1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởng (Luận văn thạc sĩ)

25 153 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 25
Dung lượng 1,85 MB

Nội dung

Nghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởngNghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởngNghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởngNghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởngNghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởngNghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởngNghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởngNghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởngNghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởngNghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởng

Trang 2

Công trình được hoàn thành tại phòng Laser và kĩ thuật ánh sáng, bộ  môn Quang học và Quang điện tử, Viện Vật lý Kĩ thuật, Đại học Bách  khoa Hà Nội và phòng Laser bán dẫn - Viện Khoa học Vật liệu - Viện  Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam. 

Luận văn sẽ được bảo vệ trước Hội đồng chấm luận văn họp  tại:………  

Vào hồi  giờ  ngày  tháng  năm 20  

Có thể tìm hiểu luận văn tại trung tâm học liệu Đại học Thái Nguyên 

Và thư viện trường Đại học Khoa Học, khoa Vật lí & Công nghệ. 

Trang 3

MỤC LỤC

 

MỤC LỤC   i 

DANH MỤC BẢNG   ii 

DANH MỤC HÌNH  ii 

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT   iv 

MỞ ĐẦU   1 

Chương 1 TỔNG QUAN VỀ LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO DFB   1 

1.1. Laser bán dẫn – nguyên lý cơ bản .   1 

1.1.1. Cơ chế hấp thụ và phát xạ trong laser bán dẫn.   1 

1.1.2. Các thành phần cơ bản của laser bán dẫn   3 

1.1.3. Khuếch đại quang và điều kiện ngưỡng   3 

1.1.4. Dẫn sóng và buồng cộng hưởng.   3 

1.2. Laser bán dẫn công suất cao DFB    4 

1.3. Các đặc trưng cơ bản của laser bán dẫn công suất cao DFB   5 

1.3.1. Đặc trưng quang điện   5 

1.3.2. Đặc trưng  phổ quang phụ thuộc dòng bơm.   6 

1.3.3. Độ rộng vạch phổ của laser DFB   6 

Chương II KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM   7 

2.1. Công nghệ chế tạo laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nm sử  dụng trong nghiện cứu .   7 

2.1.1. Công nghệ tạo các lớp epitaxy và chế tạo cách tử trong laser  DFB công suất cao vùng sóng 780 nm.   7 

2.1.2. Chế tạo thành laser bán dẫn DFB ống dẫn sóng gò và kim loại   hóa.   7 

Trang 4

2.1.4. Đóng vỏ.   7 

2.2. Phương pháp đo đặc trưng của laser bán dẫn công suất cao.    7 

2.2.1. Đặc trưng công suất, thế phụ thuộc dòng .   7 

2.2.2. Hệ đo đặc trưng phổcủa laser bán dẫn công suất cao DFB phát  vùng sóng 780 nm.   8 

2.2.3. Kỹ thuật đo độ rộng vạch phổ của laser bán dẫn DFB   8 

Chương III KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN   10 

3.1. Phân loại laser bán dẫn DFB 780 nm.   10 

3.2. Tính chất quang điện của laser bán dẫn công suất cao phụ thuộc  chiều dài buồng cộng hưởng   10 

3.3.  Tính  chất  phổ  của    laser  bán  dẫn  công  suất  cao  biến  đổi  theo  chiều dài buồng cộng hưởng   12 

3.4.  Tối  ưu  hoá  độ  rộng  vạch  phổ  của  laser  theo  chiều  dài  buồng  cộng hưởng.   15 

KẾT LUẬN   17 

TÀI LIỆU THAM KHẢO   18 

DANH MỤC BẢNG Bảng 2.1: Giá trị độ rộng vạch phổ tương ứng tại các mức cường độ tương đối từ hàm dạng Voigt   

Bảng 3.1: Laser bán dẫn DFB 780 nm sử dụng trong luận văn.   10 

Bảng 3.2: Các thông số cơ bản từ đặc trưng PUI của laser có chiều dài buồng cộng hưởng 1,5 mm.   11 

Bảng 3.3: Các thông số cơ bản từ đặc trưng PUI của laser có chiều dài buồng cộng hưởng 3 mm.   12 

 

