const I CE C V B Chuẩn bị Lý thuyết kết quả TN Báo cáo Kiểm tra Kết quả Căn cứ vào kiến thức đã học ở các môn Điện Tử 1,ĐIện Tử 2,Phần Cơ Sở Lý Thuyết gợi ý của Giáo Trình Hướng Dẫ
Trang 1const I CE
C (V ) B
Chuẩn bị
Lý thuyết kết quả TN Báo cáo Kiểm tra Kết quả
Căn cứ vào kiến thức đã học ở các môn Điện Tử 1,ĐIện Tử 2,Phần Cơ Sở Lý Thuyết gợi ý của Giáo Trình Hướng Dẫn Thí Nghiệm Điện Tử Tương Tự, và cũng nhằm mục đích hiểu kỹ tiến trình thí nghiệm, kiểm chứng bằng thực nghiệm những kiến thức lý thuyết đã học, sinh
viên phải chuẩn bị trước ở nhà những kiến thức sau đây trước khi vào Phòng Thí Nghiệm
:
I.1 Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-1 Ngắn mạch các mA kế Giả thiết các
thông số của Transistor C1815 như sau : hfe = = 220, Vγ= 0,5V , bỏ qua điện trở ra 1/hoe Biến trở P1 được đặt tại điểm giữa
I.1.1 Tính điểm làm việc tĩnh Q(I CQ , V CEQ) của mạch :
I.1.2 Xác định trạng thái hoạt động của BJT : Theo anh (chị), điểm làm việc tĩnh Q của transistor đang được phân cực thuộc vùng nào trên họ đặc tuyến ngõ ra :
Hình 2-1 Phân cực transistor NPN mắc kiểu CE
Trang 2Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
const I CE
C (V ) B
I.2 Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-2 Ngắn mạch các mA kế Giả thiết các thông số của Transistor A 1015 như sau : hfe = = 220, Vγ= 0,5V , bỏ qua điện trở ra 1/hoe Biến trở P1 được đặt tại điểm giữa
I.2.1 Tính điểm làm việc tĩnh Q(I CQ , V CEQ ) của mạch :
I.2.2 Xác định trạng thái hoạt động của BJT : Theo anh (chị), điểm làm việc tĩnh Q của transistor đang được phân cực thuộc vùng nào trên họ đặc tuyến ngõ ra :
I.3 Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-3 Giả thiết các thông số của Transistor
C1815 như sau : hfe = 220, bỏ qua điện trở ra 1/hoe Bỏ qua nội trở của nguồn tín hiệu
Hình 2-2 Phân cực transistor PNP mắc kiểu CE
Trang 3I.3.1 Khảo sát DC :
a Vẽ mạch tương đương DC và xác định điểm làm việc tĩnh Q (ICQ, VCEQ) :
b Cho biết trạng thái hoạt động của transistor :
I.3.2 Khảo sát AC của mạch khuếch đại ở dãy tần giữa : a Vẽ mạch tương đương AC ở dãy tần giữa của mạch : b Viết công thức và tính các thông số sau của mạch : - Tổng trở vào Zi :
- Tổng trở ra Zo :
- Độ lợi dòng điện Ai :
Hình 2-3 Khuếch đại xoay chiều (AC) ghép CE dùng BJT-NPN
Mạch tương đương DC
Trang 4Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
] A [ P R
V V I
2 3
CE CC
−
= ] A [ R
V I
2
2 R
B =
- Độ lợi điện áp Av :
I.4 Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-4 Ngắn mạch J2, J3, J5 để khảo sát mạch Darlington Giả thiết hfe Transistor T1 C1815 là : hfe = 220 và của Transistor T2 H1061 là hfe = 100 Biến trở P1 đặt ở giữa Vẽ mạch tương đương DC và xác định hệ số khuếch đại dòng β của toàn mạch :
