NORME INTERNATIONALE CEI IEC INTERNATIONAL STANDARD 60050 521 Deuxième édition Second edition 2002 05 Vocabulaire Electrotechnique International Partie 521 Dispositifs à semiconducteurs et circuits in[.]
NORME INTERNATIONALE INTERNATIONAL STANDARD CEI IEC 60050-521 Deuxième édition Second edition 2002-05 Partie 521 : Dispositifs semiconducteurs et circuits intégrés International Electrotechnical Vocabulary Part 521: Semiconductor devices and integrated circuits Numéro de référence Reference number CEI/IEC 60050-521:2002 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Vocabulaire Electrotechnique International LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU NORME INTERNATIONALE INTERNATIONAL STANDARD CEI IEC 60050-521 Deuxième édition Second edition 2002-05 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Vocabulaire Electrotechnique International Partie 521 : Dispositifs semiconducteurs et circuits intégrés International Electrotechnical Vocabulary Part 521: Semiconductor devices and integrated circuits IEC 2002 Droits de reproduction réservés Copyright - all rights reserved Aucune partie de cette publication ne peut être reproduite ni utilisée sous quelque forme que ce soit et par aucun procédé, électronique ou mécanique, y compris la photocopie et les microfilms, sans l'accord écrit de l'éditeur No part of this publication may be reproduced or utilized in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying and microfilm, without permission in writing from the publisher International Electrotechnical Commission, 3, rue de Varembé, PO Box 131, CH-1211 Geneva 20, Switzerland Telephone: +41 22 919 02 11 Telefax: +41 22 919 03 00 E-mail: inmail@iec.ch Web: www.iec.ch Commission Electrotechnique Internationale International Electrotechnical Commission Международная Электротехническая Комиссия CODE PRIX PRICE CODE XD Pour prix, voir catalogue en vigueur For price, see current catalogue – II – 60050-521 CEI:2002 SOMMAIRE AVANT-PROPOS IV INTRODUCTION – Principes d'établissement et règles suivies VIII Domaine d'application Références normatives .1 Termes et définitions Section 521-01 – Notions de physique atomique .3 Section 521-02 – Propriétés des matériaux semiconducteurs 15 Section 521-04 – Types de dispositifs semiconducteurs 50 Section 521-05 – Termes généraux pour dispositifs semiconducteurs 75 Section 521-06 – Termes particuliers aux diodes 89 Section 521-07 – Termes particuliers aux transistors 91 Section 521-08 – Termes particuliers aux thyristors 100 Section 521-09 – Termes particuliers aux dispositifs effet hall et aux magnétoresistances 106 Section 521-10 – Termes particuliers aux circuits intégrés 113 Section 521-11 – Termes particuliers aux circuits intégrés numériques 117 INDEX en franỗais, anglais, chinois, allemand, espagnol, japonais, polonais, portugais et suédois 126 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Section 521-03 – Traitement des matériaux semiconducteurs 44 60050-521 IEC:2002 – III – CONTENTS FOREWORD V INTRODUCTION – Principles and rules followed IX Scope .2 Normative references .2 Terms and definitions .3 Section 521-01 – Introduction to atomic physics .3 Section 521-02 – Properties of semiconductor materials 15 Section 521-04 – Types of semiconductor devices 50 Section 521-05 – General terms for semiconductor devices 75 Section 521-06 – Specific terms for diodes 89 Section 521-07 – Specific terms for transistors 91 Section 521-08 – Specific terms for thyristors 100 Section 521-09 – Specific terms for hall-effect devices and magnetoresistors 106 Section 521-10 – Specific terms for integrated circuits 113 Section 521-11 – Specific terms for digital integrated circuits 117 INDEX in French, English, Chinese, German, Spanish, Japanese, Polish, Portuguese and Swedish 126 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Section 521-03 – Processing semiconductor materials 44 60050-521 CEI:2002 – IV – COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE VOCABULAIRE ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONAL PARTIE 521 : DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS ET CIRCUITS INTÉGRÉS AVANT-PROPOS 2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure du possible, un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés sont représentés dans chaque comité d’études 3) Les documents produits se présentent sous la forme de recommandations internationales Ils sont publiés comme normes, spécifications techniques, rapports techniques ou guides et agréés comme tels par les Comités nationaux 4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent appliquer de faỗon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes nationales et régionales Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette dernière 5) La CEI n’a fixé aucune procédure concernant le marquage comme indication d’approbation et sa responsabilité n’est pas engagée quand un matériel est déclaré conforme l’une de ses normes 6) L’attention est attirée sur le fait que certains des éléments de la présente Norme internationale peuvent faire l’objet de droits de propriété intellectuelle ou de droits