1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu tính chất quang điện và phổ của laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nano mét phụ thuộc độ dài buồng cộng hưởng

40 192 2

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 40
Dung lượng 2,05 MB

Nội dung

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC NGUYỄN HỮU THÀNH NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN VÀ PHỔ CỦA LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO DFB 780 NANO MÉT PHỤ THUỘC ĐỘ DÀI BUỒNG CỘNG HƯỞNG LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ THÁI NGUN – 2018 Cơng trình hồn thành phòng Laser kĩ thuật ánh sáng, môn Quang học Quang điện tử, Viện Vật lý Kĩ thuật, Đại học Bách khoa Hà Nội phòng Laser bán dẫn - Viện Khoa học Vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam Người hướng dẫn khoa học: TS Nguyễn Thanh Phương Phản biện 1: Phạm Hồng Minh Phản biện 2: TS Nguyễn Văn Hảo Luận văn bảo vệ trước Hội đồng chấm luận văn họp tại:………………………………………………………… Vào hồi ngày tháng năm 20 Có thể tìm hiểu luận văn trung tâm học liệu Đại học Thái Nguyên Và thư viện trường Đại học Khoa Học, khoa Vật lí & Cơng nghệ MỤC LỤC MỤC LỤC i DANH MỤC BẢNG ii DANH MỤC HÌNH ii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT iv MỞ ĐẦU Chương TỔNG QUAN VỀ LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO DFB 1.1 Laser bán dẫn – nguyên lý 1.1.1 Cơ chế hấp thụ phát xạ laser bán dẫn 1.1.2 Các thành phần laser bán dẫn 1.1.3 Khuếch đại quang điều kiện ngưỡng 1.1.4 Dẫn sóng buồng cộng hưởng 1.2 Laser bán dẫn công suất cao DFB 1.3 Các đặc trưng laser bán dẫn công suất cao DFB 1.3.1 Đặc trưng quang điện 1.3.2 Đặc trưng phổ quang phụ thuộc dòng bơm 1.3.3 Độ rộng vạch phổ laser DFB Chương II KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 2.1 Công nghệ chế tạo laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nm sử dụng nghiện cứu 2.1.1 Công nghệ tạo lớp epitaxy chế tạo cách tử laser DFB công suất cao vùng sóng 780 nm 2.1.2 Chế tạo thành laser bán dẫn DFB ống dẫn sóng gò kim loại hóa i 2.1.3 Phủ lớp phản xạ 2.1.4 Đóng vỏ 2.2 Phương pháp đo đặc trưng laser bán dẫn công suất cao 2.2.1 Đặc trưng cơng suất, phụ thuộc dòng 2.2.2 Hệ đo đặc trưng phổcủa laser bán dẫn cơng suất cao DFB phát vùng sóng 780 nm 2.2.3 Kỹ thuật đo độ rộng vạch phổ laser bán dẫn DFB Chương III KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 10 3.1 Phân loại laser bán dẫn DFB 780 nm 10 3.2 Tính chất quang điện laser bán dẫn công suất cao phụ thuộc chiều dài buồng cộng hưởng 10 3.3 Tính chất phổ laser bán dẫn công suất cao biến đổi theo chiều dài buồng cộng hưởng 12 3.4 Tối ưu hoá độ rộng vạch phổ laser theo chiều dài buồng cộng hưởng 15 KẾT LUẬN 17 TÀI LIỆU THAM KHẢO 18 DANH MỤC BẢNG Bảng 2.1: Giá trị độ rộng vạch phổ tương ứng mức cường độ tương đối từ hàm dạng Voigt ii Bảng 3.1: Laser bán dẫn DFB 780 nm sử dụng luận văn 10 Bảng 3.2: Các thông