1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm

66 1K 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 66
Dung lượng 4,67 MB

Nội dung

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:28

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] M. J. Adams, A. G. Steventon, W. J. Devlin, I. D. Henning: Semiconductor Lasers for Long-Wavelength Optical-Fibre Communications Systems, IEE Materials and Devices Series, 1987 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Semiconductor Lasers for Long-Wavelength Optical-Fibre Communications Systems
[3] F. Bachmann P. Loosen, R. Poprawe, High Power Diode Lasers, pages 197, 200, Springer, 2007 Sách, tạp chí
Tiêu đề: High Power Diode Lasers
[4] M. J. Bastiaans The Wigner distribution function applied to optical signals. Optics Communication pages 25, 26, 1978 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The Wigner distribution function applied to optical signals
[5] U. Demirbas, M. Schmalz, B. Sumpf, G. Erbert, G. S. Petrich, L. A. Kolodziejski, J. G. Fujimoto, F. X. Kọrtner, and Alfred. Femtosecond Cr:LiSAF and Cr:LiCAF lasers pumped by Tapered diode lasers. Vol. 19, No. 21 / OPTICS EXPRESS 20459, 2011 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Femtosecond Cr:LiSAF and Cr:LiCAF lasers pumped by Tapered diode lasers
[7] R. W. Dixon, F. R. Nash, R. L. Hartman, and R. T. Hepplewhite, Improved light- output linearity in stripe-geometry double-herostructure (Al,Ga)As lasers, Appl.Phys. Lett., 29(6), pp.372,1976 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Improved light-output linearity in stripe-geometry double-herostructure (Al,Ga)As lasers
[8] R. Michalzik, M. Grabherr, K. J. Ebeling: High-power VCSELs: modeling and experimental characterization, in K. D. Choquette, R. A. Morgan (eds.): Vertical- Cavity Surface-Emitting Lasers II, Proc. SPIE 3286, 206–218, pages 11, 15, 18, 1998 Sách, tạp chí
Tiêu đề: High-power VCSELs: modeling and experimental characterization
[9] V. D. Mien, V. V. Luc, T. Q. Tien, P. V. Truong, T. Q. Cong, V. T. Nghiem, , N. C. Thanh, N. T. Ngoan, V.V. Parashchuk. Optical laser diode module preparation and characterization. Proceeding of the 6 th International Conference on Photonics and Applications, Hanoi Oct. 8 th – 11 th , 2010 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Optical laser diode module preparation and characterization. Proceeding of the 6"th" International Conference on Photonics and Applications, Hanoi Oct. 8"th" – 11"th
[10] G. Nemes Intrinsic and geometrical beam classification, and the beam identification after measurement. Proceedings of the SPIE 4932, 624. 2002 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Intrinsic and geometrical beam classification, and the beam identification after measurement
[11] A. E. Siegman New Developments in laser resonators. Proceedings of the SPIE 1224, 2, 1990 Sách, tạp chí
Tiêu đề: New Developments in laser resonators
[12] ISO 11146-1:2004 Lasers and laser-related equipment –Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part 1: Stigmatic and simple astigmatic beams. International Organization for Standardization. 2004 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lasers and laser-related equipment –Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part 1: Stigmatic and simple astigmatic beams
[13] ISO/FDIS 11146-2:2004 Lasers and laser-related equipment – Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part 2:General astigmatic beams. International Organization for Standardization. 2004 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lasers and laser-related equipment – Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part 2:General astigmatic beams

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1. 2: Sự chuyển mức phát xạ vùng – vùng trong vật liệu bán dẫn - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 1. 2: Sự chuyển mức phát xạ vùng – vùng trong vật liệu bán dẫn (Trang 15)
Hình 1.3: Chuyển tiếp p-i-n cấu trúc dị thể kép được phân cực thuận - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 1.3 Chuyển tiếp p-i-n cấu trúc dị thể kép được phân cực thuận (Trang 19)
Hình 1.4: Sự giam giữ của các hạt tải điện (điện tử, lỗ trống)  và điện trường (photon) sử  dụng cấu trúc dị thể kép theo trục thẳng đứng x của laser bán dẫn phát cạnh - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 1.4 Sự giam giữ của các hạt tải điện (điện tử, lỗ trống) và điện trường (photon) sử dụng cấu trúc dị thể kép theo trục thẳng đứng x của laser bán dẫn phát cạnh (Trang 21)
Hình 1.6: Phổ khuếch đại quang của vật liệu bán dẫn khối GaAs ở mật độ hạt tải N=2- N=2-6x10 18  cm -3 - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 1.6 Phổ khuếch đại quang của vật liệu bán dẫn khối GaAs ở mật độ hạt tải N=2- N=2-6x10 18 cm -3 (Trang 23)
Hình 1.9: Ba dạng giam giữ ngang cơ bản: giam giữ dòng, giam giữ quang và giam giữ  hạt tải - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 1.9 Ba dạng giam giữ ngang cơ bản: giam giữ dòng, giam giữ quang và giam giữ hạt tải (Trang 26)
Hình 1.10: Các cấu trúc laser với các dạng giam giữ khác nhau. - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 1.10 Các cấu trúc laser với các dạng giam giữ khác nhau (Trang 27)
Hình 1.14: Cấu trúc dẫn sóng thẳng đứng, và sự tính toán phân bố cường độ trường gần  cho laser bán dẫn - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 1.14 Cấu trúc dẫn sóng thẳng đứng, và sự tính toán phân bố cường độ trường gần cho laser bán dẫn (Trang 32)
Hình 1.15: Phân bố mật độ công suất của các dạng chùm tia - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 1.15 Phân bố mật độ công suất của các dạng chùm tia (Trang 35)
Hình 2.1 : Cấu trúc các lớp của laser phát ở vùng sóng 670 nm - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 2.1 Cấu trúc các lớp của laser phát ở vùng sóng 670 nm (Trang 36)
Hình 2.3: Sơ đồ phương pháp đo đặc trưng I-V-P của Laser - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 2.3 Sơ đồ phương pháp đo đặc trưng I-V-P của Laser (Trang 38)
Hình 2.4: Sơ đồ đo phổ của laser - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 2.4 Sơ đồ đo phổ của laser (Trang 39)
Hình 2.5: Sơ đồ minh họa phương pháp đo phân bố trường xa - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 2.5 Sơ đồ minh họa phương pháp đo phân bố trường xa (Trang 40)
Hình 2.6 : Hệ ghép nối module laser  Hiệu suất ghép quang có thể được tính như sau: - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 2.6 Hệ ghép nối module laser Hiệu suất ghép quang có thể được tính như sau: (Trang 41)
Hình 2.7:   Hình ảnh bên trong của module laser 670nm - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 2.7 Hình ảnh bên trong của module laser 670nm (Trang 42)
Hình 2.9: Dịch chuyển khe để đo phân bố mật độ công suất - Nghiên cứu chất lượng chùm tia Laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm
Hình 2.9 Dịch chuyển khe để đo phân bố mật độ công suất (Trang 43)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w