analogues La CEI ne saurait être tenue pour responsable de ne pas avoir identifié de tels droits de propriété et de ne pas avoir signalé leur existence La Norme internationale CEI 60050-521 a été établie par le Groupe de Travail du Comité d'études 47 : Dispositifs semiconducteurs, sous la responsabilité du comité d'études de la CEI : Terminologie Le texte de cette norme est issu des documents suivants : FDIS Rapport de vote 1/1830/FDIS 1/1835/RVD Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant abouti l'approbation de cette norme Cette deuxième édition de la CEI 60050-521 est issue de l’édition originale de 1984 et des termes nouveaux ou modifiés approuvés dans le FDIS en référence Cette publication a été rédigée selon les Directives ISO/CEI, Partie Dans la présente partie du VEI les termes et dộfinitions sont donnộs en franỗais et en anglais : de plus, les termes sont indiqués en chinois (cn), allemand (de), espagnol (es), japonais (ja), polonais (pl), portugais (pt) et suédois (sv) LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU 1) La CEI (Commission Électrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation composée de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI) La CEI a pour objet de favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les domaines de l'électricité et de l'électronique A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes internationales Leur élaboration est confiée des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national intéressé par le sujet traité peut participer Les organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent également aux travaux La CEI collabore étroitement avec l'Organisation Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixées par accord entre les deux organisations 60050-521 IEC:2002 –V– INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL VOCABULARY PART 521: SEMICONDUCTOR DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS FOREWORD 2) The formal decisions or agreements of the IEC on technical matters express, as nearly as possible, an international consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation from all interested National Committees 3) The documents produced have the form of recommendations for international use and are published in the form of standards, technical specifications, technical reports or guides and they are accepted by the National Committees in that sense 4) In order to promote international unification, IEC National Committees undertake to apply IEC International Standards transparently to the maximum extent possible in their national and regional standards Any divergence between the IEC Standard and the corresponding national or regional standard shall be clearly indicated in the latter 5) The IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any equipment declared to be in conformity with one of its standards 6) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this International Standard may be the subject of patent rights The IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights International Standard IEC 60050-521 has been prepared by Working Group of IEC technical committee 47: Semiconductor devices, under the responsibility of IEC technical committee 1: Terminology The text of this standard is based on the following documents: FDIS Report on voting 1/1830/FDIS 1/1835/RVD Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report on voting indicated in the above table This second edition of IEC 60050-521 is based on 1984 edition and new or modified approved terms in FDIS in reference This publication has been drafted in accordance with the ISO/IEC Directives, Part In this part of IEV, the terms and definitions are written in French and English; in addition the terms are given in Chinese (cn), German (de), Spanish (es), Japanese (ja), Polish (pl), Portuguese (pt) and Swedish (sv) LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU 1) The IEC (International Electrotechnical Commission) is a worldwide organization for standardization comprising all national electrotechnical committees (IEC National Committees) The object of the IEC is to promote international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields To this end and in addition to other activities, the IEC publishes International Standards Their preparation is entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested in the subject dealt with may participate in this preparatory work International, governmental and non-governmental organizations liaising with the IEC also participate in this preparation The IEC collaborates closely with the International Organization for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by agreement between the two organizations – VI – 60050-521 CEI:2002 Le comité a décidé que le contenu de cette publication ne sera pas modifié avant 2013 A cette date, la publication sera • • • • reconduite ; supprimée ; remplacée par une édition révisée, ou amendée LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU 60050-521 IEC:2002 – VII – The committee has decided that the contents of