Nghiên cứu các tính chất của màng PZT nhằm chế tạo cảm biến áp điện định hướng ứng dụng trong y sinh

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ QUỲNH CHI NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT CỦA MÀNG PZT NHẰM CHẾ TẠO CẢM BIẾN ÁP ĐIỆN ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG TRONG Y SINH LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU HÀ NỘI – 2016 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ QUỲNH CHI NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT CỦA MÀNG PZT NHẰM CHẾ TẠO CẢM BIẾN ÁP ĐIỆN ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG TRONG Y SINH Chuyên ngành: Mãsố: Vật liệu điện tử 62440123 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS TS VŨ NGỌC HÙNG TS NGUYỄN ĐỨC MINH HÀ NỘI - 2016 LỜI CAM ĐOAN Tôi cam đoan: cơng trình nghiên cứu riêng hướng dẫn PGS TS Vũ Ngọc Hùng TS Nguyễn Đức Minh, thực Viện Đào tạo Quốc tế Khoa học Vật liệu – Viện ITIMS, Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội Các số liệu kết luận án hoàn tồn trung thực chưa cơng bố cơng trình Người hướng dẫn Tác giả luận án PGS TS Vũ Ngọc Hùng Nguyễn Thị Quỳnh Chi i LỜI CẢM ƠN Lời xin bày tỏ lòng kính trọng biết ơn sâu sắc đến PGS.TS Vũ Ngọc Hùng TS Nguyễn Đức Minh, người Thầy tận tình hướng dẫn, tạo điều kiện thuận lợi truyền cho động lực nghiên cứu suốt thời gian thực luận án Các Thầy thực nhà khoa học mẫu mực, quan tâm, động viên, giúp đỡ khích lệ tơi gặp khó khăn cơng việc sống, học trò chia sẻ thất bại lẫn thành công Được nghiên cứu khám phá khoa học, học trò Thầy, học tập Thầy tinh thần tận tụy với học trò nghiêm túc nghiên cứu khoa học Tôi xin trân trọng cảm ơn Bộ Giáo dục Đào tạo, Bộ Nông nghiệp Phát triển Nông thôn, Trường Đại học Bách Khoa Hà nội, Viện Đào tạo Quốc tế Khoa học Vật liệu (ITIMS), Trường Đại học Lâm nghiệp nơi nuôi dưỡng tri thức tạo điều kiện thuận lợi thời gian, vật chất, tinh thần để thực luận án Tôi xin cảm ơn PGS TS Trịnh Quang Thơng, TS Chu Mạnh Hồng, TS Vũ Thu Hiền, Th S Nguyễn Thanh Hương, ThS Phạm Ngọc Thảo, Cử nhân Nguyễn Tài cám ơn bạn nhóm MEMS Viện ITIMS thường xuyên quan tâm động viên có nhiều bàn luận khoa học ý kiến đóng góp quý giá cho tơi q trình thực luận án Tơi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới tập thể cán Bộ môn Vật lý, Khoa Cơ điện công trình, Trường Đại học Lâm nghiệp động viên, chia sẻ giúp đỡ suốt thời gian qua Tôi xin cảm ơn bạn bè người thân động viên, giúp đỡ tơi để tơi có điều kiện thực luận án Cuối cùng, xin gửi tới người thân gia đình lòng biết ơn vô tận Sự động viên, hỗ trợ hy sinh thầm lặng chồng, con, anh em thực nguồn động lực vô mạnh mẽ giúp kiên trì vượt qua trở ngại để đến thành công Hi vọng hai Bảo Ngân - Nguyệt Anh nỗ lực học tập để vươn tới thành công đường học vấn Hà Nội, ngày tháng năm 20 Tác giả ii MỤC LỤC Trang LỜI CAM ĐOAN i LỜI CẢM ƠN .ii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU vi BẢNG DANH MỤC THUẬT NGỮ vii BẢNG DANH MỤC CÁC BẢNG vii DANH MỤC CÁC HÌNH ẢNH, ĐỒ THỊ iix GIỚI THIỆU LUẬN ÁN 1 Mở đầu Nhiệm vụ luận án Ý nghĩa khoa học và những đóng góp luận án 3.1 Ý nghĩa khoa học 3.2 Những đóng góp luận án Bố cục luận án CHƯƠNG CƠ SỞ LÝ THUYẾT 1.1 Lý thuyết sở vật liệu sắt điện 1.1.1 Phân cực tự phát 1.1.1.1 Tính đối xứng 1.1.1.2 Hiện tượng sắt điện 1.1.1.3 Hiện tượng phản sắt điện 1.1.1.4 Hiện tượng hỏa điện 1.1.1.5 Hiện tượng áp điện 1.1.2 Lý thuyết chuyển pha sắt điện Ginzburg-Landau 10 1.1.3 Giới thiệu vật liệu sắt điện 14 1.1.4 Đô men sắt điện 16 1.1.4.1 Sự hình thành men 16 1.1.4.2 Cấu trúc đô men tĩnh vật liệu màng 18 1.1.4.3 Phân bố véc tơ phân cực 19 1.1.4.4 Chuyển vách đô men sắt điện 20 1.1.5 Hiện tượng ghim đô men 222 1.2 Tổng quan về vật liệu PZT 22 1.2.1 Ảnh hưởng thành phần pha 22 1.2.2 Sự phụ thuộc vào định hướng màng 25 1.2.3 Bề dày, lớp tiếp xúc kích thước hạt 28 iii 1.2.4 Động học men (hình thành men/ hình thành dịch chuyển vách men) 31 1.2.5 Tính chất mỏi 33 1.2.6 Ảnh hưởng cấu trúc dị lớp đến tính chất màng PZT 34 1.2.7 Ảnh hưởng tạp chất đến cấu trúc, tính chất màng PZT 35 1.3 Một số ứng dụng màng PZT 40 Kết luận chương 41 CHƯƠNG CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 43 2.1 Phương pháp chế tạo màng sắt điện PZT 43 2.1.1 Tổng quan phương pháp chế tạo sol-gel 43 2.1.2 Chế tạo màng PZT phương pháp quay phủ sol-gel 45 2.1.2.1 Vật liệu tạo sol 45 2.1.2.2 Quy trình cơng nghệ sol-gel chế tạo màng PZT 45 2.1.2.3 Quay phủ tạo màng 46 2.2 Phương pháp khảo sát tính chất màng 47 2.2.1 Phương pháp xác định cấu trúc màng 47 2.2.1.1 Nhiễu xạ tia X (XRD) 47 2.2.1.2 Các phương pháp xác định hình thái cấu trúc bề mặt 48 2.2.2 Các phương pháp khảo sát tính chất sắt điện - áp điện 49 2.2.2.1 Phương pháp khảo sát tính chất sắt điện 49 2.2.2.2 Phương pháp khảo sát tính chất điện môi 51 2.2.2.3 Phương pháp khảo sát tính chất áp điện 52 2.3 Công nghệ chế tạo linh kiện 54 2.3.1 Phương pháp ăn mòn khơ 57 2.3.2 Phương pháp ăn mòn ướt 57 Kết luận chương 57 CHƯƠNG NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT CỦA MÀNG SOL-GEL PZT 59 3.1 Tới ưu hóa tính chất màng PZT 59 3.1.1 Ảnh hưởng nhiệt độ ủ 59 3.1.2 Ảnh hưởng chiều dày màng PZT 63 3.2 Nghiên cứu tính chất màng PZT có cấu trúc dị lớp 67 Kết luận chương 77 CHƯƠNG NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA PHA TẠP Fe3+ và Nb5+ ĐẾN TÍNH CHẤT CỦA MÀNG PZT 79 4.1 Ảnh hưởng pha tạp Fe3+ đến tính chất màng PZT, dị lớp PFZT/PZT 79 4.1.1 Ảnh hưởng tạp Fe3+ đến tính chất màng PZT 79 iv 4.1.2 Ảnh hưởng tạp Fe3+ đến tính chất màng dị lớp PFZT/PZT 84 4.2 Ảnh hưởng việc pha tạp Nb5+ đến tính chất màng PZT 86 Kết luận chương 91 CHƯƠNG NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO LINH KIỆN PIEZOMEMS SỬ DỤNG MÀNG ÁP ĐIỆN PZT 93 5.1 Ảnh hưởng thông sớ cơng nghệ q trình ăn mòn 95 5.1.1 Ăn mòn lớp điện cực 95 5.1.2 Ăn mòn màng PZT 97 5.2 Linh kiện cảm biến dạng rung và màng chắn 101 5.2.1 Linh kiện cảm biến kiểu rung 101 5.2.1.1 Kết chế tạo linh kiện dạng rung 101 5.2.1.2 Khảo sát tính chất linh kiện 105 5.2.2 Linh kiện dạng màng chắn 108 5.2.2.1 Kết chế tạo linh kiện dạng màng chắn 108 5.2.2.2 Khảo sát tính chất màng chắn 109 5.3 Ứng dụng linh kiện cảm biến khối lượng việc phát hiện phân tử sinh học MHDA 112 Kết luận chương 118 KẾT LUẬN CHUNG 120 TÀI LIỆU THAM KHẢO 122 v DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU Ký hiệu , 0 Nguyên nghĩa Hằng số điện môi môi trường chân không   Điện trở suất màng A Diện tích tụ C Điện dung d Khoảng cách hai tụ (bề dày màng) dijk E, EC Độ cảm điện mơi Mơđun áp điện Điện trường ngồi, điện trường khử phân cực kp Hệ số liên kết điện n Thơng số đặc trưng cho hình dáng mode thứ n fFWHM fn Độ rộng bán vạch đỉnh cộng hưởng Tần số dao động cộng hưởng rung mode dao động thứ n n T Độ nhạy rung Pr, Ps Độ phân cực dư, bão hòa Độ dịch chuyển vị trí đầu (tip) rung Q Hệ số phẩm chất Qe Hệ số phẩm chất cộng hưởng điện Qm Hệ số phẩm chất RS Điện trở dây nối r Bán kính màng chắn Sjk Thành phần Tenxơ biến dạng T Nhiệt độ (°C, K) tan  Tang góc tổn hao Tc Nhiệt độ Curie Tjk Thành phần Tenxơ ứng suất Tm Nhiệt độ ứng với số điện môi cực đại (°C, K) U Điện zi Tọa độ lớp thứ i có mặt cấu trúc rung vi BẢNG DANH MỤC THUẬT NGỮ Thuật ngữ Nguyên nghĩa AF (Antiferroelectric phase) Pha không sắt điện AFM (Atomic Force Microscopy) Hiển vi lực nguyên tử CVD (Chemical vapor deposition) Phương pháp lắng đọng từ pha DRIE (Deep reactive-ion etching) Thiết bị quang khắc DTA (Differential Thermal Analysis) Phân tích nhiệt vi sai FRAM (Ferroelectric Memory) Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên sắt điện Random Acces Phương pháp epitaxy chùm phân tử MBE (Molecular beam epitaxy) MEMS (Micro Systems) Electro Mechanial Hệ thống vi điện tử MHDA Phân tử 16-Mercaptohexadecanoic a xít (HS-(CH2)15-COOH) P40 Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 P60 Pb(Zr0.6Ti0.4)O3 PFZT Pb([Zr0.52Ti0.48]Fe)O3 PNZT Pb(Zr0.52Ti0.48)1-xNbxO3 PSA (Prostate-specific antigen) Một chất gây bệnh ung thư người PZT Pb(TixZr1-x)O3 SAM (Self-assembled monolayers) Phần tự lắp ráp đơn lớp SEM (Scaning Electro Microscopy) Hiển vi điện tử quét SOI (Silicon on Insulators) Phiến Silic dạng SOI XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) Phương pháp phổ nhiễu xạ điện tử tia X vii DANH MỤC CÁC BẢNG Tên bảng STT Trang 1.1 Một số tinh thể sắt điện điển hình 15 1.2 Hệ số liên kết kp số điện môi εr hệ gốm PZT 38 1.3 Các tính chất điện mơi, áp điện gốm PZT PZT pha tạp Nb 40 2.1 Các hóa chất sử dụng cho tổng hợp PZT 45 2.2 Thông tin chi tiết trình tạo điện cực cho màng sắt điện PZT linh kiện 56 rung 4.1 Giá trị điện trường khử phân cực 83 4.2 Giá trị phân cực dư màng pha tạp cấu trúc dị lớp 86 4.3 Giá trị điện trường khử phân cực màng PZT PNZT 88 5.1 Thông số lớp có cấu trúc rung áp điện 106 viii [76] H Li, Z D Deng, Y Yuan, T J Carlson, (2012) Design Parameters of a Miniaturized Piezoelectric Underwater Acoustic Transmitter, Sensors 12, 9098-9109 [77] H N Lee, A Visinoiu, S Senz, C Harnagea, A Pignolet, D Hesse, and U GÄ osele, (2000) Structural and electrical anisotropy of (001), (116), and (103) oriented epitaxial SrBi2Ta2O9 thin Films on SrTiO3 substrates grown by pulsed laser deposition J Appl Phys., 88(11): 6658 [78] H N Vu, M V Le, H T Bui and M D Nguyen, (2009) Improvement of electrical property for Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 ferroelectric thin film deposited by sol-gel method on SRO electrode, J Phys.: Conf Ser 187 012063 [79] H Nazeer, (2012) Thin films on cantilevers, PhD thesis, University of Twente, The Netherlands [80] H S Choi, J L Ding, A Bandyopadhyay, M J Anderson, S Bose, (2008) Characterization and modeling of a piezoelectric micromachined ultrasonic transducer with a very large length/width aspect ratio, J Micromech Microeng 18, 025037 [81] H Sharma, R S Lakshmanan, B N Johnson and R Mutharasan, (2011) Piezoelectric cantilever sensors with asymmetric anchor exhibit picogram sensitivity in liquids, Sens Actuators B 153, 64-70 [82] H Yagubizade, M Darvishi, Y -Y Chen, M D Nguyen, J M Dekkers, R J Wiegerink, M C Elwenspoek and N R Tas, (2013) Pulsed-laser deposited Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3-on-silicon resonators with high-stopband rejection using feedthrough cancellation, Appl Phys Lett 102 063509 [83] Haccart T, Remiens D and Cattan E, (2003) Substitution of Nb doping on the structural, microstructural and electrical properties in PZT films, Thin Solid Films 423235 [84] Heywang W., Lubitz K., Wersing W (2008), Piezoelectricity, Evolution and Future of a Technology, Springer-Verlag, Berlin-Heidenberg [85] http://www.polytec.com/fileadmin/user_uploads/Products/Vibrometers/PSV400/Documents/OM_DS_PSV-400_2011_05_E.pdf [86] I Kanno, H Kotera, K Wasa, T Matsunaga, T Kamada, and R Takayama, (2003) Crystallographic characterization of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films