Tóm tắt: Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN

Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaNNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

NGUYỄN TRUNG ĐÔ

NGHIÊN CỨU MÔ PHỎNG VÀ CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO TRANSISTOR

CÓ ĐỘ LINH ĐỘNG ĐIỆN TỬ CAO DỰA TRÊN GaN

Ngành: Vật lý kỹ thuật

Mã số: 9520401

TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ KỸ THUẬT

Hà Nội - 2024

Công trình được hoàn thành tại:

Đại học Bách khoa Hà Nội

Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS Nguyễn Ngọc Trung

PGS.TS Nguyễn Hoàng Thoan

Phản biện 1: GS.TS Vũ Đình Lãm Phản biện 2: PGS.TS Nguyễn Văn Hảo Phản biện 3: PGS.TS Phạm Nguyên Hải

Luận án được bảo vệ trước Hội đồng đánh giá luận án tiến sĩ cấp Đại học Bách Khoa họp tại Đại học Bách khoa Hà Nội

Vào hồi 8 giờ 30, ngày 15 tháng 08 năm 2024

Có thể tìm hiểu luận án tại thư viện: 1 Thư viện Tạ Quang Bửu – Đại học Bách Khoa Hà Nội 2 Thư viện Quốc gia Việt Nam

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN

1 Đô Trung, Thoan Hoàng*, Trung

Nguyễn-Ngọc, Vinh Lê-Văn (2017), Nghiên cứu vi cấu trúc và tính chất của vật liệu Al1-xGaxN vô định hình bằng phương pháp động lực học phân tử, Tuyển tập báo cáo hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 10 (SPMS2017-Huế), trang 400, ISBN 9778-604-95-0325-2

2 Nguyễn Trung Đô, Nguyễn Hoàng Thoan*, Trần Minh Quang, Đào Anh Tuấn, Nguyễn Ngọc Trung (2019), “Xây dựng mô hình điện của transistor có độ linh động điện tử cao trên cơ sở chuyển tiếp dị thể AlGaN/GaN”, Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc – SPMS 2019 (600 – 607) ISBN 978-604-98-7506-9 (10/2019)

3 Nguyễn Trung Đô, Nguyễn Hoàng Thoan*, Nguyễn Ngọc

Trung, Vũ Ngọc Tước, Lê Thị Hồng Liên (2019), “Nghiên cứu tính chất tại phân biên cấu trúc ALD-HfO2/GaN bằng phương pháp điện dung, điện áp”, Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc – SPMS 2019 (608 – 612) ISBN 978-604-98-7506-9 (10/2019)

4 Nguyen-Trung Do, Nguyen-Hoang Thoan, Tran Minh Quang,

Dao Anh Tuan, Nguyen-Ngoc Trung* (2020), An analytical model for AlGaN/GaN MOS-HEMT for high power applications In: Parinov I., Chang SH., Long B (eds) Advanced Materials Springer Proceedings in Materials, vol 6 Springer, Cham (17 June 2020;

https://doi.org/10.1007/978-3-030-45120-2_3 (Hội nghị quốc tế, trong Index Scopus)

5 Nguyen-Hoang Thoan, Nguyen-Trung Do, and Nguyen-Ngoc

Trung* and Le Van Vinh (2020), The structural correlation and

mechanical properties in amorphous hafnium oxide under pressure, International Journal of Modern Physics B, pp 2040149-(1:8) 2020 https://www.worldscientific.com/doi/abs/10.1142/S0217979220401499 (ISI, Q4)

6 Thoan N.H., Do N.T., Duc T.T., Trung N.N (2021) Deep Level

Defects in GaN Grown at Low Temperature by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy In: Long B.T., Kim YH., Ishizaki K., Toan N.D., Parinov I.A., Vu N.P (eds) Proceedings of the 2nd Annual International Conference on Material, Machines and Methods for Sustainable Development (MMMS2020) MMMS 2020 Lecture Notes in Mechanical Engineering Springer, Cham https://doi.org/10.1007/978-3-030-69610-8_34 (Hội nghị quốc tế, trong Index Scopus)

