(Luận văn) nghiên cứu quy trình công nghệ phủ bột huỳnh quang chế tạo trong nước lên chip led

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN TRỊNH NGUYỄN YẾN LINH lu an NGHIÊN CỨU QUY TRÌNH CƠNG NGHỆ n va PHỦ BỘT HUỲNH QUANG CHẾ TẠO TRONG NƢỚC to p ie gh tn LÊN CHIP LED nl w d oa Chuyên ngành: VẬT LÝ CHẤT RẮN nf va an lu Mã số: 8440104 z at nh oi lm ul Ngƣời hƣớng dẫn: HD1: PGS.TS.Phạm Thành Huy HD2: TS Đào Xuân Việt z m co l gm @ an Lu n va ac th si LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan kết khoa học đƣợc trình bày luận văn thành nghiên cứu thân suốt thời gian làm nghiên cứu chƣa xuất công bố tác giả khác Các kết đạt đƣợc xác trung thực Quy Nhơn, ngày tháng năm 2019 lu an Ngƣời cam đoan n va tn to p ie gh Trịnh Nguyễn Yến Linh d oa nl w nf va an lu z at nh oi lm ul z m co l gm @ an Lu n va ac th si LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, xin bày tỏ trân trọng lời cảm ơn chân thành, sâu sắc đến hai thầy PGS.TS Phạm Thành Huy, TS Đào Xuân Việt – ĐHBK Hà Nội, thời gian học tập làm luận văn tốt nghiệp hai thầy tận tình bảo, hƣớng dẫn tạo điều kiện thuận lợi để tơi hồn thành luận văn Tơi xin trân trọng cảm ơn TS Dƣơng Thanh Tùng cho sử dụng bột huỳnh quang chế tạo nƣớc Xin cảm ơn quý Thầy Cô Viện Tiên tiến lu an Khoa học Công nghệ, Trƣờng Đại học Bách Khoa Hà Nội quan tâm, tạo n va điều kiện tốt cho học viên thời gian học tập nghiên cứu Xin tn to cảm ơn quan tâm, chia sẻ tập thể học viên Viện Tiên tiến Khoa học ie gh Công nghệ, Trƣờng Đại học Bách Khoa Hà Nội p Tôi xin trân trọng cảm ơn Lãnh đạo Viện Tiên tiến Khoa học Công nl w nghệ, Trƣờng Đại học Bách Khoa Hà Nội tạo điều kiện thuận lợi oa cho tơi hồn thành thí nghiệm kết đo mẫu luận văn d Tôi xin đƣợc gởi lời cảm ơn đến giáo sƣ, tiến sĩ giảng dạy lu nf va an trình học tập làm luận văn Chính nhờ tận tình q thầy mà tơi có đƣợc kiến thức q báu để vận dụng vào cơng tác giảng dạy lm ul z at nh oi Xin chân thành cảm ơn quan tâm, giúp đỡ động viên quý thầy cô giáo Trƣờng THCS Ngô Mây – TP Quy Nhơn, anh chị em lớp cao học z VLVR K20 thành viên gia đình động viên @ co l để tơi hồn thành khóa học gm mặt tinh thần, giúp đỡ mặt chuyên môn, chia sẻ sống học tập m Tác giả luận văn an Lu Trịnh Nguyễn Yến Linh n va ac th si MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN LỜI CẢM ƠN DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT DANG MỤC CÁC BẢNG DANH MỤC CÁC HÌNH MỞ ĐẦU 1 Lý chọn đề tài Một số nghiên cứu tiêu biểu liên quan đến nội dung nghiên cứu đề tài lu Mục đích nhiệm vụ nghiên cứu an Đối tƣợng phạm vi nghiên cứu n va Phƣơng pháp nghiên cứu to gh tn CHƢƠNG TỔNG QUAN VỀ LED 1.1 LED ie p 1.1.1 LED đơn sắc nl w 1.1.2 WLED (LED trắng) oa 1.1.3 Các tham số quang LED d 1.1.4 Ƣu nhƣợc điểm 11 lu nf va an 1.1.5 Ứng dụng LED 13 1.2 CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO LED 16 lm ul 1.2.2 Quy trình đóng gói LED 17 z at nh oi 1.2.3 Quy trình phun phủ hỗn hợp