with different Zr/Ti ratio grown by radio-frequency-magnetron sputtering, J Appl Phys 93, 4091 [87] I Kanno, S Hayashi, M Kitagawa, R Takayama, and T Hirao, (1994) Antiferroelectric PbZrO3 thin ¯lms prepared by multi-ion-beam sputtering Appl Phys.Lett., 66(2): 145 128 [88] I Kanno, S Hayashi, R Takayama, and T Hirao, (1996) Superlattices of PbZrO3 and PbTiO3 prepared by multi-ion-beam sputtering Appl Phys Lett., 68(3): 328-330 [89] I Stolichnov, (2004) in Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films, edited by Seungbum Hong, Ch II “Size effects in ferroelectric field capasitors: role of the film thickness and capacitor size,” Springer, New York, 40–47 [90] I Suzuki and K Okada, (1978) Phenomenological theory of antiferroelectric transition IV Ferroelectric J Phys Soc Jpn., 45(4): 1302 [91] Ionela Vrejoiu,a Yinlian Zhu, Gwenaël Le Rhun, Markus Andreas Schubert, Dietrich Hesse, and Marin Alexe, (2007) Structure and properties of epitaxial ferroelectric PbZr0.4Ti0.6O3 /PbZr0.6Ti0.4O3 superlattices grown on SrTiO3 (001) by pulsed laser deposition, Max Planck Institute of Microstructure Physics, D-06120 Halle, Germany, Appl Phys Lett 90, 072909 [92] J Ajitsaria, S Y Choe, D Shen and D J Kim, (2007) Modeling and analysis of a bimorph piezoelectric cantilever beam for voltage generation, Smart Mater Struct 16, 447–454 [93] J Chen, M.P.Harmer and D M.Smyth, (1994) Composition control of ferroelectric fatigue in perovskite ferroelectric ceramics and thin films, J.Appl.Phys 76 5394 [94] J F Scott, D Matthew, (2000) Oxygen-vacancy ordering as a fatigue mechanism in perovskite ferroelectrics, Applied Physics Letters 76, 3801–3803 [95] J F Shepard Jr., P J Moses, S Trolier-McKinstry, (1998) The wafer flexure technique for the determination of the transverse piezoelectric coefficient (d31) of PZT thin films, Sensors and Actuators A 71, 133-138 [96] J H Lee, K H Yoon, K S Hwang, J Park, S Ahn and T S Kim, (2004) Label free novel electrical detection using micromachined PZT monolithic thin film cantilever for the detection of C-reactive protein, Biosens Bioelectron 20 269-275 [97] J -H Li, L Chen, V Nagarajan, R Ramesh, and A L Roytburd, (2004) Finite element modeling of piezoresponse in nanostructured ferroelectric films, Appl Phys Lett 84, 2626 [98] J Junquera and Ph Ghosez, (2003) Critical thickness for ferroelectricity in perovskite ultrathin films, Nature 422, 506 [99] J K Yang, W S Kim, and H H Park, (2001) Effect of grain size of Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 sol-gel derived thin films on the ferroelectric properties, Appl Surf Films 169, 544 [100] J L Jones,A Pramanick, J.C.Nino, S.M.Motahari,E ăUstă undag,M R Daymond, and E C Oliver, (2007) Time-resolved and orientationdependent electric-fieldinduced strains in lead zirconate titanate ceramics, Appl Phys Lett 90, 172909 129 [101] J Lee, L Johnson, A Safari, R Ramesh, T Sands, H Gilchrist, and V G Keramidas, (1993) Effects of crystalline quality and electrode material on fatigue in Pb(Zr,Ti)O3 thin film capacitors, Appl Phys Lett 63, 27 [102] J M Herbert, (1982) Ferroelectric Transducers and Sensors, Measurement, Instrumentation, and Sensors Handbook, Second Edition Gordon and Breach, New York [103] J Pérez de la Cruz, E Joanni, P.M Vilarinho, A.L Kholkin, (2010) Thickness effect on the dielectric, ferroelectric, and piezoelectric properties of ferroelectric lead zirconate titanate thin films, J Appl Phys., 108, pp 114106 [104] J S Cross, K Shinozaki, T Yoshioka, J Tanaka, S.H Kim, H Morioka, K Saito, (2010) Characterization and ferroelectricity of Bi and Fe co-doped PZT films, Materials Science and Engineering B 173, 18–20 [105] J S Horwitz, K S Grabowski, D B Chrisey, and R E Leuchtner, (1991) In situ deposition of epitaxial PbZrxTi(1-x)O3 thin Films by pulsed laser deposition Appl Phys Lett., (13): 1565 [106] J Schwarzkopf and R Fornari (2006) Epitaxial growth of ferroelectric oxit Films Prog Cryst Growth & Charact., 52: 159 [107] J W Jang, S J Chung, W J Cho, T S Hahn, and S S Choi, (1997) Thickness dependence of room temperature permittivity of polycrystalline BaTiO3 thin films by radio-frequencymagnetron sputtering, J Appl Phys 81, 6322 [108] J Zhai, X Yao, Z Xu, and H Chen, (2005) Integrated Ferroelectrics, vol 75, pp 47 [109] Jeon Y B, Sood R, Jeong J H and Kim S G, (2005) MEMS power generator with transverse mode thin film, Sensors and Actuators A: Physical 122 (1), 16-22, 2005 [110] Jian Lu, Yi Zhang, Takeshi Kobayashi, Ryutaro Maeda, Takashi Mihara, (2007) Preparation and characterization of wafer scale lead ziconate titanate film for MEMS application, Sensor and Actuators A 139, 152-157 [111] John F Moulder, William F Stickle, Peter E Sobol, Kenneth D Bomben, (1979) Handbook of X Ray Photoelectron Spectroscopy Perkin – Elmer Corporation Physical Electronic Devision, USA [112] K Abe and S Komatsu, (1995) Ferroelectric properties in epitaxially grown Ba x Sr1−x TiO3 thin films J App Phys 77, 6461 [113] K Carl and K H Haerdtl, (1978) Electrical after-effects in Pb(Ti,Zr)O3 ceramic, Ferroelectrics 17, 473-486 130 [114] K Matsuura, Y Cho, and R Ramesh, (2003) Observation of domain walls in PbZr0.2Ti0.8O3 thin film using scanning nonlinear dielectric microscopy, Appl Phys Lett 83, 2650 [115] K Ramam, V Miguel, (2006) Microstructure, dielectric and ferroelectric characterization of Ba doped PLZT