Luận văn tốt nghiệp đại học

Luận văn tốt nghiệp Đại học Hình 17: Mô tả dụng cụ đo hệ số truyền qua của màng mỏng quang học Trong đó: – gương cầu; – nguồn sáng; – ống kính; – chắn sáng quay M – đế chưa tráng phủ màng; CT – đế tráng phủ màng QP – hệ tách chùm đơn sắc; Q/E – hệ chuyển đổi tín hiệu quang sang tín hiệu điện; CT – bộ chỉ thị giá trị φλCT φλ M Ánh sáng từ nguồn được hội tụ vào máy đơn sắc, bị tán sắc bởi cách tử hội tụ khe Ánh sáng đơn sắc chia làm hai tia: Một tia tới mẫu để đo một tia lại thì đến mẫu tham chiếu một mẫu chuẩn Ánh sáng truyền qua mẫu mẫu tham chiếu được đo bằng đầu dò Silicon photodiode chuyển đổi từ tín hiệu quang sang tín hiệu điện Q/E Hệ số truyền qua Tλ được tính theo công thức sau: (1.15) Trong đó: φλCT : quang chùm qua đế tráng phủ màng φλ M : quang chùm qua đế chưa tráng phủ màng Màng ZnO có độ truyền qua lớn nên có thể xác định chính xác thông số quang chiết suất n, độ dày d, hệ số tắt k,độ rộng vùng cấm… của màng mỏng thông qua phổ truyền qua của chúng SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học Hình 18:Đường của ánh sáng qua màng ZnO bán dẫn có độ rộng vùng cấm tương đối lớn (3,3 - eV) có độ truyền qua cao (>80%) vùng ánh sáng khả kiến (0,4 < λ< 0,8 µm) Độ truyền qua giảm mạnh λ< 0,4 µm hấp thụ riêng bán dẫn 1.8 Cấu trúc ZnO 1.8.1.Cấu trúc tinh thể ZnO Hầu hết hợp chất bán dẫn hai cấu tử II-VI kết tinh dạng lập phương zincblende (B3) sáu phương wurtzite (B4) với anion bao quanh cation đỉnh tứ diện ngược lại Ở nhiệt độ phòng, wurtzite dạng ổn định nhiệt động, dạng zinc-blende có kết tinh đế có cấu trúc lập phương, dạng rocksalt (NaCl-B1) tồn áp suất cao ZnO wurtzite dạng sáu phương có cấu trúc xếp chặt sau: SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học Hình 19 Trong cấu trúc wurtzite, ion O2- Zn2+ thay phiên xếp chồng lên theo mạng lục giác xếp chặt, anion bao quanh cation ngược lại Các ion Zn2+ chiếm phân nửa số vị trí tứ diện mạng Số phối trí đặc trưng cho liên kết cộng hoá trị sp3, nhiên ZnO có chất liên kết liên kết ion (62%) [17,19] Hằng số mạng a = 3,246 A tỷ lệ trục c/a=1,602 Các nút khuyết ôxy mạng nguyên nhân làm cho ZnO mang tính bán dẫn loại n Độ dẫn điện màng ZnO nhiều không đủ cao để đáp ứng số thiết bị Để tăng thêm tính dẫn điện màng ZnO ta phải tìm cách pha tạp Chất pha tạp thường nguyên tố nhóm III bảng hệ thống tuần hoàn Al, Ga… Việc lựa chọn chất pha tạp phụ thuộc vào phương pháp tạo màng, điều kiện tạo màng mục đích sử dụng Khi pha tạp nhôm (Al) vào mạng ZnO, nồng độ hạt tải electron tăng lên vật liệu dẫn điện tốt Trong thiết bị sử dụng vật liệu ZnO, cấu trúc tinh thể màng đặc tính quan trọng Ví dụ, màng ZnO cần phải định hướng chủ yếu theo trục c vuông góc với bề mặt đế chuyển đổi sóng dọc (longitudinal bulk wave transducers) lọc sóng âm bề mặt (SAW filters) Sự định hướng tinh thể theo phương mong muốn phụ thuộc vào điều kiện chế tạo chất vật liệu làm đế Với điều kiện chế tạo thích hợp, màng ZnO thường có định hướng theo trục c màng tráng phủ đế thuỷ tinh Điều lí giải xếp theo phương tạo cho màng có độ xít chặt cao nhất.Theo Ohyama, nhiệt