phosphor/silicone 17 1.2.4 Các nghiên cứu trƣớc phun phủ phosphor/silicone 18 1.2.5 Mục đích nghiên cứu 19 z @ CHƢƠNG PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 21 l gm 2.1 PHƢƠNG PHÁP CHẾ TẠO 21 2.1.1 Quy trình trộn 21 co m 2.1.2 Quy trình phun phủ 24 an Lu 2.1.3 Quy trình sấy 26 n va ac th si CHƢƠNG KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM 28 3.1 THAM SỐ VẬT LIỆU ĐẦU VÀO 28 3.1.1 Chip blue LED 28 3.1.2 Silicone 28 3.1.3 Phosphor 29 3.2 KHẢO SÁT CÁC THAM SỐ CÔNG NGHỆ 32 3.2.1 Khảo sát ảnh hƣởng nồng độ (tỷ lệ phosphor/silicone) 32 3.2.2 Khảo sát ảnh hƣởng độ dày (thể tích) lớp phosphor+silicone 36 KẾT LUẬN 39 lu DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO 40 an QUYẾT ĐỊNH GIAO ĐỀ TÀI LUẬN VĂN (bản sao) n va p ie gh tn to d oa nl w nf va an lu z at nh oi lm ul z m co l gm @ an Lu n va ac th si DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Ký hiệu Tiếng Anh Tiếng Việt LED Light Emitting Diode Điốt phát quang Kpa Kilopaxcan Đơn vị áp suất lm/W Lumen/Watt Hiệu suất quang UV Ultraviolet Tia cực tím CCT Correlated Color Nhiệt độ tƣơng quan Temperature màu Commission Internationale Hệ tọa độ màu lu Stt an CIE va n de l'Eclairage Phƣơng pháp đo IES LM80 trì quang thơng ie gh tn to p nguồn sáng LED w Color Rendering Index Độ hoàn màu B/R Blue/Red Xanh/đỏ CRI d oa nl nf va an lu z at nh oi lm ul z m co l gm @ an Lu n va ac th si DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1: So sánh tuổi thọ LED đèn truyền thống 13 Bảng 3.1: Tham số quang mẫu bột huỳnh quang 31 Bảng 3.2: Tham số quang LED với nồng độ phosphor khác 35 Bảng 3.3: Tham số quang LED với thể tích hỗn hợp phosphor/silicone khác 38 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w nf va an lu z at nh oi lm ul z m co l gm @ an Lu n va ac th si DANH MỤC CÁC HÌNH Hình 1.1 Cấu tạo LED Hình 1.2 Nguyên lý làm việc LED Hình 1.3: Cấu tạo LED trắng Hình 1.4: Ba phƣơng pháp để chế tạo ánh sáng trắng từ đèn LED (a) chip LED đỏ + chip LED lục + chip LED xanh (b) chip UV LED + bột huỳnh qunag RGB (c) chip LED xanh + bột huỳnh quang vàng Hình 1.5: Hoạt động LED trắng Hình 1.6: Quang phổ điển hình LED trắng lu an Hình 1.7: Ví dụ nhiệt độ màu tƣơng quan LED 10 n va Hình 1.8: Đƣờng cong màu đen (Planckian) xác định phạm vi nhiệt độ màu, từ tn to ấm (hơi đỏ) lạnh (hơi xanh), hệ tọa độ màu CIE 1931 10 gh Hình 1.9: So sánh hiệu suất phát quang LED với đèn truyền thống 12 p ie Hình 1.10: Sản xuất rau diếp ánh sáng LED nhanh gấp 2.5 so với ánh sáng tự nhiên 14 oa nl w Hình 1.11: Các vùng bƣớc sóng ánh sáng phù hợp với phát triển trồn 14 Hình 1.12: Quy trình cơng nghệ chế tạo LED 16 d an lu Hình 1.13: Hỗn hợp phosphor silicone (đồng không đồng đều) 17 nf va Hình 1.14: Phun phủ hỗn hợp phosphor/silicone 18 lm ul Hình 1.15: Hỗn hợp phosphor/silicone sau sấy (phosphor không bị lắng đọng bị lắng đọng) 18 z at nh oi Hình 2.1: Silicone chất đóng rắn 21 Hình 2.2: Cân phân tích 22 z