ceramics, Eur Phys J Appl Phys 35 43-47 [116] K S Hwang, S M Lee, K Eom, J H Lee, Y S Lee, J H Park, D S Yoon and T S Kim, Nanomechanical microcantilever operated in vibration modes with use of RNA aptamer as receptor molecules for label-free detection of HCV helicase, Biosens Bioelectron 23 (2007) 459-465 [117] K S Hwang, S M Lee, S K Kim, J H Lee, T S Kim, (2009) Micro- and Nanocantilever Devices and Systems for Biomolecule Detection, Ann Rev Analyt Chem 2, 77-98 [118] K S Yun, E Yoon, (2006) Micropumps for MEMS/NEMS and Microfluidic systems, in MEMS/NEMS Handbook Techniques and Applications, Editor T.L Cornelius, Springer-Verlag, 121-153 [119] Kayasu, M Ozenbas, (2009) The effect of Nb doping on dielectric and ferroelectric properties of PZT thin films prepared by solution deposition, Journal of the European Ceramic Society 29, 1157 [120] K–H Hellwege and A M Hellwege, ed., (1990) Complex Perovskite-type Oxits, Landolt-Bornstein: Oxits, Vol 16a, Springer-Verlag [121] Klissurska, R D., Brooks, K G., Reaney, I M., Pawlaczyk, C., Kosec, M and Setter, N., (1995) Effect of Nb doping on the microstructure of sol–gel-derived PZT thin films J Am Ceram Soc, 78, 1513 [122] Kurchania, R and Milne, S J., (2008) Effect of niobium modifications to PZT (53/47) thin films made by a sol–gel route J Sol–Gel Sci Technol., 28 143 [123] L E Cross, (1980) Encyclopedia of Chemical Technology 10, ed Kirk Othmer, Wiley [124] L E Cross (1967) Antiferroelectric-ferroelectric switching in a simple "Kittel" anti-ferroelectric J Phys Soc Jpn., 23(1): 77 [125] L Feigl, J Zheng, B I Birajdar, B J Rodriguez, Y L Zhu, M Alexe and D Hesse, (2009) Impact of high interface density on ferroelectric and structural properties of PbZr0.2Ti0.8O3/PbZr0.4Ti0.6O3 epitaxial multilayers, J Phys D: Appl Phys 42, 085305 [126] L Lian, N.R Sottos, (2004) Stress effects in sol-gel derived ferroelectric thin films, J Appl Phys., 95, pp 629-634 131 [127] Lee H N, Senz S, Zakharov N D, Harnagea C, Pignolet A, Hesse D and Gosele U, (2000) Nanoscale Characterisation of Ferroelectric Materials: Scanning Probe microscopy approach, Appl Phys Lett 77 3260 [128] Li B S., Li G R., Yin Q R., Zhu Z G., Ding A L., Cao W W (2005) Pinning and depinning mechanism of defect dipoles in PMnN–PZT ceramics, J Phys D: Appl Phys., 38, pp 1107–1111 [129] Li B S., Li G R., Zhao S C., Zhu Z G., Ding A L (2005) Reorientation of Defect Dipoles in Ferroelectric Ceramics, Chin Phys Lett, 22(5), pp 1236-1238 [130] Li B S., Zhu Z G., Li G R., Yin Q R., Ding A L (2004), Peculiar Hysteresis Loop of Pb(Mn1/3Nb2/3)O3- Pb(Zr,Ti)O3 Ceramics, Jpn J Appl Phys., 43(4A), pp 1458–1463 [131] Ling-Sheng Jang, and Kuo-Ching Kuo, (2007) Fabrication and Characterization of PZT Thick Films for Sensing and Actuation, Sensors, 7, pp 493-507 [132] M D Nguyen, C T Q Nguyen, L Q Nguyen, H T Vu, H N Vu and G Rijnders, (2015) Quality factor and mass sensitivity dependence on length, width and bending mode of piezoelectric thin film microcantilevers, submitted to Sensors and Actuators B [133] M D Nguyen, C.T.Q Nguyen, T.Q Trinh, T Nguyen, T.N Pham, G Rijnders and H.N Vu, (2013) Enhancement of ferroelectric and piezoelectric properties in PZT thin films with heterolayered structure Mater Chem Phys 138, 862 [134] M D Nguyen, M Dekkers, H N Vu, G Rijnders, (2013) Film-thickness and composition dependence of epitaxial thin-film PZT-based mass-sensors, Sensors and Actuators A 199, 98-105 [135] M D Nguyen, R J A Steenwelle, P M te Riele, J M Dekkers, D H A Blank and G Rijnders (2008), Growth and properties of functional oxit thin films for PiezoMEMS, in EUROSENSORS XXII Dresden-Germany, p 810-813 [136] M Es-Souni *, A Piorra, C.-H Solterbeck, M Abed, (2001) Processing, crystallization behaviour and dielectric properties of metallorganic deposited Nb doped PZT thin films on highly textured 111-Pt, B86 (2001) 237–244 [137] M Dawber, J.F Scott, (2000) A model for fatigue in ferroelectric perovskite thin films, Applied Physics Letters 76, 1060–1062 [138] M De Keijser, J F M Cillessen, R B F Janssen, A E M De Veirman, and D M de Leeuw, (1996) Structural and electrical characterization of heteroepitaxial lead zirconate titanate thin films, J.Appl Phys 79, 393 [139] M Dekkers, H Boschker, M van Zalk, M Nguyen, H Nazeer, E Houwman, G Rijnders, (2013) The significance of the piezoelectric coefficient d31,eff determined from cantilever structures, J Micromech Microeng 23 025008 132 [140] M Dekkers, M D Nguyen, R Steenwelle, P M te Riele, D H A Blank and G Rijnders, (2009) Ferroelectric properties of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 thin films on silicon by control of crystal orientation, Appl Phys Lett 95, 012902 [141] M H Lente and J A Eiras, (2000) 90 domain reorientation and domain wall rearrangement in lead zirconate titanate ceramics characterized by transient current and hysteresis loop measurements, J.Appl Phys 89, 5093 [142] M Iwata and Y Ishibashi (2000) Theory of morphotropic phase boundary in solid solution systems of perovskite-type oxit ferroelectrics: Engineered đô men congurations Jpn J Appl Phys., 39: 5156 [143] M J Haun, T J Harvin, M T Lanagan, Z Q Zhuang, S J Jang, and L E (1989) Cross Thermodynamic theory of PbZrO3 J Appl Phys., 65(8): 3173 [144] M J Madou, (2011) Fundamentals of Microfabrication and Nanotechnology, Volume II, Manufacturing Techniques for Microfabrication and Nanotechnology, Third Edition, CRC Press, Taylor & Francis Group [145] M K Durbin, J.C Hicks, S.