TRANSISTOR TRƯỜNG FET (NHẬP MÔN ĐIỆN TỬ)

Vùng thuần trở: Là vùng tại đó điện trở kênh duy trì không đổi, VDS và ID liên hệ với nhau theo định luật Ohm. Vùng hoạt động: Là vùng tại đó điện trở tăng nhanh theo VDS , dòng ID duy trì giá trị không đổi. Vùng đánh thủng:Là vùng mà dòng ID tăng rất nhanh ứng với một sự tăng nhẹ của VDS . Tại vùng này JFET sẽ bị hỏng nhanh, nên chỉ được phép để JFET hoạt động ở vùng thuần trở và vùng hoạt động. I.4.1

Trang 1

Chương 6: FET 1

Chương 6 TRANSISTOR TRƯỜNG

FET

Trang 4

I.2 Nguyên tắc hoạt động

JFET hoạt động khi được phân cực

JFET loại n được phân cực

VDS

Trang 5

I.3 Kí hiệu

Trang 6

I.4 Các đại lượng đặc trưng và thông số của JFET

I.4.1)Đặc tuyến ngõ ra I D (V DS )

Vùng hoạt động

Vùng đánh thủng

Vùng thuần

trở

VGS = 0

V p : Khi VGS =0, giá trị VDS mà tại đó ID

=0 được gọi là thế ngắt

Vp (pinch –off voltage)

I DSS :Giá trị ID cực đại ứng VGS =0 mà tại đó JFET vẫn chưa bị đánh thủng gọi là IDSS

Trang 7

Vùng thuần trở: Là vùng tại đó điện trở kênh duy trì không đổi, VDS

và ID liên hệ với nhau theo định luật Ohm

Vùng hoạt động: Là vùng tại đó điện trở tăng nhanh theo VDS , dòng

ID duy trì giá trị không đổi

Vùng đánh thủng:Là vùng mà dòng ID tăng rất nhanh ứng với một

sự tăng nhẹ của VDS Tại vùng này JFET sẽ bị hỏng nhanh, nên chỉ

được phép để JFET hoạt động ở vùng thuần trở và vùng hoạt động

Trang 8

Trang 9

Ví dụ:

Cho JFET như hình vẽ VGS (off) =-4V, IDSS

=12mA Tìm giá trị VDD để FET hoạt động

trong vùng bão hòa khi VGS = 0V

Trang 10

I.4.2)Đặc tuyến truyền đạt I D (V GS )

a) Phương trình xác định đặc tuyến truyền:

Trang 11

b) Hệ số truyền dẫn gm

Trang 12

Ví dụ: Cho JFET 2N5457 có IDSS =3mA, VGS(off) =-6V, gfs(max)

=5000µS Sử dụng những giá trị này, xác định hệ số truyền dẫn

tại VGS =-4V, và tìm ID ở vị trí này

ĐS

Trang 14

II.1 Cấu trúc cơ bản Mosfet loại liên tục (D-Mosfet)

II MOSFET

Trang 15

Mosfet hoạt động khi được phân cực Mosfet loại liên tục có thể

hoạt động ở 2 chế độ: chế độ tăng cường và chế độ hiếm

II.2 Nguyên tắc hoạt động

Trang 16

II.3 Kí hiệu D-Mosfet (Mosfet kênh liên tục)

Trang 17

II.4 Các đại lượng đặc trưng và thông số của MOSFET

kênh liên tục (D-MOSFET)

a Đặc tuyến truyền dẫn b Đặc tuyến ngõ ra

Các đại lượng đặc trưng cho JFET và D-Mosfet hoàn toàn tương tự

nhau Riêng đặc tuyến truyền dẫn của D-Mosfet có thêm 2 vùng ở hai

chế độ tăng cường và chế độ hiếm

Trang 18

III Phân cực FET

Phân cực JFET và D-Mosfet tương tự cách tính toán, xác định công thức

tính điện thế, dòng điện của mạch phân cực BJT

Điểm phân cực của FET cần xác định các đại lượng VGS , ID , VDS hay

Q(VDS ; ID )

Các điểm này có thể được xác định dựa trên các công thức

Trang 19

Trang 22

III.1 Phân cực cố định

Giải:

Trang 24

III.2 Tự phân cực

Trang 26

Giải: Áp dụng

Trang 27

Đặc tuyến truyền đạt và điểm tĩnh Q

Trang 28

III.3 Phân cực bằng cầu chia thế

JFET phân cực bằng cầu

Trang 29

Trang 30

Ví dụ:

Trang 31

Giải:

Trang 32

Đặc tuyến truyền đạt và đường tải một chiều

Trang 33

III.4 Phân cực cho D-MOSFET

Mạch phân cực cho D-Mosfet cũng có cách giải hoàn toàn

tương tự như J-MOSFET, chỉ lưu ý đặc tuyến truyền đạt của

D-Mosfet có cả vùng tăng cường và vùng hiếm, do đó:

VGS(off) <VGS <VGS Max ( VGS Max >0)

Trang 35

Đặc tuyến truyền và đường tải một chiều

Trang 36

Ví dụ:

Đáp Số

Trang 37

Đặc tuyến truyền và đường tải một chiều

Trang 38

Tóm tắt

Trang 39

Tóm tắt

Định dạng
Số trang	39
Dung lượng	1,66 MB