Trang 5

DANH MỤC HÌNH

Hình 1.1: Cấu trúc vùng E(k) cuả các điện tử trong bán dẫn vùng

cấm thẳng Vùng dẫn cách vùng hóa trị một khe năng lượng Eg   2 

Hình 1 2: Sự chuyển mức phát xạ vùng – vùng trong vật liệu bán

Hình 1.12: Sơ đồ cấu trúc laser DFB tích hợp cách tử Bragg, cường

độ phân bố theo chiều ngang Ix    4 

Hình 1.13: Đặc trưng công suất quang phụ thuộc dòng bơm của

laser bán dẫn   5 

Hình 1.14: Đặc trưng I-V của một laser   5  Hình 1.16:  Phổ quang của một laser bán dẫn tại các giá trị dưới

ngưỡng (a), gần ngưỡng (b,c) và trên ngưỡng phát laser(d).   6 

Hình 2.1: Mô Hình cấu trúc laser DFB 780.   7  Hình 2.6: Sơ đồ khối của hệ thí nghiệm khảo sát đặc trưng quang

Hình 2.13: Cơ chế dịch chuyển tần số laser νs về tần số ν 

trong hệ đo self-delayed-heterodyne.   9 

Hình 3.1: Đặc trưng PUI của laser L1501 ở nhiệt độ 25oC   11 

Trang 6

Hình 3.4: Đặc trưng PUI của laser L3001 ở nhiệt độ 25oC   12 

Hình 3.7: Phổ laser L1501 tại công suất quang 100 mW.   13  Hình 3.8: Bản đồ phổ của laser L1501 với bước thay đổi dòng là 10

Trang 7

MỞ ĐẦU

  Laser  có  trong  rất  nhiều  ứng  dụng  trong  đời  sống  cũng  như  trong  nghiên cứu  như  ghi  dữ  liệu,  máy  in  laser,  máy  quét  mã  vạch,  truyền  dẫn  thông  tin,  gia công vật liệu, y tế, phẫu thuật thẩm mỹ. Trong quân đội laser được dùng để đánh dấu,  đo  khoảng  cách  và  tốc  độ  của  mục  tiêu.  Trong  giải  trí  laser  được  sử  dụng 

  Do  đó đề tài được chọn: “NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN

VÀ PHỔ CỦA LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO DFB 780 NANO MÉT PHỤ THUỘC ĐỘ DÀI BUỒNG CỘNG HƯỞNG” 

1.1.1 Cơ chế hấp thụ và phát xạ trong laser bán dẫn

  Laser  rắn  và  laser khí  thông  thường  có  các  mức năng lượng biểu  diễn bởi các vạch hẹp là các mức năng lượng của các nguyên tử riêng biệt. Trong bán dẫn, các mức năng lượng được mở rộng thành vùng năng lượng do sự chồng phủ của các quỹ đạo nguyên tử. Với bán dẫn không pha tạp và khi không có bất kỳ sự kích 

Trang 8

thích từ bên ngoài nào, ở nhiệt độ T = 0 K, vùng năng lượng trên cùng được gọi là vùng  dẫn  và  trống  hoàn  toàn,  vùng  năng  lượng  bên  dưới  vùng  dẫn  được  gọi  là vùng hóa trị và được lấp đầy hoàn toàn bởi các điện tử. Vùng dẫn và vùng hóa trị cách nhau một khe năng lượng có giá trị Eg = 0,5-2,5eV cho vật liệu bán dẫn làm laser. 

 

Hình 1.1: Cấu trúc vùng E(k) cuả các điện tử trong bán dẫn vùng cấm thẳng

Vùng dẫn cách vùng hóa trị một khe năng lượng E g

  Với  một  mức  năng  lượng  photon  cố  định    chỉ  có  hai  mức  năng  lượng 

riêng biệt E1kvà E2kvì sự chuyển mức chỉ có thể xảy ra ở cùng véc tơ sóng k

như trong Hình 1.1. Trong bán dẫn có ba dạng của bức xạ vùng – vùng được minh họa trong Hình 1.2.  

Hình 1 2: Sự chuyển mức phát xạ vùng – vùng trong vật liệu bán dẫn

-  Sự  hấp  thụ,  cũng  được  gọi  là  hấp  thụ  kích  thích,  là  quá  trình  thứ  nhất  minh họa trong Hình 1.2. Một photon được hấp thụ và một cặp điện tử - lỗ trống được phát sinh.  

- Quá trình thứ hai được gọi là phát xạ tự phát.   