-E Park, T.R Shrout, (2000) X-ray diffraction and phenomenological studies of the engineered monoclinic crystal đô mens in single crystal relaxor ferroelectrics, J Appl Phys., 87, pp.8159-8164 [146] M Stengel, N.A Spaldin, (2006) Origin of the dielectric dead layer in nanoscale capacitors, Nature, 443 (2006), pp 679-682 [147] M Tsukada, H Yamawaki, and M Kondo, (2003) Crystal structure and polarization phenomena of epitaxially grown Pb(Zr,Ti)O3 thin-film capacitors, Appl Phys Lett 83pp 4393-4395 [148] Mark Daniel Losego, (2005) The Chemical solution deposition of lead zirconate titanate (PZT) thin films directily on copper surfaces, Master of scienc [149] Michael A.Todd; PaulP Donohue; Rex Watton; Dennis J Williams; Carl J Anthony; Mark G Blamire, (2002) High-performance ferroelectric and magnetoresistive materials for next-generation thermal detector arrays, Proc SPIE 4795, Materials for Infrared Detectors II, 88 [150] Minh D Nguyen, Thong Q Trinh, M Dekkers, E.P Houwman, Hung N Vu and Guus Rijnders, (2014) Effect of dopants on ferroelectric and piezoelectric properties of lead zirconate titanate thin films on Si substrates, Ceramics International, 40 (2014) 1013-1018 [151] Minh Nguyen Duc, (2010) Ferroelectric and piezoelectric properties of epitaxial PZT films and devices on silicon, Ph.D thesis University of Twente, Enschede, The Netherlands, 2010, p.101 133 [152] N A Pertsev and A G Zembilgotov, (1996) Đô men populations in epitaxial ferroelectric thin films: Theoretical calculations and comparison with experiment, J Appl Phys 80, 6401 [153] N A Pertsev, , A G Zembil’gotov R Wazer, (1998) Effective dielectric and piezoelectric constants of thin polycrystalline ferroelectric films, Volume 40, Issue 12, pp 2002-2008, Phys Rev [154] N Izyumskaya, Y I Alivov, S J Cho, H Morkoỗ, H Lee, Y S Kang, Processing, structure, properties, and applications of PZT thin films, Crit Rev Solid State Mater Sci 32 (2007) 111-202 [155] N Yazdi, F Ayazi, and K Najafi., (1998) Micromachined inertial sensors, Proceedings of the IEEE 86 1640-1659 [156] Nava Setter, (2007) Electroceramic-Based MEMS: Fabrication-Technology and Applications, Springer Science-Bussiness Media, Newyork, USA [157] Nguyen Thi Quynh Chi, Pham Ngoc Thao, Nguyen Tai, Trinh Quang Thong, Nguyen Duc Minh and Vu Ngoc Hung, (2012) Improved ferroelectric and piezoelectric properties in PZT thin films with heterolayered structure, International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN), 13-14/12/2012, Hanoi, Vietnam, pp.128-131 [158] Nguyen Thi Quynh Chi, Pham Ngoc Thao, Nguyen Tai, Trinh Quang Thong, Vu Thu Hien, Nguyen Duc Minh, Vu Ngoc Hung, (2013) Fabricattion and improvement of electrical properties of heterolayered lead zirconate titanate (PZT) thin films, Tạp chí KH CN Trường Đại học Kỹ thuật, số 95C, pp 171-176 [159] Noheda B., Cox D E., Shirane G., Gonzalo J A., Cross L E., Park S E (1999) A Monoclinic Ferroelectric Phase in the Pb(Zr1- xTix)O3 Solid Solution, Appl Phys Lett., 74, pp 2059 [160] Noheda B., Gonzalo J A, Guo R., Park S E., Cross L E., Cox D E., Shirane G (2000) The Monoclinic Phase In PZT: New Light on Morphotropic Phase Boundaries, AIP Conf Proc., 535, pp 304-313 [161] Noheda B.,Cox D E., Shirane G., Guo R., Jones B., Cross L.E (2000) Stability of the monoclinic phase in the ferroelectric perovskite PbZr1- xTixO3, Phys Rev B, 63, p 014103 [162] O Auciello and A I Kingon,(1992) A critical view of physical vapor deposition techniques of the synthesis of ferroelectric thin Films IEEE 8-th International Symposium on Applications of Ferroelectrics, Proceedings, 1: 320 134 [163] O E Fesenko, R V Kolesova, and Yu G Sindeyev, (1978) The structural phase transition in lead zirconate in super-high electric Fields Ferroelectr., 20: 177 [164] O Lohse, D Bolten, M Grossmann, and R Waser, W Hartner, and G Schindler, (1998) Ferroelectric Random Access Memories: Fundamentals and Applications, Mater Res Soc Proc 267 Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York [165] Orlando Auciello, (1997) A critical comparative review of PZT and SBT - based science and technology for non-volatile ferroelectric memories, An International Journal, Volume 15, Issue 1-4, pages 211-220 [166] P Ari-Gur and L Benguigui, (1974) X-ray study of the PZT solid solutions near morphotropic phase transition Solid State Commun., 15: 1077 [167] P C Juan, J D Jiang, W C Shih, J Y M Lee, (2007) Effect of annealing temperature on electrical properties of metal-ferroelectric (PbZr0.53Ti0.47O3)insulator (ZrO2)- semiconductor (MFIS) thin-film capacitors, Microelectron Eng., 84, pp 2014- 2017 [168] P Gerber, U Bottger, and R Waser, (2006) Composition influences on the electrical and electromechanical properties of lead zirconate titanate thin films, J Appl Phys 100, 124105 [169] P K Clifford and D T Tuma, (1983) Characteristics of semiconductor gas sensors II Transient response to temperature change Sens Actuators B 3:255-281 [170] P K Larsen, G J M Dormans, D J Taylor, and P J v Veldhoven, (1994) Ferroelectric Properties and Fatigue of PbZr0.51Ti0.49O3 Thin Films of Varying Thickness: Blocking Layer Model, J Appl Phys., vol 76, pp 2405, 1994 [171] P Muralt, (2000) Ferroelectric thin films for micro-sensors and actuators: a review, J Micromech Microeng 10, pp 