7 Nguyễn Trung Đô*, Nguyễn Ngọc Trung*, Lưu Thị Lan Anh,

Nguyễn Hoàng Thoan, Lê Thị Hồng Liên (2021), Nghiên cứu ảnh hưởng của quá trình ăn mòn đến điện trở suất tiếp giáp Ohmic của linh kiện AlGaN/GaN HEMT, tạp chí Khoa học và Công Nghệ (JST: Engineering and Technology for Sustainable Development) Volume 31, Issue 2, April 2021, pp095-100

8 Nguyễn Trung Đô, Nguyễn Hoàng Thoan*, Nguyễn Ngọc Trung (2023), “Nghiên cứu tính chất bẫy bề mặt tại phân biên cấu trúc ALD Al2O3/GaN bằng phương pháp điện dung-điện áp”, Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc – SPMS 2023 (188 – 191) ISBN 978-604-471-702-9 (11/2023)

Đặt vấn đề 1 Lý do chọn đề tài

Quy trình công nghệ sản xuất linh kiện vi điện tử (IC) dựa trên vật liệu bán dẫn Silic là một trong những thành tựu khoa học – công nghệ nổi bật nhất của thế kỷ 20 và là tiền đề cho sự phát triển khoa học công nghệ ngày nay Tuy nhiên, các thông số của linh kiện trên cơ sở vật liệu Silic đã đạt tới giới hạn, không thể phát triển hơn, chính vì vậy mà các nhà khoa học trên toàn thế giới hiện đang không ngừng tìm kiếm và sáng tạo các vật liệu mới để thay thế Silic với các tính chất nổi trội hơn và có thể ứng dụng để sản xuất linh kiện trên dây chuyền công nghệ

Vật liệu bán dẫn trên cơ sở GaN và các thiết bị sử dụng linh kiện trên nền vật liệu GaN như transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên nền vật liệu GaN/AlxGa1-xN (High-Electron Mobility Transistors - HEMT) đang là lựa chọn tối ưu cho các ứng dụng bán dẫn năng lượng mới nổi và nhanh chóng thay thế công nghệ silicon hiện tại Các tính chất nổi trội của linh kiện trên cơ sở vật liệu GaN/ AlxGa1-xN so với các linh kiện truyền thống sử dụng Silic và GaAs là: tần số làm việc rất cao, nhiệt độ làm việc cao, điện trường đánh thủng cao (2×106 V/cm) và vận tốc chuyển động của điện tử lên tới 107 cm/s[1],[2] Do đó, linh kiện này hiện đã và đang được nghiên cứu và phát triển bởi các nhà khoa học, các nhóm nghiên cứu cũng như các hãng sản xuất thiết bị điện tử hàng đầu thế giới cho nhiều ứng dụng khác nhau [3], [4], [5], [6], [7], [8], [9], [10], [11], [12]

Mặc dù đã có sự phát triển tuyệt vời của công nghệ GaN HEMT trong thời gian gần đây, vẫn còn những vấn đề đang giới hạn các đặc tính của thiết bị bao gồm: sai lệch trong cấu trúc mạng tinh thể, thất thoát dòng cực cửa và điện trở tiếp xúc lớn và khiến cho tiềm năng đầy đủ của hệ vật liệu này chưa được phát triển hết Với những phân tích trên, tác giả cùng tập thể hướng dẫn đi đến quyết

định thực hiện luận án tiến sĩ với đề tài “Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN” Theo hướng nghiên cứu này, mục tiêu, phương pháp nghiên

cứu, ý nghĩa khoa học và thực tiễn cũng như các kết quả mới đạt được của luận án được trình bày như sau:

2 Mục tiêu của luận án

Luận án bao gồm những mục tiêu sau: i Thiết kế và tối ưu hóa độ dầy lớp mũ GaN và tỉ lệ

hợp phần của nguyên tố Al trong cấu trúc dị thể AlxGa1-xN/GaN của linh kiện HEMT

ii Chế tạo thử nghiệm linh kiện HEMT với tiếp xúc Ohmic có điện trở thấp tại nhiệt độ ủ thấp hơn 700ºC

iii Nghiên cứu chế tạo thử nghiệm màng mỏng high-k HfO2 ứng dụng cho cấu trúc MOS – HEMT

