Bài giảng điện tử số ths vũ anh đào

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Giảng viên: Ths Vũ Anh Đào Điện thoại/E-mail: anhdaoptit@gmail.com Bộ môn: Kỹ thuật điện tử Học kỳ/Năm biên soạn: 2009 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Giới thiệu môn học Mục đích: - Trang bị cho sinh viên phương pháp phân tích, thiết kế, chế tạo hệ thống số; kiến thức phần cứng, phần mềm, mối liên hệ phần cứng, phần mềm * Đối tượng: Công nghệ Thông tin * Thời lượng: đvht - Lý thuyết : 37 tiết - Kiểm tra : tiết - Thí nghiệm: tiết * Điểm thành phần: - Chuyên cần : 10% - Kiểm tra : 10% - Thí nghiệm : 10% - Thi kết thúc học phần : 70% www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Nội dung Chương 1: Hệ đếm Chương 2: Đại số Boole phương pháp biểu diễn hàm Chương 3: Cổng logic Chương 4: Mạch logic tổ hợp Chương 5: Mạch logic Chương 6: Mạch phát xung tạo dạng xung Chương 7: Bộ nhớ bán dẫn www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ HỆ ĐẾM www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (1) ™ ™ ™ ™ ™ Khái niệm chung Biểu diễn số Chuyển đổi hệ đếm Số nhị phân có dấu Dấu phẩy động www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (2) Khái niệm chung Dùng số hữu hạn ký hiệu ghép với theo qui ước vị trí, số ký hiệu (r) số Giá trị biểu diễn ký hiệu phân biệt thông qua trọng số ri, với i số nguyên dương âm ™ Tên gọi, ký hiệu số vài hệ đếm thông dụng ™ Tên hệ đếm Số ký hiệu Hệ nhị phân (Binary) 0, Hệ bát phân (Octal) 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, Hệ thập phân (Decimal) 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, Hệ thập lục phân 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, (Hexadecimal) C, D, E, F Cơ số (r) 10 16 Chú ý: Gọi hệ đếm theo số VD: hệ nhị phân = Hệ số 2… www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ ™ Hệ đếm (3) Biểu diễn số tổng quát: N = a n −1 × r n −1 + + a1 × r1 + a × r + a −1 × r −1 + + a − m × r − m −m = ∑ a i × ri n −1 Trong N giá trị, a hệ số nhân; n số chữ số phần nguyên; m số chữ số phần phân số ™ Thêm số để tránh nhầm lẫn hệ, VD: 3610, 368… ™ Hệ thập phân (Decimal): r =10 VD: 1265.34 = ×103 + ×102 + × 101 + × 100 + × 10−1 + × 10−2 Ưu: dễ nhận biết, biểu diễn gọn, thời gian viết đọc Nhược: Khó thể thiết bị kỹ thuật www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (4) ™ Hệ nhị phân (Binary): r =2 VD: 1010.012 = × 23 + × 22 + 1× 21 + × 00 + × 2−1 + 1× 2−2 Ưu: Dễ thể thiết bị cơ, điện, ngôn ngữ mạch logic, thiết bị tính toán đại - ngôn ngữ máy Nhược: Biểu diễn dài, nhiều thời gian viết, đọc Các phép tính: ¾ Cộng: + = 0, + = 1, + = 10 ¾ Trừ: - = ; - = ; - = ; 10 - = (mượn 1) ¾ Nhân: x = , x = , x = , x = ¾ Chia: Tương tự phép chia số thập phân 11101012 + 100011 ™ VD: 10111012 + 10010111 ™ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (5) ™ Hệ bát phân (Octal): r = = 23 Æ thay bit nhị phân: 1234.568 = 1× 83 + × 82 + × 81 + × 80 + × 8−1 + × 8−2 = 001 010 011 100.101 110 ™ Phép cộng: cộng hai nhiều chữ số trọng số lớn phải nhớ lên chữ số có trọng số lớn liền kề ™ Phép trừ: mượn chữ số có trọng số lớn cộng thêm 68 58 18 − 28 78 48 68 − 68 1 28 1 58 78 + www.ptit.edu.vn 78 + 38 18 + − 78 78 GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (6) ™ Hệ thập lục phân (HexaDecimal): r = 16 = 24 ABF = × 16 + 10 × 16 + 11 × 161 + 15 × 16 = 0100 1010 1011 1111 ™ Phép cộng: cộng hai nhiều chữ số trọng số lớn 16 phải nhớ lên chữ số có trọng số lớn liền kề ™ Phép trừ: mượn chữ số có trọng số lớn cộng thêm 16 ™ Phép nhân: đổi số thập phân thực www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ AC 99D + + 98F 75E 123 B 35 425 − − 1AD 3C F 1A B 10 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ ™ Hệ đếm (7) Chuyển đổi số hệ đếm ƒ Chuyển từ hệ số 10 sang hệ khác Ví dụ: Đổi số 22.12510, 83.8710 sang số nhị phân ƒ Phần nguyên: Chia liên tiếp phần nguyên số thập phân cho số hệ cần chuyển đến, số dư sau lần chia viết đảo ngược trật tự kết cần tìm Phép chia dừng lại kết lần chia cuối ƒ Phần phân số: Nhân liên tiếp phần phân số số thập phân với số hệ cần chuyển đến, phần nguyên thu sau lần nhân, viết kết cần tìm Phép nhân dừng lại phần phân số triệt tiêu GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn 11 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (8) ™ Đổi số 22.12510 sang số nhị phân Phần nguyên Bước Chia Được Dư 22/2 11 11/2 5/2 Phần phân số Bước LSB Nhân KQ Phần nguyên 0.125 x 0.25 0.25 x 0.5 0.5 x 1 2/2 0x2 0 1/2 MSB Kết biểu diễn nhị phân: 10110.001 Bài tập: chuyển số 83.8710 sang số nhị phân www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 12 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (9) ™ Đổi biểu diễn hệ sang hệ 10 ƒ Công thức chuyển đổi: N10 = a n −1 × r n −1 + a n −2 × r n −2 + a × r + a −1 × r −1 + + a − m × r − m ƒ Thực lấy tổng vế phải có kết cần tìm Trong biểu thức trên, r hệ số số hệ có biểu diễn ƒ Ví dụ: Chuyển 1101110.102 sang hệ thập phân N10 = 1× 26 + 1× 25 + × 24 + 1× 23 + 1× 22 + 1× 21 + × 20 + 1× 2−1 + × 2−2 = 64 + 32 + + + + + + 0.5 + = 110.5 ™ Đổi số từ hệ nhị phân sang hệ số 8, 16 ƒ Nhóm cặp 3(hoặc bit) từ bit LSB lại thành nhóm, chuyển nhóm sang Octal (hoặc hex) Nếu nhóm cuối thiếu bit thêm vào cho đủ nhóm www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 13 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (10) ™ Số nhị phân có dấu ƒ Sử dụng bit dấu: ‘0’ dương (+), ‘1’ âm (-) VD: số 6: 00000110, số -6: 10000110 ƒ Sử dụng phép bù 1: Lấy bù bit trị số (đảo bit) VD: số 4: 00000100, số -4: 111111011 ƒ Sử dụng phép bù 2: Số dương số nhị phân không bù, số âm biểu diễn qua bù (bù cộng 1) Bù theo phương pháp xen kẽ: từ bit LSB, dịch bên trái, giữ nguyên bit gặp bit lấy bù bit lại Bit dấu giữ nguyên.VD: số 4: 00000100, số -4: 111111100 ™ VD Tìm bù bù số sau: 10010101; 01101011; 10110111 www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 14 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (11) ™ Phép cộng theo bù ƒ Hai số dấu: cộng trị số, dấu chung ƒ Số dương > số âm: cộng trị số số dương với bù số âm Bit tràn vào kết trung gian Dấu dương ƒ Số dương < số âm: cộng trị số số dương với bù số âm Lấy bù tổng trung gian Dấu âm ™ VD: 0 0 12 (510) + 0 0 1 12 (710) 0 0 1 02 (1210) 1 1 1 02 (-510) + 1 1 0 02 (-710) 1 1 0 02 ↓ + Bít tràn → 1 1 0 12 (-12) GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn 15 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (12) 0 0 1 02 + 1 1 1 02 (+1010) (-510) 0 0 02 ↓ + Bít tràn → ™ 0 0 12 1 1 12 (-1010) + 0000 010 12 (+510) 1 1 1 02 (-510) (+510) Phép cộng theo bù ƒ Hai số dương: cộng bình thường, dấu dương ƒ Hai số âm: lấy bù hai số cộng, kết dạng bù ƒ Số dương > số âm: số dương cộng với bù số âm Kết bao gồm bit dấu, bit tràn bỏ ƒ Số dương < số âm: số dương cộng với bù số âm Kết dạng bù số dương tương ứng Bit dấu www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 16 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (13) 0 0 1 12 (1110) + 0 0 1 12 (710) 0 0 02 (1810) 1 1 12 (-1110) + 1 1 0 12 (-710) 1 1 1 02 ↓ Bít tràn → bỏ 0 0 1 12 (+1110) + 1 1 0 12 (-710) 1 1 1 02 1 1 12 (-1110) + 0 0 1 12 (+710) 1 1 1 02 (-410) 0 0 02 ↓ Bít tràn → bỏ 0 0 02 www.ptit.edu.vn (-1810) (+410) GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 17 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (14) ™ Dấu phẩy động ƒ VD: 197,62710 = 197627 x 10-3; 97,62710 = 