Báo cáo - Thí nghiệm cấu kiện điện tử P1 pdf

và lọc tín h m một diode hiệu ra một C, tần số gợn n áp bằng Z ch sửa dạng Vớ Điện thế đ 6V hiệu ra có đi e dẫn và 1 tụ chiều bằng n sóng ra củ Zener... hiện tốt sự đ đặt vào khi ng tải

BÀI 1:

I.Thiết b

-

-

-

II.Nội du

Chủ đề

a Mụ

H

dẫn.Nhận

b Kế

-

-

-

-

vào cực E

-

Chủ đề

a M

H

Mạch th

C

V

ph

C

V

D

bị:

Máy hiện só

Máy tạo són

Bảng mạch

ung thí nghi

ề 1: Giới th

ục đích:

Hiểu định ng

n dạng và ki

ết luận:

Diode và tra

Diode có mộ

Diode,zener

Ký hiệu của

Emiter

Diode có 2 c

ề 2 : Diode v

Mục đích :

Hiểu, giải thíc

hí nghiệm :

Các thông số

VA = VR1 = VR2 = Với các giá tr

hân cực thuậ

Các thông số

VA = VR1 = VR2 = Với các giá tr

Dựa vào định

SEM

óng 2 chiều

ng sin

iệm:

hiệu về chất

ghĩa giải thíc

ểm chứng ng

ansistor được

ột tiếp giáp P

r, LED khác

a PNP transi cực Anode v

và chỉnh lưu

ch và mô tả

đo được trên -10VDC -9.37 -0.1mV

rị như thế CR

ận, CR2 đượ

đo được trên 10VDC 0.1mV 9.39V

rị như thế CR

h luật Ohm ta

IR

MICONDU

bán dẫn

ch về vật liệ guyên lý hoạ

c cấu trúc từ

PN, Transist nhau về kí h istor có chiề

và Cathode.T

u bán kỳ

các nguyên

n mạnh là :

R1 được

ợc phân cực n

n mạnh là :

R1 được phâ

a xác định đư

R

V

2

2 R 2

R = =

UCTOR F

ệu bán dẫn v

ạt động của m

ừ vật liệu bán tor có 2 tiếp hiệu

ều mũi tên cự Transistor có

lý và các đặ

nghịch

ân cực nghịc ược dòng đi

mA 85 2

=

FUNDAME

và chức năng một số dụng

n dẫn, thườn giáp PN

ực BASE,cò

ó 3 cực Emit

ặc tính hoạt đ

ch, CR2 đượ

ện qua điện

ENTAL

g của nó tro

g cụ bán dẫn

ng là silicon v

òn NPN thì c ter,Base,coll

động của Dio

c phân cực t trở R2 :

ong các dụng

và Germaniu

chiều mũi tê lector

ode bán dẫn

thuận

g bán

um

ên chỉ

Hình min

V A (

0.7

5

10

Kết luận

-

-

sụt áp trê

-

đánh thủn

-

T

H

Dựa và giá trị

nh họa mối q

(V) V R2 (V

75

5

0

:

Đặc tuyến d

Khi điện áp

ên diode nhỏ

Khi diode p

ng, dòng ngư

Diode có điệ

Thí nghiệm 2

Hình minh họ

ị của IR2 ta x

ICR

quan hệ giữa

V)

0.29 4.41 9.38

dòng một chi phân cực th

ỏ

phân cực ng ược tăng nha

ện trở thuận

2 :

ọa mối quan

xác định đượ R2 = 2.85mA

a dòng và áp

I CR2 = V R

iều của diod huận tăng, vư

gược, có dòn anh chóng, d thấp, điện tr

hệ giữa dạn

ợc dòng qua

A

qua diode C

R2 /3.3KΩ (m

0.088 1.34 2.84

e mô tả dòng ượt qua điện

ng rò nhỏ c diode bị đánh

rở nghịch ca

ng sóng vào

CR2 :