this publication will remain unchanged until 2013 At this date, the publication will be • • • • reconfirmed; withdrawn; replaced by a revised edition, or amended LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU – VIII – 60050-521 CEI:2002 INTRODUCTION Principes d'établissement et règles suivies Généralités Le VEI (série CEI 60050) est un vocabulaire multilingue usage général couvrant le champ de l'électrotechnique, de l'électronique et des télécommunications Il comprend environ 18 500 articles terminologiques correspondant chacun une notion Ces articles sont répartis dans environ 80 parties, chacune correspondant un domaine donné Exemples : Partie 161 (CEI 60050-161) : Compatibilité électromagnétique Partie 411 (CEI 60050-411) : Machines tournantes Les termes, définitions et notes des articles sont donnés dans les trois langues officielles de la CEI, c'est-à-dire franỗais, anglais et russe (langues principales du VEI) Dans chaque article, les termes seuls sont également donnés dans les langues additionnelles du VEI (arabe, chinois, allemand, grec, espagnol, italien, japonais, polonais, portugais et suédois) De plus, chaque partie comprend un index alphabétique des termes inclus dans cette partie, et ce pour chacune des langues du VEI NOTE – Certaines langues peuvent manquer Constitution d'un article terminologique Chacun des articles correspond une notion, et comprend : – un numéro d'article, – éventuellement un symbole littéral de grandeur ou d'unité, puis, pour chaque langue principale du VEI : – le terme désignant la notion, appelé « terme privilégié », éventuellement accompagné de synonymes et d'abréviations, – la définition de la notion, – éventuellement la source, – éventuellement des notes, et enfin, pour les langues additionnelles du VEI, les termes seuls Numéro d'article Le numéro d'article comprend trois éléments, séparés par des traits d'union : – Numéro de partie : chiffres, – Numéro de section : chiffres, – Numéro de la notion : chiffres (01 99) Exemple : 151-13-82 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Les articles suivent un schéma de classification hiérarchique Partie/Section/Notion, les notions étant, au sein des sections, classées par ordre systématique 60050-521 CEI:2002 – 189 – ÍNDICE A aceitador acumulaỗóo de portadores de carga (num semicondutor) ângulo de Hall armadilha ASIC (abreviatura) átomo de Bohr C camada de depleỗóo (de um semicondutor) campo eléctrico interno campo induzido (de um gerador de Hall) canal (de um transistor de efeito de campo) capacidade térmica característica (corrente-tensão) de ânodo-cátodo característica (corrente-tensão) principal carga recuperada (de um díodo ou de um tiristor) CCD (abreviatura) célula célula de memória célula fotocondutiva célula fotovoltaica centro de recombinaỗóo chipe 521-02-62 521-09-03 521-02-63 521-11-18 521-01-06 521-02-32 521-02-25 521-02-22 521-02-25 521-02-26 521-02-28 521-02-37 521-02-34 521-02-23 521-02-27 521-02-29 521-02-30 521-02-33 521-02-69 521-02-70 521-02-71 521-07-03 521-07-13 521-07-16 521-04-21 521-05-29 521-02-17 521-02-82 521-02-81 521-09-10 521-07-06 521-05-16 521-08-06 521-08-05 521-05-18 521-11-16 521-11-21 521-11-04 521-04-33 521-04-34 521-02-64 521-05-30 circuito equivalente circuito integrado circuito integrado de aplicaỗóo especớfica circuito integrado em películas circuito integrado multichipe circuito integrado pré-difundido circuito integrado semicondutor circuito integrado semipersonalizado coeficiente de Hall coeficiente de magneto-resistência colector (montagem de) colector comum (montagem de) colector comum inverso compensaỗóo por impurezas composiỗóo estequiomộtrica comprimento de difusão (dos portadores minoritários) conduỗóo intrớnseca conduỗóo iúnica conduỗóo por buracos conduỗóo por electrões condutividade de tipo N condutividade de tipo P condutividade intrínseca condutor constante de difusão (dos portadores de carga) corrente de comando (de um gerador de Hall) corrente de conduỗóo corrente de disparo de porta corrente de manutenỗóo corrente de não-disparo de porta corrente de retenỗóo corrente principal crescimento de um monocristal por fusão de zona crescimento pelo método de Czochralski crescimento por extracỗóo (de um monocristal) cristal ideal curva característica magneto-resistiva D dador depósito em fase vapor diac (abreviatura) diagrama de níveis de energia diagrama energético difusão (num semicondutor) díodo díodo de capacidade variỏvel dớodo de comutaỗóo 521-05-35 521-10-03 521-11-18 521-10-06 521-10-10 521-11-20 521-10-05 521-11-19 521-09-02 521-09-18 521-07-05 521-07-14 521-07-17 521-03-06 521-02-46 521-02-60 521-02-20 521-02-21 521-02-18 521-02-19 521-02-49 521-02-50 521-02-48 521-02-16 521-02-61 521-09-11 521-02-15 521-08-14 521-08-10 521-08-17 521-08-11 521-08-02 521-03-02 521-03-01 521-03-01 521-02-45 521-09-17 521-02-38 521-03-15 521-04-66 521-01-13 521-01-13 521-02-59 521-04-03 521-04-07 521-04-13 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU B banda cheia banda de Bloch banda de conduỗóo banda de energia banda de energia (num semicondutor) banda de excitaỗóo banda de impureza banda de