độ sôi dung môi ảnh hưởng lớn đến định hướng tinh thể màng Dung môi có nhiệt độ sôi cao (2-methoxyethanol) SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học cho phép hồi phục cấu trúc trước hình thành màng, màng định hướng tinh thể tốt chủ yếu theo trục c 1.8.2 Sự tạo sai hỏng tinh thể chất bán dẫn ZnO Trong phần ta xét cấu trúc mạng tinh thể ZnO lý tưởng, tức mạng toàn phần tử cấu tạo nên vật rắn nằm vị trí nút mạng tuân theo qui luật đối xứng, tuần hoàn không gian tinh thể Tuy nhiên tinh thể thực tồn sai hỏng cấu trúc 1.8.3 Sai hỏng điểm cấu trúc Trong tinh thể ZnO thực có nguyên tử (hoặc ion) có khả bật khỏi vị trí cân (vị trí nút mạng) vào vị trí xen kẽ nút mạng, dời khỏi mạng tinh thể, để lại vị trí trống (nút khuyết) nút mạng cân cũ Có dạng sai hỏng điểm (point defects): -Sai hỏng Frenkel: nguyên tử dời khỏi nút mạng xen lẫn mạng, để lại nút khuyết vị trí nút mạng (không có nguyên tử) -Sai hỏng Schottky: nguyên tử dời khỏi mạng tinh thể, để lại nút khuyết nút mạng Hình 20: Mô tả sai hỏng cấu trúc tinh thể Khi T> 0K, xét mặt lượng, tinh thể thực tồn sai hỏng điểm, điều chứng minh sau Gọi số nút khuyết mạng tinh thể n, trạng thái bền vững nhiệt động hệ cân với n nút khuyết tương đương với cực tiểu lượng Gibbs : SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học (1.16) Nếu gọi Es lượng tạo nút khuyết kiểu Schottky, viết : (1.17) ∆S dd , ∆Sch : Biến đỏi Entropy dao động Entropy cấu hình, gây nên tạo nút khuyết mạng tinh thể k - số Boltzman (k=1,38062.10-23J/K) W -xác suất n nút khuyết N nút mạng (1.18) Trong vật lý chất rắn, ta thường tính Entropy dao động : (1.19) Z trị số xấp xỉ số chỗ trống nguyên tử khoảng tần số dao động từ ν đến ν1 Theo công thức tính xấp xỉ Sterling , x! ≈ xlnx-xcó thể viết : lnW=N lnN - (N-n)ln(N-n)nln(n) (1.20) Thay vào công thức tính ∆ G trên, ta có: (1.21) Lấy vi phân ∆ G theo n ta có : (1.22) SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học Kết hợp với giả thuyết ban đầu, cân ∂G = tính số nút khuyết n: ∂n (1.23) nồng độ sai hỏng tinh thể Khi T>0K  n>0, hay nói cách khác, tồn sai hỏng điểm tinh thể thực Chương II – THỰC NGHIỆM VÀ KẾT QUẢ BÀN LUẬN Chúng tiến hành nghiên cứu gồm bước cụ thể sau đây: Tạo màng ZnO đế thuỷ tinh, xác định tính chất quang cấu trúc màng Tạo màng ZnO đế Si loại p(111) loại n(100), xác định cấu trúc màng Chế tạo màng ZnO đế Si(111) có lớp đệm Ti, xác định cấu trúc so sánh với cấu trúc màng lớp đệm Ti Để thực mục tiêu trên, trước tiên phải tiến hành chế tạo bia (target) gốm ZnO Tạo màng phương pháp phún xạ DC silic phải rửa axit HF: H 2O (1:20), sau đưa vào buồng chân không phóng điện rửa đế khoảng 15 phút để loại bỏ lớp oxit bề mặt đế Lớp đệm Ti chế tạo phương pháp phún xạ DC từ bia kim loại Ti Thời gian phún xạ 3-5 giây (điều kiện phún xạ: Áp suất P B=10-4 torr, áp suất làm việc P=6.10-3 torr,dòng I=0.3 Ampe,thế V=400 Vol,công suất 120W, khoảng cách bia đế h=5.0 cm), lớp đệm có bề dày khoảng 3-5 nm Nhiệt độ đế 1900C 2.1 Chế tạo bia gốm ZnO 2.1.1.Chuẩn bị vật liệu bột Oxit -Bột Oxit Trung Quốc có độ tinh khiết 99.9% -Chế tạo bia gốm: Thành phần