1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

(Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh

104 5 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Năng Lượng Exciton Trong Bán Dẫn Đơn Lớp WS2 Với Sự Có Mặt Của Từ Trường Và Thế Màn Chắn Cudazzo Hiệu Chỉnh
Tác giả Nguyễn Hữu Phước
Người hướng dẫn TS. Hoàng Đỗ Ngọc Trầm
Trường học Trường Đại Học Sư Phạm Tp. Hồ Chí Minh
Chuyên ngành Vật lý nguyên tử
Thể loại luận văn thạc sĩ
Năm xuất bản 2018
Thành phố Thành phố Hồ Chí Minh
Định dạng
Số trang 104
Dung lượng 1,86 MB

Nội dung

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP HỒ CHÍ MINH Nguyễn Hữu Phước NĂNG LƯỢNG EXCITON TRONG BÁN DẪN ĐƠN LỚP WS2 VỚI SỰ CÓ MẶT CỦA TỪ TRƯỜNG VÀ THẾ MÀN CHẮN CUDAZZO HIỆU CHỈNH LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT Thành phố Hồ Chí Minh – 2018 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP HỒ CHÍ MINH Nguyễn Hữu Phước NĂNG LƯỢNG EXCITON TRONG BÁN DẪN ĐƠN LỚP WS2 VỚI SỰ CÓ MẶT CỦA TỪ TRƯỜNG VÀ THẾ MÀN CHẮN CUDAZZO HIỆU CHỈNH Chuyên ngành : Vật lý nguyên tử Mã số : 8440106 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS HỒNG ĐỖ NGỌC TRẦM Thành phố Hồ Chí Minh – 2018 LỜI CAM ĐOAN Chúng xin cam đoan kết nghiên cứu luận văn hoàn toàn trung thực chưa sử dụng cơng trình tên tác giả khác Mọi số liệu đối chiếu, hình vẽ minh họa, sử dụng luận văn trích dẫn đầy đủ phần tài liệu tham khảo luận văn Tác giả Nguyễn Hữu Phước LỜI CẢM ƠN Để hoàn thành luận văn bên cạnh nỗ lực cố gắng thân, suốt thời gian qua tơi ln nhận tận tình giúp đỡ hướng dẫn từ thầy cơ, gia đình, bạn bè Trước hết, xin gửi lời tri ân sâu sắc đến giáo viên hướng dẫn TS Hoàng Đỗ Ngọc Trầm Cơ ln quan tâm, nhiệt tình hướng dẫn tạo điều kiện thuận lợi để giúp tơi hồn thành luận văn Bên cạnh đó, tơi xin cảm ơn tất thầy, cô khoa Vật lý, Trường Đại học Sư Phạm Tp HCM truyền thụ kiến thức khoa học, giúp đỡ, giải đáp thắc mắc suốt q trình tơi tham gia học tập thực luận văn Tôi xin cảm ơn thầy, phịng Vật lý tính tốn, Trường Đại học Sư phạm Tp HCM tạo điều kiện thuận lợi, giải đáp thắc mắc giúp đỡ để tập trung cho luận văn Xin cảm ơn bạn Trần Đình Bảo Trân học viên cao học trường Đại học Khoa học Tự nhiên Tp HCM giúp đỡ hỗ trợ thời gian thực luận văn Xin chân thành cảm ơn Phòng Sau đại học – Trường Đại học Sư phạm Tp HCM tận tình tạo điều kiện, hỗ trợ trình học tập làm luận văn MỤC LỤC Lời cam đoan Lời cảm ơn Mục lục Danh mục bảng Danh mục hình vẽ, đồ thị MỞ ĐẦU Chương TỔNG QUAN VÀ CƠ SỞ LÝ THUYẾT 1.1 Exciton 1.1.1 Tổng quan exciton 1.1.2 Các mơ hình exciton thành tựu 1.1.3 Phân loại tính chất 10 1.1.4 Phổ lượng exciton 12 1.2 1.2.1 Transition metal dichalcogenides – TMDs 13 Tổng quan TMDs 14 1.2.2 Bán dẫn đơn lớp TMDs 1.2.3 1.3 15 Ứng dụng TMDs 17 Phương pháp toán tử FK 19 Chương THẾ MÀN CHẮN CUDAZZO HIỆU CHỈNH VÀ BÀI TOÁN EXCITON HAI CHIỀU TRONG TỪ TRƯỜNG 24 2.1 Thế chắn Cudazzo hiệu chỉnh 24 2.2 Phép biến đổi Levi-Civita 28 2.3 Phương pháp toán tử FK toán exciton từ trường 31 2.3.1 Tính tốn đại số 31 2.3.2 Tính tốn giải tích 34 2.3.3 