Hãy phân tích nguyên lý hoạt động của bộ nhớ RAM chuẩn SDRAM

Hãy phân tích nguyên lý hoạt động của bộ nhớ RAM chuẩn SDRAM

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI

KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TINMÔN KIẾN TRÚC MÁY TÍNH

Mục lục

Chương 1 Tổng quan về SDRAM 1

1.1 Tổng quan về RAM 1

1.1.1 Khái niệm cơ bản về RAM 1

1.1.1.1 Định nghĩa 1

1.1.1.2 Lịch sử phát triển của RAM 2

1.1.1.3 Nhiệm vụ 4

1.1.1.4 Các thông số của RAM 4

1.1.1.4.1 Dung lượng 4

1.1.1.4.2 Bus 5

1.1.1.5 Đặc trưng 6

1.1.2 Phân loại RAM 6

1.1.2.1 RAM tĩnh 7

1.1.2.2 RAM động 7

1.1.3 Hoạt động của RAM 9

1.1.3.1 Tốc độ của bộ nhớ RAM 9

1.1.3.2 Độ trễ 9

1.1.3.3 Tần số làm tươi 10

1.1.3.4 SDRAM access time 10

1.2 Tổng quan về SDRAM 11

1.2.1 Khái niệm cơ bản về SDRAM 11

1.2.1.1 Định nghĩa 11

1.2.1.2 Lịch sử phát triển của SDRAM 11

1.2.2 Phân loại SDRAM 12

1.2.2.1 SDR SDRAM 12

1.2.2.2 DDR SDRAM 13

1.2.2.3 DDR2 SDRAM 13

1.2.2.4 DDR3 SDRAM 14

Chương 2 Nguyên lý hoạt động của SDRAM 14

2.1 DRAM ……… 14

2.1.1 Sơ lược về lịch sử của DRAM ………14

2.1.2 Cấu tạo 15

2.1.3 Nguyên lý làm việc của DRAM 16

2.1.3.1 Nguyên lý hoạt động của DRAM 16

2.1.3.2 Chu kỳ đọc dữ liệu 17

2.1.3.3 Chu kỳ ghi dữ liệu 18

2.2 Chế độ làm việc của SDRAM 18

2.2.1 Chế độ trang 18

2.2.2 Chế độ cột tĩnh 19

2.2.3 Chế độ Nibble 19

2.2.4 Chế độ nối tiếp 19

2.2.5 Chế độ đan xen 20

2.3 Các loại SDRAM 21

2.3.1 SDR SDRAM 21

2.3.1.1 Khái quát 21

2.3.1.2 SDRAM tín hiệu điều khiển .22

2.3.1.3 SDRAM hoạt động 25

2.3.1.4 Lệnh tương tác 26

2.3.2 DDR-SDRAM 27

2.3.2.1 Khái quát 27

2.3.2.2 Tốc độ 28

2.3.2.3 Điện áp 29

2.3.2.4 Thời gian trễ 30

2.3.2.5 Điểm đầu cuối trở kháng 32

2.3.2.6 Khía cạnh hình thức bên ngoài 33

Danh mục bảng Bảng 2.1 Các lệnh dùng trong SDRAM 24

Bảng 2.2.Tốc độ của những bộ nhớ DDR,DDR2,DDR3 29

Bảng 2.3 Bảng tổng hợp giá trị CL phổ biến nhất 30

Bảng 2.4 Tốc độ xung nhịp của DDR…… 31

Bảng 2.5 Chân nối của Module 33

Danh mục hình

Hình 1.1 Một số loại RAM (từ trên xuống dưới) : DIP, SIPP, SIMM 30 chân,

SIMM 72 chân, DIMM (168 chân), DDR DIMM (184-chân) 2

Hình 1.2 Megabit con chip - một trong những mô hình phát triển bởi VEB Carl Zeiss Jena vào năm 1989 2

Hình 1.3 Sơ đồ phân loại RAM 6

Hình 1.4 6 transistor trong một ô nhớ của RAM tĩnh 7

Hình 1.5 1 transistor và 1 tụ điện trong một ô nhớ của RAM động 7

Hình 1.6 Card RAM 4MB của máy tính VAX 8600 sản xuất năm 1986 Các chip RAM nằm vào những vùng chữ nhật ở bên trái và bên phải 9

