Đo nhiệt độ sử dụng nhiệt điện trở pt- 100 dải đo 0- 120 độ, ngưỡng nhạy 1 độ

Đo nhiệt độ sử dụng nhiệt điện trở pt- 100 dải đo 0- 120 độ, ngưỡng nhạy 1 độ

MỤC LỤC

LỜI NÓI ĐẦU 3

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỆT ĐỘ 4

1.1 Đo nhiệt độ bằng phương pháp tiếp xúc 4

1.1.1 Đo nhiệt độ bằng nhiệt điện trở 4

1.1.2 Đo nhiệt độ bằng cặp nhiệt ngẫu 8

1.1.3 Bán dẫn 11

1.2 Đo nhiệt độ bằng phương pháp không tiếp xúc 12

1.2.1 Đo bằng hồng ngoại 12

1.2.2 Hỏa quang kế 13

CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN, LỰA CHỌN VÀ THIẾT KẾ MẠCH ĐO 17

2.1 Sơ đồ khốii hệ thống 17

2.2 Lựa chọn linh kiện 17

2.2.1 Pt-100 2 dây 17

2.2.2 Vi điều khiển 8051 21

2.2.3 ADC 0804 25

2.2.4 LCD 1602 26

2.3 Tính toán và thiết kế mạch đo 28

2.3.1 Mạch tạo nguồn dòng LM334 28

2.3.2 Mạch khuếch đại đo lường 30

2.4 Mạch nguyên lý chung 31

CHƯƠNG 3: LẬP TRÌNH VÀ KẾT QUẢ 39

3.1 Lưu đồ thuật toán 39

3.2 Kết quả……… 43

KẾT LUẬN 44

TÀI LIỆU THAM KHẢO 45

LỜI NÓI ĐẦU

Trước sự phát triển của công nghệ hiện đại hóa như ngày nay thì việc chế tạo các thiết bị đo lường đang được chú trọng và phát triển Một trong những thiết

bị đo thông dụng là thiết bị đo nhiệt độ với sự cần thiết cho các thiết bị giám sát và

điều khiển Thông qua đồ án 1, chúng em chọn đề tài để báo cáo là “Đo nhiệt độ

sử dụng nhiệt điện trở Pt-100 dải đo 0-120 độ, ngưỡng nhạy 1 độ”

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐO

NHIỆT ĐỘ

1.1 Đo nhiệt độ bằng phương pháp tiếp xúc

1.1.1 Đo nhiệt độ bằng nhiệt điện trở

 Nhiệt điện trở kim loại

Nhiệt điện trở kim loại (nhiệt kế điện trở) thường được sử dụng trong công nghiệp Quan hệ giữa nhiệt điện trở của nó và nhiệt độ gần như là tuyến tính Nhiệtđiện trở kim loại thường có dạng dây kim loại hoặc màng mỏng kim loại có điện trở suất thay đổi theo nhiệt độ Thường được chế tạo từ đồng, platin và niken

 Nhiệt điện trở Platin: Platin có thể chịu được nhiệt độ đến 12000C mà không bị oxy hóa hoặc nóng chảy Phương trình đặc trưng có thể viết dưới dạng:

- RT=Ro(1+At+Bt2) với nhiệt độ từ 0÷600oC

- RT=Ro[(1+At+Bt2+C(t-100)3] với nhiệt độ từ -180÷0oC

Trong đó A,B,C là các hằng số, Ro là điện trở ở 0oC

Nhược điểm: có đặc tính phi tuyến, không dùng trong môi trường oxy hóa khử, nhưng có độ bền hóa học cao, tính dẻo lớn, có thể chế tạo thành sợi mỏng nên được sử dụng rộng rãi

 Nhiệt điện trở Đồng: Dải nhiệt độ làm việc của nhiệt điện trở đồng trong khoảng từ -50oC÷180oC Phương trình đặc trưng của nó được biểu diễn dưới dạng: RT=Ro (1+αt) trong đó:t) trong đó:

- αt) trong đó: = 4,3.10-3 (1/oC) là hệ số nhiệt độ của nhiệt điện trở

- Ro là điện trở ở 0oC

 Nhiệt điện trở Niken: Niken có thể sử dụng đến nhiệt độ 250÷300oC Trong khoảng tử 0÷100oC, αt) trong đó:=5.10-3 (1/oC) Tính chất điện của Niken phụ thuộc nhiều vào tạp chất và quá trình nhiệt luyện Ưu điểm của Niken là điện trở suất cao, hệ số nhiệt lớn cho phép chế tạo được các chuyển đổi có kích thước nhỏ