Yếu tố ma trận cho toán exciton hai chiều từ trường 36 Chương KẾT QUẢ TÍNH TỐN 42 3.1 Xác định khoảng cách chắn r0 42 3.2 Năng lượng liên kết exciton WS2 từ trường 44 3.3 Tham số c chắn Cudazzo hiệu chỉnh 46 KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN ĐỀ TÀI 49 TÀI LIỆU THAM KHẢO 51 PHỤ LỤC DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 3.1 Khối lượng electron lỗ trống số vật liệu khác thuộc dòng TMDs [71] Bảng 3.2 42 Khoảng cách chắn r0 , lượng liên kết exciton (B = T) ứng với giá trị tham số c = 0.01 số vật liệu thuộc dòng TMDs 43 Bảng 3.3 Năng lượng liên kết exciton WS2 ( B = 10 T B = 20 T) ứng với giá trị tham số c = 0.01 45 Bảng 3.4 Năng lượng liên kết exciton WS2 ( B = 10 T B = 20 T) 45 Bảng 3.5 Năng lượng liên kết exciton số vật liệu thuộc dòng TMDs với cường độ từ trường 10 T 20 T 48 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ Hình 1.1 Các trạng thái liên kết exciton (electron: đỏ, lỗ trống: xanh biển) a) Exciton trung hòa b) Exciton âm c) Exciton dương d) Biexciton Hình 1.2 a) Exciton Mott – Wannier b) Exciton Frenkel 10 Hình 1.3 Phổ lượng exciton thực nghiệm (hệ số hấp thụ  ) [17] 12 Hình 1.4 Minh họa mức lượng exciton [17] 13 Hình 1.5 Minh họa cấu trúc điển hình dịng vật liệu TMDs [54] 14 Hình 1.6 Cấu trúc vùng lượng MoS2 số lớp giảm dần 16 Hình 1.7 Hiệu ứng chắn giảm chuyển từ trạng thái 3D sang 2D [12] 17 Hình 1.8 Ứng dụng TMDs chế tạo linh kiện điện tử [61] 18 Hình 2.1 Sự tương thích dáng điệu Cudazzo (nét gạch đứt) Keldysh (nét liền) 26 Hình 2.2 Sự tương thích dáng điệu Cudazzo hiệu chỉnh (nét liền) với (a) Cudazzo gốc (nét gạch đứt), (b) Keldysh (nét chấm gạch) ứng với giá trị c = 0.01 27 MỞ ĐẦU Tính chất vật liệu khác phụ thuộc mạnh vào thành phần cấu trúc nguyên tử, phân tử cấu tạo nên chúng Tuy nhiên, với cấu trúc nguyên tử, phân tử số chiều không gian vật liệu thay đổi (từ ba chiều sang hai chiều, chiều hay không chiều) làm cho tính chất vật liệu thay đổi rõ rệt Ngày nay, vật liệu chế tạo ngày mỏng dần vào đến cỡ bậc bước sóng de Broglie electron hiệu ứng lượng tử (quantum size effects) thể rõ hơn, điều thu hút nhiều quan tâm nhà khoa học [1], [2] Để tìm hiểu sâu hiệu ứng người ta nghiên cứu chế tạo cấu trúc, trạng thái “giả hai chiều”: mơ hình electron chuyển động bề mặt dung dịch heli [3], màng mỏng (thin films) điển hình màng Bi [4], cấu trúc MOS (metaloxide-semiconductor) SiO2 TiO2 [1], [2], cấu trúc dị thể (heterostructure) GaAs/AlAs [5] hay InAs/GaSb [6], … Năm 2004 đánh dấu cột mốc quan trọng lịch sử khoa học vật liệu graphene (các nguyên tử carbon tồn dạng lớp) – vật liệu tuyệt đối hai chiều chế tạo thành công [7] Với cấu trúc tinh thể đặc biệt so với vật liệu đương thời, graphene thể tính chất vượt trội độ dẫn điện, dẫn nhiệt, độ cứng, v.v… [8], [9], graphene minh chứng rõ ràng cho việc số chiều khơng gian ảnh hưởng mạnh đến tính chất vật liệu Graphene thể tính chất kim loại khơng có khe cấm lượng [10], vật liệu gặp hạn chế ứng dụng bán dẫn, phần lớn linh kiện điện tử ngày hoạt động sở vật liệu bán dẫn Dòng