PHẦN II : KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM Phần này bao gồm các kết quả và số liệu thu nhận được từ thực nghiệm của Phần II : Tiến Trình Thí Nghiệm (trong Giáo Trình Thí Nghiệm) và nhận xét của sinh viên khi đối chiếu với lý thuyết đã học II.1 PHÂN CỰC BJT NPN II.1.1 Phân cực : Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch: Bảng A2-1 Thông số hiệu chỉnh (Điện áp V CE ) [V] Thông số cần đo Thông số tính toán Nhận xét V R2
= Ic / Ib
Trạng thái hoạt động của BJT (Ngưng dẫn, Khuếch đại, Bão hòa)
≈ 12
5.5 ÷ 6.5
0.1 ÷ 0.2
Mạch tương đương DC
Hình 2-4: Khuếch đại ghép Darlington
Trang 55 4
CEQ A
CQ
R R
V V I
+
−
=
] A [ P R
V V I
2 3
CE CC
−
= ] A [ R
V I
2
2 R
B =
II.1.2 Cho biết điểm làm việc tĩnh Q trong cả 3 trường hợp phân cực nêu trên của V CE :
Q1(ICQ, VCEQ) Trạng thái hoạt động Q1(ICQ1, VCEQ1)
Q2(ICQ2, VCEQ2)
Q3(ICQ3, VCEQ3)
II.2 PHÂN CỰC BJT PNP:
II.2.1 Phân cực :
Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch
Bảng A2-2
Thông số hiệu
chỉnh
(Điện áp V CE )
[V]
Thông số
V R2
= Ic / Ib
Trạng thái hoạt động của BJT (Ngưng dẫn, Khuếch đại, Bão hòa)
≈ -12
-5.5 ÷ -6.5
-0.1 ÷ -0.2
II.2.2 Cho biết điểm làm việc tĩnh Q trong cả 3 trường hợp phân cực nêu trên của V CE :
Q1(ICQ, VCEQ) Trạng thái hoạt động Q1(ICQ1, VCEQ1)
Q2(ICQ2, VCEQ2)
Q3(ICQ3, VCEQ3)
II.3 MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CE:
II.3.1 Khảo sát DC:
Xác định điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) của mạch :
- Đo điện áp VCEQ =
- Đo điện áp tại điểm A : VA =
- Tính dòng :
= -
⇒ Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) =
Cho biết trạng thái hoạt động của BJT :
………
Trang 6
Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
II.3.2 Khảo sát đặc tính khuếch đại ở dãy tần giữa :
Bảng A2-3 Thông số cần đo Trị số điện áp vào V IN (p-p) = 30 mV VOUT Độ lợi điện áp Av = p) -IN(p p) -OUT(p V V Độ lệch pha ΔΦ Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (V IN ) và tín hiệu điện áp ngõ ra (V OUT ) trong trường hợp : Khi V IN = 30 mV ♦ Nhận xét về các đặc trưng của mạch khuếch đại CE (về hệ số khuếch đại dòng β, hệ số khuếch đại áp Av, độ lệch pha ΔΦ)
II.3.3 Khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại :
II.3.3.A Đọc biên độ đỉnh - đỉnh VOUT(pp) tại ngõ ra Ghi nhận độ lợi Av tại f =
1KHz
Độ lợi điện áp Av =
p) -IN(p
p) -OUT(p V
V
=
II.3.3.B Giữ nguyên biên độ điện áp tín hiệu vào VIN (pp) = 30mV Đo biên độ đỉnh - đỉnh tại ngõ ra VOUT(pp), ghi nhận độ lợi Av tại các tần số khảo sát vào bang A 2-4
Bảng A2- 4
Biên độ V OUT(p-p) (V)
Av
Trang 7] A [ R
V I
2
2 R
5
5 A R
V
C =
II.3.3.C Vẽ biểu đồ Bode thể hiện quan hệ Biên độ – Tần số theo Bảng
A2-4 (Av theo tần số f)
|AV|
0
f (Hz)
Xác định tần số cắt dưới theo thực nghiệm :
II.4 MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CC
II.4.1 Khảo sát chế độ DC :
II.4.1.A Chỉ dùng 1 BJT (T1- NPN C1815) - Tải R5= 100Ω
♦ Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch khi ngắn mạch J1, J5:
Bảng A2- 5
V R2 [V] V OUT [V]
β = hfe = Ic / Ib 0,05V
0,1V