Hình 2.1 Sơ đồ cấu tạo DRAM 15

Hình 2.2 Sơ đồ nguyên lý hoạt động của DRAM 16

Hình 2.3 Chu kỳ đọc dữ liệu của DRAM 17

Hình 2.4 64 MB bộ nhớ âm thanh của Sound Blaster X-Fi Fatal1ty Pro sử dụng hai Micron 48LC32M8A2-75 C SDRAM chip làm việc tại 133 MHz (7, 5 ns) 8-bit .22

Hình 2.5 DDR (DDR cũng sử dụng giao diện DIMM như SDRAM, nhưng có tới 184 chân và chỉ có 1 khe cắt Nó cũng dùng một kênh đơn như SDRAM nên có thể chạy độc lập, từng thanh một) 27

Chương I Tổng quan về SDRAM

RAM khác biệt với các thiết bị bộ nhớ tuần tự (sequential memory device) chẳng hạn như các băng từ, đĩa; mà các loại thiết bị này bắt buộc máy tính phải di chuyển cơ học một cách tuần tự để truy cập dữ liệu Có thể lấy ví dụ có 100 ngôi nhà được đánh địa chỉ từ 1 đến 100m lần lượt theo chiều dọc Với cách truy cập tuần tự muốn đi tới nhà thứ 99, cần phải

đi qua từng nhà từ nhà 1, 2, 3…… cho đến nhà thứ 99 Nhưng với phương thức truy cập ngẫu nhiên, có thể đi ngay đến ngôi nhà thứ 99 mà không cần phải đi qua các ngôi nhà trước đó

Bởi vì các chip RAM có thể đọc ghi dữ liệu nên thuật ngữ RAM cũng được hiểu như là một bộ nhớ đọc ghi, trái ngược với bộ nhớ chỉ đọc ROM (read-only memory)

RAM thông thường được sử dụng cho bộ nhớ chính (main memory) trong máy tính để lưu trữ các thông tin thay đổi, và các thông tin được sử dụng hiện hành Cũng có những thiết bị sử dụng một vài loại RAM như là một thiết bị lưu trữ thứ cấp (secondary storage)

Thông tin lưu trên RAM chỉ tạm thời, chúng sẽ mất đi khi mất nguồn điện cung cấp

Hình 1.1 Một số loại RAM (từ trên xuống dưới) : DIP, SIPP, SIMM 30 chân, SIMM 72 chân, DIMM (168 chân), DDR DIMM (184-chân)

1.1.1.2 Lịch sử phát triển RAM

Hình 1.2 1 Megabit con chip - một trong những mô hình phát triển bởi VEB Carl Zeiss Jena vào năm 1989

Máy tính đầu sử dụng chuyển tiếp, hoặc đường chậm trễ cho các chức năng bộ nhớ "chính" Đường chậm trễ siêu âm chỉ có thể sao chép

dữ liệu theo thứ tự nó đã được viết bộ nhớ trống có thể được mở rộng với chi phí thấp nhưng thu hồi các mặt hàng bộ nhớ không liên tục yêu cầu kiến thức về cách bố trí vật lý của trống để tối ưu hóa tốc độ Latches xây dựng của triodes ống chân không, và sau đó, trong bóng bán dẫn rời rạc, được sử dụng cho những kỷ niệm nhỏ hơn và nhanh hơn chẳng hạn như ngân hàng đăng ký truy cập ngẫu nhiên và đăng ký Đăng ký như vậy là tương đối lớn, thèm khát quyền lực và quá tốn kém để sử dụng cho một lượng lớn dữ liệu, thường chỉ vài trăm hoặc vài ngàn bit của bộ nhớ như vậy có thể được cung cấp

Đầu tiên thực hiện hình thức của bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên là các ống Williams bắt đầu vào năm 1947 Nó lưu trữ dữ liệu như điện-điện tích điểm trên khuôn mặt của một ống tia âm cực Kể từ khi chùm tia điện tử của màn hình CRT có thể đọc và ghi điểm trên ống theo thứ tự bất kỳ, bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên Năng lực của ống Williams là một vài trăm đến

khoảng một ngàn bit, nhưng nó nhỏ hơn nhiều, nhanh hơn, và nhiều hơn nữa năng lượng hiệu quả hơn bằng cách sử dụng ống chân không cá nhân chốt

