Phép đo băng thông chính xác hằng số điện môi của chất nền 00481077 là bài dịch của tờ báo: An Accurate Broadband Measurement of Substrate Dielectric Constant Tác giả IEEE MICROWAVE AND GUIDED WAVE LETTERS, VOL. 6, NO. 4, APRIL 1996 MoonQue Lee and Sangwook Nam, Member, IEEE Tóm tắt - Phương pháp cải thiện hai đường vi dải (two-microstrip-line) được là đề xuất cho một phép đo đơn giản và chính xác của hằng số điện môi của chất nền. Lỗi do sự mất cân đối về quá trình biến đổi và lặp được loại bỏ bằng cách sử dụng thuật toán lựa chọn thiết lập dữ liệu tốt nhất trong nhiều phép đo, dựa trên khái niệm tối thiểu giá trị sai số. Dữ liệu đo lường cho CGP-500 chất nền trong dải tần số rộng (0,5-25,5GHz) được hiển thị và kết quả thống nhất khá tốt với lý thuyết. I – Mở đầu Một phép đo băng thông rộng của một hằng số điện môi của vật liệu vi sóng có thể được thực hiện bằng cách sử dụng phương pháp truyền dẫn/ phản xạ được phát triển bởi Weir [1]. Đối với đường dây truyền dẫn chung, Enders [2] đã chỉ ra một phương pháp để xác định tất cả đặc tính của một đường ẩn (chưa biết) và nút giao của “họ đường dẫn” sử dụng ba độ dài khác nhau của đường ẩn. Mặt khác Das et al [3] đã xây dựng một phương pháp hai dòng để đo hằng số điện môi của chất nền. Mặc dù phương pháp này là đơn giản, nhanh chóng và đáng tin cậy để sử dụng, nhưng nó vẫn có một số nhược điểm. Điều thứ nhất là kỹ thuật này hoạt động tốt với điều kiện là hiệu ứng chuyển tiếp của vi dải đặt đồng trục (coax-to-microstrip – vi dải đặt cùng một trục) là tương đối nhỏ. Điều này có nghĩa rằng hằng số điện môi của chất nền ước lượng cần được biết trước khi đo đạc. Vì vậy mà trở kháng riêng của phần thử nghiệm có thể được thiết kế trong vùng lân cận 50 Ω. Một lí do khác nữa là phương pháp này sẽ chỉ cho bạn một kết quả chính xác chỉ khi chiều dài của đường dẫn điện là dài. Trong lá thư (bài báo) này chùng tôi đưa ra một phép đo băng thông là có thể với đường ngắn. Ngoài ra, hiệu ứng biến đổi có thể được gỡ bỏ một cách hệ thống mà không có chú thích hằng số điện môi của chất nền.