TRANSISTOR TRƯỜNG FET (NHẬP MÔN ĐIỆN TỬ)

Vùng thuần trở: Là vùng tại đó điện trở kênh duy trì không đổi, VDS và ID liên hệ với nhau theo định luật Ohm. Vùng hoạt động: Là vùng tại đó điện trở tăng nhanh theo VDS , dòng ID duy trì giá trị không đổi. Vùng đánh thủng:Là vùng mà dòng ID tăng rất nhanh ứng với một sự tăng nhẹ của VDS . Tại vùng này JFET sẽ bị hỏng nhanh, nên chỉ được phép để JFET hoạt động ở vùng thuần trở và vùng hoạt động. I.4.1

Nhập môn Điện tử Chương TRANSISTOR TRƯỜNG FET Chương 6: FET Nhập môn Điện tử FET JFET MOSFET D-MOSFET N P N Chương 6: FET E-MOSFET P N P Nhập môn Điện tử I JFET I.1 Cấu trúc JFET thiết bị có cực : • cực máng D (drain) • cực nguồn S (source) • cực cổng G (gate) JFET có hai loại JFET kênh n JFET kênh p Chương 6: FET Nhập môn Điện tử I.2 Nguyên tắc hoạt động VDS JFET hoạt động phân cực VDD cung cấp điện từ cực D tới S, tạo dòng từ D tới S VGG tạo nên điện phân cực nghịch từ G tới S Trong chế độ hoạt động JFET, VGG(VGS ) phân cực nghịch JFET loại n phân cực Chương 6: FET Nhập mơn Điện tử I.3 Kí hiệu Chương 6: FET Nhập môn Điện tử I.4 Các đại lượng đặc trưng thông số JFET I.4.1)Đặc tuyến ngõ ID (VDS ) Vùng trở VGS = Vùng hoạt động Chương 6: FET Vp : Khi VGS =0, giá trị VDS mà ID =0 gọi ngắt Vp (pinch –off voltage) IDSS :Giá trị ID cực đại ứng VGS =0 mà JFET chưa bị đánh thủng gọi IDSS Vùng đánh thủng Nhập môn Điện tử I.4.1)Đặc tuyến ngõ ID (VDS ) Vùng trở: Là vùng điện trở kênh trì không đổi, VDS ID liên hệ với theo định luật Ohm Vùng hoạt động: Là vùng điện trở tăng nhanh theo VDS , dòng ID trì giá trị khơng đổi Vùng đánh thủng:Là vùng mà dòng ID tăng nhanh ứng với tăng nhẹ VDS Tại vùng JFET bị hỏng nhanh, nên phép để JFET hoạt động vùng trở vùng hoạt động Chương 6: FET Nhập môn Điện tử I.4.1)Đặc tuyến ngõ ID (VDS ) Chương 6: FET Nhập môn Điện tử I.4.1)Đặc tuyến ngõ ID (VDS ) Ví dụ: Cho JFET hình vẽ VGS (off) =-4V, IDSS =12mA Tìm giá trị VDD để FET hoạt động vùng bão hòa VGS = 0V Chương 6: FET Nhập môn Điện tử I.4.2)Đặc tuyến truyền đạt ID (VGS ) a) Phương trình xác định đặc tuyến truyền: Ví dụ: JFET 2N5459 có VGS(off) =-8V, IDSS = 9mA Xác định dòng ID VGS =0v, -1V, -4V ĐS: 9mA, 6,89mA, 2,25mA Chương 6: FET 10 Nhập môn Điện tử III.2 Tự phân cực Ví dụ: Cho JFET phân cực hình vẽ Xác định giá trị sau: IDSS =8mA VP =-6V Chương 6: FET 25 Nhập môn Điện tử III.2 Tự phân cực Giải: Áp dụng Chương 6: FET 26 Nhập môn Điện tử III.2 Tự phân cực Đặc tuyến truyền đạt điểm tĩnh Q Chương 6: FET 27 Nhập môn Điện tử III.3 Phân cực cầu chia JFET phân cực cầu chia Chương 6: FET Vẽ lại mạch phân tích 28 Nhập môn Điện tử III.3 Phân cực cầu chia Chương 6: FET 29 Nhập môn Điện tử III.4 Phân cực cầu chia Ví dụ: Chương 6: FET 30 Nhập môn Điện tử III.4 Phân cực cầu chia Giải: Chương 6: FET 31 Nhập môn Điện tử III.4 Phân cực cầu chia Đặc tuyến truyền đạt đường tải chiều Chương 6: FET 32 Nhập môn Điện tử III.4 Phân cực cho D-MOSFET Mạch phân cực cho D-Mosfet có cách giải hồn toàn tương tự J-MOSFET, lưu ý đặc tuyến truyền đạt D-Mosfet có vùng tăng cường vùng hiếm, đó: VGS(off)