Hình 2.3: Máy trộn chân khơng chế hoạt động 23 @ gm Hình 2.4: Hỗn hợp phosphor silicone 23 l Hình 2.5: Blue LED khung 20×12 blue LED 24 m co Hình 2.6: Thiết bị phun phủ bảng điều khiển 24 an Lu Hình 2.7: Phun phủ hỗn hợp phosphor/silicone lên chip blue LED 25 Hình 2.8: Thiết bị làm siêu âm 25 n va ac th si Hình 2.9: Thiết bị giản đồ sấy 26 Hình 2.10: LED sau sấy 26 Hình 2.11: Hệ cầu tích phân Gamma Scientific 27 Hình 3.1: Quang phổ, tọa độ màu hệ số hoàn màu blue LED 28 Hình 3.2: Hệ số truyền qua qua silicone [datasheet] 28 Hình 3.3: Phổ kích thích bột phosphor 29 Hình 3.4: Quang phổ tọa độ màu mẫu bột huỳnh quang 30 Hình 3.5: Hiệu suất chuyển đổi mẫu bột huỳnh quang 32 Hình 3.6: Quang phổ tọa độ màu LED với nồng độ phosphor khác lu 34 an Hình 3.7: Quang phổ LED với nồng độ khác 35 n va Hình 3.8: Mẫu quang phổ LED với thể tích khác 36 to p ie gh tn Hình 3.9: Quang phổ LED với thể tích khác 37 d oa nl w nf va an lu z at nh oi lm ul z m co l gm @ an Lu n va ac th si MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Năng lƣợng môi trƣờng đƣợc xem vấn đề cốt yếu tiến trình phát triển xã hội kỉ XXI Hiện nay, nhu cầu lƣợng chiếu sáng nƣớc ta lớn Trong số nguồn sáng hiệu suất cao phải kể đến LED Thắp sáng đèn LED biện pháp để tăng cƣờng hiệu chiếu sáng lu LED từ viết tắt Light Emitting Diode (có nghĩa điốt phát an n va quang) Nó loại thiết bị bán dẫn thƣờng đƣợc sử dụng đèn báo tn to bảng hiển thị LED có khả biến lƣợng điện thành lƣợng gh ánh sáng trực tiếp với hiệu suất cao tuổi thọ đạt tới hàng p ie chục nghìn đến trăm nghìn So với bóng đèn truyền thống, đèn nl w LED mang ƣu điểm đáng tin cậy tiết kiệm lƣợng, d oa Ngày nay, LED đƣợc sản xuất thƣơng mại rộng rãi, nhiên, an lu nghiên cứu chế tạo LED diễn sôi Trên giới, ngƣời ta nf va quan tâm nghiên cứu quy trình mới, vật liệu để nâng hiệu suất nhƣ độ tin cậy LED Tại Việt Nam, Nhóm PGS Đặng Mậu lm ul Chiến [1] nghiên cứu thử nghiệm đóng gói LED cơng suất thấp, số z at nh oi nhóm quang điện tử [Nhóm PGS Phạm Thành Huy, TS Dƣơng Thanh Tùng, ] nghiên cứu chế tạo đƣợc nhiều loại bột huỳnh quang [2, 3, 4] z Tuy nhiên, nghiên cứu đóng gói cho LED cơng suất cao sử dụng bột @ gm huỳnh quang nƣớc bỏ ngỏ Trong nghiên cứu này, tiến co l hành thử nghiệm đóng gói LED sử dụng bột huỳnh quang nƣớc m Trên sở tơi chọn đề tài “Nghiên cứu quy trình cơng nghệ phủ an Lu bột huỳnh quang chế tạo nƣớc lên chip LED” Tôi hi vọng kết đạt n va ac th si 29 3.1.3 Phosphor Hình 3.3 trình bày phổ kích thích bột huỳnh quang chế tạo nƣớc Trục x bƣớc sóng phát xạ, trục y bƣớc sóng kích thích Nhƣ thấy, bột huỳnh quang phát xạ vùng đỏ 630 nm đƣợc kích thích hai vùng bƣớc sóng 350 nm 450 nm Bột huỳnh quang phù hợp với chip blue LED lu an n va p ie gh tn to nl w Hình 3.3: Phổ k ch th ch bột phosphor [4] d oa Hình 3.4 trình bày quang phổ tọa độ màu loại bột huỳnh quang an lu khác LED chế tạo đƣợc phát xạ đồng thời phổ xanh (chip LED) nf va phổ đỏ (bột huỳnh