bài tập lớn đề tài tìm hiểu các dạng mạch phối hợp trở kháng

M i mỗ ạch có nhưng ưu điểm và nhược điểm riêng... CHƯƠNG 1: PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG.. Các d ng phạ ối hợp tr kháng... ự ếTrở kháng đầu vào và đầu ra của các transistor hầu như luôn phức tạp,

Trang 1

Giảng viên hướng dẫn: TS Nguy n Nam Phong ễ

Sinh viên th c hiựện:Lê Văn Kiều Quý 20193070

Hà N i, ộ tháng 7 năm 202

Trang 2

2.2 Phối h p tr kháng hình ch L d ng 1 ợ ở ữ ạ 7 2.3 Phối h p tr kháng hình ch L d ng 2 ợ ở ữ ạ 8 2.4 Phối h p tr kháng hình ch L d ng 3 ợ ở ữ ạ 9 2.5 Phối h p tr kháng hình ch L d ng 4 ợ ở ữ ạ 10 CHƯƠNG 3: MẠCH PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG 3 PH N TẦ Ử LC 12

3.2 Giới thi u v m ch ph i h p tr kháng hình ch T ệ ề ạ ố ợ ở ữ 12 3.3 Giới thi u v m ch ph i h p tr kháng hình ch ệ ề ạ ố ợ ở ữ PI 13 CHƯƠNG 4: MẠCH PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG 3 PH N TẦ Ử HÌNH CHỮ T

4.1 Mạch ph i h p tr kháng hình ch t d ng 1 ố ợ ở ữ ạ 15 4.2 M ch phạ ối hợp tr kháng hình ch t d ng 2 ở ữ ạ 17 4.3 M ch phạ ối hợp tr kháng hình ch t d ng 3 ở ữ ạ 20 4.4 Mạch ph i h p tr kháng hình ch t d ng 4 ố ợ ở ữ ạ 22 CHƯƠNG 5: MẠCH PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG 3 PH N TẦ Ử HÌNH

CHỮ PI

5.1 Mạch ph i h p tr kháng hình ch pi d ng 1 ố ợ ở ữ ạ 25 5.2 Mạch ph i h p tr kháng hình ch pi d ng 2 ố ợ ở ữ ạ 27 5.3 Mạch ph i h p tr kháng hình ch pi d ng 3 ố ợ ở ữ ạ 29 5.4 Mạch ph i h p tr kháng hình ch pi d ng 4 ố ợ ở ữ ạ 31 CHƯƠNG 6: SO SÁNH 3 DẠNG MẠCH PH I H P TR KHÁNG Ố Ợ ỞHÌNH CH L, CH T VÀ CH PI.Ữ Ữ Ữ

33

6.1 So sánh v ề ưu điểm nhược điểm

6.2 So sánh v ề đáp ứng t n sầ ố, đáp ứng pha, đáp ứng biên độ 33 33 KẾT LU N Ậ

Trang 3

LỜI M Ở ĐẦU

Phối hợp trở kháng là một yêu c u cần thi t trong thi t kế m ch RF Nh m ầ ế ế ạ ằcung c p khấ ả năng truyề ản t i ph n công su t lầ ấ ớn nhấ ừ ầt t t ng này sang t ng kia, ầcụ thể hơn có thể là t ngu n và t i cừ ồ ả ủa nó

Phối h p tr kháng có th ợ ở ể được tri n khai b ng nhiể ằ ều mạch v i c u trúc khác ớ ấnhau M i mỗ ạch có nhưng ưu điểm và nhược điểm riêng Trong báo cáo này đềcập v i vi c tính toán thiớ ệ ết kế m ch phạ ối h p tr kháng hình ch L, ch T và ch ợ ở ữ ữ ữPI

Báo cáo được tính toán không tránh kh i nh ng sai sót, em hi v ng nhỏ ữ ọ ận được s góp ý t ự ừ thầy Nguyễn Nam Phong để báo cáo được hoàn thiện hơn.

Em xin chân thành cảm ơn!