Để sử dụng cho mục đích công nghiệp các nhiệt điện trở có vỏ bọc tốt, chống được va chạm và rung mạnh…

Hình 1.1 Hình ảnh của nhiệt điện trở kim loại trong thực tế

 Nhiệt điện trở bán dẫn:

 Nhiệt điện trở bán dẫn được chế tạo từ hỗn hợp nhiều oxit kim loại khác nhau (ví dụ như: MnO, NiO, CoO…) Quan hệ giữa nhiệt điện trở và nhiệt độ được đặc trưng bởi biểu thức:

RT = A.eβ/T

Trong đó A: Hằng số chất phụ thuộc vào tính chất vật lý của chất bấn dẫn, kích thước và hình dạng của vật

β: Hằng số chất phụ thuộc vào tính chất vật lý của chất bán dẫn.

T: Nhiệt độ tuyệt đối

 Phân loại:

- Hệ số nhiệt dương PTC-điện trở tăng theo nhiệt độ

- Hệ số nhiệt âm NTC- điện trở giảm theo nhiệt độ

 Cấu tạo:

Hình 1.2 Cấu tạo nhiệt điện trở bán dẫn

 Ưu điểm: bền, rẻ tiền, dễ chế tạo

 Nhược điểm: có hệ số phi tuyến giữa điện trở với nhiệt độ Điều này gây khó khăn cho việc khắc độ Do đó người ta ít dùng làm cảm biến

đo nhiệt

b Một số mạch đo cho nhiệt điện trở

 Mạch đo sử dụng nguồn dòng:

Hình 1.3 Mạch đo sử dụng nguồn dòng

Trong đó: Ura= I RRT (R2/R1)

 Mạch đo dạng mạch cầu

Hình1.4 Mạch đo dạng mạch cầu

1.1.2 Đo nhiệt độ bằng cặp nhiệt ngẫu

a Cấu tạo

Hình 1.5 Cấu tạo đầu đo của cặp nhiệt ngẫu

Đầu đo của cặp nhiệt ngẫu gồm 2 kim loại khác nhau được hàn chung với nhau Một đầu gọi là đầu nóng Hai đầu còn lại không được hàn với nhau được gọi là đầu lạnh(đầu tự do)

b Nguyên lý làm việc

Khi có chênh lệch nhiệt độ giữa đầu nóng và lạnh của cặp nhiệt thì ở ngõ ra của cặp nhiệt sẽ xuất hiện sức điện động phụ thuộc vào sự chênh lệch nhiệt độ và bản chất của vật liệu dùng để chế tạo cảm biến

Xét một cặp nhiệt điện được chế tạo từ 2 kim loại A và B như hình vẽ:

e= K (T1-T2) = K.∆T

Trong đó K là độ nhạy của cặp nhiệt(µV/oC)

Hình1.6 Cấu tạo của cặp nhiệt ngẫu

 Một số loại cặp nhiệt ngẫu thường dùng:

 Hệ số K của một số cặp nhiệt:

c Mạch bù nhiệt độ đầu tự do:

- Dùng nước đá

Hình 1.7 Mạch bù nhiệt độ đầu tự do dùng nước đá ở 0 o C

Phương pháp này ít được dùng vì khó duy trì nhiệt độ lúc nào cũng là 0oC

- Dùng cầu bù:

Hình 1.8 Mạch dung cầu bù

Phương pháp này được dùng phổ biến hơn bằng cách điều chỉnh giá trị biến trở hợp lý thì sức điện động ra sẽ không phụ thuộc vào nhiệt độ đầu tự do chỉ phụ thuộc nhiệt độ đầu đo theo 1 hệ số tỉ lệ

Một số loại IC phổ biến:

1.2 Đo nhiệt độ bằng phương pháp không tiếp xúc

Phương pháp này được sử dụng khi đo nhiệt độ bề mặt của vật ở xa, cao, khó tiếp cận, trong môi trường khắc nghiệt(đường ống trên cao, nhệt độ khu vực quá nóng và nguy hiểm đến tính mạng)

Có 2 phương pháp chính: Đo bằng hồng ngoại và hỏa quang kế

1.2.1 Đo bằng hồng ngoại

 Nhiệt kế hồng ngoại (IRT) cơ bản bao gồm 4 thành phần :