0,197627 x 10+3 ƒ Gồm hai phần: số mũ E (phần đặc tính) phần định trị M (trường phân số) E từ đến 20 bit, M từ đến 200 bit và: X = 2E x ( M x ) 1/ ≤ M ≤ E E ƒ Giả sử X = x ( Mx ) Y = y ( My ) thì: ƒ Nhân: Z = X.Y = 2E x +E y ( M x M y ) = 2E Z M z ƒ Chia: W = X / Y = 2E x −E y ( M x / M y ) = 2E w M w ƒ Tổng(hiệu): đưa số hạng số mũ, số mũ tổng(hiệu) số mũ chung, định trị tổng(hiệu) tổng(hiệu) định trị www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 18 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (15) ™ Đổi số Binary sau sang dạng Octal: 0101111101001110 A) 57514 ™ B) 57515 B) 357,46 C) 347,56 D) 357,67 Thực phép cộng hai số có dấu sau theo bù 1: 0000 11012 + 1000 10112 ƒ A) 0000 0101 ™ D) 57517 Thực phép tính: 132,4416 + 215,0216 ƒ A) 347,46 ™ C) 57516 B) 0000 0100 C) 0000 0011 D) 0000 0010 Thực phép cộng hai số có dấu sau theo bù 2: 0000 11012 – 1001 10002 ƒ A) 1000 1110 www.ptit.edu.vn B) 1000 1011 C) 1000 1100 D) 1000 1110 GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 19 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm (16) ™ Phép cộng theo bù ƒ Hai số dấu: cộng trị số, dấu chung ƒ Số dương > số âm: cộng trị số số dương với bù số âm Bit tràn vào kết trung gian Dấu dương ƒ Số dương < số âm: cộng trị số số dương với bù số âm Lấy bù tổng trung gian Dấu âm ™ VD: www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 20 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (16) ™ Bộ nhớ cố định – PROM: PROM gồm có diode MROM chúng có mặt đầy đủ tạo vị trí giao dây từ dây bit Mỗi diode nối với cầu chì ™ Bình thường chưa lập trình, cầu chì nguyên vẹn, nội dung PROM toàn Khi định vị đến bit cách đặt xung điện lối tương ứng, cầu chì bị đứt bit Bằng cách ta lập trình toàn bit PROM ™ Như vậy, việc lập trình thực người sử dụng lần nhất, sửa đổi www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 191 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (17) ™ Hình dưới: PROM dùng diode www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 192 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (18) ™ Bộ nhớ bán cố định - EPROM (Erasable PROM) ƒ Số liệu viết vào xung điện lưu giữ theo kiểu không bay Đó loại ROM lập trình xóa Hình 7- cấu trúc transistor dùng để làm ô nhớ gọi FAMOST (Floating gate avalanche injection MOS transistor) ƒ Trong ô nhớ dùng transistor này, cực cửa nối với đường từ, cực máng nối với đường bit cực nguồn nối với nguồn chuẩn coi nguồn cho mức logic Khác với transistor MOS bình thường, transistor loại có thêm cửa gọi cửa (floating gate); vùng vật liệu thêm vào vào lớp cách điện cao hình vẽ ƒ Nếu cửa điện tích không ảnh hưởng đến cực cửa điều khiển transistor hoạt động bình thường Tức dây từ kích hoạt (cực cửa có điện dương) transistor dẫn, cực máng nguồn nối với qua kênh dẫn dây bit có mức www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 193 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (19) ƒ Nếu cửa có điện tử với điện tích âm chúng ngăn trường điều khiển cửa cửa dù dây từ kích hoạt phát trường đủu mạnh với cực cửa điều khiển để làm thông transistor Lúc đường bit không nối với nguồn chuẩn ô nhớ coi giữ giá trị www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 194 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (20) ™ Bộ nhớ bán cố định - EPROM (Erasable PROM) ƒ Việc nạp điện tử vào vùng cửa nổi, tức tạo ô nhớ mang giá trị thực xung điện có độ dài cỡ 50 ms độ lớn + 20 V đặt cực cửa va cực máng Lúc điện tích mang lượng lớn qua lớp cách điện đế cửa Chúng tích tụ vùng cửa giữ sau xung lập trình tắt Đó cửa cách điện cao với xung quanh điện tử không đủ lượng sau lạnh đi, để vượt lớp cách điện Chúng giữ thời gian dài (ít 10 năm) ƒ Để xoá thông tin, tức làm điện tích điện tử vùng cửa nổi, phải chiếu ánh sáng tử ngoại UV vào chíp nhớ Lúc này, điện tử hấp thụ đượ lượng nhảy lên mức lượng cao rời khỏi cửa giống cách mà chúng thâm nhập vào Trong chip EPROM có cửa sổ làm thuỷ tinh thạch anh ánh sáng tử ngoại qua cần xoá số liệu nhớ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 195 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (21) ƒ Cửa sổ thạch anh có giá thành đắt không tiện lợi nên năm gần xuất chip PROM xoá số liệu phương pháp điện Cấu trúc ô nhớ giống hình vẽ ƒ Việc nạp điện tử cho cửa thực cách EPROM Bằng xung điện tương đối dài, điện tích mang lượng cao phát đế thấm qua lớp cửa ôxit tích tụ cửa Để xoá EEPROM, lớp kênh màng mỏng ôxit vùng cửa trải xuống đế cực máng giữ vai trò quan trọng Các lớp cách điện lý tưởng được, điện tích thấm qua lớp phân cách với xác suất thấp Xác suất tăng lên bề dày lớp giảm điện hai điện cực hai mặt lớp cách điện tăng lên Muốn phóng điện tích vùng cửa điện (-20 V) đặt vào cực cửa điều khiển cực máng www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 196 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (22) ™ Lúc điện tử âm cửa chảy cực máng qua kênh màng mỏng ôxit số liệu lưu giữ xoá Điều lưu ý phải cho dòng điện tích chảy không lâu không vùng cửa lại trở nên tích điện dương làm cho hoạt động transistor không trạng thái bình thường (mức nhớ 1) www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 197 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (23) ™ RAM: có khả cho phép ghi lưu trữ liệu thông tin tam thời thời gian, sau lại đọc thông tin để tiếp tục xử lý cần thiết nên có tên nhớ đọc/viết ™ Một đặc tính quan trọng khác RAM liệu RAM có tính chất tạm thời, dễ bị xóa nguồn lượng cấp ™ RAM có phần (hình vẽ) Điểm khác biệt là: ƒ Mạch điều khiển RAM phải có thêm đầu vào R/W điều khiển hai trình thao tác RAM: ghi liệu thông tin vào trình xuất (đọc) thông tin ghi ƒ Mạch đầu có khả kiểm soát hai chiều trước cho phép giao tiếp với kênh liệu Quá trình tuân theo nguyên tắc: (đồng với việc điều khiển R/W) nhớ đọc không ghi ngược lại; trạng thái thứ ba chờ định www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 198 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (24) ™ Cấu trúc khối RAM có bit liệu bit địa www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 199 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (25) ™ Mạch vào ra: www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 200 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (26) ™ Mạch điều khiển: ™ Khi chế độ đọc, xung R/W mức logic Đồng thời tín hiệu cho phép chọn CE1, CE2 kích hoạt mức nên lúc RE = 1, tức chế độ đọc thiết lập Khi tín hiệu = nên tín hiệu cho phép ghi WE = (cấm ghi) ™ Khi chế độ ghi, xung R/W mức logic 0, = 1, đồng thời tín hiệu cho phép chọn CE1, CE2 kích hoạt mức nên lúc WE = 1, tức chế độ ghi Khi tín hiệu R/W = nên tín hiệu cho phép đọc RE = (cấm đọc) ™ Tín hiệu tích cực đồng thời CE1 = CE2 = hai chế độ đọc ghi phải chuyển lúc tới mảng ô nhớ nhằm thông báo việc xuất (khi đọc) hay việc nhập (khi ghi) liệu tới địa ô nhớ mạch giải mã chọn www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 201 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (27) ™ Khi tín hiệu CE1 CE2 = (có tín hiệu CE trạng thái không tích cực) mạch điều khiển hình 7-19 chuyển nhớ sang chế độ chờ (Standby) bất chấp tín hiệu R/W có tích cực hay không, lúc RE = WE = www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 202 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (28) ™ DRAM: Các ô nhớ xắp xếp theo hàng cột ma trận nhớ Địa ô nhớ chia thành hai phần: địa