vật liệu đơn lớp TMDs - Transition Metal Dichalcogenides – hệ vật liệu hai chiều tiếp nối từ thành công graphene, với khe cấm lượng vào cỡ – eV [11], [12] ứng cử viên tuyệt vời thay cho graphene việc phát triển công nghệ bán dẫn đại, đối tượng lý tưởng việc nghiên cứu hệ thấp chiều Cấu trúc khơng gian hai chiều TMDs đem đến cho dịng vật liệu tính chất đặc biệt lượng liên kết hạt dẫn tăng [12], khe cấm lượng gián tiếp bán dẫn khối chuyển thành trực tiếp bán dẫn đơn lớp [13], giảm hiệu ứng chắn từ điện môi [14], … tính chất tạo điều kiện cho hình thành exciton chiếm ưu chuyển dịch quang học vật liệu [15] Exciton trạng thái liên kết electron lỗ trống, thường xuất vật liệu bán dẫn điện môi Dự đoán tồn exciton Frenkel đưa vào năm 1936 [16], sau Gross cộng phát phổ exciton thực nghiệm quan sát tinh thể Cu2O [17] Căn vào vật liệu người ta chia exciton thành hai loại phổ biến exciton Frenkel (hay exciton phân tử) tồn chất cách điện exciton Mott – Wannier (hay exciton dạng nguyên tử hydro) tồn bán dẫn Xét phương diện điện tích exciton lại chia thành exciton trung hòa, exciton âm, exciton dương Trong nội dung luận văn, thực với đối tượng exciton trung hòa vật liệu bán dẫn (exciton Mott – Wannier) Với việc chiếm ưu chuyển dịch quang học đơn lớp TMDs, exciton định mạnh đến tính chất vật liệu chế hoạt động thiết bị quang điện tử [18], [19] Bên cạnh exciton xuất hiệu ứng vật lý hiệu ứng Coulomb Brag [20], hiệu ứng Hall lượng tử phân số [21], tượng ngưng tụ Bose – Einstein [22], Trên sở đó, việc tìm hiểu, nghiên cứu exciton trích xuất thơng tin từ phổ lượng có ý nghĩa quan trọng việc xây dựng lý thuyết vật liệu bán dẫn đơn lớp TMDs đóng góp hồn thiện lý thuyết hiệu ứng vật lý thú vị Đã có nhiều cơng trình tiến hành đo đạc thực nghiệm [12], [23] – [25], tính tốn lý thuyết [12], [15], [26], [27] phổ lượng exciton Trong cơng trình [28], [29] lượng exciton cịn tính từ trường, ngun nhân đặt áp từ trường vào hệ làm tăng tương tác electron lỗ trống, lúc phổ exciton trở nên rõ nét [30], [31] Tuy nhiên có sai khác lý thuyết thực nghiệm cơng trình nêu Nguyên nhân đưa trình tính tốn lý thuyết tác giả chưa xét đến đầy đủ ảnh hưởng electron khác, ảnh hưởng từ môi trường đến đối tượng cặp electron lỗ trống xét, bên cạnh thực tế đơn lớp TMDs không nằm độc lập mà nằm chất nền, điều có ảnh hưởng định

Ngày đăng: 24/11/2023, 15:45

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1. Các trạng thái liên kết exciton (electron: đỏ, lỗ trống: xanh biển). a) Exciton trung hòa - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 1.1. Các trạng thái liên kết exciton (electron: đỏ, lỗ trống: xanh biển). a) Exciton trung hòa (Trang 16)
Hình 1.2. a) Exciton Mott – Wannier. b) Exciton Frenkel - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 1.2. a) Exciton Mott – Wannier. b) Exciton Frenkel (Trang 18)
Hình 1.3. Phổ năng lượng exciton trong thực nghiệm (hệ số hấp thụ ) [17] - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 1.3. Phổ năng lượng exciton trong thực nghiệm (hệ số hấp thụ ) [17] (Trang 20)
