Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 50 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
50
Dung lượng
633,83 KB
Nội dung
PHAN THANH NAM BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI PHAN THANH NAM NGHIÊNCỨUẢNHHƯỞNGCỦAÁPSUẤTLÊNTÍNHCHẤTNHIỆTĐỘNGVÀĐÀNHỒI VẬT LÝ LÝ THUYẾT VÀ VẬT LÝ TỐN CỦABÁNDẪN CĨ CẤUTRÚCKIMCƯƠNGBẰNGPHƯƠNGPHÁPTHỐNGKÊ MÔMEN LUẬNVĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT K20 HÀ NỘI, 2018 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI PHAN THANH NAM NGHIÊNCỨUẢNHHƯỞNGCỦAÁPSUẤTLÊNTÍNHCHẤTNHIỆTĐỘNGVÀĐÀNHỒICỦABÁNDẪNCÓCẤUTRÚCKIMCƯƠNGBẰNGPHƯƠNGPHÁPTHỐNGKÊ MÔMEN Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết Vật lý Toán Mã số: 44 01 03 LUẬNVĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT Người hướngdẫn khoa học: TS Phạm Thị Minh Hạnh HÀ NỘI, 2018 LỜI CẢM ƠN Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc đến TS Phạm Thị Minh Hạnh-người tận tìnhhướng dẫn, giúp đỡ tạo điều kiện thuận lợi tốt cho tơi hồn thành luậnvăn Tơi xin chân thành cảm ơn Thầy, Cô giáo khoa Vật lý Thầy, Cơ giáo phòng sau đại học thuộc Trường Đại học Sư phạm Hà Nội giảng dạy, đóng góp ý kiến quý báu, tạo điều kiện thuận lợi cho suốt trình học tập nghiêncứu khoa học Tơi xin chân thành cảm ơn gia đình bạn bè bên tạo điều kiện thuận lợi giúp tơi hồn thành luậnvăn Tơi xin chân thành cảm ơn! Hà Nội, ngày tháng năm 2018 Tác giả: Phan Thanh Nam LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiêncứu riêng thân tơi hướngdẫn tận tình TS Phạm Thị Minh Hạnh Tất số liệu kết nghiêncứuluậnvăn hoàn toàn trung thực không trùng lập với đề tài khoa học khác Tôi xin cam đoan giúp đỡ cho việc thực luậnvăn cảm ơn thông tin trích dẫnluậnvăn rõ nguồn gốc Tôi xin cam đoan điều thật Hà Nội, ngày tháng năm 2018 Tác giả: Phan Thanh Nam MỤC LỤC Trang MỚ ĐẦU Lí chọn đề tài………………………………………………………….… Mục đích nghiên cứu……………………………………………………… Nhiệm vụ nghiên cứu……………………………………………………… Đối tượng phạm vi nghiên cứu……………………………………….… Phươngphápnghiên cứu……………………………………….………… Những đóng góp khoa học, thực tiễn đề tài…………………… Cấutrúcluận văn………………………………… ……………………… CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ BÁNDẪNCÓCẤUTRÚCKIMCƯƠNG 1.1 Cấutrúctinh thể ………………………………………… …………… 1.2 Một số ứng dụng …………………………………………………… … 1.3 Một số kết nghiêncứu ……………………………………………… 1.4 Một số phươngphápnghiêncứutínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫncócấutrúckimcương ……………………………………………………………………….………… CHƯƠNG 2: PHƯƠNGPHÁPTHỐNGKÊMƠMEN TRONG NGHIÊNCỨUTÍNHCHẤTNHIỆTĐỘNGVÀĐÀNHỒICỦACỦATINH THỂ BÁNDẪNCÓCẤUTRÚCKIMCƯƠNG 2.1 Phươngphápthốngkêmômen ………………………………………… 11 2.2 Độ dịch chuyển nguyên tử khỏi nút mạng ……………… ……… 14 2.3 Năng lượng tự tinh thể bándẫncócấutrúckim cương…… 18 2.4 Các đại lượng nhiệtđộng ……………………………… ……………… 20 2.5 Các đại lượng đànhồi ……………………………………….