quang) Tuy nhiên, để đánh giá chất lƣợng A1 Tọa độ màu Quang phổ z at nh oi Mẫu lm ul bột huỳnh quang, quan tâm đến đại lƣợng hiệu suất chuyển đổi z m co l gm @ an Lu n va ac th si 30 A2 A3 lu an n va gh tn to p ie A4 d oa nl w nf va an lu z at nh oi lm ul A5 z m co l gm @ an Lu Hình 3.4: Quang phổ tọa độ màu mẫu bột huỳnh quang n va ac th si 31 Hiệu suất chuyển đổi bột phosphor đại lƣợng đƣợc tính dựa khả phát xạ ánh sáng thứ cấp (vùng đỏ) nhận đƣợc ánh sáng kích thích ánh sáng sơ cấp vùng xanh lam từ chíp LED chiếu tới: H(%)  R x100% Bo  B1 Trong đó: H: Hiệu suất chuyển đổi bột phosphor lu an R: Công suất phát xạ vùng đỏ LED sau phủ bột n va tn to Bo: Công suất phát xạ chíp blue LED ban đầu ie gh B1: Cơng suất phát xạ vùng xanh lam LED sau phủ bột p Phổ xanh, phổ đỏ hiệu suất chuyển đổi đƣợc trình bày chi tiết bảng nl w 3.1 hình 3.4 Từ kết này, nhận thấy mẫu A5 có hiệu suất d oa chuyển đổi tốt 67.6% lu an Bảng 3.1: Tham số quang mẫu bột huỳnh quang nf va 400-500nm 600-700nm Bo = 195.0 mW lm ul Red (R) Tổng (mW) H% A1 18.0 8.4 26.3 4.7% A2 43.1 19.8 62.8 13.0% A3 84.1 47.5 131.6 42.8% A4 63.4 60.4 A5 91.3 70.1 z l gm @ 45.9% 123.7 m co Blue (B1) z at nh oi Mẫu an Lu 161.5 67.6% n va ac th si 32 4.7% 13.0% 42.8% 45.9% 67.6% Hình 3.5: Hiệu suất chuyển đổi mẫu bột huỳnh quang Nhƣ vây, mẫu A5 có hiệu suất phát xạ cao đƣợc lựa chọn để sử lu dụng cho khảo sát an va 3.2 KHẢO SÁT CÁC THAM SỐ CÔNG NGHỆ n 3.2.1 Khảo sát ảnh hƣởng nồng độ (tỷ lệ phosphor/silicone) gh tn to Hình 3.5 trình bày quang phổ tọa độ màu LED chế tạo đƣợc với p ie nồng độ bột huỳnh quang lần lƣợt 5% (a), 10% (b), 20% (c), 30% (d), 40% (e), 50% (f), 53% (g) Khi nồng độ bột huỳnh quang tăng cƣờng độ oa nl w phổ xanh giảm cƣờng độ phổ đỏ tăng Tọa độ màu LED dịch chuyển d từ góc xanh góc đỏ an lu Quang phổ z at nh oi lm ul S1 Tọa độ màu nf va Mẫu z m co l gm @ an Lu n va ac th si 33 S2 S3 lu an n va p ie gh tn to S4 nf va an lu z at nh oi lm ul S6 d oa nl w S5 z m co l gm @ an Lu n va ac th si 34 S7 Hình 3.6: Quang phổ tọa độ màu LED với nồng độ phosphor khác Hình 3.7 trình bày so sánh quang phổ LED phụ thuộc vào nồng độ lu an bột huỳnh quang Với nồng độ bột huỳnh quang khoảng 50% độ cao va n đỉnh đỏ độ cao đỉnh xanh p ie gh tn to d oa nl w nf va an lu z at nh oi lm ul z m co l gm @ an Lu n va ac th si 35 lu an n va tn to gh Hình 3.7: Quang phổ LED với nồng độ khác p ie Hiệu suất chuyển đổi tỷ lệ phổ xanh/đỏ đƣợc tính tốn chi tiết w trình bày đầy đủ Bảng 3.2 Khi nồng độ tăng hiệu suất chuyển đổi oa nl giảm dần đạt trạng thái bão hòa Khi nồng độ tăng từ 5%-53% tỷ lệ d phổ xanh/đỏ giảm từ 9.6 1.9 Do đó, điều khiển lựa lu nf va an chọn tỷ lệ phổ xanh/đỏ thông qua điều chỉnh nồng độ phosphor Bảng 3.2: Tham số quang LED với nồng độ phosphor khác 500-600nm Bo =154.0mW lm ul 400-500 nm Blue/Red H% 14.1 149.4 9.6 75.5% 16.1 147.5 8.2 71.2% 143.8 5.7 67.8% 138.1 3.8 64.3% 134.6 3.2 62.4% 2.5 63.6% 1.9 64.2% Nồng