CR2 khi phân

mA) V D =

g và điện áp

n áp chắn thì

hạy qua Ch

h thủng

ao

và sóng ra c

n cực thuận

V A – V R2 (V

0.46 0.59 0.62

thuận và ng

ì dòng tăng n

ho đến khi đ

của chỉnh lưu

V)

gược

nhanh chóng đạt được điệ

u bán kỳ dươ

g, với

ện áp

ơng

Mạch chỉ

* VI (pk) =

Với 0.6V

* VI (pk) =

* Vo(pk) =

Kết luận

-

nữa chu k

-

-

trong bán

-

trong bán

-

Chủ đề 3

M

nhân đôi

Thí nghi

V

Quan hệ

ỉnh lưu diod

= 1V Æ Vo (p

V là sụt áp trê

= 2V Æ Vo (p

= 3V Æ Vo(av

:

Chỉnh lưu b

kỳ

Diode và điệ

Khi anode c

n kỳ dương

Khi cathode

n kỳ âm

Sụt áp trên d

3 : Chỉnh lư

Mục đích : H

điện áp

iệm 1 : Chỉn

Vo(pk) = 10V Æ

ệ giữa sóng v

de bán kỳ : pk) = VI (pk) –

ên CR1 pk) = VI (pk) – vg) = 0.318 x

bán kỳ là qu

ện trở tải hìn của diode đư

e của diode diode giảm đ

ưu toàn kỳ v

Hiểu, giải thí

nh lưu toàn k

Æ Vo (avg) =

vào và sóng

– 0.6 = 0.4V – 0.6 = 1.4V

x Vo(pk) = 0.9

uá trình biến

nh thành mộ ược kết nối v được kết nố điện thế ra củ

và mạch lọc.

ích và kiểm

kỳ

0.636 x Vo(p

ra của chỉnh

954V

n đổi tín hiệu

t chỉnh lưu b với tín hiệu x

ối với tín hiệ

ủa chỉnh lưu

m chứng mạc

pk) = 6.36V

h lưu bán kỳ

u xoay chiều

bán kỳ

xoay chiều,

ệu xoay chiề

u toàn kỳ

ch chỉnh lưu

ỳ dương

u thành xun thì tín hiệu r

ều, thì tín hi

u toàn kỳ, m

ng một chiều

ra là xung d

ệu ra là xun

mạch lọc và m

u suốt dương

ng âm

mạch

Mạch

Ta có : V

Æ fo = 2x

Æ Vo(pk)

Æ Vo(avg)

Kết luận

-

ra 1 chiều

-

-

thời gian

-

-

-

Thí nghi

Vo(pk) = 1

Thêm tụ

V

Kết nối th

Dự

h chỉnh lưu t

VI (pk-pk) = 20V

x fI = 200Hz

= VI(pk) – 2x

) = 0.636 x V

:

Mạch chỉnh

u

Tần số của t

4 diode tạo

n

2 diode dẫn

Điện áp đỉnh

Vo(avg)=0.63

iệm 2 : Mạch

10 V Æ Vo(p

C1 vào mạc

Với VOM, dò

hêm R2 vào

ựa vào máy

toàn kỳ :

V, fI = 100H

z x0.6 = 8.8V Vo(pk) = 5.59V

h lưu cầu toàn tín hiệu ra gấ thành mạch

sẽ hướng đi

h ra nhỏ hơn 6xVo(pk)

h lọc

k) = 12V

ch như hình v

òng điện DC

mạch như h

hiện sóng, đ

Hz

V

n kỳ chuyển

ấp 2 lần tần

h chỉnh lưu c iện áp làm ch

n diện áp đỉn

vẽ

C ra = 12V

hình 1

điện thế gợn

n đổi cả 2 ph

số vào cầu vì vậy

ho dòng tải l

nh vào vì do

sóng :

a của tín hiệ

dòng chỉ ch luôn chạy th sụt áp trên 2

Hình

ệu xoay chiều

hảy qua 2 dio heo 1 hướng

2 diode

h 1

u vào thành ode trong cù

xung ùng 1

N

D

Đ

Kết luận

-

-

-

-

đến khi tụ

-

-

Thí nghi

Cho

Vr(pk) Điện thế DC

Vo = 9 Nối thêm C2

Dựa vào máy

Vr(pk) Điện thế DC

Vo = 8

:

Tụ lọc ra đư

Tụ xả nhanh

Điện thế ra

Trước khi đ

ụ đạt đến điệ

Thời gian xả

Độ gợn sóng

iệm 3 :

o mạch như h

VI(pk) VC1 =

= 50mV

ra : 9.2V song song v

y hiện sóng, đ

= 60mV

ra : 8.7V ược gọi là tụ

h chóng tại đ giữa 2 xung điện áp tụ rơ

ện áp đỉnh

ả trên tụ lớn

g tồn tại tron

hình vẻ :