………… 24 CHƯƠNG 3: CÁC TÍNHCHẤTNHIỆTĐỘNGVÀĐÀNHỒICỦABÁNDẪN Ge Ở ÁPSUẤT KHÁC NHAU 3.1 Thế tương tác hạt tinh thể …………………….… 32 3.2 Các tínhchấtnhiệtđộng Ge ápsuất khác ………………… 33 3.3 Các tínhchấtđànhồi Ge ápsuất khác ……………….…… 37 MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Hiện nay, khoa học kĩ thuật phát triển mạnh mẽ nhanh chóng, đặc biệt lĩnh vực công nghệ chế tạo vật liệu thu hút nhiều nhà khoa học nhà vật lý Một đối tượng thu hút nghiêncứu nhiều ngành khoa học vật liệu bándẫn Sự phát triển transistor Ge mở nhiều ứng dụng điện tử học trạng thái rắn Do nhu cầu sử dụng vật liệu Ge chế tạo linh kiện bándẫn dùng mạng liên lạc viễn thông cáp quang, hệ thống quan sát ban đêm hồng ngoại xúc tác polyme hóa gia tăng cách nhanh chóng Trong năm gần đây, với phát triển khoa học, thực nghiệm người đo đại lượng nhiệtđộng vật liệu lên đến hàng trăm gigapascal Ngày nay, có nhiều phươngpháp khác nghiêncứutínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫn Mặc dù có thành cơng định chưa cóphươngpháp thực tối ưu hồn hảo mà có hạn chế định Trong 30 năm trở lại đây, cóphươngphápthốngkê đời áp dụng nghiêncứu cách có hiệu tínhchấtnhiệtđộngđànhồikim loại, hợp kimbándẫnPhươngpháp gọi phươngphápthốngkêmômenPhươngphápthốngkêmômen (PPTKMM) Giáo sư Nguyễn Tăng đề xuất Giáo sư Vũ Văn Hùng cộng phát triển mạnh 30 năm trở lại PPTKMM áp dụng để nghiêncứutínhchấtnhiệt động, đànhồi chuyển pha …của loại tinh thể khác như: kim loại, hợp kimtinh thể hợp chấtbándẫn Các loại tinh thể cócấutrúc lập phương tâm diện, lập phương tâm khối, kimcương khoảng rộng nhiệt độ từ (K) đến nhiệt độ nóng chảy tác dụng ápsuất Gần đây, có số cơng trình nghiêncứubándẫncócấutrúckimcươngcấutrúc sunfua kẽm cơng bố chưa cónghiêncứuảnhhưởngápsuấtlêntínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫncócấutrúckimcương Do vậy, việc nghiêncứuảnhhưởngápsuấtlêntínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫnphươngphápthốngkê mômen trở nên cần thiết Đó lí tơi chọn đề tài “Nghiên cứuảnhhưởngápsuấtlêntínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫncócấutrúckimcươngphươngphápthốngkêmômen ” Mục đích nghiêncứuNghiêncứuảnhhưởngápsuấtlêntínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫncócấutrúckimcươngphươngphápthốngkêmômen Nhiệm vụ nghiêncứu - Tìm hiểu số lý thuyết quan trọng nghiêncứubándẫn - Tìm hiểu phươngphápthốngkê mômen việc áp dụng phươngphápthốngkê mômen để nghiêncứuảnhhưởngápsuấtlêntínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫncócấutrúckimcương Đối tượng phạm vi nghiêncứuNghiêncứuảnhhưởngápsuấtlêntínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫncócấutrúckimcương Ge PhươngphápnghiêncứuPhươngphápthốngkê mômen Những đóng góp khoa học, thực tiễn đề tài - Các kết áp dụng tính cho Ge - Một số kết so sánh với thực nghiệm Cấutrúcluậnvăn Ngoài phần mở đầu kết luận, luậnvăn gồm có chương: - Chương 1: Tổng quan bándẫncócấutrúckimcương - Chương 2: Phươngphápthốngkê mơmen nghiêncứutínhchấtnhiệtđộngđànhồitinh thể bándẫncócấutrúckimcương - Chương 3: Các tínhchấtnhiệtđộngđànhồi Ge ápsuất khác CHƯƠNG TỔNG QUAN VỀ BÁNDẪNCÓCẤUTRÚCKIMCƯƠNG 1.1 Cấutrúctinh thể Vật liệu bándẫn điển hình cócấutrúckimcương Ge, Si Đơn tinh thể Ge gồm hai phân mạng lập phương tâm diện lồng vào nhau, phân mạng nằm 1/4 đường chéo phân mạng Trong sở có nguyên tử Ge, nguyên tử Ge tâm hình tứ diện cócấu tạo từ nguyên tử lân cận gần xung quanh (Hình 1.1) Hình 1.1.Tinh thể Ge 1.2 Một số ứng dụng Vật liệu bándẫncó nhiều ứng dụng lĩnh vực khoa học, kỹ thuật công nghiệp Tuy nhiên, ứng dụng quan trọng phổ biến bándẫn dùng để chế tạo linh kiện điện tử bándẫn Photôđiốt loại dụng cụ thiếu thông tin quang học ngành kỹ thuật tự động hoá Điốt phát quang dùng phổ biến hiển thị, đèn báo, hình quảng cáo nguồn sáng Pin nhiệt điện bándẫn ứng dụng để chế tạo thiết bị làm lạnh gọn nhẹ, hiệu cao dùng khoa học, y học, Đối với bándẫn Ge có nhiều ứng dụng đặc trưng khác: - Sử dụng chế tạo kính quang phổ hồng ngoại - Sử dụng chế tạo thấu kính camera góc rộng vật kính kính hiển vi - Tác nhân sản xuất hợp kim - Chế tạo Phosphor đèn huỳnh quang - Các đĩa bándẫn với Ge cho tế bào quang điện hiệu suất cao kết nối ứng dụng tàu vũ trụ - Các thiết bị phát dùng tinh thể Ge có độ tinh khiết cao nhận dạng cách xác nguồn xạ 1.3 Một số kết nghiêncứu Các tính tốn tínhchấtnhiệt (hệ số dãn nở nhiệt Si) tính tốn Fleszar Gonze [9] Phổ phonon điện tích hiệu dụng chấtbándẫncócấutrúckimcươngtính tốn Giannozzi cộng [11] sử dụng lý thuyết hàm mật độ Sự tán sắc phonon Sido Savrasov [27] tính tốn thử nghiệm, việc sử dụng phươngpháp quỹ đạo hộp mu – phin tuyến tính hố (LMTO) lý thuyết hàm mật độ Trong kimcươngtínhchấtnhiệt xác định ápsuất cao đến 1000 GPa [31] Phương trình trạng thái P - V – T xác định từ lượng tự Helmholtz, hệ số dãn nở nhiệt giảm theo tăng ápsuất Sự phụ thuộc nhiệt độ chuyển pha cấutrúckimcươngcấutrúc β – Sn Si Ge ápsuất khoảng 10GPa tính tốn Gaal – Nagy cộng [12] sử dụng phép gần chuẩn điều hoà Gần Debernardi [8] nghiêncứu thay đổi phi điều hoà tần số Raman kimcương Si có số hạng phi điều hoà bậc ba 31 Kết luận chương 2: Trong chương này, chúng tơi trình bày lại việc áp dụng phươngphápthốngkê mômen để xây dựng biểu thức giải tích xác định tínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫncócấutrúckimcương như: độ dời hạt khỏi nút mạng, biểu thức lượng tự do, hệ số dãn nở nhiệt, nhiệt dung riêng đẳng tích, nhiệt dung riêng đẳng áp Xây dựng biểu thức giải tích xác định tínhchấtđànhồibándẫncócấutrúckimcương như: môđun Young E, môđun nén khối K, môđun trượt G, số đànhồi C11, C12, C44 Các biểu thức tổng quát áp dụng để tính tốn cho bándẫncócấutrúckimcươngnhiệt độ ápsuất khác Trong chương 3, áp dụng số từ biểu thức giải tích thu chương để