Bộ nhớ từ cốt lõi được phát minh vào năm 1947 và đã phát triển lên cho đến giữa năm 1970 đã trở thành một hình thức phổ biến của bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên Nó dựa trên một loạt các vòng từ hoá bằng cách thay đổi

ý nghĩa của từ hóa, dữ liệu có thể được lưu trữ, với mỗi bit đại diện thể chất bởi một vòng Vì mỗi vòng có một sự kết hợp của dây địa chỉ để lựa chọn và đọc hoặc viết nó, truy cập vào bất kỳ vị trí bộ nhớ theo thứ tự bất

kỳ là có thể

Bộ nhớ từ cốt lõi là hình thức tiêu chuẩn của hệ thống bộ nhớ cho đến khi nhà cửa của bộ nhớ trạng thái rắn trong các mạch tích hợp, bắt đầu từ đầu những năm 1970 Robert H Dennard phát minh ra bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động vào năm 1968, điều này thay thế cho phép một chốt 4 hoặc 6 bóng bán dẫn mạch bởi một bóng bán dẫn duy nhất cho mỗi bit bộ

nhớ, giúp tăng mật độ bộ nhớ với chi phí của voltatility Dữ liệu được lưu trữ trong điện dung nhỏ của mỗi bóng bán dẫn, và phải được định kỳ làm mới trong một vài mili giây trước khi phí có thể bị rò rỉ

1.1.1.3 Nhiệm vụ của RAM

Ram là nơi hệ điều hành, ứng dụng lưu trữ dữ liệu để CPU có thể nhanh chóng truy xuất Tăng dụng lượng RAM đồng nghĩa với việc giảm

số lần CPU phải lấy dữ liệu từ Hard Dick, Smột quá trình mất nhiều thời gian hơn đọc dữ liệu trực tiếp từ RAM

Máy tính cá nhân cần một dung lượng RAM nhất định cho mỗi ứng dụng càng nhiều ứng dụng bạn mở, lượng RAM cần dung càng nhiều Vậy điều

gì sẽ xảy ra khi RAM đầy Rất may là hệ điều hành của chúng được thiết

kế để xử lý trường hợp này Khi RAM gần đầy hệ điều hành sẽ lấy bớt một phần dữ liệu từ RAM và ghi vào ổ cứng, thường là phần ít được dung nhất Phần HD dung để ghi dữ liệu tạm thời này được gọi là Page file hay Swap file dịch sang tiếng việt có nghĩa là “tập tin tráo đổi” RAM của chúng vì thế

sẽ không bao giờ bị đầy nhưng cái giá phải trả sẽ là việc hệ thống hoạt động ì ạch vì CPU phải lấy quá nhiều dữ liệu từ ổ cứng

1.1.1.4 Các thông số của RAM

Được phân loại theo chuẩn của JEDEC

1.1.1.4.1 Dung lượng

Dung lượng RAM được tính bằng MB và GB, thông thường RAM được thiết kế với các dung lượng 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512 MB, 1 GB, 2 GB Dung lượng của RAM càng lớn càng tốt cho hệ thống, tuy nhiên không phải tất cả các hệ thống phần cứng và hệ điều hành đều hỗ trợ các loại RAM có dung lượng lớn, một số hệ thống phần cứng của máy tính cá

nhân chỉ hỗ trợ đến tối đa 4 GB và một số hệ điều hành (như phiên bản 32 bit của Windows XP) chỉ hỗ trợ đến 3 GB

1.1.1.4.2 BUS

- SDR SDRAM được phân loại theo bus speed như sau:

Bộ nhớ RAM có 4 đặc trưng sau:

+ Dung lượng bộ nhớ :Tổng số byte của bộ nhớ (nếu tính theo byte) hoặc

là tổng số bit trong bộ nhớ nếu tính theo bit

+ Tổ chức bộ nhớ :Số ô nhớ và số bit cho mỗi ô nhớ

+ Thời gian thâm nhập:Thời gian từ lúc đưa ra địa chỉ của ô nhớ đến lúc độc được nội dung của ô nhớ đó