superfície banda de valência banda parcialmente ocupada banda permitida banda proibida banda vazia barreira de potencial barreira de potencial (de uma junỗóo PN) barreira de Schottky base (montagem de) base comum (montagem de) base comum inversa bloco rectificador semicondutor bolacha buraco 521-02-39 60050-521 IEC:2002 E efeito fotocondutivo efeito fotoeléctrico efeito fotoelectromagnético efeito fotovoltaico efeito Hall efeito magneto-resistivo efeito piezo-resistivo efeito tenso-resistivo efeito tỳnel (numa junỗóo PN) electrão solitário eléctrodo (de um dispositivo semicondutor) electrừes de conduỗóo elemento de circuito parasita emissor (montagem de) emissor comum (montagem de) emissor comum inverso 521-04-14 521-04-15 521-04-12 521-04-04 521-04-16 521-04-11 521-04-40 521-04-39 521-04-37 521-04-08 521-04-10 521-04-09 521-04-19 521-04-20 521-04-18 521-04-17 521-04-03 521-04-05 521-04-06 521-04-30 521-11-16 521-04-24 521-11-14 521-04-02 521-11-15 521-11-01 521-04-31 521-04-01 521-04-02 521-04-41 521-05-27 521-05-33 521-03-05 521-07-08 521-02-57 521-01-22 521-01-20 521-01-23 521-01-21 521-09-01 521-02-84 521-02-85 521-02-85 521-02-83 521-01-18 521-05-01 521-02-14 521-05-36 521-07-04 521-07-15 521-07-18 energia de activaỗóo das impurezas energia de ionizaỗóo de um aceitador energia de ionizaỗóo de um dador epitaxia estado condutor estado cortado estado cortado em sentido inverso (de um tiristor cortado em sentido inverso) estado trancado estatística de Fermi estatística de Fermi-Dirac estatística de Maxwell-Boltzmann F fonte (de um transistor de efeito de campo) fotoacoplador fotodíodo fotodíodo de avalanche fotoemissor fotorresistor fototiristor fototransistor frequência da relaỗóo de transferờncia unitỏria de corrente frequência de corte frequência de corte resistiva frequờncia de transiỗóo funỗóo de Fermi-Dirac funcionamento em modo de depleỗóo funcionamento em modo de empobrecimento funcionamento em modo de enriquecimento 521-02-05 521-02-44 521-02-43 521-03-12 521-08-07 521-08-08 521-08-09 521-10-11 521-01-15 521-01-15 521-01-03 521-07-07 521-04-45 521-04-32 521-04-44 521-04-35 521-04-43 521-04-72 521-04-51 521-07-22 521-05-20 521-06-04 521-07-21 521-01-16 521-07-10 521-07-10 521-07-11 G gerador de Hall grelha (de um transistor de efeito de campo) grelha de conexóo (de um invúlucro) 521-07-09 521-05-32 I imperfeiỗóo (de uma rede cristalina) implantaỗóo iúnica impureza invólucro isolante 521-02-47 521-03-14 521-02-04 521-05-31 521-02-31 J junỗóo junỗóo abrupta junỗóo colectora junỗóo emissora junỗóo PN junỗóo por difusóo junỗóo por estiramento junỗóo por liga junỗóo progressiva 521-02-72 521-02-73 521-07-02 521-07-01 521-02-78 521-02-76 521-02-77 521-02-75 521-02-74 521-04-26 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU dớodo de comutaỗóo hiperfrequờncia dớodo de limitaỗóo hiperfrequờncia dớodo de retorno rỏpido díodo de sinal díodo de tensão de referência díodo detector díodo emissor de infravermelho díodo emissor de luz díodo laser díodo misturador díodo modulador díodo para multiplicaỗóo de frequờncia dớodo rectificador (semicondutor) dớodo rectificador de avalanche díodo regulador de corrente díodo regulador de tensão díodo semicondutor díodo túnel díodo unitúnel disco de Corbino dispositivo de acoplamento de carga dispositivo de efeito Hall dispositivo de transferência de carga dispositivo discreto dispositivo em colar dispositivo lógico programável dispositivo optoelectrónico dispositivo semicondutor dispositivo semicondutor discreto dispositivo semicondutor foto-sensível dispositivo sensível às descargas electrostáticas dissipador (de calor) dopagem (de um semicondutor) dreno (de um transistor de efeito de campo) duraỗóo de vida no material (de portadores minoritários) – 190 – – 191 – L LED (abreviatura) lei de distribuiỗóo das velocidades de Fermi-Dirac-Sommerfeld lei de distribuiỗóo das velocidades de Maxwell-Boltzmann limite PN N nível aceitador nível dador nível de energia nível de Fermi nível de impureza nível de superfície nível local nivelamento por zona (número quântico de) momento angular total (número quântico de) spin 521-01-19 521-01-05 521-02-65 521-11-22 521-04-28 521-04-29 521-11-02 521-11-03 521-11-13 521-11-08 521-11-12 521-11-05 521-11-06 521-11-07 521-11-10 521-11-13 521-11-09 521-11-11 521-10-02 521-10-04 521-10-01 521-10-04 521-02-58 521-09-04 521-02-55 521-04-25 521-04-38 521-01-11 521-07-13 521-07-16 521-07-14 521-07-17 521-07-15 521-07-18 521-04-27 521-02-41 521-02-40 521-01-12 521-01-17 521-02-36 521-02-42 521-02-35 521-03-04 521-01-11 521-01-10 número quântico (de um electrão num átomo dado) número quântico orbital número quântico principal número quântico secundário 521-01-07 521-01-09 521-01-08 521-01-09 O optoacoplador 521-04-45 P parõmetros de circuito passivaỗóo de superfície película (de um circuito integrado em películas) película espessa (de um circuito integrado em películas) película fina (de um circuito integrado em películas) penetraỗóo (entre duas junỗừes PN) perfuraỗóo (de uma junỗóo PN polarizada inversamente) perfuraỗóo por avalanche (de uma junỗóo PN semicondutora) perfuraỗóo por