nghiêncứutínhchấtnhiệtđộngđànhồi Ge ápsuất khác 32 CHƯƠNG CÁC TÍNHCHẤTNHIỆTĐỘNGVÀĐÀNHỒICỦABÁNDẪN Ge Ở ÁPSUẤT KHÁC NHAU 3.1 Thế tương tác hạt tinh thể Trong mạng tinh thể, nút mạng nguyên tử, phân tử hay ion Do hạt nút mạng ln có tương tác nên tồn tương tác Như vậy, loại mạng tinh thể mà dạng khác Vì việc chọn thích hợp phức tạp trở nên cần thiết Năng lượng tương tác nguyên tử biểu diễn công thức gần sau [3]: rij F V (3.1) i, j rij khoảng cách hai nguyên tử i j; V thể tích hệ Các tương tác khác sở dạng gần khác (3.1) gọi tương tác nhiều hạt, thành phần thứ (3.1) tương tác cặp, thành phần thứ hai tương tác nhiều hạt Dựa vào tínhchất loại vật liệu mà nhà nghiêncứu tìm dạng phù hợp cho loại vật liệu Để nghiêncứutínhchấtnhiệtđộng Ge, luậnvăn sử dụng Stillinger-Weber [25] Thế tổng đóng góp hai hạt ba hạt Phần tương tác hai hạt có dạng: 4 Brij exp rij a ij 0 rij a 4 rij d ij (3.2) Phần tương tác ba hạt có dạng: Wijk exp rij a 1 rij a 1 cos ijk 3 (3.3) 33 đó: d ij khoảng cách hạt i j; d ik khoảng cách hạt i k; ijk góc liên kết dij dik Các thông số làm khớp A, B, a, , , , xác định từ tínhchất vật liệu như: lượng liên kết, số mạng cân bằng, tínhchấtđàn hồi, Giá trị thông số cho Bảng 3.1 (a 1,8; 1, 2) Bảng 3.1 Giá trị thông số cho Ge [19] Đại lượng Giá trị thông số Ge A 7,049556277 B 0,6022245584 eV 1,93 31,0 2,181 0 3.2 Các tínhchấtnhiệtđộng Ge ápsuất khác 3.2.1 Phương trình trạng thái Trong chương này, để nghiêncứuảnhhưởngápsuấtlêntínhchấtnhiệtđộngđànhồitinh thể bándẫncócấutrúckimcương Ge chúng tơi áp dụng phương trình trạng thái Từ biểu thức lượng tự Helhomlz (2.37) biểu thức định nghĩa ápsuất (2.47) chúng tơi thu phương trình trạng thái tinh thể bándẫncócấutrúckim cương: k u0 v a x coth 2k a a Ở nhiệt độ 0( ) phương trình có dạng: (3.4) 34 u0 0 k v a 4k a a (3.5) 3.2.2 Các đại lượng nhiệtđộng Ge ápsuất khác không Trong luậnvăn này, chúng tơi nghiêncứutinh thể Ge cócấutrúckimcương Thực nghiệm chuyển pha Ge xảy vùng ápsuất khoảng 8,5GPa [13] Do chúng tơi nghiêncứu phụ thuộc ápsuất đại lượng nhiệtđộngđànhồitinh thể bándẫn Ge ápsuất nhỏ 8,5 GPa Trong chương 2, chúng tơi trình bày lý thuyết tổng qt để nghiêncứutínhchấtnhiệtđộngđànhồitinh thể hợp chấtbándẫncócấutrúckimcương Các biểu thức thu cho phép tính toán đại lượng nhiệtđộngđànhồiápsuất khác Để áp dụng tính số biểu thức giải tích chương cần phải biết thơng số k , K , , , , Ge Đầu tiên, ta cần xác định khoảng lân cận gần a( P,0) hai hạt ápsuất P nhiệt độ 0( ) Khoảng lân cận gần a( P,0) xác định từ phương trình trạng thái (3.5) Sử dụng Stillinger-Weber (3.3) kết hợp với thông số cho bảng 3.1, biểu diễn uo, ω, k, k theo a(P,0) nhờ (2.37) a (2.22) Sau giải phương trình (3.5) với hỗ trợ phần mềm Pascal, xác định giá trị a(P,0) ápsuất khác Sau tìm a( P,0) xác định thông số k P, , P,0 , P,0 , P, Ge ápsuất P nhiệt độ 0( ) dựa vào cơng thức (2.22) (2.34) Sau