Trang 4

DANH M C HÌNH V ỤẼ

Trang Hình 1 Chuyển đổi m ch t nạ ừ ối ti p sang song song ế 6

Hình 2 Ph i h p tr kháng hình ch L d ng 1 ố ợ ở ữ ạ 7 Hình 3 Ph i h p tr kháng hình ch L d ng 2 ố ợ ở ữ ạ 8 Hình 4 Ph i h p tr kháng hình ch L d ng 3 ố ợ ở ữ ạ 9 Hình 5 Ph i h p tr kháng hình ch L d ng 4 ố ợ ở ữ ạ 10

Trang 5

CHƯƠNG 1: PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG

1.1 Phối hợp tr kháng: ở

Phối hợp trở kháng là một yêu c u cần thi t trong thi t kế m ch RF Nh m ầ ế ế ạ ằcung c p ấ khả năng truyề ản t i ph n công su t l n nh t t t ng này sang t ng kia, ầ ấ ớ ấ ừ ầ ầcụ thể hơn có thể là t ngu n và t i cừ ồ ả ủa nó

Đố ới v i mạch DC, công su t tấ ối đa sẽ được truyền t ngu n sang t i c a nó ừ ồ ả ủnếu điện trở t i bả ằng điện tr ở nguồn.

Đố ới v i ngu n AC, hoặc cái dạng sóng bi n thiên theo th i gian, công su t ồ ế ờ ấtối đa sẽ được truy n tề ừ nguồn sang t i c a nó x y ra khi tr kháng tả ủ ả ở ải 𝑍𝐿 bằng liên h p ph c cợ ứ ủa tr kháng ngu n ở ồ

1.2 Các d ng phạ ối hợp tr kháng ở

- Mạch phối h p tr kháng 2 ph n t LC hình ch ợ ở ầ ử ữ L - Mạch phối h p tr kháng 3 ph n t L, C hình ch ợ ở ầ ử ữ T - Mạch phối h p tr kháng 3 ph n t L, C hình chợ ở ầ ử ữ Π

Trang 6

Cuộn c m t n hao nhả ổ ỏ dùng sơ đồ tương đương nố ếi ti p, cu n c m t n hao ộ ả ổlớn dùng sơ đồ tương đương song song.

𝑄 =𝑋𝑅𝑠

Hình1 dưới đây minh họa việc chuyển đổi mạch t n i ti p sang song song ừ ố ế

Hình 1 chuyển đổi m ch t n i ti p sang song song ạ ừ ố ế

Xét các ph n t ầ ử hoạt động t i cùng m t t n s , tr kháng c a m ch n i tiạ ộ ầ ố ở ủ ạ ố ếp bằng tr kháng c a m ch song song ở ủ ạ

Ta có:

RS X𝑛𝑡 S= R𝑃// XP

⇒ R + jXS S= RP⋅ jXPRP+ jXP=

(𝑋𝑃2 𝑅𝑃) + 𝑗(𝑅𝑃2 𝑋𝑃)𝑋𝑃2+ 𝑅𝑃2 ⇒

RS= 𝑋𝑃

2 𝑅𝑃𝑋𝑃2 + 𝑅𝑃2

XS= 𝑅𝑃

2 𝑋𝑃𝑅𝑃2 + 𝑋𝑃2

Mặt khác:

Trang 7

𝑅𝑠= 𝑅𝑃 𝑋𝑃

𝑋𝑃 2 𝑅𝑃= QP= 𝑄

⇒ {R𝑃= RS(1 + 𝑄2) X𝑃 = XS(1 + 𝑄−2) ⇒ 𝑄 = Qs= QP= √RP

RS− 1 =XS

XP (1) b Mạch ph i h p tr kháng 2 ph n t ố ợ ở ầ ử LC hình ch ữ L

Mạch phối hợp tr kháng 2 ph n t LC hình ch L là m ch ph i h p tr ở ầ ử ữ ạ ố ợ ởkháng đơn giản nhất, được sử d ng r ng rãi V i 2 ph n t L và C thì có 4 s sụ ộ ớ ầ ử ự ắp xếp v trí cị ủa chúng Chi ti t v các m ch này s ế ề ạ ẽ được đề cập ở dưới đây