số từ đặc trưng PUI laser có chiều dài buồng cộng hưởng 1,5 mm 11 Bảng 3.3: Các thông số từ đặc trưng PUI laser có chiều dài buồng cộng hưởng mm 12 ii DANH MỤC HÌNH Hình 1.1: Cấu trúc vùng E(k) cuả điện tử bán dẫn vùng cấm thẳng Vùng dẫn cách vùng hóa trị khe lượng Eg Hình 2: Sự chuyển mức phát xạ vùng – vùng vật liệu bán dẫn Hình 1.9: Sơ đồ ống dẫn sóng ba lớp: cấu trúc laser bán dẫn Hình 1.11: Cấu Hình laser bán dẫn sử dụng buồng cộng hưởng Fabry-Perot Hình 1.12: Sơ đồ cấu trúc laser DFB tích hợp cách tử Bragg, cường độ phân bố theo chiều ngang Ix Hình 1.13: Đặc trưng cơng suất quang phụ thuộc dòng bơm laser bán dẫn Hình 1.14: Đặc trưng I-V laser Hình 1.16: Phổ quang laser bán dẫn giá trị ngưỡng (a), gần ngưỡng (b,c) ngưỡng phát laser(d) Hình 2.1: Mơ Hình cấu trúc laser DFB 780 Hình 2.6: Sơ đồ khối hệ thí nghiệm khảo sát đặc trưng quang điện chế độ liên tục iii Hình 2.10: Hệ đo đặc trưng phát xạ laser bán dẫn công suất cao Hình 2.12: Hệ đo seft-delayed-heterodyne đo độ rộng vạch phổ laser Hình 2.13: Cơ chế dịch chuyển tần số laser νs tần số ν hệ đo self-delayed-heterodyne o Hình 3.1: Đặc trưng PUI laser L1501 nhiệt độ 25 C 11 iv o Hình 3.4: Đặc trưng PUI laser L3001 nhiệt độ 25 C 12 Hình 3.7: Phổ laser L1501 công suất quang 100 mW 13 Hình 3.8: Bản đồ phổ laser L1501 với bước thay đổi dòng 10 mA 13 Hình 3.11: Bản đồ phổ laser L3001 phụ thuộc dòng bơm 14 Hình 3.14: Độ rộng phổ laser L1501 buồng cộng hưởng 1,5 mm (chấm tròn đỏ) laser L3001 buồng cộng hưởng mm (chấm vuông xanh) phụ thuộc công suất 15 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT Từ viết tắt Tiếng anh Tiếng việt DBR Phân bố phản xạ Bragg DFB laser Distributed feedback laser Laser phản hồi phân bố FWHM Full Width at Half Maximum Toàn độ rộng nửa cực đại Light Amplificaton by LASER Khuếch đại ánh sáng phát Stimulated Emission of xạ cưỡng Radiation LEDs Light – Emittng Diodes Đi ốt phát quang RW Ridge Waveguide Ống dẫn sóng gò UV Ultra Violet Tia cực tím v MỞ ĐẦU Laser có nhiều ứng dụng đời sống nghiên cứu ghi liệu, máy in laser, máy quét mã vạch, truyền dẫn thông tin, gia công vật liệu, y tế, phẫu thuật thẩm mỹ Trong quân đội laser dùng để đánh dấu, đo khoảng cách tốc độ mục tiêu Trong giải trí laser sử dụng sân khấu hòa âm ánh sáng Laser phát xạ bước sóng 780 nm ứng dụng nhiều lĩnh vực, đặc biệt quang phổ phân giải cao, làm lạnh laser, đo lường quang học… Tuy nhiên với laser laser rắn khí có nhân tần laser buồng cộng hưởng ngoài… việc đưa vào ứng dụng lĩnh vực gặp khó khăn kích thước, trọng lượng lớn, cấu phức tạp Với thách thức trên, laser bán dẫn công suất cao phản hồi phân bố (Distributed feedback laser: DFB laser) lựa chọn thay hồn hảo kích thước gọn nhỏ, hiệu suất quang điện cao, độ tin cậy cao Do đề tài chọn: “NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN VÀ PHỔ CỦA LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO DFB 780 NANO MÉT PHỤ THUỘC ĐỘ DÀI BUỒNG