efeito tộrmico (de uma junỗóo PN) perfuraỗóo por efeito tỳnel (de uma junỗóo PN) perfuraỗóo por efeito Zener (de uma junỗóo PN) ponto de pico (de um díodo túnel) ponto de pico projectado (de um díodo túnel) ponto de retorno ponto de vale (de um díodo túnel) porta porta (de um transistor de efeito de campo) portador portador de carga portador em excesso portador maioritário portador minoritário princớpio de exclusóo de Pauli-Fermi pulverizaỗóo sob vỏcuo purificaỗóo por zona R RAM (abreviatura) receptor semicondutor fotoeléctrico região de carga espacial região de carga espacial (de uma junỗóo PN) região de resistência diferencial negativa região de transiỗóo regióo neutra relaỗóo de Boltzmann relaỗóo de magneto-resistência 521-05-34 521-03-13 521-10-07 521-10-09 521-10-08 521-05-12 521-05-06 521-05-07 521-05-11 521-05-09 521-05-09 521-06-01 521-06-03 521-08-12 521-06-02 521-08-01 521-07-09 521-02-51 521-02-51 521-02-54 521-02-52 521-02-53 521-01-14 521-03-17 521-03-03 521-11-08 521-04-42 521-02-79 521-02-80 521-05-05 521-02-66 521-02-68 521-01-04 521-09-19 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU M macrocélula magnetómetro de efeito Hall magnetorresistor matriz lógica programável matriz pré-difundida programável memória associativa memória de acesso directo memória de acesso sequencial memória de circuito integrado memória de leitura memória de leitura e escrita memória dinâmica de leitura e escrita memúria endereỗỏvel pelo conteỳdo memúria estỏtica de leitura e escrita memória volátil microcircuito microconjunto microelectrónica micromontagem mobilidade (de um portador de carga) mobilidade de Hall modulaỗóo da condutividade (de um semicondutor) modulador de efeito Hall módulo de díodo laser (número quântico de) momento angular total (montagem de) base comum (montagem de) base comum inversa (montagem de) colector comum (montagem de) colector comum inverso (montagem de) emissor comum (montagem de) emissor comum inverso multiplicador de Hall 521-04-39 60050-521 CEI:2002 60050-521 IEC:2002 relaỗóo de transferờncia directa da corrente para pequenos sinais, com saída em curtocircuito resistência aparente directa resistência aparente no estado condutor resistência dinâmica directa resistência dinâmica no estado condutor resistência térmica (de um dispositivo semicondutor) ROM (abreviatura) T técnica de difusão técnica de liga técnica de microliga técnica mesa técnica planar temperatura equivalente interna (de um dispositivo semicondutor) 521-07-19 521-06-05 521-08-13 521-06-05 521-08-13 521-05-13 521-11-06 521-02-01 521-02-11 521-02-03 521-02-09 521-02-10 521-02-13 521-02-02 521-02-08 521-02-07 521-02-06 521-02-12 521-09-13 521-09-20 521-09-12 521-11-17 521-05-03 521-05-04 521-07-12 521-02-24 521-03-16 521-01-01 521-01-02 521-04-28 521-01-10 521-05-28 521-09-08 521-09-09 521-09-08 521-03-08 521-03-07 521-03-10 521-03-11 521-03-09 521-05-14 temperatura virtual (de um dispositivo semicondutor) 521-05-14 temperatura virtual (equivalente) de junỗóo 521-05-15 tempo de armazenamento (dos portadores) 521-05-23 tempo de atraso 521-05-21 tempo de descida 521-05-24 tempo de recuperaỗóo directo 521-05-25 tempo de recuperaỗóo inverso 521-05-26 tempo de subida 521-05-22 tempo de vida no material (de portadores minoritários) 521-02-57 tensão de avalanche 521-05-08 tensão de comando induzida (de um dispositivo de efeito Hall) 521-09-16 tensão de corte (de um transistor de efeito de campo de depleỗóo) 521-07-23 tensóo de disparo de porta 521-08-15 tensão de Hall 521-09-05 tensão de limiar (de um díodo ou de um tiristor) 521-05-19 tensão de limiar (de um transistor de efeito de campo por enriquecimento) 521-07-24 tensão de não-disparo de porta 521-08-16 tensão de Zener 521-05-10 tensão flutuante 521-05-17 tensão principal 521-08-04 tensão residual para um campo magnético nulo (de um dispositivo de efeito Hall) 521-09-15 tensão residual para uma corrente de comando nula (de um dispositivo de efeito Hall) 521-09-14 terminais de comando (de um gerador de Hall) 521-09-07 terminais Hall 521-09-06 terminais principais 521-08-03 terminal (de um dispositivo semicondutor) 521-05-02 termistor 521-04-22 termoelemento semicondutor 521-04-23 tiristor 521-04-61 tiristor assimétrico 521-04-71 tiristor bloqueável 521-04-68 tiristor de porta N 521-04-70 tiristor de porta P 521-04-69 tiristor díodo bidireccional 521-04-66 tiristor díodo bloqueado em sentido inverso 521-04-62 tiristor díodo conduzindo em sentido inverso 521-04-64 tiristor tríodo bidireccional 521-04-67 tiristor tríodo bloqueado em sentido inverso 521-04-63 tiristor tríodo conduzindo em sentido inverso 521-04-65 transcondutância (de um transistor de efeito de campo) 521-07-25 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU S semicondutor semicondutor compensado semicondutor composto semicondutor de tipo N semicondutor de tipo P semicondutor degenerado semicondutor elementar semicondutor extrínseco semicondutor intrínseco semicondutor iónico semicondutor não degenerado sensibilidade corrente de comando (de uma sonda de Hall) sensibilidade de magneto-resistência sensibilidade magnética (de uma sonda