tìm độ dời y0(P,T) hạt ápsuất P nhiệt độ T tương ứng theo (2.30): 35 y0 y0, (P,T ) ( P,0) 3 (P,0) 6 (P,0) 2 (P,0) 2 (P,0) (P,0)k (P,0) ( 1) 1 (P,0) ( P,0) 3k (P,0) 27 (P,0)k ( P,0) (P,0) (3.6) y0’(P,T) xác định theo (2.28): y0' P, T 2 P, P, 3 P,0 (3.7) với A(P,0) có dạng (2.29) thơng số k P, , ω P, ,…phải xác định ápsuất P nhiệt độ 0(K) Khi tìm khoảng lân cận hai hạt a P,0 độ dời y0(P,T) ápsuất P dễ dàng tìm khoảng lân cận gần hai nguyên tử ápsuất P nhiệt độ T nhờ công thức: a (P,T) = a(P,0) +y0(P,T) (3.8) Sau đó, để xác định hệ số nén đẳng nhiệt T ( P) phải sử dụng (2.44) khoảng lân cận gần phải a(P,T), a0 thay a(P,0), đại lượng xác định (2.45) thơng số phải lấy ápsuất P nhiệt độ T tương ứng Từ chúng tơi tính hệ số dãn nở nhiệt α xác định nhờ (2.48) thông số phải xác định ápsuất P nhiệt độ T Sau tiến hành theo bước trình bày trên, thu kết đại lượng nhiệtđộng Ge ápsuất khác nhau, kết trình bày Bảng 3.2 Hình 3.1 đồ thị biểu diễn phụ thuộc ápsuất số mạng Ge 300K Bảng 3.2 trình bày kết thu phươngphápthốngkêmômen dùng Stillinger – Weber, số liệu thu bảng so sánh với thực nghiệm (TN) 36 Bảng 3.2 Các đại lượng nhiệtđộng Ge nhiệt độ 300K ápsuất khác V V0 V V0 5,658 (TKMM) (TN)[20] - 5,6333 - 0,9877 - 5,6111 - 0,9759 - 2,85 5,5931 - 0,9667 0,9724 5,5691 - 0,9542 - 4,85 5,5522 - 0,9456 0,9489 5,5354 - 0,9370 - 5,5113 - 0,9249 - 5,4931 - 0,9158 - P (GPa) ah (10-10m) (PPTKMM) ah (10-10m) (TN)[7] 5,6566 Bảng 3.3 Các đại lượng nhiệtđộng Ge nhiệt độ 300K ápsuất khác α (10-6 K-1) (TN) [7] 5,7 Cp(cal/mol.K) (PPTKMM) Cv (cal/mol.K) (PPTKMM) α (10-6 K-1) (PPTKMM) 4,6478 5,7180 5,7029 4,5817 - 5,7152 5,7003 4,5153 - 5,7122 5,6975 2,85 4,4663 - 5,7095 5,6950 4,4035 - 5,7080 5,6937 4,85 4,3609 - 5,7031 5,6881 4,3067 - 5,6993 5,6852 4,2624 - 5,6958 5,6819 4,2204 - 5,6924 5,6785 P (GPa) 37 Hình 3.1 Sự phụ thuộc ápsuất V/V0 Ge 300K Từ Bảng 3.2, Bảng 3.3 Hình 3.1 chúng tơi có số nhận xét sau: Hằng số mạng ah hàm áp suất, ápsuất tăng số mạng giảm, kết hoàn toàn khớp với thực nghiệm Sự chênh lệch đại lượng V/V0 so với thực nghiệm vài phần trăm Sự ảnhhưởngápsuấtlên đại lượng nhiệtđộng khác hệ số dãn nở nhiệt, nhiệt dung riêng đẳng tích, nhiệt dung riêng đẳng áp mức độ khác Ảnhhưởngápsuấtlên hệ số dãn nở nhiệt lớn 3.3 Các tínhchấtđànhồi Ge ápsuất khác Các mô đun đun đànhồi E, K, G số đànhồi C11, C12, C44 xác định nhờ công thức (2.67), (2.69), (2.71), (2.73), (2.74), (2.75) với thông số phải xác định từ ápsuất P nhiệt độ T 38 Với bước trình bày trên, thu kết đại lượng đànhồi Ge ápsuất khác nhau, kết trình bày Bảng 3.4 Bảng 3.5 Bảng 3.4 Bảng 3.5 trình bày giá trị mô đun số đànhồi Ge ápsuất P khác không phươngphápthốngkêmômen dùng Stillinger – Weber Ở Bảng 3.4 Bảng 3.5 trình bày giá trị mô đun số đànhồi hàm áp suất, ápsuất tăng giá trị mô đun số đànhồi tăng Hình 3.2, Hình 3.3, Hình 3.4, Hình 3.5, Hình 3.6 biểu diễn