ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG*****
BÁO CÁO BÀI TẬP NHÓM 2
CÁC ĐẶC TUYẾN VÀ PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC CỦA FET, ỨNG DỤNG CỦA OP AMP
Trang 2Đào Đông Phong - 20214036
Hà Nội, 6/2023
Trang 3CHƯƠNG 1 QUY ĐỊNH VỀ TRÌNH BÀY ĐỒ ÁN 1
1.1 Quy định chung về định dạng văn bản 1
1.3.3 Lời nói đầu 5
1.3.4 Lời cam đoan 5
Trang 41.4 Một số điều cần lưu ý trong trình bày 8
1.4.1 Lưu ý về dấu câu 8
1.4.2 Lưu ý về hình vẽ và bảng biểu 11
CHƯƠNG 2 CÁC QUY ĐỊNH KHÁC 13
2.1 Liệt kê tài liệu tham khảo 13
2.1.1 Cách liệt kê 13
2.1.2 Các loại tài liệu tham khảo 13
2.2 Trích dẫn tài liệu tham khảo 15
Phụ lục 1 Mẫu trang bìa chính của đồ án 20
Phụ lục 2 Mẫu trang bìa phụ của đồ án 22
Phụ lục 3 Mẫu nhận xét đồ án 24
Trang 5DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
Xem Mục Error: Reference source not found
Trang 6DANH MỤC HÌNH VẼ
Hình 1.1 Sơ đồ khối của hệ thống 3(Xem thêm Mục Error: Reference source not found)
Trang 7DANH MỤC BẢNG BIỂU
Bảng 1.1 Kết quả thí nghiệm 3(Xem thêm Mục Error: Reference source not found)
Trang 8CHƯƠNG 1 FET
Các đặc tuyến và phương pháp phân cực của FET.
1.1 Đặc tuyến ra của FET
a Mạch mô phỏng
b Giá trị đo đạc
Bảng 1 Giá trị đặc tuyến ra
Trang 9Bảng 2 Giá trị đặc tuyến truyền đạt
1.2 Đặc tuyến truyền đạt của FET
Trang 101.3 Đặc tuyến ra của D-MOFET
a Mạch mô phỏng
b Giá trị đo đạc
Bảng 3 Giá trị đặc tuyến ra
Trang 11Bảng 4 Giá trị đặc tuyến truyền đạt
c Đặc tuyến ra, truyền đạt D-MOSFET
Trang 121.4 Đặc tuyến truyền đạt của D-MOFET
Bảng 4 Giá trị đặc tuyến truyền đạt
1.5 Đặc tuyến ra của E-MOSFET
-MSSV: 20210442=>chọn 2N70021.5.1 Sơ đồ mạch
Trang 13Hình Mạch đo đặc tuyến ra của E-MOSFET1.5.2 Số liệu đo được
với UGS=2V
ID(mA) với UGS=4V
ID(mA) với UGS=6V
Bảng Kết quả đo được
Hình Đặc tuyến ra của E-MOSFETNhận xét: Đặc tuyến ra của E-MOSFET gần giống với lý thuyết.
1.6 Đặc tuyến truyền đạt của E-MOSFET
Số liệu đo được:
Trang 14Bảng Số liệu đo được
Hình Đặc tuyến truyền đạt của E-MOSFETNhận xét: Đặc tuyến truyền đạt của E-MOSFET gần giống với lý thuyết
Trang 151.7 Các phương pháp phân cực
1.7.1 Phân cực cố định
Điểm làm viê kc tĩnh Q:
Tm datasheet ta có IDSS=15mA,Up=28(V)Ta có ED=15V,EGS=12V,RD=RG=1k OhmED=ID.RD+UDS
ID=IDSS(1-UGS/Up)^2=4.899(mA)=>UDS=10.102(V)
Trang 161.7.2 Tự phân cực
Điểm làm viê kc tĩnh Q:
Tm datasheet ta có IDSS=15mA,Up=28(V)Ta có ED=15V,EGS=12V,RD=RG=RS=1k OhmID=IDSS(1-UGS/Up)^2
=>ID=9.587(mA),UGS=-0.492(V)=>UDS=0.195(V)
Trang 171.7.3 Phân cực bằng phân áp1.7.3.1 Sơ đồ hình vẽ
Hình Mạch phân cực bằng phân áp1.7.3.2 Điểm làm việc tĩnh Q
Trang 18Hình Điểm làm việc tĩnh Q của mạch phân cực phân áp
Trang 191.7.4 Phân cực bằng hồi tiếp điện áp1.7.4.1 Sơ đồ hình vẽ
Hình Mạch phân cực bằng hồi tiếp điện áp
1.7.4.2 Điểm làm việc tĩnh Q
Trang 20Hình Điểm làm việc tĩnh Q của mạch phân cực bằng hồi tiếp điện áp
CHƯƠNG 2 OP AMP
Các mạch sử dụng Op Amp