hàng cột Hai địa đọc vào đệm cách Xử lý kiểu gọi hợp kênh, lý để giảm kích thước giải mã, tức giảm kích thước giá thành vi mạch Quá trình dồn kênh địa điều khiển tín hiệu RAS (Row Access Strobe) CAS (Column Access Strobe) ƒ Nếu RAS mức tích cực thấp DRAM nhận địa đặt vào sử dụng địa hàng ƒ Nếu CAS mức tích cực thấp DRAM nhận địa đặt vào sử dụng địa cột www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 203 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (29) ™ Một ô nhớ DRAM gồm có transistor trường MOS có trở lối vào lớn tụ điện C linh kiện lưu trữ bit thông tin tương ứng với hai trạng thái có điện tích tụ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 204 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (30) ™ Transistor hoạt động công tắc, cho phép nạp hay phóng điện tích tụ thực phép đọc hay viết Cực cửa (Gate) transistor nối với dây hàng (còn gọi dây từ-WL-Word Line) cực máng (Drain) nối với dây cột (còn gọi dây bit BL-Bit Line), cực nguồn (Source) nối với tụ điện Điện áp nạp tụ tương đối nhỏ, cần sử dụng khuếch đại nhạy mạch nhớ ™ Do dòng rò transistor nên ô nhớ cần nạp lại trước điện áp tụ thấp ngưỡng Quá trình thực nhờ chu kỳ “làm tươi” (refresh), điện áp tụ xác định (ở trạng thái hay 1) mức điện áp logic viết lại vào ô nhớ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 205 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (31) ™ SRAM: Một ô nhớ SRAM giữ thông tin trạng thái mạch trigơ Thuật ngữ “tĩnh” nguồn nuôi chưa bị cắt thông tin ô nhớ giữ nguyên Khác với ô nhớ DRAM, ô nhớ trigơ cung cấp tín hiệu số mạnh nhiều có transistor ô nhớ, chúng có khả khuếch đại tín hiệu cấp trực tiếp cho đường bit Trong DRAM, khuếch đại tín hiệu khuếch đại cần nhiều thời gian thời gian truy nhập dài Khi định địa trigơ SRAM, transistor bổ sung cho trigơ, giải mã địa chỉ…cũng đòi hỏi DRAM www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 206 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (32) ™ Như DRAM, cực cửa transistor nối với đường từ cực máng nối với cặp đường bit Nếu số liệu đọc từ ô nhớ, giải mã hàng kích hoạt đường dây từ WL tương ứng Hai transistor T dẫn nối trigơ nhớ với cặp dây bit Như hai lối Q Q_ nối với đường bit tín hiệu truyền tới khuếch đại cuối đường dây Vì điện chênh lệch lớn nên xử lý khuếch đại nhanh DRAM (cỡ 10 ns ngắn hơn), chip SRAM cần địa cột sớm thời gian truy nhập không giảm Như SRAM không cần thực phân kênh địa hàng cột Sau số liệu ổn định, giải mã cột chọn cột phù hợp cho tín hiệu số liệu tới đệm số liệu tới mạch www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 207 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (33) ™ Viết số liệu thực theo cách ngược lại Qua đệm vào giải mã cột, số liệu viết đặt vào khuếch đại phù hợp Cùng lúc giải mã hàng kích hoạt đường dây từ làm transistor T dẫn Trigơ đưa số liệu lưu trữ vào cặp dây bit Tuy vậy, khuếch đại nhạy transistor nên cấp cho đường bit tín hiệu phù hợp với số liệu viết Do đó, trigơ chuyển trạng thái phù hợp với số liệu giữ giá trị lưu trữ phụ thuộc vào việc số liệu viết trùng với số liệu lưu trữ hay không www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 208 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (34) ™ Bộ nhớ bán cố định - Bộ nhớ FLASH: Trong năm gần đây, loại nhớ không bay xuất thị trường, thường sử dụng thay cho ổ đĩa mềm cứng máy tính Đó nhớ flash Cấu trúc chúng EEPROM, có lớp kênh ôxit ô nhớ mỏng Do cần điện cỡ 12 V cho phép thực 10 000 chu trình xoá lập trình Bộ nhớ flash hoạt động gần mềm dẻo DRAM SRAM lại không bị số liệu bị cắt điện Hình 7- sơ đồ khối ™ Phần mạng nhớ bao gồm ô nhớ FAMOST mô tả mục Giống SRAM, nhớ flash không dồn phân kênh