136–146 [172] P Muralt, (2002) PZT thin films for microsensors and actuators: Where we stand?, Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, IEEE Transactions on, Vol.47, Iss 4, pp 903 - 915 [173] Pham Ngoc Thao, (2013) optimization of fabrication parameters of Barium-doped Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 thin films on TiN/Si substrates using pulsed laze deposition, mater thesis of science material science, ITIMS, University of science and Technology, HN [174] Pham Ngoc Thao, Nguyen Tai, Nguyen Thi Quynh Chi, Vu Thu Hien, Nguyen Duc Minh* and Vu Ngoc Hung, (2013) Effect of dopants on the properties of ferroelectric PZT thin-films capacitors, Journal of science & technology ♣ No 95 – 2013 Proceedings of IWNA 2013, the 4th International workshop on Nanotechnology and application 135 [175] Q Cui, C Liu, X F Zha, (2007) Study on a piezoelectric micropump for the controlled drug delivery system, Microfluid Nanofluid 3, 377-390 [176] R Bittner, K Humer, H W Weber, K Kundzins, A Sternberg, D A Lesnyh, D V Kulikov, and Y V Trushin (2004) Oxygen vacancy defects in antiferroelectric PbZrO3 thin films heterostructures after neutron irradiation J Appl Phys., 96(6): 3239 [177] R Bouregba and G Poullain, (2003) Computation of the polarization due to the ferroelectric layer in a stacked capacitor from Sawyer–Tower hysteresis measurements,J Appl Phys., vol 93, pp 522 [178] R Bouregba, N Sama, C Soyer and D Remiens, Analysis of size effects in Pb(Zr0.54Ti0.46)O3 thin film capacitors with platinum and LaNiO3 conducting oxit electrodes, J Appl Phys 106 (2009) 044101 [179] R Dat, D J Lichtenwalner, O Auciello, and A I Kingon, (1994) The metalorganic CVD of lanthanunm nickelate electrodes for use in ferroelectric devices, Appl Phys Lett., vol 64, pp 2673 [180] R E Newnham, (1975) Structure-Property Relations, Springer-Verlag, New York [181] R Ramesh, A Inam, W K Cham, B Wilkens, K Myers, K Remschnig, D L Hart, and J M Tarascon, (1991) Epitaxial cuprate superconductor/ferroelectric heterostructures Science, 252: 944 [182] R Ramesh, H Gilchrist, T Sands, V G Keramidas, R Haakenaasen, and D.K Fork, (1993) FerroelectricLa-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O heterostructures on silicon via template growth, Appl Phys Lett 63, 3592 [183] R Ramesh,W K Chan, B.Wilkens, H Gilchrist, T Sands, J.M Tarascon, D K Fork, J Lee, and A Safari, (1992) Fatigue and retention in ferroelectric Y-Ba-CuO/Pb-Zr-Ti-O/Y-Ba-Cu-O heterostructures, Appl Phys Lett 61, 1537 [184] R W Whatmore, (1999) Ferroelectrics, microsystems and nanotechnology Ferroelectric, 225: 179, 1999 [185] S B Majumder, B Roy, R.S Katiyar, S.B Krupanidhi, (2001) Effect of axepto and donor dopants on polarization components of lead zirconate titanate thin films, Applied Physics Letters 79 239–242 [186] S B.Majumder, B.Roy, R.S.Katiyar, (2001) Effect of Nd doping on the dielectric and ferroelectric characteristics of sol-gel derived lead zirconate titanate (53/47) thin films, J.Appl.Phys 90, 2975 [187] S Buhlmann, B Dwir, J Baborovski, and P.Muralt, (2002) Size effect in mesoscopic epitaxial ferroelectric structures: Increase of piezoelectric response with decreasing feature size, Appl Phys Lett.80, 3195 136 [188] S D Bernstein, T Y Wang, Y Kisler, and R W Tustison, (1993) Fatigue of ferroelectric PbZrxTiyO3 capacitors with Ru and RuOX electrodes, J Mater Res 8, 12 [189] S D Berstein, Y Kisler, J M Wahl, S E Bernacki, and S R Collins, (1992) Effects of stoichiometry on PZT thin film capacitor properties, Mater Res Soc Symp Proc 243, 373 [190] S Dohn, W Svendsen, A Boisen and O Hansen, (2007) Mass and position determination of attached particles on cantilever based mass sensors, Rev Sci Instrum 78, 103303 [191] S H Bae, K B Jeon, and B M Jin, (2005) A study of enhanced memory effect in PZ/PZT multilayers thin Films (in PZ/PZT series sequences) prepared by sol-gel technique Ferroelectr., 398: [192] S -H Kim, D.-J Kim, J Hong, S Streiffer, and A Kingon, (1999) Ghim đô men and Fatigue Properties of Chemical Solution Derived Pb1–-xLax(ZryTi1–y)1–x/4O3 Thin Films, J Mater Res 14 (1999), 1371 [193] S H Kim, J.G Hong, J C Gunter, S.K Streiffer, and A I Kingon, (1998) Ferroelectric Thin Films VI, Mater Res Soc Symp Proc 493, Warrendale, PA, 131 [194] S R Sangawar, B Praveenkumar, H.H Kumar, D.K Kharat, (2011) Effect of Fe and Fe–Ba substitution on the piezoelectric and dielectric properties of lead zirconate titanate ceramics, Mater Science and Engineering B 176, 242 [195] S Sherrit, H D Wiederick, B K Mukherjee, M Sayer, (1997) An accurate equivalent circuit for the unloaded piezoelectric vibrator in the thickness mode, J Phys D: Appl Phys 30 2354-2363 [196] S Yokoyama, Y Honda, H Morioka, S Okamoto, H Funakubo, T Iijima, H Matsuda, K Saito, T Yamamoto, H Okino, O Sakata, and S Kimura, (2005) Dependence of electrical properties of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 thick films on crystal orientation and Zr/(Zr+Ti) ratio, J Appl Phys 98, 094106 [197] S Zurn, M Hsieh, G Smith, D Markus, M Zang, G Hughes, Y Nam, M Arik, D Polla, Fabrication and structural characterization of a resonant frequency PZT microcantilever, Smart Mater Struct 10 (2001) 252-263 [198] Sakaki C., Newalkar B., Komarneni S., Uchino K (2001), Grain Size Dependence of High Power Piezoelectric Characteristics in Nb Doped Lead Zirconate Titanate