Hình 1.4. Minh họa các mức năng lượng của exciton [17] - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 1.4. Minh họa các mức năng lượng của exciton [17] (Trang 21)
Hình 1.5. Minh họa cấu trúc điển hình của dòng vật liệu TMDs [54] - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 1.5. Minh họa cấu trúc điển hình của dòng vật liệu TMDs [54] (Trang 22)
Hình 1.6. Cấu trúc vùng năng lượng của MoS 2  khi số lớp giảm dần. - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 1.6. Cấu trúc vùng năng lượng của MoS 2 khi số lớp giảm dần (Trang 24)
Hình 1.7. Hiệu ứng màn chắn giảm khi chuyển từ trạng thái 3D sang 2D [12] - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 1.7. Hiệu ứng màn chắn giảm khi chuyển từ trạng thái 3D sang 2D [12] (Trang 25)
Hình 1.8. Ứng dụng TMDs trong chế tạo linh kiện điện tử [61] - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 1.8. Ứng dụng TMDs trong chế tạo linh kiện điện tử [61] (Trang 26)
Hình 2.1. Sự tương thích về dáng điệu - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 2.1. Sự tương thích về dáng điệu (Trang 37)
Hình 2.2. Sự tương thích về dáng điệu giữa thế Cudazzo  hiệu chỉnh (nét liền) với (a) thế Cudazzo gốc (nét gạch  đứt), và (b) thế Keldysh (nét chấm gạch) ứng với giá trị - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Hình 2.2. Sự tương thích về dáng điệu giữa thế Cudazzo hiệu chỉnh (nét liền) với (a) thế Cudazzo gốc (nét gạch đứt), và (b) thế Keldysh (nét chấm gạch) ứng với giá trị (Trang 38)
Bảng 3.1. Khối lượng của electron và lỗ trống ở một số vật liệu khác nhau thuộc dòng TMDs [71] - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Bảng 3.1. Khối lượng của electron và lỗ trống ở một số vật liệu khác nhau thuộc dòng TMDs [71] (Trang 66)
Bảng 3.2. Khoảng cách chắn  r 0  , năng lượng liên kết exciton (B = 0 T) ứng  với giá trị tham số  c = 0.01  của một số vật liệu thuộc dòng TMDs - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Bảng 3.2. Khoảng cách chắn r 0 , năng lượng liên kết exciton (B = 0 T) ứng với giá trị tham số c = 0.01 của một số vật liệu thuộc dòng TMDs (Trang 67)
Bảng 3.3. Năng lượng liên kết exciton trong WS 2  ( B = 10 T và B = 20 T) ứng với giá trị tham số  c = 0.01 - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Bảng 3.3. Năng lượng liên kết exciton trong WS 2 ( B = 10 T và B = 20 T) ứng với giá trị tham số c = 0.01 (Trang 71)
Bảng 3.4. Năng lượng liên kết exciton trong WS 2  ( B = 10 T và B = 20 T) - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Bảng 3.4. Năng lượng liên kết exciton trong WS 2 ( B = 10 T và B = 20 T) (Trang 71)
Bảng 3.5. Năng lượng liên kết exciton của một số vật liệu thuộc dòng TMDs với cường độ từ trường 10 T và 20 T - (Luận văn thạc sĩ) năng lượng exciton trong bán dẫn đơn lớp ws2 với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn cudazzo hiệu chỉnh
Bảng 3.5. Năng lượng liên kết exciton của một số vật liệu thuộc dòng TMDs với cường độ từ trường 10 T và 20 T (Trang 73)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w