www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: THS. VŨ ANH ĐÀO
BỘMÔN: KỸTHUẬT ĐIỆN TỬ 211
Các card nhớloại này có ưu
điểm là không gặp phải vấn
đềmất thông tin như trường hợp RAM CMOS khi pin Ni- Cd bị hỏng. Thời gian lưu trữ thông tin trong bộ nhớ
flash ít nhất là 10 năm, thông thường là 100 năm, với khoảng thời gian này thì cácđĩa mềm và cứng đã bị
hỏng rồi.
Nhược điểm của bộ nhớ
flash là chỉcó thể xoá theo kiểu lần lượt từng chip hoặc lần lượt từng trang.
BÀI GIẢNG MÔN
ĐIỆN TỬ SỐ
Bộ nhớ bán cố định - EPROM (Erasable PROM):
Việc nạp các điện tửvào vùng cửa nổi, tức là tạo ra các ô nhớ
mang giá trị0 được thực hiện bởi xung điện có độdài cỡ50 ms và
độ lớn + 20 V đặt giữa cực cửa va cực máng. Lúcđó những điện tích mang năng lượng lớn sẽ đi qua lớp cáchđiện giữa đế và cửa nổi. Chúng tích tụ trong vùng cửa nổi và được giữ ở đây sau khi xung lập trình tắt. Đó là do cửa nổiđược cách điện cao với xung quanh và các điện tửkhông còn đủ năng lượng sau khi lạnh đi, để
có thể vượt ra ngoài lớp cách điện đó nữa. Chúng sẽ được giữ ở đây trong một thời gian rất dài (ít nhất là 10 năm).
Để xoá các thông tin, tức là làm mất các điện tích điện tử trong vùng cửa nổi, phải chiếu ánh sáng tửngoại UV vào chíp nhớ. Lúc này, những điện tửhấp thụ đượnăng lượng và sẽ nhảy lên các mức năng lượng cao và rời khỏi cửa nổi giống như cách mà chúng đã thâm nhập vào. Trong chip EPROM có một cửa sổ làm bằng thuỷ
tinh thạch anh chỉ để cho ánh sáng tử ngoạiđi qua khi cần xoá số
liệu trong bộ nhớ.