địa Các giải mã hàng cột chọn đường từ nhiều cặp đường bit Số liệu đọc đưa đệm số liệu I/O viết vào ô nhớ định địa đệm qua cổng I/O Xử lý đọc thực với điện MOS thông thường 5V www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 209 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (35) ™ Để lập trình ô nhớ, đơn vị điều khiển flash đặt xung điện ngắn cỡ 10 μs 12 V gây nên chọc thủng thác lũ vào transistor nhớ để nạp vào cửa Một chip nhớ flash Mb lập trình khoảng sec, khác với EEPROM việc xoá thực chip Thời gian xoá cho toàn bộ nhớ flash khoảng sec Xử lý đọc, lập trình xoá điều khiển lệnh có độ dài byte xử lý viết vào ghi lệnh mạch điều khiển flash ™ Mục đích sử dụng nhớ flash để thay cho ổ đĩa mềm ổ đĩa cứng dung lượng nhỏ Do mạch tích hợp nên có ưu điểm kích thước nhỏ tiêu thụ lượng thấp, không bị ảnh hưởng va đập ™ Các đĩa cứng chất rắn dựa sở nhớ flash có lợi công suất tiêu thụ giá thành có dung lượng tới vài Mbyte www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 210 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (36) ™ Các card nhớ loại có ưu điểm không gặp phải vấn đề thông tin trường hợp RAM CMOS pin NiCd bị hỏng Thời gian lưu trữ thông tin nhớ flash 10 năm, thông thường 100 năm, với khoảng thời gian đĩa mềm cứng bị hỏng ™ Nhược điểm nhớ flash xoá theo kiểu chip trang www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 211 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (37) ™ Bộ nhớ bán cố định - EPROM (Erasable PROM): ™ Việc nạp điện tử vào vùng cửa nổi, tức tạo ô nhớ mang giá trị thực xung điện có độ dài cỡ 50 ms độ lớn + 20 V đặt cực cửa va cực máng Lúc điện tích mang lượng lớn qua lớp cách điện đế cửa Chúng tích tụ vùng cửa giữ sau xung lập trình tắt Đó cửa cách điện cao với xung quanh điện tử không đủ lượng sau lạnh đi, để vượt lớp cách điện Chúng giữ thời gian dài (ít 10 năm) ™ Để xoá thông tin, tức làm điện tích điện tử vùng cửa nổi, phải chiếu ánh sáng tử ngoại UV vào chíp nhớ Lúc này, điện tử hấp thụ đượ lượng nhảy lên mức lượng cao rời khỏi cửa giống cách mà chúng thâm nhập vào Trong chip EPROM có cửa sổ làm thuỷ tinh thạch anh ánh sáng tử ngoại qua cần xoá số liệu nhớ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 212 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (38) ™ Bộ nhớ bán cố định - Bộ nhớ CACHE: ™ Giữa CPU nhớ DRAM, người ta xen vào nhớ SRAM nhanh có dung lượng nhỏ 1/10 1/100 lần nhớ gọi cache; điều khiển mạch điều khiển cache, nhớ lưu trữ tạm thời số liệu thường gọi cung cấp cho CPU thời gian ngắn ™ Cache chứa thông tin CPU sử dụng gần Khi CPU đọc số liệu đưa địa tới điều khiển cache Sau hai trình sau xảy ra: ™ Cache hit: địa có sẵn RAM cache ™ Cache miss: ngược lại, địa sẵn RAM cache www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 213 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (39) ™ Mở rộng dung lượng nhớ: ƒ Các vi mạch nhớ bán dẫn có dung lượng xác định Muốn có nhớ có dung lượng lớn hơn, ta tìm cách ghép nhiều vi mạch nhớ nhằm ba mục đích sau: • Tăng độ dài nhớ, không làm tăng số lượng từ nhớ • Tăng số lượng từ nhớ không làm tăng độ dài từ nhớ • Tăng số lượng độ dài từ nhớ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 214 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (40) ™ Mở rộng độ dài từ: Trên chíp nhớ, có đến số hữu hạn lối ra, thường bit Muốn có độ dài từ lớn hơn, chẳng hạn từ lên 16 bit, ta tiến hành ghép nhiều chíp nhớ hình 7-10 RAM Đối với ROM cách làm tương tự, khác trường hợp này, lối vào R/⎯W www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 215 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (41) ™ Mở rộng dung lượng: ™ Muốn mở rộng dung lượng, ta ghép nhiều