 Ống dẫn sóng: để thu năng lượng phát ra từ bia (target)

 Cảm biến hỏa nhiệt kế: có tác dụng chuyển đổi năng lượng sáng tín hiệu điện

 Bộ điều chỉnh độ nhạy: để phối hợp phép đo của thiết bị hồng ngoại với chỉ số bức xạ của vật thể được đo

 Mạch cảm biến bù nhiệt: đảm bảo sự thay đổi nhiệt độ phía bên trong thiết bị

 Công nghệ hồng ngoại sử dụng bước sóng từ 0.7µm-14µm Các bước sóng cao hơn thì năng lượng quá thấp, cảm biến hồng ngoại không thể nhận ra được

 Bất kể một vật nào trên -273oC đều phát ra bức xạ điện tử, theo định luật Flanck:

ε = h.f = h.1/T = h.1/(c.λ))Trong đó: ε : là mức năng lượng

Hình 1.9 Hình ảnh về thiết bị đo nhiệt độ bằng cảm biến hồng ngoại

1.2.2 Hỏa quang kế

Trong công nghiệp khi nhiệt độ cao (trên 1600oC) thì ta dùng hỏa quang kế Hỏa quang kế chia làm 3 loại:

 Hỏa quang kế bức xạ:

- Nguyên lý: Năng lượng bức xạ toàn phần của một vật đen tuyệt đối

tỉ lệ với lũy thừa bậc 4 nhiệt độ của vật:

Ebx=σ.T4

Ebx: Năng lượng bức xạσ: hệ số phát xạ tuyệt đốiNăng lượng bức xạ này sẽ làm nóng một tổ hợp cặp nhiệt trong hỏa quang kế và phát sinh ra sức điện động nhiệt điện

- Thông thường có 2 loại: hỏa kế bức xạ có ống kính hội tụ, hỏa kế bức xạ có kính phản xạ:

Hình 1.10 Cấu tạo hỏa quang kế bức xạ:

a) Loại có ống kính hội tụ b) Loại có kính phản xạ

+ 5: dụng cụ đo thứ cấp

- Hoạt động:

 Trong hình 7a), ánh sáng từ nguồn bức xạ (1), qua thấu kính hội tụ (2) đập tới bộ phận thu năng lượng bức xạ (4), bộ phận này được nối với dụng cụ đo thứ cấp

 Trong hình 7b), ánh sáng từ nguồn bức xạ (1), đập tới gươngphản xạ (3) và hội tụ tới bộ phận thu năng lượng bức xạ (4),

bộ phận này được nối với dụng cụ đo thứ cấp

Hình 1.12 Sự phụ thuộc của cường độ ánh sáng vào bước sang và nhiệt

+ Một bóng đèn tham chiếu được cấp nguồn bởi pin

+ Một biến trở để thay đổi dòng điện từ đó thay đổi cường độ sáng+ Một màn ngăn được lắp ráp giữa thấu kính quang học và bóng đèn tham chiếu để tăng dải nhiệt độ đo được

+ Một tấm lọc màu đỏ đặt giữa kính mắt và bóng đèn tham chiếu giúp thu hẹp dải của bước song ánh sáng

- Hoạt động: Bức xạ nhiệt từ nguồn phát ra và được thấu kính quang

học thu lại Ống kính giúp tập trung bức xạ nhiệt vào bóng đèn tham chiếu Người theo dõi quan sát quá trình thông qua kính mắt

và điều chỉnh sao cho dây tóc bóng đèn sáng nét ở trung tâm và dây tóc chồng lên hình ảnh nguồn nhiệt, sau đó thay đổi giá trị dòng điện trong bóng đèn tham chiếu, dẫn đến thay đổi cường độ sáng bóng đèn Các trường hợp xảy ra :

+ Dây tóc bóng đèn sẫm màu: tức là nhiệt độ của nó thấp hơn nguồn nhiệt.