Oxyde Ceramics, Jpn J Appl Phys, 40, pp 6907-6920 [199] Sama N, Herdier R, Jenkins D, Soyer C, Remiens D, Detalle M and Bouregba R (2008) On the Influence of the Top and Bottom Electrodes A Comparative Study Between Pt and LNO Electrodes for PZT Thin Films, J Cryst Growth 310 3299 137 [200] Singh A K., Mishra S K., Pandey D., Yoon S., Baik S., Shin N (2008) Origin of High Piezoelectric Response of Pb(ZrxTi1-x)O3 at the Morphotropic Phase Boundary: Role of Elastic Instability, Applied Physics Letters, 92(2), ID:022910 (3 pages) [201] Susanne Hoffmann-Eifert, Dieter Richter, Susan Trolier-Mc Kinstry, (2012) Dielectric, Ferroelectric, and Optical Properties 12 [202] Susanne Hoffmann-Eifert, Peter Grünberg Institute & JARA-FIT, Forschungszentrum Jülich, Germany; Dieter Richter, Jülich Centre for Neutron Science & Institute for Complex Systems,Forschungszentrum Jülich, Germany; Susan Trolier-Mc Kinstry, MATSE Department, Pennsylvania State University, USA, (2012) Dielectric, Ferroelectric, and Optical Properties 12 NE3rd 12.book Seite 33 Dienstag, 14 [203] Suzuki H, Miwa Y, Naoe T, Miyazaki H, Ota T, Fuji M and Takahashi M, (2006) Orientation Control and Electrical Properties of PZT/LNO Capacitor Through Chemical Solution Deposition, J of the European Ceramic Society 26 1953-195 [204] T Haccart, D Remiens, E Cattan, (2003) Substitution of Nb doping on the structural, microstructural and electrical properties in PZT films, Thin Solid Films 423, 235–242 [205] T Hata, S Kawagoe, W Zhang, K Sasaki and Y Yoshioka, (1998) Proposal of new mixture target for PZT thin films by reactive sputtering, Vacuum 51 665-671 [206] T J Yang, V Gopalan P J Swart, and U Mohideen, (1999) Direct Observation of Pinning and Bowing of a Single Ferroelectric Đô men Wall, Appl Phys Lett 82 4106 [207] T Kobayashi, M Ichiki, R Kondou, K Nakamura, R Maeda, (2007) Degradation in the ferroelectric and piezoelectric properties of Pb(Zr,Ti)O3 thin films derived from a MEMS microfabrication process, J Micromech Microeng 17, 1238-1241 [208] T Kumazawa, Y Kumagai, H Miura, M Kitano, K Kushida, (1998) Effect of external stress on polarization in ferroelectric thin films, Appl Phys Lett., vol 72, No 5, pp 608-610 [209] T M Kamel, R Elfrink, M Renaud, D Hohlfeld, M Goedbloed, C de Nooijer, M Jambunathan and R van Schaijk, (2010) Modeling and characterization of MEMS-based piezoelectric harvesting devices, J Micromech Microeng 20 105023 [210] T Morita, Y Wagatsuma, Y Cho, H Morioka, H Funakubo and N Setter, (2004) Ferroelectric properties of an epitaxial lead zirconate titanate thin film deposited 138 by a hydrothermal method below the Curie temperature, Appl Phys Lett 84 5094-5096 [211] T Nakamura, Y.Nakao, A.Kamisawa, and H.Takasu, (1994) Preparation of Pb(Zr,Ti)O3 thin films on electrodes including IrO2, Appl Phys Lett 65, 1522 [212] T Nakamura,Y.Nakao,A.Kamisawa, and H.Takasu, (1994) Preparation of Pb(Zr,Ti)O3 thin films on Ir and IrO2 electrodes, Jpn J Appl Phys 33, 5207 [213] T Oikawa, M Aratani, H Funukubo, K Saito, and M.Mizuhira, (2004) Composition and orientation dependence of electrical properties of epitaxial Pb(Zr1-xTix)O3 thin films grown using metalorganic chemical vapor deposition, J Appl Phys 95, 3111 [214] T P Burg, A R Mirza, N Milovic, C H Tsau, G A Popescu, J S Foster and S R Manalis, (2006) Vacuum-packaged suspended microchannel resonant mass sensor for biomolecular detection, J Microelectromech Syst 15, 1466-1476 [215] T P Burg, M Godin, S M Knudsen, W Shen, G Carlson, J S Foster, K Babcock and S R Manalis, (2007) Weighing of biomolecules, single cells and single nanoparticles in fluid, Nature 446, 1066-1069 [216] T Schneller and R Waser, (2007) Chemical modifications of Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3 precursor solutions and their influence on the morphological and electrical properties of the resulting thin films, J Sol-Gel Sci Technol 42 337-352 [217] T Tuchiya, T Itoh, G Sasaki, T Suga, (1996) Preparation and Properties of Piezoelectric Lead Zirconate Titanate Thin Films for Microsensors and Microactuators by Sol-Gel Processing, J Ceram Soc Jpn 104, 159-163 [218] T Tybel, C H Ahn, and J.-M Triscone, (1999) Ferroelectricity in thin perovskite films, Appl Phys Lett 75, 856 [219] T Yamamoto, (1998) Crystallographic, dielectric and piezoelectric properties of PbZrO3-PbTiO3 system by phenomenological thermodynamics Jpn J Appl Phys., 37: 6041 [220] T Yu, Y -F Chen, Z -G Liu, S -B Xiong, L Sun, X -Y Chen, L -J Shi and N B Ming, (1996) Epitaxial Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/LaNiO3 heterostructures on single crystal substrates, Appl Phys Lett 69, 2092-2094 [221] Tagantsev A K, Landivar M, Colla E, Brooks K G and Setter N (1995) Depletion, depolarizing effects and switching in ferroelectric thin filmsScience and Technology of Electroceramic Thin Filmsed, O Auciello and R Waser (Boston, MA: Kluwer) p 301 139 [222] Tagantsev A K, Pawlaczyk C, (1994) Built-in electric field assisted nucleation and coercive fields in ferroelectric thin films Integr Ferroelectric, Brooks K and Setter N, Integrated Ferroelectrics: An International Journal, Volume 4, Issue [223] Tawidjaja, C.H Sim, J Wang, (2007) Ferroelectric and dielectric behavior of heterolayered PZT thin films, J Appl Phys., 102, pp 124102 [224] U Robels and G Arlt, (1993) Đô men wall clamping in ferroelectrics by orientation of