CỘNG HƯỞNG” Các kết nghiên cứu trình bày ba chương luận văn sau: Chương 1: Các nguyên lý laser bán dẫn tính chất quang điện phổ laser bán dẫn công suất cao DFB Chương 2: Phương pháp, kỹ thuật thực nghiệm để đo tính tốn thông số laser bán dẫn Chương 3: Các đặc trưng tính tốn thơng số laser công suất cao kết luận Chương TỔNG QUAN VỀ LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO DFB 1.1 Laser bán dẫn – nguyên lý [13] 1.1.1 Cơ chế hấp thụ phát xạ laser bán dẫn Laser rắn laser khí thơng thường có mức lượng biểu diễn vạch hẹp mức lượng nguyên tử riêng biệt Trong bán dẫn, mức lượng mở rộng thành vùng lượng chồng Trong g= c/ng vận tốc nhóm tín hiệu laser truyền sợi quang có chiết suất nhóm ng Như với độ dài sợi quang km, phương pháp cho phép xác định độ rộng vạch phổ nhỏ xấp xỉ 30 kHz Chương III KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Phân loại laser bán dẫn DFB 780 nm Bảng 3.1: Laser bán dẫn DFB 780 nm sử dụng luận văn Nhóm Nhóm Laser Rf Rr w (μm) L (mm) L1501 0,01% 95% 3,0 1,5 L1502 0,01% 95% 3,0 1,5 L1503 0,01% 95% 3,0 1,5 L3001 0.01% 95% 3,0 3,0 L3002 0.01% 95% 3,0 3,0 L3003 0.01% 95% 3,0 3,0 3.2 Tính chất quang điện laser bán dẫn công suất cao phụ thuộc chiều dài buồng cộng hưởng Chúng tiến hành đo đạc cơng suất phụ thuộc dòng bơm tất o laser nhiệt độ 25 C Hình 3.1 đặc trưng PUI laser L1501 Laser cấp dòng bơm từ mA đến 400 mA Ngưỡng phát laser Ith có giá trị 41 mA Trên dòng ngưỡng ta thấy cơng suất quang phát tương đối tuyến tính tăng đến 238 mW 400 mA (đường màu xanh Hình 3.1) Từ đường đặc trưng cơng suất ta tính hiệu suất độ dốc từ ngưỡng đến 100 mW η = 0,79 W/A Đường màu đỏ rơi chuyển tiếp laser tăng từ 1,6 V 2,3 V Hiệu suất biến đổi quang điện thể đường màu đen Hiệu suất đạt giá trị cao 30% 300 T = 25°C 40 I1 00 mW = 167 mA  = 0.79 W/A Công suất P (mW) Đi ện th ế U (V) 200 30 100 0 50 100 150 200 250 300 350 20 10 H iÖu st bi Õn ® ỉi qu ang ®iƯn (%) I th = 41 mA 400 Dòng điện I (mA) o Hình 3.1: Đặc trưng PUI laser L1501 nhiệt độ 25 C Các thông số thu từ đặc trưng PUI laser DFB 780 nm có chiều dài buồng cộng hưởng 1,5 mm tổng kết bảng 3.2 Bảng 3.2: Các thông số từ đặc trưng PUI laser có chiều dài buồng cộng hưởng 1,5 mm Dòng ngưỡng Cơng suất cực Ith (mA) Hiệu suất độ Hiệu suất đại @ 400 mA dốc đến 100 biến đổi (mW) mW (W/A) quang điện cực đại (%) Laser L1501 41 238 0,79 30 Laser L1502 39 252 0,85 32 Laser L1503 38 265 0,85 33 Dòng ngưỡng laser nhóm tương đối đồng đều, thay đổi từ 38 mA đến 41 mA Công suất cực đại 400 mA đạt cao laser L1503 265 mW, laser có hiệu suất độ dốc tính đến 100 mW cao 0,85 Các laser 1,5 mm hiệu suất biến đổi quang điện cao 33% Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dòng bơm laser có buồng cộng hưởng dài mm thể Hình 3.4 Dòng bơm cung cấp tới 500 mA Laser L3001 có dòng ngưỡng Ith = 43 mA Cơng suất cực đại 500 mA dòng bơm 274 mW Hiệu suất độ dốc tính từ ngưỡng bơm đến 100 mW 0,75 W/A Hiệu