chíp lại với Như biết, dung lượng có liên quan đến số lối vào địa (C = 2N x độ dài từ, với N số lối vào địa chỉ) Cứ tăng chíp cần có thêm lối vào địa ™ Khác với trường hợp mở rộng độ dài từ, mở rộng dung lượng lối vào/ra liệu D R/ nối song song Một phần dung lượng trữ vào chíp Sự phân chia dựa sở tổ hợp địa vào lối vào điều khiển Hình 7-11 sơ đồ ví dụ www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 216 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (42) ™ Để thực phép mở rộng ta phải sử dụng số lối vào địa dành riêng cho giải mã (thường địa có trọng số cao) Ở sơ đồ ta chọn địa A12 A13 để giải mã Do ta nhận giá trị tương ứng Các giá trị tác động lên lối vào CS để mở IC nhớ GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn 217 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Bộ nhớ bán dẫn (43) ™ Các IC nhớ làm ROM RAM hai tùy chọn Tuần tự mở IC theo A12, A13 bảng hoạt động sau A13 A12 0 _CS1 _CS2 IC II 100016 - 1FFF16 _CS3 IC III 200016 - 2FFF16 1 _CS4 IC IV 300016 - 3FFF16 www.ptit.edu.vn _CS IC mở IC I Khoảng địa 000016 - 0FFF16 GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 218 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Tài liệu tham khảo ™ ™ ™ ™ ™ ™ ™ ™ ™ ™ Giáo trình Kỹ thuật số - Trần Văn Minh, NXB Bưu điện 2002 Cơ sở kỹ thuật điện tử số, Đại học Thanh Hoa, Bắc Kinh, NXB Giáo dục 1996 Kỹ thuật số, Nguyễn Thúy Vân, NXB Khoa học kỹ thuật 1994 Lý thuyết mạch logic Kỹ thuật số, Nguyễn Xuân Quỳnh, NXB Bưu điện 1984 Fundamentals of logic design, fourth edition, Charles H Roth, Prentice Hall 1991 Digital engineering design, Richard F.Tinder, Prentice Hall 1991 Digital design principles and practices, John F.Wakerly, Prentice Hall 1990 VHDL for Programmable Logic by Kevin Skahill, Addison Wesley, 1996 The Designer's Guide to VHDL by Peter Ashenden, Morgan Kaufmann, 1996 Analysis and Design of Digital Systems with VHDL by Dewey A., PWS Publishing, 1993 www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 219 [...]...BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ ĐẠI SỐ BOOLE VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP BiỂU DiỄN HÀM www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 21 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Đại số Boole và các phương pháp biểu diễn hàm(1) Nội dung ™ ™ ™ Đại số Boole Các phương pháp biểu diễn hàm Boole Các phương pháp rút gọn hàm www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 22 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ... 11-1-1- x x GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ (12,13,14,15) (10,11,14,15) 12 13 14 15 x x x x x x 31 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ CỔNG LOGIC www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 32 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(1) ™ Nội dung 9 Các cổng logic và các tham số chính 9 Các họ cổng logic 9 Giao tiếp giữa các cổng logic cơ bản ™ Các cổng logic và các tham số chính... gian trễ truyền lan hạn chế tần số công tác của cổng Trễ càng lớn thì tần số công tác cực đại càng thấp www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 48 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(17) ™Các họ cổng logic: ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ Họ DDL Họ DTL Họ RTL Họ TTL Họ MOS FET GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn 49 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(18) ™ Họ DDL (Diode... www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 66 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ MẠCH LOGIC TỔ HỢP www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 67 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Mạch