+ Chu kỳ bộ nhớ : Thời gian giữa hai lần liên tiếp thâm nhập bộ nhớ

1.1 2 Phân loại RAM

Hình 1.3 Sơ đồ phân loại RAM

Tùy theo công nghệ chế tạo, người ta phân biệt thành 2 loại:

- SRAM (static RAM) : RAM tĩnh

- DRAM (dynamic RAM) : RAM động

1.1 2.1 RAM tĩnh (SRAM)

Hình 1.4 6 transistor trong một ô nhớ của RAM tĩnhRAM tĩnh được chế tạo theo công nghệ ECL (CMOS và BICMOS) Mỗi bit nhớ gồm có các cổng logic với 6 transistor MOS SRAM là bộ nhớ

nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung của ô nhớ và thời gian thâm nhập bằng chu kỳ của bộ nhớ

1.1.2.2 RAM động (DRAM)

Hình 1.5 1 transistor và 1 tụ điện trong một ô nhớ của RAM động

RAM động dùng kỹ thuật MOS Mỗi bit nhớ làm nội dung bit này bị hủy

Do vậy sau mỗi lần đọc một ô nhớ, bộ phận điều khiển bộ nhớ phải viết lại nội dung ô nhớ đó Chu kỳ bộ nhớ cũng theo đó mà ít nhất là gấp đôi thời gian thâm nhập ô nhớ

Việc lưu trữ thông tin trong bit nhớ chỉ là tạm thời vì tụ điện sẽ phóng hết diện tích đã nạp và như vậy phải làm tươi bộ nhớ sau khoảng thời gian

2 Việc làm tươi được thực hiện với tất cả các ô nhớ trong bộ nhớ Công việc này được thực hiện tự động bởi một vi mạch bộ nhớ

*** Bộ nhớ DRAM chậm nhưng rẻ tiền hơn SRAM

- DDR SDRAM(double data rate DSRAM),thường được giới

chuyên môn gọi tắt là “DDR”.Có 184 chân DDR SDRAM là cải tiến của bộ nhớ SDR với tốc độ truyền tải gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải hai lần trong một chu kỳ bộ nhớ Đã được thay thế bởi DDR2

- DDR2 SDRAM(Double Data rate 2 SDRAM) thường được giới chuyên môn gọi tắt là “DDR2”.Là thế hệ thứ 2 của DDR với 240 chân,lợi thế lớn nhất của nó so với ĐR là có bus speed cao gấp đôi clock speed

+ RDRAM (viết tắt từ Rambus Dynamic RAM), thường được giới chuyên môn gọi tắt là “rambus” Đây là một loại DRAM được thiết kế kỹ thuật hoàn toàn mới so với kỹ thuật SDRAM RDRAM hoạt động đồng bộ theo một hệ thống lặp và truyền dữ liệu theo một hướng Một kênh bộ nhớ RDRAM có thể hỗ trợ đến 32 chip DRAM Mỗi chip được ghép nối tuần tự trên một module gọi là RIMM (rambus inline memory module) nhưng việc truyền dữ liệu được thực hiện giữa các mạch điều khiển và từng chip riêng biệt chứ không truyền giữa các chip với nhau Bus bộ nhớ RDRAM là đường dẫn

liên tục đi qua các chip và module trên bus, mỗi module có các chân vào

và ra trên các đầu đối diện Do đó, nếu các khe cắm không chứa RIMM sẽ phải gắn một module liên tục để đảm bảo đường truyền được nối liền Tốc

độ Rambus đạt từ 400-800MHz

Rambus tuy không nhanh hơn SDRAM là bao nhưng lại đắt hơn rất nhiều nên có rất ít người dùng RDRAM phải cắm thanh cặp và ở những khe trống phải cắm những thanh RAM giả (còn gọi là C-RIMM) cho đủ

Hình 1.6 Card RAM 4MB của máy tính VAX 8600 sản xuất năm 1986 Các chip RAM nằm vào những vùng chữ nhật ở bên trái và bên phải

1.1.3 Hoạt động của RAM.

1.1.3.1 Tốc độ của bộ nhớ RAM (ram bus).

Tốc độ của bộ nhớ RAM là tốc độ truy cập dữ liệu vào RAM

1.1.3.2 Độ trễ(latency).