Trang 212.1 Mạch khuếch đại không đảo
1 +
b Kết quả mô phỏng:- Đồ thị có dạng:
Trang 22- Số liệu đo được sau mô phỏng:
Trang 23Mạch gồm: IC 3288RT
Nguồn xoay chiều 10cos(100πt)2 nguồn 1 chiều 25V
Điện trở R1 2kΩ, điện trở Rth 4kΩTheo lý thuyết ta có:
;
Áp dụng dòng điện vòng tại nút N:
Hệ số khuếch đại đảo: -
Trang 24b Kết quả mô phỏng:- Đồ thị có dạng:
- Số liệu đo được sau mô phỏng:
2.3 Mạch cộng không đảo
a Sơ đồ mạch:
Trang 26- Số liệu đo được sau mô phỏng:
Trang 272.4 Mạch cộng đảo
2.4.1 Sơ đồ mạch
Hình Sơ đồ mạch cộng đảo- Mạch cộng thuật toán đảo:
Với các giá trị R = 1kΩ, R = 2kΩ, R = 2kΩ, các tín hiệu áp vào là: Uv1 = 2V, f =12f1
50Hz và Uv2 = 10V, f = 50Hz, Ur sẽ là tín hiệu sin 14V ngược pha với các tín hiệu2
vào.
Trang 282.4.2 Kết quả lý thuyết và mô phỏng
Trang 29=> Mạch khuếch đại đảo: 2.5.2 Kết quả mô phỏng:- Đồ thị có dạng:
Trang 30Hình Đồ thị đo mạch trm- Số liệu có được sau mô phỏng:
Trang 312.6 Mạch tích phân
2.6.1 Sơ đồ mạch
Hình Sơ đồ mạch tích phân- Mạch tích phân sử dụng khuếch đại thuật toán:
Với R=10kΩ và C=10µF:
- Với Uv là xung vuông 10V, chu kỳ 0.4s
+ Ngay lúc đóng mạch Uv là nguồn một chiều 10V và C có điện trở một chiều lớn vôcùng nên mạch là khuếch đại vòng lặp hở Ur = 18.5V
+ Trong nửa chu kỳ dương của Uv(0.2s) theo công thức tích phân Ur giảm tuyến tínhtm 18.5V xuống -1.5V.
+ Trong nửa chu kỳ âm (0.2s tiếp theo) Ur tăng tuyến tính tm -1.5V đến 18.5V.- Vậy Ur là xung tam giác chu kỳ 0.4s, cực đại ở 18.5V và cực tiểu ở -1.5V
Trang 322.6.2 Kết quả lý thuyết và mô phỏng
Trang 332.7 Mạch vi phân
2.7.1 Sơ đồ mạch
Hình Sơ đồ mạch vi phân- Mạch tích phân sử dụng khuếch đại thuật toán:
2.7.2 Kết quả mô phỏng
Trang 35KẾT LUẬNKết luận chung
Xem Mục Error: Reference source not found
Hướng phát triển
(Nếu có)
Kiến nghị và đề xuất
(Nếu có)
Trang 36TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] T H Cormen, C E Leiserson, and R L Rivet, Introduction to Algorithm MITPress, McGraw-Hill, 1990.
[2] J W DuBois, S Schuetze-Coburn, S Cumming, and D Paolino, “Outline ofdiscourse transcription,” in Talking Data: Transcription and Coding in DiscourseResearch, J A Edwards and M D Lampert, Ed Hillsdale, NJ: LawrenceErlbaum Associates, 1993, pp 45-89.
[3] J M Airey, J H Rohfl, F Brooks Jr., “Towards Image Realism with InteractiveUpdate Rates in Complex Virtual Building Environments,” Comptuer Graphics,Vol 24, No 2, pp 41-50, 1990.
[4] S Brandt, G Nutt, T Berk, M Humphrey, “Soft Real time ApplicationExecution with Dynamic Quality of Service Assurance,” in Proceedings of theSixth IEEE/IFIP International Workshop on Quality of Service, Hawaii, USA,May 1998, pp 154-163.
[5] K Riley, “Language theory: Applications versus practice,” presented at the Conf.of the Modern Language Association, Boston, MA, December 27-30, 1990.[6] J Jones (1991) Networks (2nd ed.) [Online] Available: http://www.atm.com.