toàn ZnO 100% 2.1.2.Nghiền trộn bột Oxit SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học Chúng sử dụng phương pháp nghiền ướt máy nghiền bi li tâm hãng Ceramic Instruments Italy, cối sứ bi vật liệu Al 2O3 Nghiền bột với mục đích giảm kích thước hạt Ta trộn 396g bột ZnO với 200ml nước cất bi nghiền (70g bi có đường kính 20mm 100g bi có đường kính 7mm) Tổng thời gian nghiền Sau nghiền lấy bột nghiền sấy khô để bay hêt nước Được bột khô sau sấy, đem chúng rây Lỗ rây nhỏ rây nhiều lần (khoảng lần), lúc bột mịn 2.1.3.Định hình bia ZnO Bột sau rây min, trộn với lượng keo PVA để tạo kết dính Sau đó, lượng bột tạo hình máy ép Italy, với lực ép 400 kg/cm Tạo hai loại bia, bia tròn vuông Hình 21: Sản phẩm bia ZnO sau hoàn thành 2.1.4.Nung bia ZnO -Sản phẩm sau định hình nung nhiệt độ nung cực đại 1500 oC, thời gian ủ nhiệt lò nung VMK 1800 -Bia sau nung có đường kính 75mm Vật liệu bia sau thành phẩm với độ kết khối đánh giá thông qua hai thông số độ hút nước độ co sản phẩm Bia có độ co dài sau nung khoảng 16.67% độ hút nước 0.002% sau ngâm nước 24 2.2 Bia kim loại Ti Bia Ti cắt từ kim loại Titan + Bia có hình vuông: 9cm x 9cm +Bề dầy 2mm +được lắp vào hệ Magnetron vuông SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học Hình 22: Bia kim loại Ti 2.3.Làm lam thủy tinh Silic +Lam thủy tinh: Ngâm lam thủy tinh vào sút pha loãng khoảng 5h – 8h,sau lấy lam rửa xà phòng thật sạch,sấy khô,làm lần axeton.sau lắp vào buồng chân không,được tẩy lần chùm electron +Lam Silic : lam Silic vào axit HF lỏng khoảng 1h-3h,lấy rửa nước thật (không rửa xà phòng),sau rửa lần axeton Cho vào buồng chân không tẩy lần buồng chân không chùm electron.chùm electron có công dụng làm làm bay lớp SiO x bề mặt 2.4.Các bước trình phún xạ Bước 1:Đầu tiên vệ sinh buồng chân không thật sạch, axeton khăn Bước 2:Lắp lam (thủy tinh Silic) vào đế (trên đế có bếp nung nhiệt, đầu dò nhiệt) , sau đóng kính buồng chân không, kiểm tra không bị vướng Bước 3:Mở máy cho máy chạy,sau cho hút buồng chân không đến áp suất 10-4 torr (10.0), lúc cho bếp nung đế Bước 4:Cho khí Ar vào buồng chân không van kim đến áp suất hạ đến 7,5.10-2 torr (3.0), đóng van lại không cho hút buồng nữa, lúc cho tẩy đế thủy tinh chùm electron khoảng 15 phút, sau kết thúc cho hút buồng trở lại đến áp suất 10-4 torr (10.0) Bước 5:Cho khí Ar vào buồng chân không van kim đạt áp suất 6.10-3 torr (9.0), giữ nguyên trạng thái đến ổn định làm tiếp bước Bước 6:Cho điện vào hệ Magnetron, tẩy bia khoảng 10 phút (bia kim loại), phút (bia gốm), sau cho phún xạ lện đế bắt đầu ghi thời gian (chú ý áp suất buồng, dòng phún xạ) SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học Bước 7:Sau phún xong tắt hệ, cho hút buồng,chờ đợi nhiệt độ đế giảm xuống (càng thấp tốt) , lấy lam thủy tinh, màng mỏng mong muốn (Màng hai lớp bước ta cho điện vào hệ Magnetron thứ hai phún lớp kế tiếp) 2.5 Môi trường chế tạo màng mỏng ZnO/Si ZnO/Ti/Si Hình 23: Buồng chân không dùng để chế tạo màng -Từ trường ngang bề mặt bia H=580 Gauss -Áp suất PB=10-4 torr (10.0) -Áp suất làm việc P= 6.10-3 torr (9.0) -Dòng phún xạ ZnO