ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - NGUYỄN TIẾN LONG LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG QUANG KÍCH THÍCH ETTINGSHAUSENTRONG HỐ LƯỢNG TỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC HÀ NỘI - 2015 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - NGUYỄN TIẾN LONG LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG QUANG KÍCH THÍCH ETTINGSHAUSENTRONG HỐ LƯỢNG TỬ Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết vật lý toán Mã số: 60440103 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Người hướng dẫn khoa học:GS.TS NGUYỄN QUANG BÁU HÀ NỘI - 2015 LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc đến GS.TS Nguyễn Quang Báu - Người hướng dẫn đạo tận tình cho em trình thực đề tài luận văn Em xin chân thành cảm ơn giúp đỡ dạy bảo tận tình thầy cô giáo môn Vật lý lý thuyết – Khoa Vật lý – trường Đại học Khoa học Tự Nhiên – Đại Học Quốc Gia Hà Nội suốt thời gian vừa qua, để em học tập hoàn thành đề tài luận văn cách tốt Em gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình, bạn bè động viên em suốt trình học tập hoàn thành đề tài luận văn Mặc dù em có nhiều cố gắng thời gian ngắn lượng kiến thức thân chưa thực hoàn thiện nên luận văn không tránh khỏi thiếu sót hạn chế, em mong nhận góp ý, dẫn thầy, cô giáo bạn để luận văn hoàn thiện Luận văn hoàn thành với tài trợ đề tài NAFOSTED (Number 103.01-2015.22) Em xin chân thành cảm ơn! Hà Nội, tháng 11 năm 2015 Học viên Nguyễn Tiến Long KẾT LUẬN Các kết luận văn tóm tắt sau: Thiết lập phương trình động lượng tử cho điện tử giam cầm hố lượng tử với Parabol điện trường từ trường không đổi E1 , B trường xạ laser kích thích E (t ) Xây dựng biểu thức giải tích Hệ số Ettingshausen hố lượng tử với Parabol (cơ chế tán xạ điện tử – phonon quang) Từ ta thấy hệ số Ettingshausen phụ thuộc phức tạp phi tuyến vào tần số sóng laser , tần số phonon, cường độ laser, tham số hố lượng tử nhiệt độ hệ Các kết lí thuyết đă tính toán số vẽ đồ thị biểu diễn phụ thuộc hệ số Ettingshausen vào tần số laser nhiệt độ hệ Ta nhận thấy hệ số Ettingshausen tăng tần số laser tăng, lại giảm nhiệt độ tăng lên Đồng thời, giá trị hệ số Ettingshausen lớn hệ số Ettingshausen bán dẫn khối gần 100 lần Các kết thu luận văn có giá trị khoa học , góp phần vào phát triển lí thuyết hiệu ứng quang kích thích Ettingshausen bán dẫn thấp chiều TÀI LIỆU THAM KHẢO Tài liệu tiếng việt [1] Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2011), Lý thuyết bán dẫn đại, Nhà xuất Đại học Quốc Gia Hà Nội [2] Nguyễn Quang Báu (chủ biên), Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2010), Vật Lý bán dẫn thấp chiều, Nhà xuất Đại học Quốc Gia Hà Nội Tài liệu tiếng anh [3] B.D.Hoi, D.T.Long, P.T.Trang, L.T.Thiem and N.Q.Bau (2013,), „The Hall coefficient in parabolic quantum wells with a perpendicular magneticfield under the influence of laser radiation‟Journal of Science of HNUE: Mathematicaland Physical Sci, Vol 58, No 7, Vietnam, 2013, pp 154-166 [4] N.Q Bau and B.D.Hoi (2012), „On the Hall effect in parabolic quantum wells with a perpendicular magnetic field under the influence of a strong electromagneticwave (laser radiation)‟ VNU Journal of Science, Mathematics - Physics, Vol 28, No 1S, Vietnam, 2012,pp 24 – 29 [5] N.Q Bau and B.D Hoi (2012), „Influence of a strong electromagnetic wave (laser radiation) on the Hall effect in quantum wells with a parabolic potential‟Journal of the Korean Physical Society, Vol 60, No 1,2012, pp 59 - 64 (ISI) [6] Bau, N Q and T C Phong (2003), “Parametric resonance of acoustic and optical phonons in a quantum well,” J Kor Phys Soc, Vol 42, No 5,2003, pp.647–651 [7] N Q Bau , L T Hung, and N D Nam (2010), “The nonlinear apsorption coefficient of strong electromagnetic waves by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons”Journal of Electromagnetic Waves and Applications 24, 2010, pp 1751-1761 [8] N Q Bau and H D Trien (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires” J Korean Phys.Soc 56, No , 2010, pp 120-127 [9] Yua S G., K W Kim, M A Stroscio, G J Iafrate, and A Ballato (2006), “Electron interaction with confined acoustic phonons in cylindrical quantum wires viadeformation potential” J Appl Phys., Vol 80, No 5, 2006, pp.2815–2822 [10] Nishiguchi N (1995)., “Resonant acoustic-phonon modes in a quantum wire,” Phys Rev B, Vol 52, No 7, 1995, pp 527 [11] Zhao, P.(1994), “Phonon amplification by absorption of an intense laser field in a quantum well of polar material,” Phys Rev B, Vol 49, No 19, 1994,pp 13589 [12] Malevich, V L and E M Epshtein (1974), “Nonlinear optical properties of conduction electrons in semiconductors,” Sov Quantum Electronic, Vol 1, 1974,pp.14685279 [13] Vyazovskii, M V and V A Yakovlev (1977), “Parametric resonance of acoustic and optical phonons in impurity semiconductors in low temperature,” Sov Phy Semicond., Vol 11,1977,pp 809 [14] Shmit.R.Semiconductors.Moskva, Mir 1982, Russian [15] B.V.Paranjape and J.S.Levinger.(1960) “ Theory of the Ettingshausen Effect in Semiconductors” Phys.Rev.120,1960, 437-Published 15 october [16] Epshtein E M , “Odd magnetophotoresistance effect in semiconductors”, Sov.Phys Semicond [Fiz Tekh Poluprovodn.] 10, Russian,1976, pp 1414–1415 [17] Malevich, V L and E M Epshtein (1974), “Nonlinear optical properties of conduction electrons in semiconductors,” Sov Quantum Electronic, Vol 1, 1974, pp.1468