CAS Latency là khái niệm mà người dùng thắc mắc nhiều nhất.Trước đây ,khi đi mua RAM người dung thường chỉ quan tâm đến tốc độ hoạt động như 100MHz hay 133 MHz nhưng gần đây khái niệm CAS đang dần

được người dùng để ý đến bởi vì nó đòng vai trò khá quan trọng vào tốc

độ xử lý tổng thể của hệ thống ,đặc biệt là ép xung.Vậy CAS là gì?

CAS là viết tắt của (Column Addrerss Strobe-địa chỉ cột).Một thanh

DRAM được coi như một ma trận của các ô nhớ và dĩ nhiên mỗi ô nhớ sẽ

có tọa độ (ngang, dọc)

1.1.3.3 Tần số làm tươi (refresh).

Thường thì khi nhắc tới khái niệm tần số làm tươi(RAM refresh

rate),người ta thường nghĩ ngay đến màn hình máy tính ,tuy nhiên bộ nhớ DRAM (dynamic Ramdom Access Memory) cũng có khái niệm này.Như bạn đã biết module DRAM được tạo nên bởi nhiều tế bào điện tử,mỗi tế bào này phải được nạp lại điện hàng nghìn mỗi giây vì nếu không dữ liệu chứa trong chúng sẽ bị mất.Một số loại DRAM có khả năng tự làm tươi dữ liệu độc lập với bộ xử lí thường được sử dụng trong những thiết bị di động

để tiết kiệm điện năng

1.1.3.4 SDRAM access time.

Việc cho ra đời cách đọc dữ liệu theo từng chuỗi (Burst Mode) đã giúp khắc phục nhiều nhược điểm và tăng hiệu năng cho RAM

Chu kỳ của chuỗi ngắn hơn rất nhiều chu kỳ trang của RAM loại cũ Chu

kì của chuỗi cũng được coi như là chu kỳ xung nhịp của SDRAM và chính

vì thế nó được coi như thang xác định cho tốc độ của RAM bởi đó là

khoảng thời gian cần thiết giữa các lần truy xuất dữ liệu theo chuỗi của RAM.Những con số -12,-10,-8… ghi trên các chip RAM bởi đó là khoảng thời gian tối thiểu giữa mỗi lần truy xuất dữ liệu: nhãn -12 xác định chu kì truy cập dữ liệu của RAM là 12ns(nano giây) đồng nghĩa với việc tốc độ hoạt động tối đa của RAM sẽ là 83MHz.Thường RAM có tốc độ cao sẽ xử dụng chip RAM có chu kỳ truy xuất thấp nhưng với chu kỳ truy xuất thấp nhưng chưa chắc RAM đã có thể hoạt động ở tốc độ cao do còn phụ thuộc vào nhiều yếu tố khác.Do đó đôi khi bạn sẽ gặp trường hợp thanh RAM có tốc độ thấp nhưng khi đem vào ‘thử lửa’ ép xung thì lên được tốc độ cao hơn nhiều so với những loại RAM mặc định đính dán nhãn tốc độ cao

1.1.1.2. Lịch sử phát triển của SDRAM

Mặc dù khái niệm của DRAM đồng bộ đã được biết đến ít nhất là từ những năm 1970 và đã được sử dụng với bộ vi xử lý intel đầu, nhưng chỉ vào năm 1993 SDRAM mới bắt đầu con đường của mình để được dùng phổ biến trong ngành công nghiệp điện tử Năm 1993, Samsung giới thiệu KM48SL2000 DRAM đồng bộ của nó và vào năm 2000, SDRAM đã thay thế hầu như tất cả các loại khác của DRAM trong máy tính hiện đại, bởi vì hiệu suất cao hơn của nó