logic tổ hợp(1) ™Nội dung: ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ Khái niệm chung Phân tích mạch logic tổ hợp Thiết kế mạch logic tổ hợp Mạch mã hóa và giải mã Bộ hợp kênh và phân kênh Mạch số học Mạch tạo và... Theo giá trị logic GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ Theo mức logic 34 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(3) ƒ Đồ thị dạng xung vào/ra của cổng AND: 0 0 1 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 Lối vào A Lối ra f 0 0 Lối vào B 0 t0 1 0 t1 t2 0 t3 0 0 t4 t5 1 0 t6 t7 0 t8 0 t9 t t10 GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn 35 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(4)... Chuẩn IEEE f Theo giá trị logic GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ Theo mức logic 36 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(5) ƒ Đồ thị dạng xung của cổng OR: 0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 1 0 0 A f B 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 t t0 t2 t1 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 t10 GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn 37 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(6) ™ Cổng NOT ƒ Hàm... VSS GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn 61 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(30) ™ NMOS: chỉ dùng MOSFET có kênh dẫn loại N Hình dưới là sơ đồ cổng NAND và cổng NOR loại NMOS Ở đây MOSFET Q1 đóng vai trò điện trở VDD VDD Q1 Q1 f f A Q2 Q2 A Q3 B www.ptit.edu.vn VSS Q3 B a) Cổng NAND GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ b) Cổng NOR VSS 62 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN... BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ www.ptit.edu.vn 63 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(32) ™ Cổng truyền dẫn: Dựa trên công nghệ CMOS, người ta sản xuất loại cổng có thể cho qua cả tín hiệu số lẫn tín hiệu tương tự G Q1 Vào/Ra S D +5V S D Q2 G a) Mạch điện www.ptit.edu.vn Ra/Vào Vào/ Ra Ra/Vào Điều khiển GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ b) Ký hiệu 64 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(33)... www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 54 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Cổng logic(23) ™ Họ TTL (Transistor Transistor Logic): Thay các điốt đầu vào họ DTL thành transistor đa lớp tiếp giáp BE ƒ Một số mạch TTL • Mạch cổng NAND • Mạch cổng OR • Mạch cổng collector để hở • Mạch cổng TTL 3 trạng thái • Họ TTL có diode Schottky ( TTL + S ) www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN:... với hạng tổng www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 25 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Đại số Boole và các phương pháp biểu diễn hàm(5) ™ Phương pháp đại số ƒ 2 dạng biểu diễn:tuyển (tổng các tích) & hội (tích các tổng) 9 Dạng tuyển: Mỗi số hạng là một hạng tích hay mintex, mi 9 Dạng hội: Mỗi thừa số là hạng tổng hay maxtex, Mi ƒ Dạng chuẩn: mỗi số hạng có đủ mặt các biến, là ... www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ HỆ ĐẾM www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ Hệ đếm... www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 66 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ MẠCH LOGIC TỔ HỢP www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 67 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ... x x GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ (12,13,14,15) (10,11,14,15) 12 13 14 15 x x x x x x 31 BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ SỐ CỔNG LOGIC www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS VŨ ANH ĐÀO BỘ