+ Dây tóc bóng đèn sáng màu: tức là nhiệt độ của nó cao hơn nguồn nhiệt

+ Dây tóc biến mất: khi đó nhiệt độ của nguồn nhiệt và bóng điện là tương đương Khi đó giá trị dòng điện chạy trong bóng đèn tham chiếu là thước đo nhiệt độ của ánh sáng bức

xạ trong nguồn nhiệt

 Hỏa quang kế màu sắc:

- Cấu tạo:

Hình 1.14 Cấu tạo hỏa quang kế màu sắc

- Nguyên lý hoạt động: cường độ bức xạ từ vật đo (1) qua thấu kính

hội tụ và tập trung ánh sáng trên đĩa quay, đĩa này quay quanh trục nhờ động cơ xoay chiều Sau khi ánh sáng qua đĩa thì đi đến phần

tử quang điện Trên đĩa quay có khoan một số lỗ, trong đó một nửađặt bộ lọc màu đỏ còn nữa kia đặt bộ lọc màu xanh Sự chênh lệch giữa hai dòng quang điện do các xung lượng tạo ra gây nên trong

bộ khuếch đại, một tín hiệu tỷ lệ với lôgarít tự nhiên của tỷ số hai dòng quang điện khi tấm chắn quay

CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN, LỰA CHỌN VÀ THIẾT KẾ

MẠCH ĐO

2.1 Sơ đồ khổi hệ thống

Trong đó cảm biến sử dụng là cảm biến pt100 2 dây mắc nối tiếp với một

mạch tạo nguồn dòng 1mA Điện áp rơi trên cảm biến được đưa vào một đầu của

bộ khuếch đại đo lường Đầu còn lại của bộ khuếch đại nối với mạch phân áp 0.1V.Đầu ra của bộ khuếch đại được đưa vào ADC 0804 để chuyển tín hiệu từ tương tự sang tín hiệu số Từ ADC tín hiệu được chuyển sang vi xử lý để tính toán và hiển thị lên LCD

2.2 Lựa chọn linh kiện

2.2.1 Pt-100 2 dây

 Khái quát về Pt-100

Pt (Platinum resistance thermometers) có nghĩa là nhiệt điện trở bạch kim Vì bạch kim có tính chất thay đổi điện trở theo nhiệt độ tốt hơn các loại kim loại khác nên chúng được sử dụng rộng rãi trong các nhiệt điện trở Pt-100 là một đầu dò cảm

biến nhiệt bên trong có các lõi được làm bằng bạch kim Bên ngoài có bọc một số lớp bảo vệ cho phần lõi bên trong nhưng vẫn truyền nhiệt tốt cho phần lõi

 Cấu tạo của Pt-100

Hình 2.1 Cấu tạo của đầu cảm biến nhiệt độ Pt-100

Cấu tạo của PT-100 không phải hoàn toàn bằng bạch kim Việc chế tạo bằngbạch kim là khá tốn kém cho một thiết bị đo thông dụng Vì thế chỉ có thành phần cảm biến nhiệt mới thật sự là bạch kim Nhằm giảm thiều chi phí sản suất các thành phần khác của Pt-100 có thể được làm bằng thép không gỉ, đồng, chất bán dẫn, tấm thủy tinh siêu mỏng…

 Nguyên lý hoạt động của Pt-100

Nguyên lý hoạt động của Pt-100 đơn giản dựa trên mối quan hệ mật thiết giữa điệntrở của kim loại và nhiệt độ Khi nhiệt độ tăng, điện trở của kim loại cũng tăng theo quan hệ:

RT=Ro (1+αt) trong đó:t+βt2+γ(t-100)3)+ αt) trong đó:=3.9083.10-3

+ Pt-100 3 dây:

+ Pt-100 4 dây:

Trong đó Pt-100 4 dây có độ chính xác cao nhất vì triệt tiêu điện áp rơi trên điện trở dây dẫn Trong đề tài này, nhóm em sử dụng Pt-100 2 dây

 Ưu điểm của Pt-100

 Có thể chế tạo với độ tinh khiết rất cao (99,99%) do đó tăng độ chính xác của các tính chất điện

 Có tính trơ về mặt hoá học và tính ổn định cấu trúc tinh thể cao do đó đảmbảo tính ổn định cao về các đặc tính dẫn điện trong quá trình sử dụng

 Hệ số nhiệt điện trở ở 0ºC bằng 3,9.10-3/ ºC

 Điện trở ở 100ºC lớn gấp 1,385 lần so với ở 0ºC

 Dải nhiệt độ làm việc khá rộng từ -200ºC ÷ 1000ºC.