3 Phương pháp nghiên cứu

Trong luận án này, chúng tôi đề xuất một hướng nghiên cứu tổng hợp, kết hợp nghiên cứu lý thuyết (dựa trên mô hình hóa và mô phỏng trên vật liệu và hoạt động của linh kiện) với nghiên cứu chế tạo thử nghiệm linh kiện GaN HEMT và hướng tới giải quyết một số vấn đề thiết kế linh kiện trong các ứng dụng cụ thể cũng như làm chủ công nghệ chế tạo Các vấn đề khoa học và công nghệ sẽ được triển khai theo phương pháp truyền thống và phổ biến là: mô phỏng, mô hình hóa vật liệu và linh kiện HEMT, thiết kế MASK, xây dựng quy trình chế tạo, sử dụng các kỹ thuật như quang khắc, ăn mòn, lắng đọng tạo màng mỏng để chế tạo linh kiện Linh kiện sẽ được xử lý “ảo” trên “máy tính” trước khi tiến hành thực nghiệm trên thực tế

4 Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án

Trong những năm gần đây, để đáp ứng các yêu cầu hiện đại của công nghệ điện tử ngày nay như mức công suất cao, khả năng kết nối tốt mà kích thước lại nhỏ gọn nhằm phục vụ cho thời đại 4.0, các nhà khoa học đã và đang tập trung vào việc nghiên cứu một thế hệ linh kiện mới để thay thế cho linh kiện Si truyền thống đã không còn phù hợp Một trong các hướng nghiên cứu mới mà các nhà khoa học đã đề xuất là sử dụng vật liệu bán dẫn vùng cầm rộng như GaN để sản xuất chế tạo các linh kiện chuyển mạch Các linh kiện dựa trên vật liệu mới này cùng với các thiết kế phù hợp có thể mang lại lợi ích trong cả việc tăng hiệu suất cũng như cung cấp các khả năng mới cho các hệ thống điện tử công suất hiện có

5 Các kết quả mới của luận án

Luận án cũng đã chế tạo thử nghiệm thành công linh kiện HEMT Trong đó, tiếp xúc Ohmic được chế tạo có điện trở suất tiếp xúc là 𝜌 = 1,08 × 10−7Ωcm2 với nhiệt độ ủ là 650ºC trong khi các

nghiên cứu khác phải sử dụng nhiệt độ ủ lên đến hơn 800ºC hay thậm chí là 900ºC để đạt được giá trị điện trở suất tương tự

6 Cấu trúc của luận án

Nội dung của luận án được chia thành 4 chương với các nội dung chính như sau:

Chương 1: Tổng quan về vật liệu bán dẫn GaN và linh kiện GaN HEMT

Trong chương này, tác giả đưa ra các giới thiệu tổng quan về vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng GaN cũng như linh kiện GaN HEMT Các công bố cập nhật về linh kiện HEMT cũng được tác giả tổng quan trong chương này

Chương 2: Mô phỏng vật liệu GaN và linh kiện GaN HEMT

Trong chương này, tác giả trình bày các phương pháp mô phỏng, mô hình hóa và quy trình mô phỏng cũng như các kết quả thu được Các phương pháp bao gồm: mô phỏng MD – Molecular Dynamics, mô phỏng Nguyên lý ban đầu – Ab initio và mô hình hóa linh kiện HEMT bằng phần mềm Matlab

Chương 3: Chế tạo thử nghiệm linh kiện HEMT

Trong chương này, tác giả đưa ra các kết quả thu được sau khi tiến hành các bước trong quá trình chế tạo thử nghiệm: thiết kế MASK, chế tạo điện cực tiếp xúc Ohmic, chế tạo điện cực Schottky, đo đạc một vài đặc trưng điện của linh kiện chế tạo được như đặc trưng điện áp (I – V)