suất biến đổi quang điện cực đại laser 31% 300 = 25°C = 42 mA P5 0m A = 274 mW = 75 W/A  200 Công suất P (mW) Đi ện th ế U (V) 30 100 0 50 20 10 H iƯu st bi Õn ® ỉi qu ang ®iƯn (%) T I th 0 100 150 200 250 300 350 400 450 500 Dòng điện I (mA) o Hỡnh 3.4: Đặc trưng PUI laser L3001 nhiệt độ 25 C Từ kết đo đặc trưng quang điện laser có chiều dài buồng cộng hưởng mm, kết tổng kết bảng 3.3 Bảng 3.3: Các thông số từ đặc trưng PUI laser có chiều dài buồng cộng hưởng mm Dòng ngưỡng Cơng suất cực Ith (mA) Hiệu suất độ Hiệu suất đại @ 500 mA dốc đến 100 biến đổi (mW) mW (W/A) quang điện cực đại (%) Laser L3001 42 274 0,75 32 Laser L3002 42 313 0,73 31 Laser L3003 45 301 0.68 29 Nhóm cho thấy dòng ngưỡng tăng lên so với nhóm 1, Ith thay đổi từ 42 mA đến 45 mA Công suất cực đại đạt 313 mW lớn so với laser nhóm Hiệu suất biến đổi quang điện cực đại gần không thay đổi so với nhóm 1, hiệu suất độ dốc giảm 3.3 Tính chất phổ laser bán dẫn cơng suất cao biến đổi theo chiều dài buồng cộng hưởng o Tiến hành khảo sát tính chất phổ laser nhiệt độ 25 C Hình 3.7 phổ laser L1501 cơng suất quang 100 mW Từ Hình ta thấy, đỉnh phổ nằm bước sóng 783,3 nm Tỉ số tín hiệu nhiễu đạt 43 dBm -20 (dB) C ờng độ t ơng đối -30 -40 43 dBm -50 -60 -70 -80 782.5 783.0 783.5 784.0 784.5 Bíc sãng (nm) Hình 3.7: Phổ laser L1501 cơng suất quang 100 mW Để khảo sát đầy đủ ảnh hưởng chiều dài buồng cộng hưởng đến tính chất phổ Tất laser tiến hành đo đồ phổ cách thay đổi dòng bơm từ 50 mA đến 400 mA laser 1,5 mm tới 500 mA với laser mm, bước thay đổi 10 mA Hình 3.8 đồ phổ laser L1501 Đường màu vàng Hình 3.8 thể bước sóng trung tâm laser Hình 3.8: Bản đồ phổ laser L1501 với bước thay đổi dòng 10 mA Ta thấy, bước sóng laser dịch từ 783,07 nm 50 mA tới 784,20 nm 400 mA Bước sóng trung tâm dịch phía bước sóng dài dòng bơm tăng tính chất phổ biến laser DFB Tính chất chu kỳ cách tử bị thay đổi thay đổi dòng bơm dẫn đến bước sóng trung tâm thay đổi Bước sóng dịch chuyển phụ thuộc vào dòng bơm laser L1501 ∆λ/∆I = 0,0032 nm/mA Trên Hình vị trí dòng bơm từ 190 mA sang 200 mA ta thấy có tượng nhảy mode Hiện tượng xảy hệ số khuếch đại mode dọc trung tâm chênh lệch ít, dòng bơm thay đổi thứ tự ưu tiên mode thay đổi, dẫn đến tượng nhảy mode Trong dịch chuyển bước sóng laser L1503 ∆λ/∆I = 0,0030 nm/mA Hiện tượng nhảy mode vị trí chuyển dòng bơm từ 150 mA đến 160 mA Như tính chất phổ laser nhóm khơng khác nhiều, thể tính đồng laser loại Tính chất phổ laser nhóm có chiều dài buồng cộng hưởng mm o khảo sát Hình 3.11, với điều kiện đo đạc giống nhóm 25 C Dòng bơm từ 50 mA đến 500 mA Hình 3.11: Bản đồ phổ laser L3001 phụ thuộc dòng bơm Nhóm với chiều dài buồng cộng hưởng mm, tượng nhảy mode xảy khoảng cách mode nhỏ so với laser thuộc nhóm Điều hồn tồn phù hợp khoảng cách mode tỉ lệ nghịch với chiều dài buồng cộng hưởng laser buồng cộng hưởng Fabry-Perot Laser L3001 có độ dịch phổ laser theo dòng bơm ∆λ/∆I = 0,0023 