độ Blue (B1) S1 5% 135.3 S2 10% 131.4 S3 20% 122.5 21.3 S4 30% 109.6 28.5 S5 40% 102.4 32.2 S6 50% 94.8 37.6 132.4 S7 53% 85.5 44.0 129.5 z Mẫu z at nh oi Red (R) Tổng (mW) m co l gm @ an Lu n va ac th si 36 3.2.2 Khảo sát ảnh hƣởng độ dày (thể t ch) lớp phosphor+silicone Trong mục này, cố định nồng độ bột huỳnh quang 43% khảo sát ảnh hƣởng thể tích Hình 3.7 trình bày mẫu LED quang phổ LED với thể tích lớp phosphor/silicone lần lƣợt 1.8 uL (a), 2.0 uL (b), 2.2 uL (c), 2.4 uL (d), 2.6 uL (e) Mẫu Quang phổ M1 lu an n va p ie gh tn to M2 d oa nl w M3 z at nh oi lm ul z M5 nf va an lu M4 m co l gm @ an Lu Hình 3.8: Mẫu quang phổ LED với thể t ch khác n va ac th si 37 Hình 3.9 trình bày quang phổ LED với thể tích hỗn hợp phosphor/silicone khác Khi thể tích tăng đỉnh xanh giảm nhẹ đỉnh đỏ tăng nhẹ lu an n va p ie gh tn to d oa nl w nf va an lu z at nh oi lm ul z Hình 3.9: Quang phổ LED với thể t ch khác gm @ Hiệu suất chuyển đổi đƣợc tính tốn chi tiết trình bày bảng 3.3, l co thể tích tăng thêm gấp 1.5 lần nhƣng hiệu suất chuyển đổi thay đổi m Tỷ lệ phổ xanh/đỏ có thay đổi ít, khơng nhiều nhƣ thay đổi nồng độ an Lu n va ac th si 38 Bảng 3.3: Tham số quang LED với thể t ch hỗn hợp phosphor/silicone khác 400-500nm 600-700nm Bo =176.5mW Thể Tổng tích Blue (B1) Red (R) (mW) Blue/Red H% M1 1.8 uL 110.6 40.1 150.7 2.76 60.8% M2 2.0 uL 106.8 43.9 150.7 2.43 63.0% M3 2.2 uL 100.8 46.4 147.3 2.17 61.4% M4 2.4 uL 100.5 47.1 147.6 2.14 61.9% M5 2.6 uL 97.4 50.2 147.7 1.94 63.5% lu Mẫu an n va p ie gh tn to d oa nl w nf va an lu z at nh oi lm ul z m co l gm @ an Lu n va ac th si 39 KẾT LUẬN Trong đề tài này, nghiên cứu đóng gói thành cơng LED nơng nghiệp sử dụng bột huỳnh quang chế tạo nƣớc LED chế tạo đƣợc có quang phổ xanh đỏ hiệu suất chuyển đổi cao Hơn nữa, khảo sát điều kiện chế tạo, đƣa thêm nhận định sau: - Nồng độ bột huỳnh quang ảnh hƣởng mạnh đến cƣờng độ phổ đỏ - Thể tích hỗn hợp phosphor/silicone ảnh hƣởng đến cƣờng độ phổ lu đỏ an va * Thảo luận n Kết phủ bột LED tìm loại bột có hiệu suất cao giúp lựa gh tn to chọn tham số quy trình chế tạo bột tạo bột phosphor có hiệu suất tối p ie ƣu Cần thử nghiệm sinh học để tìm tỷ lệ thơng lƣợng xạ oa nl w xanh/ đỏ phù hợp với loại giai đoạn sinh trƣởng d * Hƣớng phát triển: nf va tăng hiệu suất bột an lu Đề xuất nhóm chế tạo bột tối ƣu quy trình, kiểm sốt kích thƣớc hạt, lm ul Nghiên cứu kết hợp với bột phát xạ vùng 500- 600 nm để bổ sung ánh học z at nh oi sáng xanh lục với tỷ lệ thích hợp tạo phổ phù hợp nâng cao hiệu sinh z m co l gm @ an Lu n va ac th si 40 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Đặng Mậu Chiến (2010), Báo cáo tổng hợp đề tài độc lập cấp nhà nƣớc, Nghiên cứu chế tạo điốt phát sáng (LED) dùng công nghiệp chiếu sáng, ĐTĐL.2007G/42 [2] Tong Thi Hao Tam, Nguyen Duy Hung, Nguyen Thi Kim Lien, Nguyen Duc Trung Kien, Pham Thanh Huy (2016), Synthesis and optical properties of red/blue-emitting Sr2MgSi2O7: Eu3+/Eu2+ phosphors for white LED, Journal of Science: Advanced Materials lu and Devices 1, 204 an Duong, Pham Thanh Huy (2016), Synthesis and Optical n va [3] Le Tien Ha, Nguyen Duc Trung Kien, Phan Huy Hoang, Thanh Tung to gh tn Properties of Eu2+ and Eu3+ Doped SrBP Phosphors Prepared by p ie Using a Co-precipitation Method for White Light-Emitting w Devices, Journal of Electronic Materials 45, 3356 oa nl [4] Tat-Dat Tran, Duy-Hung Nguyen, Thanh-Huy Pham, Duy-Cuong d Nguyen, Thanh-Tung Duong (2018), Achieving High Luminescent an lu Performance K2SiF6:Mn4+ Phosphor by Co-precipitation Process nf va with Controlling the Reaction Temperature, Journal of Electronic lm ul Materials 47, 4634 z at nh oi [5] Z Liu, S Liu, K Wang, and X Luo (2010)., Measurement and numerical studies of optical properties of YAG:Ce phosphor for white light-emitting diode packaging, Appl Opt., vol 49, no 2, z gm @ pp 247–257 [6] Z Liu, S Liu, K Wang, and X Luo (2008), Optical analysis of color l m co distribution in white leds with various packaging methods, IEEE Photon Technol Lett., vol 20, no 24, pp 2027–2029 an Lu [7] C Sommer, F Reil, J R Krenn, P Hartmann, P Pachler, S Tasch, n va ac th si 41 and F P Wenzl (2010), The impact of inhomogeneities in the phosphor distribution on the device performance of phosphorconverted high-power white led light sources, J Lightw Technol., vol 28, no 22, pp 3226–3232 [8] D A Steigerwald, J C Bhat, D Collins, R M Fletcher, M O Holcomb, M J Ludowise, P S Martin, and S L Rudaz (2002), Illumination with solid state lighting technology, IEEE J Sel Top Quantum Electron., vol 8, no 2, pp 310–320 lu [9] N Narendran, Y Gu, J Freyssinier-Nova, and Y Zhu (2005), an Extracting phosphor-scattered photons to improve white led va n efficiency, Phys Status Solidi (A), vol 202, no 6, pp R60–R62 gh tn to [10] H Luo, J K Kim, E F Schubert, J Cho, C Sone, and Y Park p ie (2005), Analysis of high-power packages for phosphor-based white-light-emitting diodes, Appl Phys Lett., vol 86, no 24, p oa nl w 243 505 [11] N T Tran, J P You, and F Shi (2009), Effect of phosphor particle d an lu size on luminous efficacy of phosphor-converted white led, J nf va Lightw Technol., vol 27, no 22, pp 5145–5150 lm ul [12] K Yamada, Y Imai, and K Ishii (2003), Optical simulation of light z at nh oi source devices composed of blue leds and yag phosphor, J Light Vis Environ., vol 27, no 2, pp 70–74 [13] N T Tran and F G Shi (2008), Studies of phosphor concentration z gm @ and thickness for phosphor-based white light-emittingdiodes, J Lightw Technol., vol 26, no 21, pp 3556–3559 l co [14] Z.-Y Liu, S Liu, K Wang, and X.