I=0.2 Ampe -Dòng phún xạ Ti lớp đệm I=0.3 Ampe -Thế phún xạ ZnO V=300 Vol -Thế phún xạ Ti lớp đệm V=390 Vol -Công suất phún xạ ZnO P= 60W-70W SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 10 -Công suất phún xạ Ti lớp đệm P= 110W-130W -Khí Ar sử dụng với độ tinh khiết 99.999% -Nhiệt độ đế T= 1700C-2300C -Khoảng cách bia đế h=5.0cm, ZnO Ti Quy trình sử lý đế từ đầu đến lúc tạo màng: -Đế thủy tinh Silic có kích thước có kích thước 25mm x 75mm x 1mm, đế Silic có hai loại (111) (100) -Trong trình chế tạo, vận chuyển hay tiếp xúc với môi trường xung quanh mà Silic thủy tinh thường bị nhiễm bẩn Các tượng hấp thụ, phản ứng hóa học tạo nhiễm bẩn bề mặt (như dầu, mỡ, mồ hôi, axit hữu cơ, ) Khi màng mỏng ngưng tụ bề mặt nhiễm bẩn, độ bám dính màng với đế không tốt.Do việc làm đế tối quang trọng +Lam thủy tinh: Ngâm lam thủy tinh vào sút (NaOH khoảng 1%) pha loãng khoảng 5h – 8h, sau lấy lam rửa xà phòng thật sạch, sấy khô, làm lần axeton Sau lắp vào buồng chân không,được tẩy lần chùm electron áp suất 7,5.10-2 torr (3.0), môi trường có Ar Dòng I=10mA, V=600 Vol thời gian tẩy t=15 phút +Lam Silic : Ngâm lam Silic vào axit HF lỏng khoảng 1h-3h, lấy rửa nước thật (không rửa xà phòng), sau rửa lần axeton.Cho vào buồng chân không tẩy lần buồng chân không chùm electron 7,5.10-2 torr (3.0) môi trường có Ar Dòng I=10mA, V=600 Vol thời gian tẩy t=15 phút.Chùm electron có công dụng làm làm bay lớp SiOx bề mặt 2.6.Kết thảo luận Để xác định chiết suất, độ rộng vùng cấm, độ truyền qua ta dùng phổ truyền qua Cấu trúc, kích thước hạt ứng suất màng xác định phương pháp nhiễu xạ tia X Độ dầy màng xác định máy đo độ dày Stylus profiler 2.6.1.Chế tạo màng ZnO đế thủy tinh Với thông số tạo màng: +Mẫu I: Áp suất PB=10-4 torr .Áp suất làm việc P=6.10-3 torr .Dòng I=0.2 Ampe SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 11 Thế V=300 Vol .Công suất 60W .Khoảng cách bia đế h=5.0 cm .Nhiệt độ đế 1800C .Thời gian phún xạ 20 phút Tạo màng đế có độ dày 760nm Hính 24: Phổ truyền qua màng ZnO đế thủy tinh vùng khả kiến +Mẫu II: Áp suất PB=10-4 torr .Áp suất làm việc P=6.10-3 torr .Dòng I=0.2 Ampe SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 12 Thế V=300 Vol .Công suất 60W .Khoảng cách bia đế h=5.0 cm .Nhiệt độ đế 1800C .Thời gian phún xạ 21 phút Tạo màng đế có độ dày 790nm Hính 25: Phổ truyền qua màng ZnO đế thủy tinh vùng khả kiến SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 13 Hình 26: Phổ truyền qua Mẫu I Mẫu II Nhận xét: MẫuII thời gian phún xạ nhiều (21 phút,790nm), có độ dầy nhiều MẫuI (20 phút,760nm) MẫuII có độ truyền qua vùng khả kiến cao MẫuI Cách tính chiết suất màng: Chiết suất màng vùng truyền suốt là: Hình 27: Mô tả màng SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 14 α= 4π k λ (2.1) Vùng truyền suốt: α=0 độ truyền qua xác định từ n s thông qua phản xạ nhiều lần Vùng hấp thu yếu: α nhỏ độ truyền qua bắt đầu giảm .Vùng hấp thụ trung bình: α lớn độ truyền qua giảm tác động α .Vùng hấp thụ mạnh: Độ truyền qua giảm mạnh chủ yếu ảnh hưởng α 2S S +1 Độ truyền qua đế: T= Chiết suất đế: 1 S = + ( − 1) Ts Ts (2.2) (2.3) n = TM + (TM2 + S ) (2.4) 2S S + M= − Tm (2.5) Đối với màng điện môi có độ truyền qua cao (hệ số hấp thu 0), ta có: Độ truyền qua cực đại: TM = 2S S +1 (2.6) 4n S Tm độ truyền qua cực tiểu: Tm = 2 n + n ( S + 1) + S (2.7) Dựa vào điều kiện kết hợp để có cực đại cực tiểu giao thoa 2d = mλ ta tính n(λ) giá trị suất cực đại cực tiểu ta tính độ dày màng theo công thức: d= λ1λ2 2(n2λ1 − n1λ2 ) (2.8) Dùng cách tính chiết suất độ dầy màng bước sóng có cực tiểu giao thoa.Ta dùng cách sau để tính chiết suất màng vị trí có giao thoa cực đại lẫn cực tiểu: 1 n = [ N + ( N − S ) ]2 Trong : N = 2S TM − Tm S + + TM Tm (2.9) (2.10) SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 15 Dựa vào phương pháp Swanepoel ta viết chương trình để tính chiết suất độ dầy với độ xác cao Tuy nhiên phương pháp có nhượt điểm bắt buột phổ truyền qua giao thoa phải có năm cặp cực đại cực tiểu Hình 28: Trong luận văn xác định độ dày màng ta dùng máy Stylus profiler Bộ phận gữ kim SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 16 Hình 29:Bộ phận đế máy Stylus profiler Cách tính độ rộng vùng cấm dựa vào phổ hấp thụ: Dựa vào bờ hấp thụ phổ hấp thụ ta tính độ rộng vùng cấm,dựa vào công thức: Đối với bán dẫn chuyển mức phép Ko (chuyển mức thẳng): Eg = hω − α h2ω A2 (2.11) Đối với bán dẫn chuyển mức bị cấm Ko (chuyển mứ xuyên): Eg = hω − (α Độ truyền qua T tính: hω 23 ) B T= (2.12) (1 − R ) e −α d − R e −2α d (2.13) Với độ phản xạ R vùng khả kiến nhỏ 30%, R e-2αd[...]... SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 13 Hình 26: Phổ truyền qua của Mẫu I và Mẫu II Nhận xét: MẫuII thời gian phún xạ nhiều hơn (21 phút,790nm), có độ dầy nhiều hơn MẫuI (20 phút,760nm) MẫuII có độ truyền qua trong vùng khả kiến cao hơn MẫuI Cách tính chiết suất của màng: Chiết suất của màng trong vùng truyền suốt là: Hình 27: Mô tả màng SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 14 α=... SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 20 Hình 30: Phổ nhiễu xạ tia X của màng ZnO trên đế thủy tinh có đệm Ti Các thông số tạo màng của ZnO trên đế thủy tinh: Áp suất nền PB=10-4 torr .Áp suất làm việc P=6.10-3 torr .Dòng I=0.2 Ampe .Thế V=300 Vol .Công suất 60W .Khoảng cách bia đế h=5.0 cm .Nhiệt độ đế 1900C .Thời gian phún xạ 21 phút SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 21 Có.. .Luận văn tốt nghiệp Đại học 11 Thế V=300 Vol .Công suất 60W .Khoảng cách bia đế h=5.0 cm .Nhiệt độ đế 1800C .Thời gian phún xạ 20 phút Tạo được một màng trên đế có độ dày 760nm Hính 24: Phổ truyền qua của màng ZnO trên đế thủy tinh trong vùng khả kiến +Mẫu II: Áp suất nền PB=10-4 torr .Áp suất làm việc P=6.10-3 torr .Dòng I=0.2 Ampe SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 12 Thế... Tuy nhiên phương pháp này có một nhượt điểm đó là bắt buột phổ truyền qua giao thoa của chúng ta phải có ít nhất năm cặp cực đại và cực tiểu Hình 28: Trong luận văn này xác định độ dày của màng ta dùng máy Stylus profiler Bộ phận gữ kim SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 16 Hình 29:Bộ phận đế của máy Stylus profiler Cách tính độ rộng vùng