de Hall) sensor de imagem por transferência de carga sentido directo (de uma junỗóo PN) sentido inverso (de uma junỗóo PN) sentido inverso de funcionamento separaỗóo energộtica serigrafia sistema não quantificado (de partículas) sistema quantificado (de partículas) sonda de Hall (número quântico de) spin substrato superfớcie efectiva de induỗóo da malha de saớda superfớcie efectiva de induỗóo anel da corrente de comando superfớcie efectiva de induỗóo anel de saída – 192 – – 193 – V valor estático da relaỗóo de transferờncia directa da corrente velocidade crớtica de crescimento da tensão no estado condutor velocidade crítica de crescimento da tensão no estado cortado velocidade de recombinaỗóo em superfớcie visualizador optoelectrúnico Z zona de transiỗóo da concentraỗóo das impurezas 521-04-46 521-04-49 521-04-47 521-04-52 521-04-55 521-04-56 521-04-57 521-04-58 521-04-53 521-04-54 521-04-60 521-04-58 521-04-59 521-04-47 521-04-50 521-04-48 521-04-67 521-07-20 521-08-19 521-08-18 521-02-56 521-04-36 521-02-67 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU transistor transistor bidireccional transistor bipolar transistor de efeito de campo transistor de efeito de campo (metal-óxido-semicondutor) transistor de efeito de campo de canal N transistor de efeito de campo de canal P transistor de efeito de campo de depleỗóo transistor de efeito de campo de junỗóo de porta transistor de efeito de campo de porta isolada transistor de efeito de campo metal-semicondutor transistor de efeito de campo por empobrecimento transistor de efeito de campo por enriquecimento transistor de junỗóo transistor tétrodo transistor unipolar triac (abreviatura) 60050-521 CEI:2002 60050-521 IEC:2002 – 194 – INDEX 521-04-67 521-11-10 521-11-16 521-05-30 521-04-30 E effektiv area efterledningstid egenfält egen(halv)ledare egenkonduktivitet egenledning ekvivalent strömkrets elektrod elektronkonduktivitet elektronledning elektrostatiskt känslig komponent emitter emitter (hos fälteffekttransistor) emitterövergång energiband energiband (i halvledare) energigap energinivå energinivådiagram enhetsgränsfrekvens ensam elektron epitaxi ettelementshalvledare excitationsband extrapolerad enhetsgränsfrekvens 521-09-08 521-05-23 521-09-10 521-02-07 521-02-48 521-02-20 521-05-35 521-05-01 521-02-49 521-02-19 521-05-27 521-07-04 521-07-07 521-07-01 521-02-25 521-02-26 521-02-24 521-01-12 521-01-13 521-07-22 521-01-18 521-03-12 521-02-02 521-02-28 521-07-21 521-06-02 521-02-13 521-02-27 521-04-11 521-04-66 521-06-05 521-08-13 521-02-76 521-02-59 521-02-61 521-03-08 521-02-60 521-04-12 521-04-62 521-04-64 521-11-08 521-04-02 521-02-38 521-02-40 521-03-05 521-02-58 521-04-66 521-04-49 F falltid Fermi-Dirac-funktion fermifördelning ferminivå fermistatistik film flyktigt minne fotodiod fotoelektrisk detektor fotoelektrisk effekt fotoelektromagnetisk effekt fotoelektromotorisk cell fotoelektromotorisk effekt fotoemitter fotokonduktiv cell fotokonduktiv effekt fotomotstånd fototransistor fototyristor framriktning frekvensmultipliceringsdiod frispänning funktionscell 521-05-24 521-01-16 521-01-19 521-01-17 521-01-15 521-10-07 521-11-11 521-04-32 521-04-42 521-01-20 521-01-23 521-04-34 521-01-21 521-04-35 521-04-33 521-01-22 521-04-43 521-04-51 521-04-72 521-05-03 521-04-09 521-05-17 521-11-21 521-02-73 521-02-39 521-02-41 521-02-05 521-08-06 521-07-11 521-11-18 521-11-18 521-11-13 521-04-71 B backdiod backriktning bas begränsningsdiod för högfrekvens bikvanttal bipolär skikttransistor blandardiod blocktillstånd Bohrs atommodell Boltzmanns ekvation branthet 521-04-06 521-05-04 521-07-03 521-04-15 521-01-09 521-04-47 521-04-08 521-08-08 521-01-06 521-01-04 521-07-25 C CCD chip corbinoskiva D dalpunkt degenererad halvledare delvis besatt band detektordiod diac differentiell framresistans differentiell ledresistans diffunderad övergång diffusion diffusionskonstant diffusionsteknik diffusionsväglängd diod med snabb återhämtning diodtyristor med spärrförmåga diodtyristor utan spärrförmåga direktminne diskret halvledarkomponent donator donatornivå dopning driftrörlighet dubbelriktad diodtyristor dubbelriktad transistor LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU dubbelriktad triodtyristor dynamiskt minne A abrupt övergång acceptor acceptornivå aktiveringsenergi för störatom anodkarakteristik anrikningsdrift applikationsspecifik krets ASIC associativt minne asymmetrisk tyristor – 195 – fyllt band (störämnes)fälla fälteffekttransistor fälteffekttransistor av anrikningstyp fälteffekttransistor av utarmningstyp fälteffekttransistor med isolerat styre fälteffekttransistor med metallstyre fälteffekttransistor med oxidisolerat styre fälteffekttransistor med PN-styre förbjudet band fördröjningstid 521-02-32 521-02-63 521-04-52 521-04-59 521-04-58 521-04-54 521-04-60 521-04-55 521-04-53 521-02-30 521-05-21 521-07-13 521-07-15 521-07-14 521-05-06 521-02-74 521-11-20 521-05-20 H halleffekt hallgenerator hallkomponent hallkonstant hallmobilitet hallmodulator hallmultiplikator hallsond hallspänning hall(spännings)uttag hallvinkel halvledardiod halvledare halvledarkomponent halvledarminne