SDRAM độ trễ không thấp hơn (nhanh hơn) so với DRAM không đồng

bộ Những lợi ích của bộ đệm DSRAM giúp interleave có khả năng hoạt động bank nhiều bộ nhớ, do đó tang hiệu quả bang thông

Ngày nay, hầu như tất cả SDRAM được sản xuất phù hợp với tiêu chuẩn JEDEC, hiệp hội ngành công nghiệp điện tử thông qua các tiêu chuẩn mở

để tạo điều kiện thuận lợi cho khả năng tương tác của các thành phần điện

tử JEDEC lkachính thức thông qua SDRAM đầu tiên đạt tiêu chuẩn vào năm 1993 và sau đó thông qua các tiêu chuẩn khác của các loại SDRAM, bao gồm DDR, DDR2, và DDR3 SDRAM

SDRAM cũng có những khả năng cho phép các hệ thống đòi hỏi khả năng mở rộng lớn hơn như máy chủ và máy trạm

Tính đến năm 2007, SDRAM DIMM 167-pin không sử dụng trong các hệ thống máy tính mới, và bộ nhớ DDR 184 –pin đã chủ yếu là thay thế

DDR2 SDRAM là loại phổ biến nhất được sử dụng với các máy tính mới,

và bo mạch chủ và bộ nhớ DDR3 là phổ biến rộng rãi, và ít tốn kém hơn so với sản phẩm DDR2 vẫn còn phổ biến

Ngày nay, các nhà sản xuất DSRAM lớn nhất thế giới là: Samsung

Electronics, Panasonic, Công nghệ Micron và Hynix

1.1.2. Phân loại SDRAM.

1.1.2.1. SDR SDRAM (Singer Data Rate SDRAM).

Đây là loại SDRAM chậm hơn so với các biến thế DDR, bởi vì chỉ có một dữ liệu được truyền tải trên mỗi chu kỳ đồng hồ (tốc độ dữ liệu duy nhất) Tuy nhiên, loại này cũng nhanh hơn so với loại đầu tiên EDO-RAM

và FPM-RAM thường 2 hoặc 3 đồng hồ để chuyển một dữ liệu

1.1.2.2. DDR SDRAM ( Double Data Rate 1 SDRAM).

Trong khi độ trễ truy cập bộ nhớ DRAM về cơ bản giới hạn bởi các mảng DRAM, DRAM có băng thông rất tiềm năng bởi vì mỗi lần đọc nội dung thực sự là một ngàn bit Để làm cho nhiều băng thông có sẵn cho người dùng dữ liệu, tốc độ giao diện được phát triển Điều này cũng sử dụng cho các lệnh tương tự, chấp nhận một lần trên mỗi chu kỳ, nhưng đọc hoặc viết hai dữ liệu trên mỗi chu kỳ đồng hồ Giao diện DDR hoàn thành điều này bằng cách đọc ghi dữ liệu trên () của tín hiệu đồng hồ

Ngoài ra, một số thay đổi nhỏ về thời gian giao diện DSR đã được thực hiện trong nhận thức muộn màng và cung cấp điện áp giảm từ 3, 3 đến 2,

5 V Kết quả là, DDR SDRAM là không tương thích ngược với SDR

SDRAM

DDR SDRAM (đôi khi được gọi là DDR1 cho rõ ràng hơn) tăng gấp đôi

mức tối thiểu đọc hoặc ghi đơn vị, truy cập mỗi đề cập đến ít nhất hai từ liên tiếp

Điển hình DDR SDRAM tốc độ đồng hồ là 133, 166 và 200 MHz (7, 5, 6,

và 5 ns / chu kỳ), thường được mô tả là DDR-266, DDR-333 và DDR-400 (3 75, 3, và ns 2, 5 mỗi nhịp) Tương ứng với 184-pin DIMM được gọi là PC-2100, PC-2700 và PC-3200 Hiệu suất lên DDR-550 (PC-4400) có sẵn cho một mức giá