Chương 4: Nghiên cứu chế tạo cấu trúc MOS - HEMT sử dụng lớp điện môi high-k

Trong chương này, tác giả cũng tiến hành chế tạo thử nghiệm cấu trúc MOS ứng dụng cho linh kiện MOS – HEMT và đo đạc các đặc trưng như đặc trưng điện dung – điện áp (C – V) cũng như nghiên cứu các ảnh hưởng của chiều dày đế, chất lượng đế lên đặc trưng C – V của tụ MOS Bên cạnh đó, tác giả cũng tiến hành phát triển mô hình mô phỏng đã xây dựng tại chương 2 cho linh kiện HEMT nhằm mô phỏng và mô hình hóa linh kiện MOS – HEMT

Chương I TỔNG QUAN VỀ BÁN DẪN GaN VÀ LINH KIỆN

GaN HEMT 1.1 Tổng quan về vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng

Trong những năm gần đây, do việc hạn chế phát triển năng lượng hóa thạch và nhu cầu năng lượng toàn tiêu thụ cầu đã dẫn đến sự phát triển bùng nổ các nguồn năng lượng tái tạo như điện mặt trời, điện gió Các yêu cầu về mức công suất, khả năng kết nối và đặc tính của hệ thống năng lượng cũng được kỳ vọng là sẽ tiếp tục phát triển nhằm hỗ trợ cho sự phát triển của các công nghệ hiện đại như Internet vận vật (Internet of Thing – IoT) và công nghiệp 4.0 Do đó, các đặc tính của các bộ chuyển mạch bán dẫn như tần số chuyển mạch cao, hao tổn thấp, kích thước nhỏ gọn và mật độ năng lượng cao là các yêu cầu để thực hiện mục tiêu trên Ngoài ra, các yêu cầu về tính chất điện của linh kiện như điện áp đánh thủng cao, mật độ công suất lớn, tổn hao thấp, môi trường hoạt động khắc nghiệt khiên cho linh kiện dựa trên vật liệu Si truyền thống không đáp ứng được yêu cầu sử dụng

Hình 1.1 So sánh một vài tính chất của Si, gallium nitride (GaN) và

silicon carbide (SiC) cho các ứng dụng bán dẫn công suất [15]

Hiện nay, các linh kiện chuyển mạch được chế tạo dựa trên vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng (WBG) như GaN và SiC đã được nghiên cứu kỹ lưỡng để đạt đáp ứng được các yêu cầu sử dụng hiện đại Các linh kiện này, với thiết kế phù hợp, không chỉ mang lại lợi ích cho các hệ thống chuyển đổi điện năng hiện có mà còn cung cấp các khả năng mới trong việc cải thiện một số hệ thống điện tử công suất hiện

có [16]

Như có thể thấy trong hình 1.1, các linh kiện dựa trên vật liệu GaN được coi là các lựa chọn thay thế tiềm năng cho các thiết bị sử

dụng trong các ứng dụng tại điện áp mức thấp đến trung bình

1.2 Thông số kỹ thuật của linh kiện bán dẫn vùng cấm rộng

1.2.1 Hệ số phẩm chất Baliga (Baliga’s Figure of merit - BFOM)

1.2.3 Hiệu suất chuyển đổi điện 1.2.3 Công nghệ chế tạo phiến bán dẫn GaN 1.3 Tổng quan về transistor dựa trên bán dẫn có độ linh động điện tử cao

1.3.1 Cấu trúc HEMT cơ bản

Các linh kiện HEMTs dựa trên bán dẫn nhóm III-V truyền thống được quan tâm nghiên cứu nhằm ứng dụng cho lĩnh vực cao tần và công suất lớn Điểm đặc là kênh dẫn 2DEG trong GaN HEMT hình thành do: (1) hiện tượng phân cực điện và phân cực tự phát và (2) sự thay đổi đột ngột giữa vùng cấm và vùng hóa trị trong chuyển tiếp dị thể Mặt cắt ngang của một linh kiện điển hình AlxGa1-xN/GaN hình 1.4