- Quá trình thứ ba là phát xạ cưỡng bức - cảm ứng. Một sự tái hợp của cặp điện tử - lỗ trống được kích thích bởi một photon và một photon thứ hai được sinh 

Trang 9

có thể được sử dụng để khuếch đại bức xạ quang, vì các photon được phát ra hoàn toàn giống photon kích thích về tần số, pha, phân cực và hướng, kết quả là ta có phát xạ có tính kết hợp. Nguồn ánh sáng dựa trên quá trình phát xạ này cùng với thành  phần  phản  hồi  quang  (ví  dụ  buồng  cộng  hưởng  Fabry-Perot)  được  gọi  là 

laser, viết tắt của “Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”

1.1.2 Các thành phần cơ bản của laser bán dẫn

1.1.3 Khuếch đại quang và điều kiện ngưỡng

  Trong laser bán dẫn sự khuếch đại quang đạt được trong vật liệu lớp tích cực. Trong trường hợp này, sự tăng theo hàm mũ của cường độ sóng quang có thể được 

diễn  tả  bởi  một  giá  trị  âm  của  tương  ứng  với  hệ  số  khuếch  đại  quang  g . 

Trong dẫn sóng quang, chỉ một phần cường độ của mốt quang nằm trong vùng tích cực mà thông thường nằm ở trong lõi của dẫn sóng quang.  

1.1.4 Dẫn sóng và buồng cộng hưởng [13]

  Laser bán dẫn hoạt động đòi hỏi một điều kiện quan trọng, cụ thể là dẫn sóng của sóng quang học trong miền tích cực. Đơn giản là theo hướng thẳng đứng, dẫn sóng dựa trên tổng số phản xạ nội của sóng quang tại hai giao diện theo luật của Snell, xem Hình 1.9. 

 

Hình 1.9: Sơ đồ của một ống dẫn sóng ba lớp [13]

  Điều kiện cuối cùng được đề cập liên quan tới dao động laser là điều kiện buồng  cộng  hưởng.  Hầu  như  tất  cả  các  buồng  cộng  hưởng  laze  bán  dẫn  có  thể 

Trang 10

được  xem  như  buồng  cộng  hưởng  Fabry-Perot.  Buồng  cộng  hưởng  Fabry-Perot bao gồm hai gương được song song với nhau. Đối với laser bán dẫn để hai gương song song dựa trên việc tách các mặt của tinh thể bán dẫn một cách hợp lý. Các mặt của laser bán dẫn được phủ với độ phản xạ cao ở phía sau và với độ phản xạ thấp ở mặt trước sao cho phù hợp với tỉ lệ công suất hiệu dụng của hệ laser. Cấu hình của một laser bán dẫn được dựa trên buồng cộng hưởng Fabry-Perot được thể hiện trong Hình 1.11. 

Hình 1.11: Cấu hình của laser bán dẫn sử dụng buồng cộng hưởng Fabry-Perot. 

1.2 Laser bán dẫn công suất cao DFB

  Trọng tâm của phần này nêu một số đặc điểm cơ bản của laser DFB (laser phản hồi phân bố) bằng việc đưa vào buổng cộng hưởng một cách tử lọc lựa bước sóng.  Trong  laser  DFB  phản  hồi  quang  không  được  bố  trí  ở  các  mặt  gương  mà được phân bố trong suốt chiều dài buồng cộng hưởng. Do có cách tử trong buồng cộng hưởng đã làm thay đổi cơ chế lọc lựa mode. Hình 1.12 cho thấy cấu trúc điển hình của một laser bán dẫn DFB với một cách tử Bragg nằm ngoài vùng tích cực. 

 

Hình 1.12: Sơ đồ cấu trúc laser DFB tích hợp cách tử Bragg, cường độ phân bố

theo chiều ngang I x [17] 

  Phản hồi quang xảy  ra  dựa  trên nguyên  lý nhiễu xạ  Bragg,  khi kết hợp các sóng truyền theo hai hướng từ phía trước và phía sau. Cơ chế chọn lọc mode dọc tuân theo điều kiện Bragg. 

Trang 11

1.3.Các đặc trưng cơ bản của laser bán dẫn công suất cao DFB

1.3.1 Đặc trưng quang điện

a Đặc trưng công suất bức xạ phụ thuộc dòng bơm (P –I)

Đặc  trưng  công  suất  quang  –  dòng  bơm  (P-I)  của  laser  biểu  diễn  sự  phụ thuộc vào dòng bơm của công suất quang lối ra. Thông qua đường đặc trưng này 

ta có thể xác định được nhiều thông số cũng như các tính chất quan trọng của laser 

và  module  laser  :  dòng  ngưỡng,  hiệu  suất  độ  dốc  hay  hiệu  suất  biến  đổi  quang điện… đồng thời làm sáng tỏ một số vấn đề về công nghệ chế tạo. Hình1.13 mô tả đặc trưng công suất quang đầu ra của laser bán dẫn phụ thuộc dòng bơm. 