= 10V Æ V VC2 = 10V

vói C1 và R2

điện thế gợn

hóa khi kết điện thế chỉn bằng không

ơi chậm, mộ hơn thời gia

ng dải Volt c

Mạch nhâ

o(pk) = 2x VI(

2 như sau :

n sóng :

nối ngang v

nh lưu đỉnh

g, tụ đã nạp đ

ột xung ra kh

an nạp

có thể được g

ân đôi điện á

(pk) = 20V

với tín hiệu c được xả và c hác từ bộ ch giảm xuống

áp

chỉnh lưu ra

cung cấp dòn hỉnh lưu sẽ đến dải mV

ng qua tải

được nạp lạ

V

ại cho

*

Kết luận

-

-

điện áp v

-

- Bời v

+

2 tụ

+

điện áp b

Chủ đề 4

Mục

của diode

* Mạch x

Điện thế

Với V1 =

Điện thế

* Mạch g

Độ gợn r = 20

Æ Độ

Æ Vo

:

2 diode và 2

Mạch nhân

vào

Tại mỗi nữa

vì :

+ 2 tụ mắc nố

+ 1 tụ nạp tro

bằng 2 lần tầ

4 : Sửa dạng

đích : Khả

e Zener, sự ổ

xén (giới hạ

Với V1 = 0

đỉnh ra dươ

= 2V

đỉnh ra dươ

ghim :

0mV(pk-pk)

ộ gợn r = 54m

= 12V

2 tụ lọc có th đôi điện áp

a chu kỳ của

ối tiếp ngang ong suốt nữa

ần số tín hiệu

g sóng bằng

ảo sát nguyê

ổn định điện

ạn)

V ơng : Vo (pk) =

ơng : Vo (pk) = Với V2 = Điện thế đ

) mV(pk-pk)

hể tạo thành

p chỉnh lưu t tín hiệu xoa

g qua điện áp

a bán kỳ của

u vào

g Diode và ổ

ên lý hoạt độ

n áp bằng dio

= 0.6V

= 2.6V -2V đỉnh ra âm : V

mạch nhân đ tín hiệu vào

ay chiều, gồm

p ra nên tín

a tín hiệu AC

ổn định điện

ộng của mạc ode Zener

Vo (pk) = -2.6

đôi điện áp

và lọc tín h

m một diode hiệu ra một

C, tần số gợn

n áp bằng Z

ch sửa dạng

Vớ Điện thế đ

6V

hiệu ra có đi

e dẫn và 1 tụ chiều bằng

n sóng ra củ

Zener

sóng bằng

ới V2 = 0V đỉnh ra âm : V

iện áp bằng

ụ nạp

tổng điện áp

ủa mạch nhâ

diode, hoạt

Vo(pk) = -0.6V

2 lần

p trên

ân đôi

động

V

V

Đ

Đ

V

+

Đ

Kết luận

-

n

s

-

-

-

Exercise

Nối mạch

Kết luận

-

-

VI(pk) = 5V, f

+ V1 Điện thế đỉnh

+ V1 Điện thế đỉnh

VI(pk) = 5V, fI

+ V2 = 0V

Điện thế đỉnh

:

Mạch xén b

ối tiếp như l

song để xén t

Cả hai tín hi

Khi đặt điện

Mạch ghim

e 1 : Zener

h như hình v

:

Diode được

Tại phân cự

fI = 1000Hz

= 0V

h ra âm : Vo (

= 3V

h ra dương :