2.2 Phối h p trợ ở kháng hình ch L d ng 1 ữ ạ

Sơ đồ phối hợp trở kháng hình ch L d ng 1 minh hữ ạ ọa như Hình 2 dưới đây

Hình 2 Ph i h p tr kháng hình ch L d ng 1 ố ợ ở ữ ạGiả sử: RS, RP là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần th c, phự ần ảo b ng 0 ằ

Như vậy dung kháng, điện kháng c a bên t i và bên ngu n ch ủ ả ồ ỉ được sinh ra t t ừ ụđiện C và cu n c m L ộ ả

Theo công thức (1) đã phân tích ở trên ta có:

Qs= QP= √RPRS− 1 =

⇒ {

XS= Qs RSXP= RP

QP Mặt khác:

Trang 8

{XS= ωL XP= ωC1 ⇒ {

L = XS

ω (𝐻) C =1

ωXP (𝐹) ⇒ {

Ohm Ngu n DC vồ ới f = 106Hz

Theo tính toán được triển khai Với công c có s n ụ ẵ

L = √RPRS− 1

Rsω =

2𝜋106= 3.979𝜇𝐻

C =√RP

RS − 1ωRP =

50.2𝜋.106 = 3.183 𝑛𝐹 𝑄 = 1

2.3 Phối h p trợ ở kháng hình ch L d ng 2 ữ ạ

Sơ đồ phối hợp trở kháng hình ch L d ng 2 minh hữ ạ ọa như Hình 3 dưới đây

Hình 3 Ph i h p tr kháng hình ch L d ng 2 ố ợ ở ữ ạGiả sử: RS, RP là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần th c, phự ần ảo b ng 0 ằ

Như vậy dung kháng, điện kháng c a bên t i và bên ngu n ch ủ ả ồ ỉ được sinh ra t t ừ ụđiện và cu n cộ ảm.

QP Mặt khác:

Trang 9

{XS= 1

ωC XP= ωL ⇒ {

C = 1

ωXS (𝐻) 𝐿 =XωP (𝐹) ⇒

{C =

RS− 1= 50

Trang 10

{XS= ωL XP=ωC1 ⇒ {

L = XS

ω (𝐻) 𝐶 =1ωX

P (𝐹) ⇒ {

RP− 1= 50

Trang 11

{XS= 1

ωC XP= ωL ⇒

{L =

RP− 1 (𝐻) 𝐶 =𝑅𝑃

RP− 1 =1

50.2𝜋.106= 3.183 𝑛𝐻

C = 𝑅𝑃𝜔 √RS

RP− 1 = 25

2𝜋 106= 3.979𝜇𝐹

𝑄 = 1

Trang 12

CHƯƠNG 3 MẠCH PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG 3 PHẦN TỬ LC

3.1 Lý thuy t chung v m ch phế ề ạ ối h p trợ ở kháng 3 ph n t ầ ử LC

Các thi t k m ch ph i h p tr ế ế ạ ố ợ ở kháng được đề cập ở Chương 2 dùng cho các trường hợp đơn giản, ph i h p 2 tr kháng ố ợ ở thực(R) Nó r t hi m khi ấ ế xuất hiện trong th c t ự ế

Trở kháng đầu vào và đầu ra của các transistor hầu như luôn phức tạp, bởi nó chứa cả phần th c và phự ần ảo (R ± jX)

Phương trình (1) được đề cập ở trên cho ta thấy, với Rs và Rp, hoặc nguồn và tr kháng tở ải được xác định s n trong yêu c u thi t k thì h s Q c a m ch ẵ ầ ế ế ệ ố ủ ạđược xác định Nghĩa là với mạng ph i h p tr kháng hình ch ố ợ ở ữ L thì không được tùy ch n giá tr Q Tuy nhiên m ch ph i h p tr kháng 3 ph n t hình ch T và ọ ị ạ ố ợ ở ầ ừ ữPI được đề ập dưới đây sẽ c khắc phục được điều này

Trang 13

Hình 7 M ng hình ch ạ ữ PI được bi u diể ễn dướ ạngi d hai m ng L n i ti p ạ ố ếNếu Xp1 là tụ điện thì Xs1 là cu n cộ ảm và ngượ ại, tương tự ếc l n u Xp2 là cuộn c m thì Xs2 là t ả ụ điện.