halvledartermoelement huvudkarakteristik huvudkvanttal huvudspänning huvudström huvud(ströms)uttag hål hålkonduktivitet hålledning hållström 521-09-01 521-04-26 521-04-24 521-09-02 521-09-04 521-04-25 521-04-27 521-04-28 521-09-05 521-09-06 521-09-03 521-04-03 521-02-01 521-04-01 521-11-05 521-04-23 521-08-05 521-01-08 521-08-04 521-08-02 521-08-03 521-02-17 521-02-50 521-02-18 521-08-10 I icke-degenerad halvledare icke-tändande styrspänning icke-tändande styrström ideal kristall I-ledare I-ledning inducerad styrspänning 521-02-12 521-08-16 521-08-17 521-02-45 521-02-07 521-02-20 521-09-16 infrarödstrålande diod inre elektriskt fält integrerad filmkrets integrerad halvledarkrets integrerad krets inverterad arbetsriktning inverterad gemensam bas inverterad gemensam emitter inverterad gemensam kollektor isolator 521-04-40 521-02-81 521-10-06 521-10-05 521-10-03 521-07-12 521-07-16 521-07-18 521-07-17 521-02-31 J jonhalvledare jonimplantering joniseringsenergi för acceptor joniseringsenergi för donator jonledning 521-02-06 521-03-14 521-02-44 521-02-43 521-02-21 K kanal kapacitansdiod kapsel kollektor kollektor (hos fälteffekttransistor) kollektorövergång kompenserad halvledare komponentblock konduktivitetsmodulering kretsparameter kristalldragning kristallodling med zonsmältning kritisk blockspänningsderivata kritisk ledströmsderivata kvantiserat system kvanttal kvanttal för totalt rörelsemängdsmoment kylare L laddningsbärare laddningsbärarlagring laddningskopplad krets laddningsöverförande bildsensor laddningsöverförande krets laserdiod laserdiodmodul lavindiod lavinfotodiod lavingenombrott lavinspänning ledare ledningsband ledningselektron ledningsström ledtillstånd legerad övergång 521-07-06 521-04-07 521-05-31 521-07-05 521-07-08 521-07-02 521-02-11 521-10-04 521-02-55 521-05-34 521-03-01 521-03-02 521-08-18 521-08-19 521-01-02 521-01-07 521-01-11 521-05-33 521-02-51 521-02-62 521-11-16 521-11-17 521-11-14 521-04-37 521-04-38 521-04-20 521-04-44 521-05-07 521-05-08 521-02-16 521-02-22 521-02-14 521-02-15 521-08-07 521-02-75 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU G gemensam bas gemensam emitter gemensam kollektor genombrott gradvis övergång grindmatris gränsfrekvens 60050-521 CEI:2002 60050-521 IEC:2002 legeringsteknik likriktardiod likriktarstapel ljuskänslig halvledarkomponent lokal nivå lysdiod låsningsläge låsström läs- och skrivminne läsminne – 196 – 521-03-07 521-04-19 521-04-21 521-04-41 521-02-35 521-04-39 521-10-11 521-08-11 521-11-07 521-11-06 521-01-05 521-03-11 521-10-01 521-10-02 521-03-10 521-11-04 521-02-53 521-04-10 521-04-55 521-10-10 N neutralt område N-kanal (fälteffekt)transistor N-ledare 521-02-68 521-04-56 521-02-09 521-09-12 521-02-84 521-09-18 521-09-19 521-09-20 521-09-17 521-04-29 521-02-52 521-11-22 521-01-03 O odlad övergång okvantiserat system område med negativ differentiell resistans optoelektronisk komponent optoelektronisk teckentablå optokopplare 521-05-05 521-04-31 521-04-36 521-04-45 P paketöverförande krets parasitiskt kretselement partikeldeponering Pauli-Fermis princip penetration piezoresistiv effekt P-kanal (fälteffekt)transistor P-ledare 521-11-15 521-05-36 521-03-17 521-01-14 521-05-12 521-02-85 521-04-57 521-02-10 521-02-77 521-01-01 R RAM-minne (spännings)referensdiod rekombinationscenter resistiv gränsfrekvens restspänning för nollmagnetfält restspänning för nollstyrström rymdladdningsområde rymdladdningsområde (i PN-övergång) S sammansatt halvledare Schottky-barriär screentryckning seriellt minne signaldiod skiva släckbar tyristor småsignalströmförstärkningsfaktor spinnkvanttal spänningsreferensdiod spänningsreglerdiod spärrtillstånd statiskt minne stigtid strypspänning (småsignal)strömförstärkningsfaktor strömreglerdiod styre styre (hos fälteffekttransistor) styrström styrströmskänslighet styrströmsslingans effektiva area styr(ströms)uttag stökiometrisk sammansättning stör(halv)ledare störning (i kristallgitter) störämne störämnesband störämnesfälla störämneskompensering störämnesnivå substrat switchdiod switchdiod för högfrekvens 521-03-09 521-02-65 521-02-78 521-05-02 521-02-69 521-02-70 521-11-03 521-11-01 521-11-02 521-06-03 521-11-08 521-04-16 521-02-64 521-06-04 521-09-15 521-09-14 521-02-79 521-02-80 521-02-03 521-02-71 521-03-16 521-11-12 521-04-04 521-05-29 521-04-68 521-07-19 521-01-10 521-04-16 521-04-17 521-08-09 521-11-09 521-05-22 521-07-23 521-07-19 521-04-18 521-08-01 521-07-09 521-09-11 521-09-13 521-09-09 521-09-07 521-02-46 521-02-08 521-02-47 521-02-04 521-02-37 521-02-63 521-03-06 521-02-36 521-05-28 521-04-13 521-04-14 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU M magnetisk känslighet magnetoresistiv effekt magnetoresistiv koefficient magnetoresistiv kvot magnetoresistiv känslighet magnetoresistiv R/B-kurva magnetoresistor majoritets(laddnings)bärare makrocell Maxwell-Boltzmann-fördelning Maxwell-Boltzmanns hastighetsfördelning mesateknik mikroelektronik mikrokrets mikrolegeringsteknik minnescell minoritets(laddnings)bärare moduleringsdiod MOS-transistor multikrets planarteknik PN-gräns PN-övergång pol potentialbarriär potentialbarriär (i PN-övergång) programmerbar