 Có quan hệ điện trở và nhiệt độ gần như tuyến tính và hệ số tăng nhiệt độcủa điện trở đủ lớn để cho việc lấy kết quả đo dễ dàng

Hình 2.2 Đặc tính của điện trở Pt-100 so với Ni-100

2.2.2 Vi điều khiển 8051

 Cấu tạo

MCS-51 là họ IC vi điều khiển do hãng Intel sản xuất Các IC tiêu biểu cho họ là

8031, 8051, 8951 Những đặc điểm chính và nguyên tắt hoạt động của các bộ vi điều khiển này khác nhau không nhiều Các đặc điểm của 8051 được tóm tắt như sau :

- 4 KB ROM nội

- 128 Byte RAM on-chip

- 4 Port xuất /nhập I/O 8 bit

- Truyền thông nối tiếp UART

- 64 KB vùng nhớ dữ liệu ngoại

- Có thực hiện lệnh trên từng bit

- Nhân chia trong 4µs

- 2 bộ định thời 16 bit

Hình 2.3 Sơ đồ khối 8051

 Đặc điểm cấu trúc

Hình 2.4 Sơ đồ các chân 8051

Chức năng của các chân được tóm tắt như sau:

- Từ chân 1 8 Port 1 (P1.0…P1.7) dùng làm Port xuất nhập I/O đểgiao tiếp bên ngoài

- Chân 9 (RST) là chân để RESET cho 8051 Bình thường các chân này

ở mức thấp Khi ta đưa tín hiệu này lên cao (tối thiểu 2 chu kỳ máy).Thì những thanh ghi nội của 8051 được nạp những giá trị khởi tạo banđầu để khởi động lại hệ thống

- Từ chân 1017 là Port3 (P3.0, P3.1, , P3.7) có hai mục đích : dùng

là Port xuất/nhập (I/O) hoặc mỗi chân giữ một chức năng riêng nhưsau:

+ P3.0 (RXD): Nhận dữ liệu từ Port nối tiếp

+ P3.1 (TXD): Truyền dữ liệu từ Port nối tiếp

+ P3.2 (INT0): Ngắt ngoài 0+ P3.3 (INT1): Ngắt ngoài 1+ P3.4 (T0): Timer/Counter 0 + P3.5 (T1): Timer/Counter 1 + P3.6 (WR): Tín hiệu Strobe ghi dữ liệu lên bộ nhớ bên ngoài.+ P3.7 (RD): Tín hiệu Strobe đọc dữ liệu lên bộ nhớ bên ngoài

- Các chân 18, 19 (XTAL2 và XTAL1) được nối với bộ dao động thạchanh 12 MHz để tạo dao động trên CHIP.

- Chân 20 (Vss) nối đất (Vss = 0)

- Từ chân 2128 là Port 2 (P2.0, P2.1, , P2.7) có hai mục đích: làmPort xuất/nhập (I/O) hoặc dùng làm byte cao của bus địa chỉ khi tamuốn dùng EPROM và RAM ngoài

- Chân 29 (PSEN) dùng để ghép nối tiếp với bộ nhớ ngoài nhằm để đọcchương trình từ bộ nhớ ngoài

- Chân 30 (ALE: Address Latch Enable) là tín hiệu điều khiển xuất racủa 8051, nó cho phép phân kênh bus địa chỉ và bus dữ liệu của Port0

- Chân 31 (EA) cho phép truy nhập bố nhớ trong hay ngoài

 Vùng RAM đa mục đích: có 80 byte từ địa chỉ 30H7FH Bất

kỳ vị trí nào trong RAM mục đích chung cũng có thể được truy xuất tự do bằng cách sử dụng các kiểu định địa chỉ trực tiếp haygián tiếp

 Vùng RAM định địa chỉ bit: 8051 chứa 210 vị trí có thể định vị bit, trong đó có 128 bit nằm ở các địa chỉ từ 20H2FH và phần còn lại là các thanh ghi chức năng đặc biệt

 Các dãy thanh ghi (Register Banks): 32 vị trí nhớ cuối cùng của

bộ nhớ từ địa chỉ byte 00H1FH chức các dãy thanh ghi Tậphợp các lệnh của 8051 cung cấp 8 thanh ghi từ R0R7 ở địa chỉ00H07H nếu máy tính mặc nhiên chọn để thực thi Nhữnglệnh tương đương dùng sự định vị trực tiếp Những giá trị dữliệu được dùng thường xuyên chắc chắn sẽ sử dụng một trongcác thanh ghi này

 Các thanh ghi chức năng đặc biệt:

+ Thanh ghi từ trạng thái chương trình PSW: địa chỉ D0H+ Thanh ghi B: địa chỉ F0H, dùng chung vơi thanh ghi A trong các phép nhân và chia

+ Con trỏ Stack: địa chỉ 81H, chứa địa chỉ của dữ liệu hiện đang ở đỉnh của stack

+ Con trỏ dữ liệu DPTR: là thanh ghi 16 bit có địa chỉ 82H

và 83H, dùng truy xuất bộ nhớ chương trình hoặc bộ nhớ

dữ liệu ngoài

+ Các thanh ghi Port: Port 0, Port 1, Port 2, Port 3

+ Các thanh ghi định thời: 8051 có 2 bộ đếm/định

thời( counter/timer) 16 bit để định thời các khoảng thời gian hoặc đếm sự kiện Hoạt động của bộ định thời được thiết lập bởi thanh ghi TMOD và TCON

+ Các thanh ghi Port nối tiếp: bên trong 8051 có 1 port nối tiếp để truyền thông với các thiết bị đầu cuối, moderm,

IC khác Bộ đệm dữ liệu nối tiếp SBUFF ở địa chỉ 99H làm nhiệm vụ ghi dữ liệu truyền đi và nhận dữ liệu truyền

về

+ Các thanh ghi ngắt: 8051 có 5 nguyên nhân ngắt Các nguồn ngắt được cho phép bởi thanh ghi IE ở địa chỉ

A8H Các mức ưu tiên ngắt được điều khiển bởi thanh ghi IP ở địa chỉ B8H.

2.2.3 ADC 0804

Chip ADC0804 là bộ chuyển đổi tương tự số thuộc họ ADC800 của hãng National Semiconductor Chip này cũng được nhiều hãng khác sản xuất Chip có điện áp nuôi +5V và độ phân giải 8 bit Ngoài độ phân giải thì thời gian chuyển đổicũng là một tham số quan trọng khi đánh giá bộ ADC Thời gian chuyển đổi được định nghĩa là thời gian mà bộ ADC cần để chuyển một đầu vào tương tự thành một

số nhị phân Đối với ADC0804 thì thời gian chuyển đổi phụ thuộc vào tần số đồng

hồ được cấp tới chân CLK và CLK IN và không bé hơn 110µs

Các chân chức năng:

 CS (Chip select): Chân số 1, là chân chọn chip, đầu vào tích cực mức thấp

được sử dụng để kích hoạt Chip ADC0804 Để truy cập tới ADC0804 thì chân này phải được đặt ở mức thấp

 RD (Read): Chân số 2, là chân nhận tín hiệu vào tích cực ở mức thấp Các

bộ chuyển đổi của 0804 sẽ chuyển đổi đầu vào tương tự thành số nhị phân

và giữ nó ở một thanh ghi trong Chân RD được sử dụng để cho phép đưa

dữ liệu đã được chyển đổi tới đầu ra của ADC0804 Khi CS = 0 nếu có một xung cao xuống thấp áp đến chân RD thì dữ liệu ra dạng số 8 bit được đưa tới các chân dữ liệu (DB0 – DB7)

 WR (Write): Chân số 3, đây là chân vào tích cực mức thấp được dùng báo

cho ADC biết để bắt đầu quá trình chuyển đổi Nếu CS = 0 khi WR tạo ra xung cao xuống thấp thì bộ ADC0804 bắt đầu quá trình chuyển đổi giá trị đầu vào tương tự Vin thành số nhị phân 8 bit Khi việc chuyển đổi hoàn tất thì chân INTR được ADC hạ xuống thấp

 CLK IN và CLK R: CLK IN (chân số 4), là chân vào nối tới đồng hồ

ngoài được sử dụng để tạo thời gian Tuy nhiên ADC0804 cũng có một bộ tạo xung đồng hồ riêng Để dùng đồng hồ riêng thì các chân CLK IN và CLK R (chân số 19) được nối với một tụ điện và một điện trở Khi đó tần sốđược xác định bằng biểu thức:

f = 1/(1.1*RC)

Với R = 10 kΩ, C = 150 pF ,f = 606 kHz và thời gian chuyển đổi là 110 µs

 Ngắt INTR (Interupt): Chân số 5, là chân ra tích cực mức thấp Bình

thường chân này ở trạng thái cao và khi việc chuyển đổi tương tự số hoàn tất thì nó chuyển xuống mức thấp để báo cho CPU biết là dữ liệu chuyển