nm/mA (Hình 3.11), laser L3002 ∆λ/∆I = 0,0020 nm laser L3003 ∆λ/∆I = 0,0017 nm/mA Nhìn chung laser nhóm tốc độ dịch chuyển bước sóng theo dòng bơm từ 0,0030 nm/mA tới 0,0032 nm/mA Khi tăng chiều dài buồng cộng hưởng lên gấp đôi tốc độ dịch chuyển ∆λ/∆I thay đổi từ 0,0017 nm/mA đến 0,0023 nm/mA Như giảm tốc độ dịch chuyển bước sóng trung tâm đạt gần lần ta thay đổi chiều dài buồng cộng hưởng từ 1,5 mm lên mm 3.4 Tối ưu hoá độ rộng vạch phổ laser theo chiều dài buồng cộng hưởng Để khảo sát kỹ phụ thuộc tính chất phổ vào chiều dài buồng cộng hưởng, laser tiến hành đo độ rộng vạch phổ phụ thuộc công suất quang Phép đo thực hệ đo self-heterodyne phòng thí nghiệm Joint Lab LaserMetrology, Viện Ferdinand Braun, CHLB Đức Độ rộng phổ đo theo công suất quang từ 10 mW đến 200 mW với bước thay đổi 10 mW Hình 3.14 độ rộng phổ thay đổi theo công suất quang hai laser bán dẫn công suất cao DFB phát xạ vùng 780 nm Độ rộng phổ laser L1501 giảm từ 3962 kHz xuống khoảng 200 kHz công suất thay đổi từ 10 mW đến 200 mW thể Hình 3.14 chấm tròn màu đỏ Thay đổi cơng suất tương tự thu kết ứng với laser L3001 giảm từ 693 kHz tới 33 kHz (chấm vuông xanh Hình 3.14) Hai đường liền nét đường fit tuyến tính kết đo hai laser Hình 3.14: Độ rộng phổ laser L1501 buồng cộng hưởng 1,5 mm (chấm tròn đỏ) laser L3001 buồng cộng hưởng mm (chấm vuông xanh) phụ thuộc công suất Độ rộng phổ đến 200 mW hai laser giảm tương đối tuyến tính phù hợp với cơng thức Schawlow-Townes (1.32) Khi thay đổi chiều dài buồng cộng hưởng, độ rộng vạch phổ giảm đáng kể Tỉ lệ giảm từ 5,7 (@10 mW) đến 6,0 (@200 mW) KẾT LUẬN Tính chất quang điện tính chất phổ laser bán dẫn công suất cao DFB phát xạ vùng bước sóng 780 nm khảo sát Hai nhóm laser có cấu trúc giống chiều rộng chip laser w = μm, hệ số phản xạ mặt sau laser Rr = 95%, mặt trước Rf = 0,01%, gắn phiến CuW, sau đóng vỏ C-mount Nhóm có chiều dài L = 1,5 mm nhóm chiều dài l = mm Đặc trưng quang điện cho thấy thay đổi chiều dài buồng cộng hưởng từ 1.5 mm lên mm dòng ngưỡng tăng nhẹ, Ith nhóm thay đổi từ 38 mA đến 41 mA nhóm thay đổi từ 42 mA đến 45 mA Hiệu suất biến đổi quang điện cực đại gần không thay đổi Công suất cực đại đạt 313 mW lớn so với laser nhóm Tính chất phổ laser thay đổi rõ rệt thay đổi chiều dài buồng cộng hưởng Khoảng cách nhảy mode thu hẹp tỉ lệ nghịch với chiều dài buồng cộng hưởng Tốc độ dịch phổ ∆λ/∆I nhóm từ 0,0030 nm/mA tới 0,0032 nm/mA, nhóm thay đổi từ 0,0017 nm/mA đến 0,0023 nm/mA Như giảm tốc độ dịch chuyển bước sóng trung tâm đạt gần lần Độ rộng phổ phụ thuộc công suất quang thay đổi chiều dài buồng cộng hưởng giảm đáng kể Tỉ lệ giảm từ 5,7 (@10 mW) đến 6,0 (@200 mW) Như buồng cộng hưởng thay đổi từ 1,5 mm đến mm, laser bán dẫn công suất cao DFB 780 nm đạt tính chất tối ưu TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] G P Agrawal, “Semiconductor lasers”, Kluwer Academic Publishers, (1993) [2] M C Amann, J Buus: Tunable