Hình 1.4 Sơ đồ cấu trúc của AlxGa1-xN/GaN HEMT [30]

1.3.2 Phân cực tự phát và phân cực áp điện

Hình 1.5 a) Cấu trúc tinh thể của mặt Ga(Al) cấu trúc

wurzite của AlxGa1-xN b) Sự phân cực sinh ra điện tích cảm ứng bề mặt và hướng của phân cực tự phát và phân cực áp điện trong mặt

Ga của cấu trúc dị thể AlxGa1-xN /GaN biến dạng [30]

Sự bất đối xứng đảo (inversion) kéo theo sự phân cực ion mạnh của các liên kết cộng hóa trị dẫn đến hiện tượng phân cực điện tự phát, sự phân cực này xảy ra khi không đặt điện trường ngoài Khi một lớp rào thế AlGaN mỏng được lắng đọng trên lớp bán dẫn GaN thì cả hai lớp này chịu ứng suất 𝜎 có tác dụng kéo dãn ra hoặc nén lại do sự không tương thích của mạng tinh thể Ứng suất 𝜎 này gây ra sự phân cực điện Piezo hay phân cực áp điện.Khi tăng nồng độ Al trong lớp AlGaN thì độ phân cực áp điện cũng tăng lên Hình 1.5(b) cho thấy sự hình thành vùng điện tích cảm ứng bề mặt do phân cực Như vậy, bằng cách tăng hàm lượng Al trong lớp AlGaN, làm cho mật độ điện tích cảm ứng tăng lên (𝛿) Từ hình 1.6, ta có thể thấy, sự chênh lệch năng lượng vùng dẫn lớn𝐸𝐶 (band offset) làm cho dải năng lượng bị uống cong xuống tại phân biên phía GaN, từ đó tạo ra lớp 2DEG

Hình 1.6 Biểu đồ vùng nơi giao nhau của AlxGa1-xN/GaN hoặc AlN chuyển tiếp dị thể Sự chồng chất điện tử và tạo thành lớp khí điện tử

2 chiều 2DEG tại bề mặt [30]

1.3.3 Nguyên lý hoạt động của HEMT 1.3.4 Tiếp xúc Ohmic

Tiếp xúc được coi là Ohmic khi không có hàng rào thế năng nào được hình thành ở giao diện giữa bán dẫn và kim loại Tiếp xúc này có thể đạt được bằng cách sử dụng các kim loại có công thoát (𝜑𝑚) nhỏ hơn công thoát (𝜒𝑠𝑛) của chất bán dẫn loại n hoặc lớn hơn công thoát (𝜒𝑠𝑝) đối với bán dẫn loại p Việc chế tạo các tiếp xúc Ohmic điện trở thấp là một quy trình công nghệ rất phức tạp khi phải giải quyết hàng loạt các vấn đề liên quan đến hiệu ứng bề mặt giữa kim loại và các lớp bán dẫn tiếp xúc Các hiệu ứng này phụ thuộc vào độ

dày/mỏng và thành phần của các lớp bán dẫn epitaxy nitride loại n cũng như phụ thuộc vào các điều kiện ủ nhiệt Do sự phức tạp của các hiệu ứng này, việc ủ tại nhiệt độ cao từ 8000C đến 9000C [44] vẫn là không đủ để khiến cho các lớp kim lại phản ứng hoàn toàn với lớp rào AlxGa1-xN nhằm tạo ra lớp khí điện tử 2 chiều (2DEG) trong linh kiện GaN HEMT