I = 1000Hz

h ra dương :

ao gồm 1 di

là một chỉnh tín hiệu ra (d iệu AC của d

n áp phân cự

là một mạch

vẽ :

thiết kế để h

ực thuận,diod

(pk) = -5V

Vo (pk) = 3.6V

Vo (pk) = -3

ode và 1 tran

h lưu bán kỳ, dương hoặc dạng sóng ra

ực vào diode,

h xén suy giả

Đặc tu

hoạt động an

de Zener đón

V

6V

nsistor mắc

và mắc son âm)

a có thể đượ , điện thế xé

ảm có 1 diod

uyến của dio

n toàn trong

ng vai trò nh

g

c giới hạn bở

én được thiết

de và 1 mạch

ode Zener

miền đánh t

hư một diode

ởi 2 mạch xé

t lập

h RC

thủng

e chỉnh lưu

én diode

-

khi VZ đạ

-

-

dòng có g

Exercise

V R5

1

1.5

2

5

Kết luận

-

như khôn

-

điện áp n

-

diode Ze

-

theo sự th

-

cho khả n

-

đổi ở tải

Chủ đề 5

Mục

dụng bằn

Exercise

Dựa vào đặ

ạt tới điểm đ

Tại VZ, dòn

Trong mạch

giá trị bằng d

e 3 : Sự ổn đ

(V) I L

10 15 20 50

:

Diode Zene

ng thay đổi

Diode Zene

nguồn cung c

Dòng điện

ner và dòng

Các Diode

hay đổi nhỏ

Lượng tăng

năng điều hò

Độ ổn định

5 : Tiếp giáp

c đích : Xác

ng cách đo th

e 2 :

VE = -VBE = VCE =

c tuyến phân đánh thủng

g ngược tăng

h diode Zen dòng IZT

định điện áp

(Ma)

0

5

0

0

er được sử dụ

r sẽ giữ mức cấp và điện t tổng trong m chảy qua tả Zener thực h của điện áp lên của dòn

òa tải của bộ của tải theo

p của Transi

c định và gi

hử các transi

-1.5V

= 0mV

= -13.6V

n cực ngược

g nhanh, điệ ner, điện trở

bằng diode

V 0 (v)

6.71 6.67 6.64 5.53

ụnh trong cá

c điện áp ra trở tải

mạch ổn địn

i

hiện tốt sự đ đặt vào khi

ng tải sẽ đượ

ộ ổn định điệ

o phần trăm đ

istor và sự p

ải thích các istor, và khảo

c của diode Z

ện áp ngược

ở được mắc

Zener

V

1 1 1 0

ác mạch điều bằng mức đ

nh điện áp b điều chỉnh đ làm việc ở v

bù bằng lượ

ện áp

được đo bằn

phân cực Dc

đặc tính và

o sát chuyển

Zener chỉ rằn tăng rất chậm nối tiếp với

V R3 (mV)

94.1 54.6

55

0

u hòa điện á iện áp Zener bằng diode Z điện áp bởi v vùng đánh th ợng giảm của

ng độ thay đ

c cho Transi

à nguyên lý h

n mạch bằng

ng diode Zen

m

i điện trở Z

I Z (mA

19.4 15.46 11.5

0

áp do mức đ

r, bất chấp c Zener là tổn

vì IZ có thể hủng

a dòng Zene đổi điện áp tr

istor PNP

hoạt động c

g transistor

ner sẽ ngưng Zener để giớ

A)

điện áp Zene các biến thiên

ng dòng chảy thay đổi đán

er, đặc tính n rên tải do sự

của Transisto

g dẫn

ới hạn

er hầu

n của

y qua

ng kể này sẽ

ự thay

or, áp

Kết luận

-

từ mức 0

-

0.5Vdc đ

-

-

phép dòn

-

rất cao, c

-

-

nguồn cu

V

Chủ đề 6

Mục đíc

khuếch đ

Đặc tính

Kết luận

+

nguồn cu

+

+

đạt 0.5V

R1 = 10KΩ)

VBE = VCE = VR2 =

= V

IC R1 = 1 VR2 =

Æ IC

IC = 0 VBE = VCE =

:

Transistor lư

0 đến giá trị l

Để tiếp giáp

đến 0.8Vdc,

Điện trở của

Tiếp giáp JE

ng chảy trong

Khi tiếp giá

chặn dòng ch

Khi dòng Co

Khi dòng I

ung cấp

Vì mức dòng

6 : Đường tả

ch : Hiểu, g

đại của Trans

:

+ Tiếp giáp P

ung cấp

+ Đặc tính ph

+ Dòng điện

= -0.74V

= -0.04V 13V

=13V/ R

V

2

2 R

1MΩ) 3.48V

=

R

V

2

2 R

0.00348mA

= -0.65V

= -9.7V ưỡng cực có lớn nhất

p JE phân cự

âm hơn so v

a tiếp giáp JC

E được phân

g mạch tươn

áp JE được p hảy trong mạ ollector lớn

IB = 0 thì kh

IE = IB + IC

IB không đá

ải và hệ số k

giải thích và sistor nên cá

BEO và I BEO

PE của transi hân cực thuậ phân cực gi

Ω

K

− V/K 10

x

ó thể làm việ

ực thuận, thì với cực Emit

C tùy thuộc v

n cực thuận s

ng tự như mộ phân cực ngư ạch Collecto nhất, transis hông có dòn

C áng kể, nên I

khuyếch đại

à kiểm chứn

ác dòng điện

istor được ph

ận DC của tiế iữa Base và

Ω

K

ệc như một c

base của tra ter

vào dòng IB

sẽ làm cho đ

ột chuyển mạ ược, dòng IB

or, tương tự n stor dẫn bão

ng IC,transis

IC và IE gần n

của Transis

g các trạng của transist

hân cực thuậ

ếp giáp BE t Emittor từ

chuyển mạch ansitor PNP

điện trở Coll ạch kín

B = 0 gây ra như chuyển m hòa nên VCE stor ở vùng

như bằng nh

stor

thái hoạt độ

or bằng cách

ận hay ngượ transistor tươ

0 đến dưới

h bằng sự tha sillicon phả

lector – Emi

a điện trở Co mạch hở

E gần bằng k ngắt, VCE g hau

ộng và ảnh

h sử dụng đư

ợc phụ thuộc ơng tự như c microamp c

ay đổi dòng

ải có mức kh

itter rất thấp ollector - Em

không

gần bằng điệ

hưởng của h ường tải DC

c vào điện th các diode khá cho đến khi

Base hoảng

p, cho mittor

ện áp

hệ số

hế của

ác VBEO

nhỏ

+

1.Quan h

Từ đồ thị

Æ ß = IC

Kết luận

-

-

-

-

Exercise

* Điều

* Điều k

* Điều k

Kết luận

-

khi dòng

-

Collector

-

bằng điều

+ VBE nằm tr

+ Sau khi dòn

hệ I B VÀ I C

ị, ta có IB =

C / IB = 80

:

Dòng IC lớn

Tỷ số dòng

Dòng IE = IC

IB = 5%IE

e 1 : Đường

kiện điện th

VBE =

VCE = VR9 = VR6 =

kiện điện thế

VBE = VCE = VR9 = VR6 =

kiện điện thế

VBE = VR9 = VR6 =

:

Họ đặc tuyế

base là thôn

Do ß hầu

r-Emitter kh

Điểm Q ha

u kiện phân

rong khoảng

ng Base – Em

100µA

n của transis

IC và IB đượ

C + IB

g tải tĩnh và h

hế bão hòa

0.634V

= 0.077V 0.211V 0.031V

ế ngưng dẫn

= 0V

= 10V 0V 0V

ế vùng tuyến

= 0.61V 0.165V 0.008V

ến dòng Coll

ng số

như không

hi dòng base

ay điểm làm cực DC của

g 0.5V đến 0 mitter đạt 2m

Đặc t

tor được điề

ợc gọi là hệ s

hệ số khuếc

n

n tính

lector là đồ t

đổi ở vùng không đổi là việc là điểm transistor

0.8V, dòng I

mA, điện áp

tính miêu tả

ều khiển bởi

số khuyếch đ

ch đại

thị dòng của

g tích cực

à đặc tuyến t

m giao chéo g

IBEO tăng nh phân cực thu

quan hệ giữ

dòng IB nhỏ đại dòng tran

Collector th

của transist tăng rất ít

giữa đường

hanh chóng v uận gần như

ữa I B và I C (I

ỏ nsistor

heo điện áp C tor nên đồ t tải và IB và

với VBEO tăn

ư không đổi

I C = ßI B )

Collector-Em thị theo điệ

sẽ được xác

ng rất

mitter

ện áp

c định

- Các mạch transitor được sử dụng để khuếch đại tín hiệu nhỏ, thường được thiết kế để có điểm nằm ở trung tâm đường tải điều này sẽ cho khoảng hoạt động trong vùng tích cực đối với tín hiệu AC đặt vào

- Việc xác định đường tải sẽ bị ảnh hưởng theo các thay đổi ở nguồn cung cấp collector hay trị số của điện trở collector