defects, J Appl Phys 73, 3454-3460 [225] V Nagarajan, C S Ganpule, B Nagaraj, S Aggarwal, S P.Alpay, A L Roytburd, E D.Williams, and R Ramesh, (1999) Effect of mechanical constraint on the dielectric and piezoelectric behavior of epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(90%)PbTiO3(10%) relaxor thin films, Appl Phys Lett 75, 4183 [226] V Nagarajan, I G Jenkins, S P Alpay, H Li, S Aggarwal,L Salamanca-Riba, A L Roytburd, and R Ramesh, (1999) Thickness dependence of structural and electrical properties in epitaxial lead zirconate titanate films, J Appl Phys 86, 595 [227] V Yu Topolov, A V Turik, O E Fesenko, and V V Eremkin (1995) Mechanical stresses and three-phase states in perovskite-type ferroelectrics Ferroelectr.,Lett Sect., 20: 19 [228] Von R E Newnham, (1975) Crystal Chemistry of Non-Metallic Materials Auflage, Structure-property relations Band Springer-Verlag, Berlin- Heidelberg-New York., 234 Seiten, 92 Bilder, gebunden 72– DM [229] W A Brantley, (1973) Calculated elastic constants for stress problems associated with semiconductor devices, J Appl Phys 44 534-535 [230] W Cao and L E Cross, (1991) Theory of tetragonal twin structures in ferroelectric perovskite with a first-order phase transition, Phys Rev B44, [231] W H King, (1964) Piezoelectric sorption detector, Anal Chem 36 1735-1739 [232] W L Warren, B a Tuttle and D Dimos, (1995) Ferroelectric fatigue in perovskite oxits Appl Phys Lett 67 [10] 1426 [233] W L Warren, D Dimos, B.A Tuttle, R.D Nasby, G.E Pike, (1994) Electronic đô men pinning in Pb(Zr,Ti)O3thin films and its role in fatigue, Applied Physics Letters 65 1018–1020 [234] Walter Heywang, Karl Lubitz, Wolfram Wersing, Editors, (2008) Piezoelectricity, evolution and Future of a Technology, Springer [235] Wang Y K, Tseng T Y and Lin P, (2002) Enhanced ferroelectric properties of Pb(Zr 0.53Ti 0.47)O3 thin films on SrRuO3 / Ru/SiO2 / Si substrates, Appl Phys Lett 80 3790 140 [236] Waser R., Böttger U., Tiedke S (2005), Polar Oxits: Properties, Characterization and Imaging, Wiley-VCH Verlag, Weinheim, Germany [237] X Du, J.Zheng,U.Belegundu, and K.Uchino, (1998) Crystal orientation dependence of piezoelectric properties of lead zirconate titanate near themorphotropic phase boundary, Appl Phys Lett 72, 2421 [238] X Gu, (2007) High quality molecular beam epitaxy growth and characterization of lead titanate zirconate based complex-oxits, PhD thesis,Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia, USA [239] X J Meng, J.L Sun, J Yu, L.X Bo, C.P Jiang, Q Sun, S.L Guo, J.H Chu, (2001) Changes in the interface capacitance for fatigued lead-zirconate-titanate capacitors, Appl Phys Lett., 78, pp 2548-2550 [240] Xiao-hong Du, Jiehui Zheng, Uma Belegundu, and Kenji Uchino, (1998) Crystal orientation dependence of piezoelectric properties of lead zirconate titanate near the morphotropic phase boundary, Appl Phys Lett 72 [241] Xie J, Hu M, Ling S F and Du H, (2006) Monitoring structural integrity using a piezoelectric inertial actuator cum sensor, Sensors and Actuators A 126 182 [242] Xu Y (1991) Ferroelectric materials and their applications, Elsevier Science Publisher, North – Holland, Tokyo-Paris-New York [243] Y B Jeon, R Sood, J h Jeong, S G Kim, (2005) MEMS power generator with transverse mode thin film PZT, Sensors and Actuators A 122 16-22 [244] Y -C Chen, Y.-M Sun, and J.-Y Gan, (2004) Improved fatigue properties of lead zirconate titanate films made on oxygen-implanted platinum electrodes, Thin Solid Films 460, 25 [245] Y -C Hsu, C.-C Wu, C -C Lee, G Z Cao and I Y Shen, (2004) Demonstration and characterization of PZT thin-film sensors and actuators for meso- and microstructures, Sens Act A: Phys 116 369-377 [246] Y Ishibashi and M Iwata (1999) Theory of morphotropic phase boundary in solidsolution systems of perovskite-type oxit ferroelectrics: Elastic properties Jpn J Appl Phys., 38: 1454 [247] Y L Li, S Y Hu, and L Q Chen, (2005) Ferroelectric đô men morphologies of 001… PbZr1−xTixO3 epitaxial thin films, J Appl Phys 97, 034112 (1-7) [248] Y Masuda and T Nozaka, (2003) The influence of various upper electrodes on fatigue properties of perovskite Pb(Zr,Ti)O3 thin films, Jpn J Appl Phys Part 42, 5941 141 [249] Y Otani, S Okamura and T Shiosaki, (2004) Recent developments on MOCVD of ferroelectric thin films, J Electroceram 13, 15-22 [250] Z.+H Zhou, J.M Xue, W.Z Li, J Wang, H Zhu, J.M Miao, (2004) Heterolayered lead zirconate titanate thin films of giant polarization, J Appl Phys., 96 (2004), pp 5706-5711 [251] Zhu Chen, Chentao Yang, Bo Li, Mingxia Sun, Bangchao Yang, (2005) Preferred orientation controlling of PZT (52-48) thin films prepared by sol- gel process, Journal of Crystal Growth 258, 627-632 142 ... ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ QUỲNH CHI NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT CỦA MÀNG PZT NHẰM CHẾ TẠO CẢM BIẾN ÁP ĐIỆN ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG TRONG Y SINH Chuyên ngành: Mãsố: Vật liệu điện. .. Chương 3: Nghiên cứu tính chất màng sol-gel PZT Chương 4: Nghiên cứu ảnh hưởng pha tạp Fe3+ Nb5+ đến tính chất màng PZT Chương 5: Nghiên cứu chế tạo linh kiện piezoMEMS sử dụng màng áp điện PZT Phần... quy trình chế tạo màng áp điện PZT với chất lượng cao phương pháp quay phủ sol-gel o Tích hợp màng PZT vào rung silic nhằm chế tạo linh kiện cảm biến với kích thước micro-mét o Định hướng ứng