Trong đó: Rv< min{Rs; RL}

Giá tr ịnày được xác định khi bắt đầu tri n khai thi t k m ch ể ế ế ạ

Hệ s Q cố ủa mạch được xác định bởi: Q = √RH

Rv− 1 Trong đó RH = max{Rs; RL}

Trang 14

Hình 9 M ng hình ch ạ ữ T được bi u diể ễn dưới dạng hai mạng L nối ti p ế

Nếu Xp1 là tụ điện thì Xs1 là cu n cộ ảm và ngượ ại, tương tự ếc l n u Xp2 là cuộn c m thì Xs2 là t ả ụ điện.

Trong đó: Rv> max{Rs; RL}

Giá tr ịnày được xác định khi bắt đầu triển khai thi t k m ch ế ế ạ

Hệ s Q cố ủa mạch được xác định bởi: Q = √ Rv

Trong đó Rsmallest = min{Rs; RL} Rv: Điện trở ảo

Trang 15

Ta được:

𝑅𝑣< 𝑚𝑖𝑛{𝑅𝑆; 𝑅𝑃} a Xét ph n phía nguầ ồn:

Việc tính toán được triển khai tương tự mạng hình chữ L

Giả sử: RS, Rv là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần th c, phự ần ảo b ng 0 ằ

Trang 16

Như vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t ừtụ điện và cu n c m ộ ả

Khi đó, {XS= ωC1

1 Xv= ωL1 ⇒ {

C1= ωX1

S L1=Xv

ω ⇒{

C1= √

RSω (𝐹) L1=Rv

𝑅𝑣− 1 (𝐻) b Xét ph n phía t ầ ải:

Giả sử: Rp, Rv là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần th c, phự ần ảo b ng 0 ằNhư vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t ừtụ điện và cu n cộ ảm

Khi đó, {Xp=

1ωC2 XL2= ωL2 ⇒

{C2= √

ωRp (𝐹) L2=Rv

ω √𝑅𝑝

𝑅𝑣− 1 (𝐻)

Trang 17

L =Rvω √

𝑅𝑣− 1 +Rvω √

− 1 = 5.132𝜇𝐻

𝐶2= √𝑅𝑝

𝑅𝑣− 1

ωRp = 7.797𝑛𝐹

C1= √𝑅𝑠

𝑅𝑣− 1

RSω = 6.366 𝑛𝐹

𝑄 = √5010− 1 = 2

3.2 Mạch phối h p trợ ở kháng 3 ph n t LC hình ch ầ ử ữ Π dạng 2

Sơ đồ mạch phối h p trợ ở kháng hình Π dạng 1 được minh họa như hình 11 dưới đây

Hình 11 Sơ đồ ạ m ch ph i h p tr kháng hình d ng 2 ố ợ ở Π ạPhân tích t ụ điện C thành C1 và C2 tho mãn ả

𝑍𝐶= 𝑍𝐶1+ 𝑍 𝐶2

⇒ 𝐶 = 𝐶1𝐶2𝐶1+ 𝐶2

Trang 18

⇒ 𝐿 =𝜔 𝐿1𝐶2− 1𝜔2𝐶2

Điều ki n áp dệ ụng trường h p này: ợ 𝜔2𝐿1𝐶2> 1

Sau khi phân tích, với điện tr ở ảo nằm v ịtrí trung tâm, ta được:

a Xét phần bên nguồn

Giả sử: RS, Rv là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần th c, phự ần ảo b ng 0 ằ Như vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t t ừ ụ điện và cuộn cảm

{XS= 1ωC1 Xv= ωL1

⇒ {

C1= ωX1

S (𝐻) L1=Xv

ω (𝐹) b Xét ph n bên t ầ ải.