♦ Dựa vào kết qủa bảng A2- 5, nhận xét gì về hệ số khuếch đại dòng điện β của mạch ghép CC với mạch ghép CE (Cùng dùng chung một loại BJT C1815-NPN) ở phần thí nghiệm II.1 ở bảng A2-1 (khi BJT hoạt động chế độ khuếch đại)
f CL = ………
Trang 8Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
] A [ R
V I
2
2 R
5
5 A R
V
C =
II.4.1.B Ghép Darlington 2 BJT (T1- NPN C1815 và T2 – NPN C1061) - Tải R5=
100Ω
♦ Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch khi ngắn mạch J2, J3, J5:
Bảng A2-6
0,05V
0,1V
♦ Trên cơ sở đo hệ số khuếch đại dòng β , so sánh kết quả đo giữa tầng lặp lại đơn ở bảng A2-5 và tầng lặp lại Darlington của bảng A2-6 Giải thích sự khác nhau về 2 cách ghép này :
II.4.2 Khảo sát chế độ AC :
II.4.2.A Chỉ dùng 1 BJT (T1- NPN C1815) - Tải 100Ω
Bảng A2-7
Thông số cần đo Trị số điện áp vào V IN (p-p) = 100 mV
VOUT
Độ lợi điện áp Av1 =
p) -IN(p
p) -OUT(p V V
Độ lệch pha ΔΦ
♦ Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện
áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) ) (chú ý biên độ và pha) :
Trang 9♦ Giữ nguyên biên độ và tần số ngõ vào Thay tải R5 bằng các tải R4 và R6, xác định VOUT Tính hệ số khuếch đại Av khi dùng các tải khác nhau, ghi kết quả vào bảng A2-8
Bảng A2-8
R4 =1K
R5 = 100
R6 = 5,1K
♦ Kết luận về vai trò tầng đệm CC ?
♦ Nhận xét về các đặc trưng của mạch khuếch đại CC (về hệ số khuếch đại dòng β, hệ số khuếch đại áp Av, độ lệch pha ΔΦ)
II.4.2.B Ghép Darlington 2 BJT (T1- NPN C1815 và T2 – NPN C1061) - Tải
100Ω:
Bảng A2-9
Thông số cần đo Trị số điện áp vào V IN (p-p) = 100 mV
VOUT
Độ lợi điện áp Av2 =
p) -IN(p
p) -OUT(p V V
Độ lệch pha ΔΦ
♦ Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện
áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) (chú ý biên độ và pha) :
Trang 10Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
♦ Trên cơ sở đo hệ số khuếch đại dòng và hệ số khuếch đại thế, so sánh kết quả
đo giữa tầng lặp lại đơn và tầng lặp lại Darlington
II.5 MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CB (Mạch A2-5B) Vẽ lại sơ đồ mạch nguyên lý II.5.1 Đo hệ số truyền dòng α : Bảng A2-10 Dòng Ie /T1 (Chỉnh P1) Dòng Ic / T1 1 Ie1 = 1 mA Ic1 = ………mA 2 Ie2 = 2 mA Ic2 = ……… mA Tính hệ số truyền dòng: α = (Ic2 - Ic1) / (Ie2 - Ie1) = ………
II.5.2 Khảo sát chế độ AC :
II.5.2.A Đo các giá trị V OUT , độ lệch pha ΔΦ ghi vào bảng A2-11, tính Av.
Bảng A2-11
Thông số cần đo Trị số điện áp vào V IN (p-p) = 100 mV
V OUT
Độ lợi điện áp A v =
p) -IN(p
p) -OUT(p V V
Độ lệch pha ΔΦ
Trang 11II.5.2.B Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (V IN ) và tín hiệu điện áp ngõ ra (V OUT ) ) (chú ý biên độ và pha) :
II.5.2.C Tính hệ số khuếch đại Av khi có tải (Ura có nối J4) và khi không có tải (Ura không nối J4), ghi kết quả vào bảng A2-12
Bảng A2-12
Tải V IN (p-p) V OUT (p-p) Độ lợi điện áp A v
Không nối J4
Nối J4
II.5.2.D So sánh sự mất mát biên độ xung khi nối chốt tải cho 3 bộ khuếch đại emitter chung, collector chung và base chung Kết luận sơ bộ về khả năng ứng dụng của mỗi loại.