1.1.2.3. DDR2 SDRAM ( Double Data Rate 2 SDRAM).

DDR2 SDRAM là rất tương tự như DDR SDRAM, nhưng tăng gấp đôi mức tối thiểu đọc hoặc ghi đơn vị một lần nữa, 4 từ liên tiếp Giao thức Bus cũng đã được đơn giản hóa để cho phép hoạt động hiệu suất cao hơn (Đặc biệt, "bùng nổ chấm dứt" lệnh sẽ bị xóa) Điều này cho phép tốc độ Buscủa SDRAM được tăng gấp đôi mà không làm tăng tỷ lệ đồng hồ hoạt động RAM nội bộ, thay vào đó, hoạt động nội bộ được thực hiện trong đơn

vị 4 lần rộng như SDRAM Ngoài ra, một bank thêm địa chỉ pin (BA2) đã được bổ sung để cho phép 8 bank trên các con chip RAM lớn

Điển hình DDR2 SDRAM tốc độ đồng hồ là 200, 266, 333 hoặc 400 MHz (giai đoạn 5, 3, 75, 3 và 2, 5 ns), thường được mô tả là DDR2-400, DDR2-

533, DDR2-667 và DDR2-800 (thời kỳ là 2, 5, 1, 875, 1 5 và ns 1

25).Tương ứng với 240-pin DIMMS được gọi là 3200 thông qua

PC2-6400 DDR2 SDRAM bây giờ đã có đồng hồ tốc độ 533 MHz thường được

mô tả như là DDR2-1066 DIMMs tương ứng được gọi là PC2-8500 (cũng được đặt tên PC2-8600 tùy thuộc vào nhà sản xuất) Hiệu suất lên DDR2-

1250 (PC2-10000) có sẵn cho một mức giá

*** Lưu ý rằng bởi vì các hoạt động nội bộ là 1/2 tốc độ đồng hồ,

DDR2-400 bộ nhớ (nội bộ đồng hồ tốc độ 100 MHz) có độ trễ cao hơn DDR-DDR2-400 (nội bộ đồng hồ tốc độ 200 MHz)

1.1.2.4. DDR3 SDRAM ( Double Data Rate 3 SDRAM)

DDR3 tiếp tục xu hướng, tăng gấp đôi mức tối thiểu đọc hoặc viết đơn vị đến 8 từ liên tiếp Điều này cho phép một tăng gấp đôi băng thông

và tốc độ Busbên ngoài mà không cần phải thay đổi tỷ lệ đồng hồ hoạt động nội bộ, chiều rộng Để duy trì 800-1600 chuyển M / s (cả hai cạnh của một chiếc đồng hồ 400-800 MHz), mảng RAM nội bộ để thực hiện 100-200

Một lần nữa, tăng gấp đôi mỗi nhược điểm là gia tăng độ trễ Như với tất

cả các thế hệ DDR SDRAM, lệnh còn nhiều hạn chế một cạnh đồng hồ và thời gian trễ lệnh được đưa ra trong các chu kỳ đồng hồ, mà là một nửa

tốc độ của tốc độ truyền tải thường được trích dẫn (một 8 với DDR3-800 là

8 / (400 MHz) = 20 ns, chính xác cùng một độ trễ của CAS2 trên

DDR3-2200 (PC3 17600 modules) có sẵn cho một mức giá

Chương ll Nguyên lý hoạt động của SDRAM

2.1.1. Sơ lược về lịch sử DRAM

DRAM được phát minh đầu tiên bởi tiến sĩ Robert Dennard tại trung

tâm Thomas J.Ưatson IBM năm 1966.Đầu năm 1970, Intel chế tạo thành cộng DRAM dùng 1 cell 3 transistor có tên Intel 1102 Đến 10/1970 Intel

cho ra đời Intel 1103 có cell 1 transistor Năm 1973 bộ nhớ DRAM đầu tiên

có nhiều địa chỉ hàng /cột là Mostek MK 4096(4096x1)

2.1.2. Cấu tạo

• DRAM được cấu tạo bởi hàng triệu tế bào nhớ được khắc lên một bánh silicon theo các cột (bitlines) và hàng (wordlines) Điểm giao của bitline

và wordlines tạo thành địa chỉ tế bào nhớ

• DRAM có cấu tạo nhỏ hơn SRAM nhờ vào cấu tạo đơn giản của tế bào nhớ Cùng kích thước nhưng DRAM có dung lượng lớn hơn nhiều so với SRAM