 

Hình 1.14: Đặc trưng I-V của một laser

V f

Trang 12

c Hiệu suất biến đổi điện quang

Hiệu suất biến đổi điện quang ηc là một trong các đặc trưng quan trọng của laser  bán  dẫn,  cho  biết  hiệu  suất  biến  đổi  công  suất  điện  đầu  vào  biến  đổi  thành công suất quang ở đầu ra. Hiệu suất biến đổi điện quang phụ thuộc vào nhiều yếu 

tố trong đó có phụ thuộc vào công suất và chiều dài buồng cộng hưởng. Có thể đạt được công suất đầu ra như nhau trong laser bán dẫn với các chiều dài buồng cộng hưởng khác nhau nhưng hiệu suất biến đổi sẽ khác nhau. 

1.3.2.Đặc trưng phổ quang phụ thuộc dòng bơm

  Hình 1.16 mô tả cụ thể phổ quang của một laser bán dẫn Fabry-Perot dẫn sóng gò ở các giá trị trên và dưới ngưỡng phát laser. Tại các giá trị dòng khác nhau, phổ quang của laser bán dẫn sẽ có dạng khác 

nhau

  Bước sóng nm 

Bước sóng nm  Bước sóng nm 

Bước sóng nm 

 

Hình 1.16: Phổ quang của một laser bán dẫn tại các giá trị dưới ngưỡng (a),

gầnngưỡng (b,c) và trên ngưỡng phát laser(d). 

    - Ở dưới giá trị dòng ngưỡng I << Ith (Hình 1.16a): là vùng laser phát bức xạ huỳnh quang; 

    - Gần giá trị dòng ngưỡng I ~ Ith (Hình 1.16b và 1.16c): laser phát siêu huỳnh quang là vùng cạnh tranh giữa bức xạ tự phát và bức xạ cưỡng bức

    - Trên giá trị dòng ngưỡng I >> Ith (Hình 1.16d): là vùng phát laser; công suất quang đầu ra tăng tuyến tính với dòng cung cấp; 

1.3.3 Độ rộng vạch phổ của laser DFB [13]

Trang 13

Chương II KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 2.1 Công nghệ chế tạo laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nm sử dụng trong nghiện cứu [13]

  Trong phần này, chúng ta sẽ mô tả một số điểm quan trọng của dây chuyền công nghệ là cơ sở để chế tạo các laser bán dẫn DFB công suất cao với cấu trúc ống  dẫn  sóng  gò  (RW).  Laser  nghiên  cứu  trong  khóa  luận  này  đòi  hỏi  các  bước chế tạo sau đây, cụ thế là:  

1) Tạo các lớp epitaxy trên nền tinh thể để tạo cấu trúc laser,  

2) Xử lí các tấm vật liệu để bắt đầu chế tạo cách tử vào cấu trúc laser bằng quang khắc(chiều tia UV),  

3) Tạo laser ống dẫn sóng gò và kim loại hóa và cuối cùng,  

4) Đóng vỏ cho laser.  

  Dây chuyền công nghệ chế tạo của laser bán dẫn DFB công suất cao chế tạo chủ yếu là tuân theo các bước trên. Tuy nhiện, việc thực hiện chế tạo cách tử nội đòi  hỏi  một  quá  trình  liên  tục.  Sau  bước  cuối  cùng,  cấu  trúc  Hình  học  của  một laser bán dẫn DFB công suất cao có dạng như trong Hình 2.1. 

Hình 2.1: Mô Hình cấu trúc laser DFB 780 nm

2.1.1 Công nghệ tạo các lớp epitaxy và chế tạo cách tử trong laser DFB công suất cao vùng sóng 780 nm

2.1.2 Chế tạo thành laser bán dẫn DFB ống dẫn sóng gò và kim loại hóa 2.1.3 Phủ lớp phản xạ

2.1.4 Đóng vỏ

2.2 Phương pháp đo đặc trưng của laser bán dẫn công suất cao

2.2.1 Đặc trưng công suất, thế phụ thuộc dòng

a) Đặc trưng P – I

Trang 14

2.2.2 Hệ đo đặc trưng phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB phát vùng sóng 780 nm

  Cấu trúc phổ của laser bán dẫn DFB 780 nm được chúng tôi nghiện cứu và phân tích bằng hệ đo được mô tả theo sơ đồ Hình 2.10. 

 

Hình 2.10: Hệ đo đặc trưng phát xạ của laser bán dẫn công suất cao

2.2.3 Kỹ thuật đo độ rộng vạch phổ của laser bán dẫn DFB [13]

Hệ đo độ rộng vạch phổ của laser được mô tả như Hình 2.12.  