Laser Diodes, Artech House, Boston, (1998) [3] M J Adams, A G Steventon, W J Devlin, I D Henning: Semiconductor Lasers for Long-Wavelength Optical-Fibre Communications Systems, IEE Materials and Devices Series, (1987) [4] A Baliga, D Trivedi and N G Anderson, “Tensile-strain effects in quantumwell and superlattice band structures”, Phys Rev B, 49, pp.10402, (1994) [5] F Bachmann P Loosen, R Poprawe, High Power Diode Lasers, Springer, pp 197-200, (2007) [6] O Brox, J Wiedmann, F Scholz, F Bugge, J Fricke, A Klehr, T Laurent, P Ressel, H Wenzel, G Erbert and G Tränkle, “Integrated 1060nm MOPA pump source for high-power green light emitters in display technology”, Proc of SPIE, Novel In-Plane Semiconductor Lasers VII, 6909, pp 6091G-1, (2008) [7] [8] R Diehl, High-Power diode laser, Topics Appl Phys Springer, (2000) P Goldberg, P W Milonni, and B Sundaram, “Theory of the fundamental laser linewidth”, Physical Review A, 44(3), pp 1969, (1991) [9] P Goldberg, P W Milonni, and B Sundaram, “Theory of the fundamental laser linewidth II”, Physical Review A, 44(7), pp 4556, (1991) [10] C H Henry, “Theory of the linewidth of semiconductor lasers”, IEEE Journ Quant Electr QE-38(2), pp 259, (1982) [11] A Klehr, M Braun F Bugge, G Erbert, J Fricke, A Knauer, P Ressel, H Wenzel and G Tränkle, “High-power ridge-waveguide and broad-area lasers with a DFB resonator in the wavelength range 760-790nm”, Proceedings SPIE, Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV, 5738, p 416-424, (2005) [12] V D Mien, V V Luc, T Q Tien, P V Truong, T Q Cong, V T Nghiem, , N C Thanh, N T Ngoan, V.V Parashchuk Optical laser diode module th preparation and characterization Proceeding of the International Conference on Photonics and Applications, Hanoi, (2010) [13] N T Phuong, Investgaton of spectral characteristcs of solitary diode lasers with integrated gratng resonator, Berlin, (7), pp.7-11, (2010) [14] P Ressel and G Erbert, “Verfahren zur Passivierung der Spiegelflächen von Optschen Halbleiterbauelementen,” German Patent Applicaton, (2002) [15] B A Saleh, “Fundamental of Photonics”, John Wiley & Sons, Inc, (1991) [16] A L Schawlow and C H Townes, “Infrared and Optcal Masers”, Physical Review, 112(6), pp 1940, (1958) [17] F Traeger, “Springer Handbook of Lasers and Optcs”, Springer (2007) [18] P Unger, “Introducton to Power Diode Lasers”, R Diehl (ed.), “High-Power Diode Lasers Fundamentals, Technology, Applicatons”, Topics Appl Phys Springer Verlag Berlin Heidenberg, 78, pp 1-54, (2000) [19] H Wenzel, A Klehr, M Braun, F Bugge, G Erbert, J Fricke, A Knauer, P Ressel, B Sumpf, M Weyers and G Tränkle, “Design and realizaton of highpower DFB lasers”, SPIE Proceedings, Physics and Applicatons of Optoelectronic Devices, 5594, pp 110, (2004) ... cậy cao Do đề tài chọn: “NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN VÀ PHỔ CỦA LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO DFB 780 NANO MÉT PHỤ THUỘC ĐỘ DÀI BUỒNG CỘNG HƯỞNG” Các kết nghiên cứu trình bày ba chương luận văn... vạch phổ laser bán dẫn DFB Chương III KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 10 3.1 Phân loại laser bán dẫn DFB 780 nm 10 3.2 Tính chất quang điện laser bán dẫn cơng suất cao phụ thuộc chiều dài buồng. .. 