Trang 19

Giả sử: Rv, Rp là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần th c, phự ần ảo bằng 0 Như vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t t ừ ụ điện và cuộn cảm

{XXP= ωL2

v= 1

ωC2 ⇒ {L2= XP

ω (𝐻) C2= 1

ωXv (𝐹)

Trang 20

a Phía bên nguồn

Giả s : Nguử ồn RS, tải RV là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có ph n th c, phầ ự ần ảo bằng 0

Như vậy dung kháng, điện kháng c a bên t i và bên ngu n ch ủ ả ồ ỉ được sinh ra từ t ụ điện và cuộn cảm.

Xét n a trái c a m ch v i nguử ủ ạ ớ ồn 𝑅𝑠 và tải 𝑅𝑣, cấu trúc tương tự ạ m ch hình chữ L d ng 1 ở Hình 1 ạ

Tính toán tương tự ta có:

Q1= √RVRS− 1 =

⇒ {

XS= Q1 RSXv= RV

Q1

Trang 21

Khi đó, {XXS= ωL1

V= 1

ωC1 ⇒ {L1= XS

ω C1= ωX1

V ⇒ {

Xét nửa phải c a m ch v i nguủ ạ ớ ồn 𝑅𝑣 và tải 𝑅𝑃, cấu trúc tương tự mạch hình ch ữL dạng 4

Q2= √RVRP− 1 =

⇒ {XV=RV

Q2 XP= RP Q2

{XV=

1ωC2 XP= ωL2 ⇒ {

C2= 1

ω ⇒ {

C2= √

RVω (𝐹) 𝐿2=𝑅𝑃

Trang 22

𝐶 =√RV

RS− 1ωRV +

RP− 1

RVω = 4.106 𝑛𝐹

𝐿1= 𝑅𝑠𝜔√RV

RS− 1 = 9.746 𝜇𝐻

RP− 1 = 7.957 𝜇𝐻

𝑄 = √12525− 1 = 2

5.2 Mạch phối h p trợ ở kháng hình ch T d ng 2 ữ ạ

Mạch phối h p tr kháng hình ch T d ng 2 có cợ ở ữ ạ ấu trúc như hình 15 dưới đây

Hình 15 Mạch ph i h p tr kháng hình ch T d ng 2 ố ợ ở ữ ạĐể dễ dàng tính toán, ta tách L thành L1 và L2 sao cho:

𝐿 = 𝐿1 // 𝐿2⇒ 𝐿 = 𝐿1.𝐿2𝐿 +𝐿12

Kết h p v i mợ ớ ột điện trở ảo, ta được sơ đồ như hình dưới đây.

a Phần bên nguồn:

Giả sử: RS, RV là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần th c, phự ần ảo b ng 0 ằ

Trang 23

Như vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t ừtụ điện và cu n cộ ảm

Xét n a trái c a mử ủ ạch với nguồn 𝑅𝑠 và tải 𝑅𝑣, cấu trúc tương tự mạch hình chữ L d ng 2 Hình 1 ạ ở

Q1= √RVRS− 1 =

⇒ {

XS= Q1 RSXV= RV

Q1

1ωC1 Xv= ωL1 ⇒ {

C1= ωX1

S 𝐿1=Xv

ω ⇒ {

Giả sử: RV, RP là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần thực, phần ảo b ng 0 ằNhư vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t ừtụ điện và cu n cộ ảm

Q2= √RVRP− 1 =

⇒ {XV=RV

Q2 XP= RP Q2

{XXV= ωL2

P= 1

ωC2 ⇒ {L2= XV

ω 𝐶2= ωX1

Trang 24

• Ví d : Thi t k m ch ph i h p tr kháng gi a ngu n 50 Ohm v i t i 25 ụ ế ế ạ ố ợ ở ữ ồ ớ ảOhm Ngu n DC v i f = ồ ớ 106 Hz 𝑅𝑣= 125 Ohm

𝐿 = 𝑅𝑣𝜔

Hình 16 Mạch ph i h p tr kháng hình ch T d ng 3 ố ợ ở ữ ạX có th là t ể ụ hoặc cu n c m ộ ả

