHI MỸ Ậ Ự Ệ

Đ  ch  t o m u ZTO có r t nhi u phể ế ạ ẫ ấ ề ương pháp nh  đã trình bày   trên.ư ở  Trong lu n văn này, chúng tôi s  d ng phậ ử ụ ương pháp th y nhi t. Trong chủ ệ ương 2 chúng tôi trình bày phương pháp th y nhi t đ  ch  t o m u ZTO và các phủ ệ ể ế ạ ẫ ươ  ngpháp phân tích nh ng đ c tr ng c a v t li u ZTO.ữ ặ ư ủ ậ ệ

2.1. Phương pháp th y nhi t ch  t o ZTủ ệ ế ạ O

Ti n   ch t   s   d ng   trong   thí   nghi m   bao   g m   ZnSOề ấ ử ụ ệ ồ 4.7H2O   (99,99%), SnCl4.5H2O (99,99%) và NaOH (99,99%), quá trình t ng h p ZTO đổ ợ ược ti n hànhế  

đo h p th  quang h c UV­2450PC và h  Raman LabRam HR800, Horiba, t iấ ụ ọ ệ ạ  Trung tâm Khoa h c V t li u – Trọ ậ ệ ường Đ i h c Khoa h c T  Nhiên.ạ ọ ọ ự

2.2. Các phương pháp phân tích

Các phương pháp được th c hi n đ  nghiên c u tính ch t c a v t li uự ệ ể ứ ấ ủ ậ ệ  

được ch  t o bao g m:ế ạ ồ

Phân tích c u trúc tinh th  các m u b ng ph  nhi u x  tia X (XRD).ấ ể ẫ ằ ổ ễ ạ

Xác đ nh hình thái b  m t c a các m u b ng  nh đị ề ặ ủ ẫ ằ ả ược ch p t  kính hi nụ ừ ể  

vi đi n t  quét (SEM), t  đó bi t đệ ử ừ ế ượ ực s  ph  thu c c a kích thụ ộ ủ ước vi h t vàoạ  công ngh  ch  t o.ệ ế ạ

Ph  tán x  Raman đ  xác đ nh các mode dao đ ng đ c tr ng trong m ngổ ạ ể ị ộ ặ ư ạ  tinh th ể

Phân tích ph  hu nh quang (PL) c a m u ZTO.ổ ỳ ủ ẫ

Ph  h p th  quang h c UV ­ Vis.ổ ấ ụ ọ