-B Luo (2010), Studies on optical m consistency of white leds affected by phosphor thickness and an Lu concentration using optical simulation, IEEE Trans Compon n va ac th si 42 Packag Technol., vol 33, no 4, pp 680–687 [15] https://en.wikipedia.org/wiki/Light-emitting_diode [16] https://commons.wikimedia.org/wiki/File:PnJunction-LED-E.svg [17] Lin YC., Zhou Y., Tran N.T., Shi F.G (2009), LED and Optical Device Packaging and Materials In: Lu D., Wong C (eds) Materials for Advanced Packaging Springer, Boston, MA (DOI: https://doi.org/10.1007/978-0-387-78219-5_18) [18] E.F.Schubertetal., „„Solid-state lighting–a benevolent technology‟‟, lu Reports on Progress in Physics, Vol 69, No 12, pp 3069–3099, an (2006) va n [19] E F Schubert et al (2005), „„Solid-state light sources getting smart‟‟, to gh tn Science, pp 1274–1278 p ie [20] M S Shur et al (2005), „„Solid-state lighting: Toward superior illumination‟‟, Proceedings of the IEEE, Vol 93, No 10, pp oa nl w 1691-1703 [21] https://www.meijo-u.ac.jp/english/nobel/artifacts.html d an lu [22] http://everlight.com nf va [23] www.omslighting.com/data/images/ledacademy/pdf/led_academy.pdf lm ul [24] Michael R Krames, Member, IEEE, Oleg B Shchekin, Regina z at nh oi Mueller-Mach, Gerd O Mueller, Ling Zhou, Gerard Harbers, and M George Craford (2007), Status and Future of High-Power Light-Emitting Diodes for Solid-State Lighting, Journal of Display z l gm @ Technology, Vol 3, No co [25] M S Ha (2012), "Thermal analysis of high power LED arrays," m 2009 Min Seok Ha, Samuel Graham, Development of a thermal an Lu resistance model for chip-on-board packaging of high power LED n va ac th si 43 arrays, Microelectronics Reliability, 52, 836–844 [26] http://ledlighting.com.vn/tin-tuc/ung-dung-den-led-trong-san-xuatnong-nghiep-cong-nghe-cao [27] Mohammad Aboonajmi, Hamideh Faridi, Nondestructive quality assessment of Agro-food products, Proceedings of the 3rd Iranian International NDT Conference Feb 21-22, 2016, Olympic Hotel, Tehran, Iran, IRNDT 2016-A13105 [28] Sheng Liu, Shengjun Zhou, Kai Wang, Zhaohui Chen, Zhiyin Gan, lu and Xiaobing Luo, Several Co-design Issues Using DiX for Solid an State Lighting, 2011 International Conference on Electronic va n Packaging Technology & High Density Packaging 978-1-4577- to gh tn 1769-7 p ie [29] Huai Zheng, Xing Fu, Bulong Wu, Sheng Liu, Xiaobing Luo, A method for geometry control of phosphor layer in high-power oa nl w white LEDs by package structure, 2012 14th International Conference on Electronic Materials and Packaging (EMAP) (DOI: d an lu 10.1109/EMAP.2012.6507884) nf va [30] Won Jung Kim, Taek Kyun Kim, Sung Ho Kim, Suk Bum Yoon, lm ul Hwan-Hee Jeong, June-O Song, and Tae-Yeon Seong (2018), z at nh oi Improved angular color uniformity and hydrothermal reliability of phosphor-converted white light-emitting diodes by using phosphor sedimentation, Optics Express Vol 26, Issue 22, pp 28634-28640 z gm @ [31] Min-Jae Song, Kwon-Hee Kim, Gil-Sang Yoon, Hyung-Pil Park, and Heung-Kyu Kim (2014), An Optimal Cure Process to Minimize l co Residual Void and Optical Birefringence for a LED Silicone m Encapsulant, Materials (Basel), 7(6): 4088–4104 an Lu n va ac th si