Trang 15

Hình 2.12: Hệ đo seft-delayed-heterodyne đo độ rộng vạch phổ của laser

  Giả sử laser được đo có tần số νs , sau khi đi qua bộ tách tia, phân đi qua bộ điều tần, tần số bị dịch chuyển đi một đoạn là (νs - ν).  

  Tần số trung tâm dịch chuyển về vị trí : 

 – ( )                 2 1

Trang 16

g MIN

c L

Trong  đó  g= c/ng  là  vận  tốc  nhóm  của  tín  hiệu  laser  truyền  trong  sợi  quang  có 

chiết  suất  nhóm  n g Như  vậy  với  độ  dài  sợi  quang  2  km,  phương  pháp  này  cho 

L3002 0.01% 95% 3,0 3,0 L3003 0.01% 95% 3,0 3,0 3.2 Tính chất quang điện của laser bán dẫn công suất cao phụ thuộc chiều dài buồng cộng hưởng

Chúng tôi  tiến hành đo đạc  công  suất và thế  phụ  thuộc  dòng bơm  của  tất  cả các laser ở nhiệt độ 25oC. Hình 3.1 là đặc trưng PUI của laser L1501. Laser được cấp dòng bơm từ 0 mA đến 400 mA. Ngưỡng phát của laser Ith có giá trị 41 mA. Trên dòng ngưỡng ta thấy công suất quang phát ra tương đối tuyến tính tăng đều đến  238  mW  ở  400  mA  (đường  màu  xanh  trên  Hình  3.1).  Từ  đường  đặc  trưng công suất ta tính được hiệu suất độ dốc từ ngưỡng đến 100 mW là η = 0,79 W/A . Đường màu đỏ là thế rơi trên chuyển tiếp của laser tăng từ 1,6 V cho đến 2,3 V. Hiệu suất biến đổi quang điện được thể hiện trên đường màu đen. Hiệu suất đạt giá trị cao nhất là 30%. 

Trang 17

0 50 100 150 200 250 300 350 400

0 100 200 300

0 1 2 3 4

th = 41 mA

I100mW = 167 mA

 = 0.79 W/A

0 10 20 30 40

 

Hình 3.1: Đặc trưng PUI của laser L1501 ở nhiệt độ 25 o C

Các thông số thu được từ đặc trưng PUI của các laser DFB 780 nm có chiều dài buồng cộng hưởng 1,5 mm được tổng kết trên bảng 3.2. 

Bảng 3.2: Các thông số cơ bản từ đặc trưng PUI của laser có chiều dài buồng

cộng hưởng 1,5 mm

Dòng ngưỡng

Công suất cực đại @ 400

mA (mW)

Hiệu suất độ dốc đến 100

mW (W/A)

Hiệu suất biến đổi quang điện cực đại (%)

Dòng ngưỡng của các laser nhóm 1 tương đối đồng đều, thay đổi từ 38 mA đến 41 mA. Công suất cực đại tại 400 mA đạt được cao nhất ở laser L1503 là 265 

mW, do đó laser này có hiệu suất độ dốc tính đến 100 mW cao nhất là 0,85. Các laser 1,5 mm hiệu suất biến đổi quang điện cao nhất là 33%.  

Đặc  trưng  công  suất  và  thế  phụ  thuộc  dòng  bơm  của  laser  có  buồng  cộng hưởng dài 3  mm  được  thể  hiện trên  Hình 3.4.  Dòng bơm  được  cung cấp tới 500 

mA.  Laser  L3001  có  dòng  ngưỡng  Ith  =  43  mA.  Công  suất  cực  đại  tại  500  mA 

Trang 18

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500

0 100 200 300

0 1 2 3 4

 

Hình 3.4: Đặc trưng PUI của laser L3001 ở nhiệt độ 25 o C

Từ  kết  quả  đo  đặc  trưng  quang  điện  của  các  laser  có  chiều  dài  buồng  cộng hưởng 3 mm, kết quả được tổng kết như bảng 3.3. 

Bảng 3.3:  Các thông số cơ bản từ đặc trưng PUI của laser có chiều dài buồng

cộng hưởng 3 mm

Dòng ngưỡng

Công suất cực đại @ 500

mA (mW)

Hiệu suất độ dốc đến 100

mW (W/A)

Hiệu suất biến đổi quang điện cực đại (%)

Nhóm 2 cho thấy dòng ngưỡng tăng lên so với nhóm 1,  Ith thay đổi từ 42 mA đến 45 mA. Công suất cực đại đạt được là 313 mW lớn hơn so với các laser nhóm 

1. Hiệu suất biến đổi quang điện cực đại gần như không thay đổi so với nhóm 1, trong khi hiệu suất độ dốc giảm. 

Ngày đăng: 09/10/2018, 09:56

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w