1.1.4 Dẫn sóng buồng cộng hưởng 1.2 Laser bán dẫn công suất cao DFB 1.3 Các đặc trưng laser bán dẫn công suất cao DFB 1.3.1 Đặc trưng quang điện 1.3.2 Đặc trưng phổ quang phụ

Ngày đăng: 09/10/2018, 15:26

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1]. G. P. Agrawal, “Semiconductor lasers”, Kluwer Academic Publishers, (1993) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Semiconductor lasers
[2]. M. C. Amann, J. Buus: Tunable Laser Diodes, Artech House, Boston, (1998) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Tunable Laser Diodes
[3]. M. J. Adams, A. G. Steventon, W. J. Devlin, I. D. Henning: Semiconductor Lasers for Long-Wavelength Optical-Fibre Communications Systems, IEE Materials and Devices Series, (1987) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Semiconductor Lasers for"Long-Wavelength Optical-Fibre Communications Systems
[4]. A. Baliga, D. Trivedi and N. G. Anderson, “Tensile-strain effects in quantumwell and superlattice band structures”, Phys. Rev. B, 49, pp.10402, (1994) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Tensile-strain effects inquantumwell and superlattice band structures
[5]. F. Bachmann P. Loosen, R. Poprawe, High Power Diode Lasers, Springer, pp. 197-200, (2007) Sách, tạp chí
Tiêu đề: High Power Diode Lasers
[7]. R. Diehl, High-Power diode laser, Topics Appl. Phys. Springer, (2000) Sách, tạp chí
Tiêu đề: R. Diehl, "High-Power diode laser, Topics Appl. Phys". Springer
[8]. P. Goldberg, P. W. Milonni, and B. Sundaram, “Theory of the fundamental laser linewidth”, Physical Review A, 44(3), pp. 1969, (1991) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Theory of the fundamental laserlinewidth
[9]. P. Goldberg, P. W. Milonni, and B. Sundaram, “Theory of the fundamental laser linewidth II”, Physical Review A, 44(7), pp. 4556, (1991) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Theory of the fundamental laserlinewidth II
[10]. C. H. Henry, “Theory of the linewidth of semiconductor lasers”, IEEE Journ Sách, tạp chí
Tiêu đề: Theory of the linewidth of semiconductor lasers
[12]. V. D. Mien, V. V. Luc, T. Q. Tien, P. V. Truong, T. Q. Cong, V. T. Nghiem, , N.C. Thanh, N. T. Ngoan, V.V. Parashchuk. Optical laser diode module preparation and characterization. Proceeding of the 6 th International Conference Sách, tạp chí
Tiêu đề: Optical laser diode module"preparation and characterization. Proceeding of the 6"th
[6]. O. Brox, J. Wiedmann, F. Scholz, F. Bugge, J. Fricke, A. Klehr, T. Laurent, P Khác

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w