phụ thuộc đại lượng đànhồi theo ápsuấtBảng 3.4 Giá trị mô đun đànhồibándẫn Ge nhiệt độ 300K ápsuất khác E(GPa) K(GPa) G(GPa) P (GPa) TKMM TN [30] TKMM TN [30] TKMM TN [30] 86,49 103,00 60,06 71,30 34,32 41,00 88,15 - 61,22 - 34,98 - 89,90 - 62,43 - 35,68 - 91,54 - 63,57 - 36,33 - 93,15 - 64,69 - 36,96 - 94,73 - 65,79 - 37,59 - 96,26 - 66,85 - 38,20 - 97,78 - 67,90 - 38,80 - 99,29 - 68,95 - 39,40 - 39 Bảng 3.5 Giá trị số đànhồibándẫn Ge nhiệt độ 300K ápsuất khác P C11(GPa) C12(GPa) C44(GPa) (GPa) TKMM TN [30] TKMM TN [30] TKMM TN [30] 105,82 124,00 37,18 41,00 68,64 50,00 107,86 - 37,90 - 69,96 - 110,00 - 38,65 - 71,35 - 112,00 - 39,35 - 72,65 - 113,97 - 40,04 - 73,93 - 115,97 - 40,73 - 75,19 - 117,78 - 41,38 - 76,40 - 119,64 - 42,04 - 77,60 - 121,48 - 42,69 - 78,80 - Hình 3.2 Sự phụ thuộc ápsuất số đànhồi C11 Ge 300K 40 Hình 3.3 Sự phụ thuộc ápsuất số đànhồi C12 Ge 300K Hình 3.4 Sự phụ thuộc ápsuất số đànhồi C44 Ge 300K 41 Hình 3.5 Sự phụ thuộc ápsuấtmô đun đànhồi E Ge 300K Hình 3.6 Sự phụ thuộc ápsuấtmơ đun đànhồi K Ge 300K 42 Kết luận chương 3: Trong chương áp dụng kết lý thuyết xây dựng chương cho tinh thể bándẫn Ge thu giá trị cụ thể đại lượng nhiệtđộngđànhồi theo biến thiên ápsuất Kết tính tốn ghi bảng 3.2, 3.3, 3.4, 3.5 minh hoạ hình vẽ 3.1, 3.2, 3.3, 3.4, 3.5, 3.6 43 KẾT LUẬN Các kết luậnvăn bao gồm: - Trình bày phươngpháp chủ yếu nghiêncứubándẫncócấutrúckimcương - Trình bày việc áp dụng phươngphápthốngkêmơmen để xây dựng biểu thức giải tích xác định tínhchấtnhiệtđộngđànhồibándẫncócấutrúckimcương như: độ dời hạt khỏi nút mạng, biểu thức lượng tự do, hệ số dãn nở nhiệt, nhiệt dung riêng đẳng tích, nhiệt dung riêng đẳng áp, mô đun đàn hồi, số đàn hồi,…Các biểu thức tổng quát tínhnhiệt độ ápsuất khác - Các kết lý thuyết nói áp dụng để nghiêncứutínhchấtnhiệtđộngđànhồitinh thể bándẫn Ge ápsuất khác Các kết tính tốn với đại lượng nhiệtđộngđànhồi thu nhiệt độ 300K ápsuất khác 44 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Phạm Thị Minh Hạnh (2007), Nghiêncứutínhchấtnhiệtđộngmô đun đànhồitinh thể hợp chấtbándẫnphươngphápmô men, Luận án tiến sĩ Vật lý, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội [2] Vũ Văn Hùng (1990), Phươngphápthốngkêmơmennghiêncứutínhchấtnhiệtđộngđànhồitinh thể, Luận án PTS Toán Lý, Trường Đại học tổng hợp Hà Nội [3] Arsenault R.J., Beeler J.R, Esterling D.M (1988), Computer simulation in materials science, pp 322 [4] Bernstein N et al (2000), Phys Rev B62, pp 4477 [5] Born M., Oppenheimer J.R., (1927), Ann Phys,84, pp 475 [6] Chadi D.J., and Cohen M.L (1975), Phys Stat Sol (b) 68, pp 405 [7] Dwight E Gray (1981), American Institute of Physic Handbook Second Edition, pp 451- 466 [8] DebernadiA (1998), Phys Rev B,57, pp 12847 [9] Fleszar A., and Gouze X (1990), Phys Rev Lett, 6K, pp 2961 [10] Goodwin L., Skinmer A.J, and Pettifor D.J (1989), Europhys 9, pp 701 [11] GiannoziP., GironcoleS.de., Pavone P., and BaroniS.