cấm dựa vào phổ hấp thụ: Dựa vào bờ hấp thụ của phổ... (1 − R ) 2 e −α d truyền qua T được tính: (2.14) Trong đó α là hệ số hấp thụ: α = ln( (1 − R ) 2 1 ) T d (2.15) Thực chất α nếu được tính chính xác thì rất phước tạp SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 17 Trong luận văn này tính độ rộng vùng cấm theo công thức (1) vì ZnO là bán dần dịch chuyển thẳng Kết quả sau khi tính toán độ rộng vùng cấm, và chiết suất của màng cho trong bảng sau đây... màng tại những bước sóng có cực tiểu giao thoa.Ta có thể dùng cách sau để tính chiết suất của màng tại vị trí có giao thoa cực đại lẫn cực tiểu: 1 1 n = [ N + ( N 2 − S 2 ) 2 ]2 Trong đó : N = 2S TM − Tm S 2 + 1 + TM Tm 2 (2.9) (2.10) SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 15 Dựa vào phương pháp Swanepoel này ta có thể viết ra một chương trình để tính chiết suất và độ dầy với độ chính xác rất... tự từ đỉnh cao đến đỉnh thấp: +S1= 145 nm SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 23 +S2= 129 nm +S3= 40 nm Mẫu M317P và M421P cũng có đỉnh nhỏ trong phổ nhiễu xạ tia X Có độ lớn hạt: +M317P: S= 14 nm +M421P: S= 13 nm Hình 33: Phổ nhiễu xạ tia X của cả 3 mẫu M317P,M421P,M525P: 2.6.3.Chế tạo màng ZnO trên đế Silic có lớp đệm Ti SVTH: Trần Văn Thảo ... pha thỏa định luật Bragg sẽ tăng cường lẫn nhau tạo nên chùm tia nhiễu xạ Nếu vật liệu là đa tinh thì phổ nhiêu xạ thu được phụ thuộc vào sự định hướng của các tinh thể khác SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 18 nhau Những thông số khác nhau như sự định hướng của các tinh thể, kích thước tinh thể, hằng số mạng có thể xác định được tự phổ nhiễu xạ Thông số mạng d: Xác định khoảng cách giữa... suất nền PB=10-4 torr .Áp suất làm việc P=6.10-3 torr .Dòng I=0.2 Ampe .Thế V=300 Vol .Công suất 60W .Khoảng cách bia đế h=5.0 cm .Nhiệt độ đế 1900C .Thời gian phún xạ 25 phút SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 22 Có độ dày màng tạo được 830 nm Hình 32: Phổ nhiễu xạ tia X của màng ZnO trên đế Si (111) không có đệm Ti Bảng 4: Kết quả tính toán Mẫu M317P M421P M525P Độ dày (nm) 710 785 830... Nhưng theo định luật Bragg, đối với bước sóng không đổi, khi d tăng, góc nhiễu xà theta sẽ giảm, cụ thể màng dưới ứng suất kéo căng cho thấy vị trí đỉnh ở giá trị góc theta bé SVTH: Trần Văn Thảo Luận văn tốt nghiệp Đại học 19 hơn Khi màng dưới tác dụng của ứng suất nén lại ở những góc thích hợp thành những mặt phản chiếu mà thông số mạng d giảm, tương tự khi d giảm, lamda khônng đổi, góc nhiễu xạ theta ... tạo thích hợp, màng ZnO thường có định hướng theo trục c màng tráng phủ đế thuỷ tinh Điều lí giải xếp theo phương tạo cho màng có độ xít chặt cao nhất .Theo Ohyama, nhiệt độ sôi dung môi ảnh hưởng... phải định hướng chủ yếu theo trục c vuông góc với bề mặt đế chuyển đổi sóng dọc (longitudinal bulk wave transducers) lọc sóng âm bề mặt (SAW filters) Sự định hướng tinh thể theo phương mong muốn... yếu theo trục c 1.8.2 Sự tạo sai hỏng tinh thể chất bán dẫn ZnO Trong phần ta xét cấu trúc mạng tinh thể ZnO lý tưởng, tức mạng toàn phần tử cấu tạo nên vật rắn nằm vị trí nút mạng tuân theo