Trang 37PHỤ LỤCPhụ lục 1 Mẫu trang bìa chính của đồ án
(Xem trang sau)
Trang 38TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
Trang 39Hà Nội, 5-2019
Phụ lục 2 Mẫu trang bìa phụ của đồ án
(Xem trang sau)
Trang 40TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
Trang 42ĐÁNH GIÁ QUYỂN ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
(Dùng cho giảng viên hướng dẫn)
Tên giảng viên đánh giá:
Họ và tên sinh viên: MSSV:
1 2 3 4 5
2 Cập nhật kết quả nghiên cứu gần đây nhất (trong nước/quốc tế) 1 2 3 4 53 Nêu rõ và chi tiết phương pháp nghiên cứu/giải quyết vấn đề 1 2 3 4 54 Có kết quả mô phỏng/thực nghiệm và trình bày rõ ràng kết quả đạt được 1 2 3 4 5
Có khả năng phân tích và đánh giá kết quả (15)
5 Kế hoạch làm việc rõ ràng bao gồm mục tiêu và phương pháp thực hiện
dựa trên kết quả nghiên cứu lý thuyết một cách có hệ thống 1 2 3 4 5
6 Kết quả được trình bày một cách logic và dễ hiểu, tất cả kết quả đều
được phân tích và đánh giá thỏa đáng 1 2 3 4 5
Trong phần kết luận, tác giả chỉ rõ sự khác biệt (nếu có) giữa kết quả đạtđược và mục tiêu ban đầu đề ra đồng thời cung cấp lập luận để đề xuấthướng giải quyết có thể thực hiện trong tương lai
1 2 3 4 5
Kỹ năng viết quyển đồ án (10)
8 Đồ án trình bày đúng mẫu quy định với cấu trúc các chương logic và đẹp 1 2 3 4 5
Trang 43được giải thích hay đề cập đến; căn lề thống nhất, có dấu cách sau dấuchấm, dấu phảy v.v.), có mở đầu chương và kết luận chương, có liệt kêtài liệu tham khảo và có trích dẫn đúng quy định
9 Kỹ năng viết xuất sắc (cấu trúc câu chuẩn, văn phong khoa học, lập luận
Được báo cáo tại hội đồng cấp Viện trong hội nghị SVNCKH nhưngkhông đạt giải tm giải 3 trở lên/Đạt giải khuyến khích trong các kỳ thiquốc gia và quốc tế khác về chuyên ngành (VD: TI contest)
10c Không có thành tích về nghiên cứu khoa học 0
Điểm tổng quy đổi về thang 10
Nhận xét khác (về thái độ và tinh thần làm việc của sinh viên)
Trang 44ĐÁNH GIÁ QUYỂN ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
(Dùng cho cán bộ phản biện)
Giảng viên đánh giá:
Họ và tên sinh viên: MSSV:
1 2 3 4 5
2 Cập nhật kết quả nghiên cứu gần đây nhất (trong nước/quốc tế) 1 2 3 4 53 Nêu rõ và chi tiết phương pháp nghiên cứu/giải quyết vấn đề 1 2 3 4 54 Có kết quả mô phỏng/thực nghiệm và trình bày rõ ràng kết quả đạt được 1 2 3 4 5
Có khả năng phân tích và đánh giá kết quả (15)
5 Kế hoạch làm việc rõ ràng bao gồm mục tiêu và phương pháp thực hiện
dựa trên kết quả nghiên cứu lý thuyết một cách có hệ thống 1 2 3 4 56 Kết quả được trình bày một cách logic và dễ hiểu, tất cả kết quả đều
được phân tích và đánh giá thỏa đáng 1 2 3 4 5
Trong phần kết luận, tác giả chỉ rõ sự khác biệt (nếu có) giữa kết quả đạtđược và mục tiêu ban đầu đề ra đồng thời cung cấp lập luận để đề xuấthướng giải quyết có thể thực hiện trong tương lai
1 2 3 4 5
Kỹ năng viết quyển đồ án (10)
8 Đồ án trình bày đúng mẫu quy định với cấu trúc các chương logic và đẹp 1 2 3 4 5
Trang 45được giải thích hay đề cập đến; căn lề thống nhất, có dấu cách sau dấuchấm, dấu phảy v.v.), có mở đầu chương và kết luận chương, có liệt kêtài liệu tham khảo và có trích dẫn đúng quy định
9 Kỹ năng viết xuất sắc (cấu trúc câu chuẩn, văn phong khoa học, lập luận
Được báo cáo tại hội đồng cấp Viện trong hội nghị SVNCKH nhưngkhông đạt giải tm giải 3 trở lên/Đạt giải khuyến khích trong các kỳ thiquốc gia và quốc tế khác về chuyên ngành (VD: TI contest)