(1991), Phys Rev B, 43, pp 7231 [12] Gaal – NagyK , Bauer A., Schmitt M., Karch K., Pavone P., and Strauch D (1999), Phys Stat Sol.B, 211, pp 275 [13] G J Ackland Department of Physics and Astronomy, The University of Edinburgh, Edinburgh EH9 3JZ,UK (Received 17 May 1999, in final form February 2001) [14] Harrison W A (1980), “Electronic Structure and the Properties of Solids: the physics of the chemical bond”, Freeman, San Francisco [15] Jivani A.R., Gajjar P.N., and Jani A.R.(2002), Semicdector Physic, Quantum Electronic and Optoelectronies, 5, (3), pp 243 – 246 [16] Keating P.N (1966), Phys Rev, 145, pp 637 45 [17] Kohn W., and Sham L.J.(1965), Phys Rev A, 140, pp 1133 [18] Kwon I., et al (1994), Phys Rev B 49, pp 7242 [19] Kejian Ding and Hans C Andersen (1986), Moleudardynamics simulation of amorphous germanium, Phys Rev B34 (10), pp 8967 [20] Masafumi SENOO, Hisao Mii and Ikuya FUJISHIRO Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Nagoya University, Furocho, Chikusa-ku, Nagoya 464 (Received April 16, 1976) [21] Nguyen Tang and Vu Van Hung (1998), Phys Stat Sol (b),149, pp 511-519 [22] Nguyen Tang and Vu Van Hung (1990), Phys Stat Sol (b),161, pp 165-171 [23] Nguyen Tang and Vu Van Hung (1998), Phys Stat Sol (b),162, pp 371-385 [24] Randell H E (2005), Applications of stress from boron doping and other challenges in Silicon techology, University of Florida [25] Stillnger F., and Weber T (1985), Phys Rev B, 31, pp 5262 [26] SenturiaS.D.(2001), Microsystem Design, Kluwer Academic Publishers, Norwell, MA [27] Savrasov S Y (1996), Phys Rev B54, pp 16470 [28] Terlesky Ya P, Nguyen Tang (1967), Ann Der Phys 19, pp 299 [29] Vu Van Hung, Nguyen Thanh Hai (1999), Computational Material Science, 14, pp 261 [30] www.iofe.rssiru/SVA/NSM/ Semicond [31] XieJ., Chen S P., Tse J.S., Gironcoli S De., and Baroni S(1999), Phys Rev B, 60, pp 9444 [32] Zienkie O C., and Taylo R L (1989), Silicon the Finite Element Mothod Fourth Edition, Volume 1, Basice Formulation and Linear Problems, Mc Graw-Hill Book Company, London [33] Hryeн Танг.(1981), Точныеформулы для корреляционных Моментов равновесных систем Изв Вузов ''Физика'' Фып 6, cc 38 – 41 ... trọng nghiên cứu bán dẫn - Tìm hiểu phương pháp thống kê m men việc áp dụng phương pháp thống kê m men để nghiên cứu ảnh hưởng áp suất lên tính chất nhiệt động đàn hồi bán dẫn có cấu trúc kim cương. .. động đàn hồi bán dẫn phương pháp thống kê m men trở nên cần thiết Đó lí tơi chọn đề tài Nghiên cứu ảnh hưởng áp suất lên tính chất nhiệt động đàn hồi bán dẫn có cấu trúc kim cương phương pháp. .. có phương pháp thống kê đời áp dụng nghiên cứu cách có hiệu tính chất nhiệt động đàn hồi kim loại, hợp kim bán dẫn Phương pháp gọi phương pháp thống kê mô men Phương pháp thống kê mô men (PPTKMM)