Quá trình chế tạo tiếp xúc Ohmic

Tiếp xúc Ohmic được chế tạo bằng quá trình gồm các bước như sau: 1 Quang khắc

2 Loại bỏ cảm quang 3 Phủ kim loại 4 Liff-off loại bỏ kim loại 5 Tiếp xúc Ohmic kim loại - Điện cực nguồn và máng của linh

kiện HEMT sau khi ủ nhiệt

1.3.5 Tiếp xúc Schottky

Tiếp xúc Schottky (chuyển tiếp Schottky) là phần bề mặt bán dẫn tiếp xúc với kim loại điện cực cổng, đây là thành phần rất quan trọng trong cấu trúc linh kiện GaN HEMT Chiều cao rào thế 𝐵 là một thông số quan trọng của chuyển tiếp kim loại-bán dẫn Schottky, xác định độ rộng vùng nghèo trong lớp bán dẫn và dòng điện tử trên bề mặt tiếp xúc Đánh giá đường cong 𝐼 − 𝑉 đo ở nhiệt độ không đổi cung cấp thông tin quan trọng về liên hệ Schottky Đặc tính 𝐼 − 𝑉 thực và lý tưởng được thể hiện trong hình 1.13 (trục tung được vẽ

theo hàm log I )

Hình 1.13 Đường đặc trưng I – V lý thuyết và thực tế của tiếp xúc

Một yếu tố ảnh hưởng rất lớn đến ứng dụng của vật liệu và linh kiện chính là chi phí sản xuất Giá thành của linh kiện GaN trên đế Si mang lại lợi thế lớn so với vật liệu SiC (chỉ 0.1 €/cm2 so với 10 €/cm2 của SiC) Ngoài ra, độ linh động điện tử cao khiến GaN HEMT trở nên có kích thước nhỏ hơn Ngoài ra, việc giảm chi phí còn do việc chế tạo GaN HEMT vốn dĩ đơn giản hơn so với chế tạo

SiC MOSFETs

Linh kiện GaN được xem như một ứng cử viên để các nhà sản xuất đưa ra giải pháp cho chúng, do đặc tính hoạt động độc đáo của nó Một số tính năng và lợi ích chính của thiết bị GaN đã được báo cáo trong tài liệu được xem xét và được đề cập dưới đây:

1 Các linh kiện GaN HEMT có hiệu suất chuyển đổi và mật độ năng lượng cao hơn và kích thước nhỏ hơn

2 Linh kiện GaN HEMT có tổn thất điện năng thấp 3 GaN HEMT có điện trở ở trạng thái BẬT nhỏ nên các thiết bị

được sản xuất từ GaN, có điện dung ký sinh thấp hơn

4 Linh kiện GaN HEMT có tốc độ chuyển mạch nhanh hơn và tổn hao khi chuyển mạch thấp hơn

5 GaN HEMT có tổn hao ở trạng thái tĩnh thấp hơn SiC MOSFET

CHƯƠNG 2 MÔ PHỎNG VẬT LIỆU GaN VÀ LINH KIỆN

HEMT 2.1 Mở đầu

Trong luận án này, chúng tôi đề xuất một hướng nghiên cứu tổng hợp, kết hợp nghiên cứu lý thuyết (dựa trên mô hình hóa và mô phỏng trên vật liệu và hoạt động của linh kiện) với nghiên cứu thử nghiệm chế tạo linh kiện GaN HEMT và hướng tới giải quyết một số vấn đề thiết kế linh kiện trong các ứng dụng cụ thể cũng như làm chủ công nghệ chế tạo

2.2 Mô phỏng động lực học phân tử - Molecular Dynamics 2.2.1 Hệ ba nguyên AlxGa1-xN

2.2.2 Nghiên cứu mối tương quan cấu trúc và tính chất cơ học của HfO2 vô định hình dưới tác động của áp suất

2.3 Nghiên cứu các thuộc tính cấu trúc và điện tử của màng siêu mỏng nano GaN bằng phương pháp Nguyên lý ban đầu

Hình 2.10 mô tả mô hình nghiên cứu và mô phỏng các đặc trưng vật liệu tạo nên các đa lớp tiếp xúc dị chất dạng AlxGa1-xN/GaN trong vùng họat động của linh kiện

Hình 2.10 Cấu trúc các màng mỏng GaN HEMT được sử dụng cho

quá trình mô phỏng

Trong quá trình mô phỏng, độ dày của lớp mũ (cap), lớp đệm (spacer), lớp rào (barrier), lớp kênh dẫn (channel) và thành phần hợp

kim (x) được thay đổi để khảo sát tính chất của vật liệu và linh kiện