Phân tích kh i X thành t ố ụ điện và cu n cộ ảm như sau:

Trang 25

a Xét kh i phía bên ngu n ố ồ

Giả sử: RS, RV là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần th c, phự ần ảo b ng 0 ằNhư vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t ừtụ điện và cu n cộ ảm

Xét n a trái c a mử ủ ạch v i nguớ ồn 𝑅𝑠 và tải 𝑅𝑣, cấu trúc tương tự mạch hình ch ữL d ng 1 ạ

Q1= √RVRS− 1 =

⇒ {

XS= Q1 RSXv= RV

Q1

{XXS= ωL1

V= 1

ωC1 ⇒ {L1= XS

ω (𝐻) C1= 1

ωXV (𝐹) b Xét kh i phía bên t i ố ả

Giả sử: RV, tải RP là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có ph n th c, phầ ự ần ảo b ng 0 ằNhư vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t ừtụ điện và cu n cộ ảm

Xét n a ph i c a mử ả ủ ạch v i nguớ ồn 𝑅𝑣 và tải 𝑅𝑃, cấu trúc tương tự mạch hình chữ L d ng ạ 3

Q2= √RVRP− 1 =

XPRP

Trang 26

⇒ {XV= V

Q2 XP= RP Q2

{XXV= ωL2

P= 1

ωC2 ⇒ {L2= XV

ω (𝐻) 𝐶2= 1

ωXP (𝐹)

Hình 17 Mạch ph i h p tr kháng hình ch T d ng 4 ố ợ ở ữ ạX có th là t ể ụ hoặc cu n c m ộ ả

Phân tích kh i X thành t ố ụ điện và cu n cộ ảm

a Xét kh i phía bên ngu n ố ồ

Giả sử: RS, tải RV là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có ph n th c, phầ ự ần ảo b ng 0 ằNhư vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t ừtụ điện và cu n cộ ảm

Xét n a trái c a mử ủ ạch v i nguớ ồn 𝑅𝑠 và tải 𝑅𝑣, cấu trúc tương tự mạch hình ch ữL d ng 2 Hình 1 ạ ở

Trang 27

Q1= √RVRS− 1 =

⇒ {

XS= Q1 RSXV= RV

Q1

{XS= 1

ωC1 XP= ωL1 ⇒ {

C1= ωX1

S (𝐹) 𝐿1=XP

ω (𝐻) b Xét kh i phía bên t ố ải:

Giả sử: RV, RP là thu n trầ ở, nghĩa là chỉ có phần thực, phần ảo b ng 0 ằNhư vậy dung kháng, điện kháng của bên t i và bên ngu n ch ả ồ ỉ được sinh ra t ừtụ điện và cu n cộ ảm

Xét n a ph i c a mử ả ủ ạch v i nguớ ồn 𝑅𝑣 và tải 𝑅𝑃, cấu trúc tương tự mạch hình chữ L d ng 4 ạ

Q2= √RVRP− 1 =

⇒ {XV=RV

Q2 XP= RP Q2

{XV=

1ωC2 XP= ωL2 ⇒ {

C2= 1

ωXv (𝐹) 𝐿2=XP

ω (𝐻)

Trang 28

ứng dụng yêu cầu băng thông h p v i Q cao ẹ ớ

Nhược

điểm • 𝑅mạng được xác định Nghĩa 𝑠 và 𝑅𝑝xác định thì Q của là khi thi t k m ch, không ế ế ạđược l a ch n giá tr ự ọ ị Q • Khó khăn trong việc thi t k ế ế

với yêu cầu băng thông hẹp

• Thiết k ế phức tạp hơn

6.2 So sánh v ề đáp ng tứ ần số, đáp ứng pha, đáp ứng biên độ ➢ Mạng chữ T

Hình 18 Đáp ứng t n s cho m ng hình ch T v i các ầ ố ạ ữ ớ 𝑄𝑠 khác nhau Mạng hình chữ T thể hiện hi u su t thông caoệ ấ , băng thông tăng khi giảm Q