grindmatris programmerbar logikkrets programmerbar logikmatris projicerad toppunkt – 197 – 521-07-24 521-04-05 521-02-83 521-10-08 521-04-61 521-04-70 521-04-69 521-08-15 521-08-14 U unipolärtransistor utarmningsdrift utarmningsområde utgångsämne för ASIC 521-04-48 521-07-10 521-02-82 521-11-19 V valensband vippunkt virtuell skikttemperatur virtuell temperatur volymlivslängd 521-02-23 521-08-12 521-05-15 521-05-14 521-02-57 Y ytband ytnivå ytpassivering ytrekombineringshastighet 521-02-34 521-02-42 521-03-13 521-02-56 Z zenergenombrott zenerspänning zonrening zonutjämning 521-05-09 521-05-10 521-03-03 521-03-04 521-05-16 521-05-13 521-05-11 521-04-22 521-04-50 521-05-32 521-02-29 521-10-09 521-02-33 521-06-01 521-07-20 521-04-46 521-04-67 521-04-63 521-04-65 521-05-19 Å ångfasdeponering återhämtad laddning återhämtningstid i backriktning återhämtningstid i framriktning Ö övergång övergångsområde övergångszon för störämneskoncentration överskotts(laddnings)bärare 521-03-15 521-05-18 521-05-26 521-05-25 521-02-72 521-02-66 521-02-67 521-02-54 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU T termisk kapacitans termisk resistans termiskt genombrott termistor tetrodtransistor tilledarram tillåtet band tjockfilm tomt band toppunkt total strömförstärkningsfaktor transistor triac triodtyristor med spärrförmåga triodtyristor utan spärrförmåga tröskelspänning (för diod eller transistor) tröskelspänning (för fälteffekttransistor av anrikningstyp) tunneldiod tunneleffekt (i PN-övergång) tunnfilm tyristor tyristor med N-styre tyristor med P-styre tänd(styr)spänning tänd(styr)ström 60050-521 CEI:2002 Standards Survey The IEC would like to offer you the best quality standards possible To make sure that we continue to meet your needs, your feedback is essential Would you please take a minute to answer the questions overleaf and fax them to us at +41 22 919 03 00 or mail them to the address below Thank you! Customer Service Centre (CSC) or Fax to: IEC/CSC at +41 22 919 03 00 Thank you for your contribution to the standards-making process Nicht frankieren Ne pas affranchir A Prioritaire Non affrancare No stamp required RÉPONSE PAYÉE SUISSE Customer Service Centre (CSC) International Electrotechnical Commission 3, rue de Varembé 1211 GENEVA 20 Switzerland LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU International Electrotechnical Commission 3, rue de Varembé 1211 Genève 20 Switzerland Q1 Please report on ONE STANDARD and ONE STANDARD ONLY Enter the exact number of the standard: (e.g 60601-1-1) Q6 standard is out of date R standard is incomplete R standard is too academic R standard is too superficial R title is misleading R I made the wrong choice R other Q2 Please tell us in what capacity(ies) you bought the standard (tick all that apply) I am the/a: Q3 Q7 I work for/in/as a: (tick all that apply) manufacturing R consultant R government R test/certification facility R public utility R education R military R other timeliness quality of writing technical contents logic of arrangement of contents tables, charts, graphs, figures other Q8 Q4 Q5 This standard meets my needs: (tick one) not at all nearly fairly well exactly R R R R I read/use the: (tick one) French text only English text only both English and French texts This standard will be used for: (tick all that apply) general reference R product research R product design/development R specifications R tenders R quality assessment R certification R technical documentation R thesis R manufacturing R other Please assess the standard in the following categories, using the numbers: (1) unacceptable, (2) below average, (3) average, (4) above average, (5) exceptional, (6) not applicable Q9 R R R Please share any comment on any aspect of the IEC that you would like us to know: LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU purchasing agent R librarian R researcher R design engineer R safety engineer R testing engineer R marketing specialist R other If you ticked NOT AT ALL in Question the reason is: (tick all that apply) Enquête sur les normes La CEI ambitionne de vous offrir les meilleures normes possibles Pour nous assurer que nous continuons répondre votre attente, nous avons besoin de quelques renseignements de votre part Nous vous demandons simplement de consacrer un instant pour répondre au questionnaire ci-après et de nous le retourner par fax au +41 22 919 03 00 ou par courrier l’adresse ci-dessous Merci ! Centre du Service Clientèle (CSC) ou Télécopie: CEI/CSC +41 22 919 03 00 Nous vous remercions de la contribution que vous voudrez bien apporter ainsi la Normalisation Internationale Nicht frankieren Ne pas affranchir A Prioritaire Non affrancare No stamp required RÉPONSE PAYÉE SUISSE Centre du Service Clientèle (CSC) Commission Electrotechnique Internationale 3, rue de Varembé 1211 GENÈVE 20 Suisse LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Commission Electrotechnique Internationale 3, rue de Varembé 1211 Genève 20 Suisse Q1 Veuillez ne mentionner qu’UNE SEULE NORME et indiquer son numéro exact: ( ex 60601-1-1) Q5 pas du tout peu près assez bien parfaitement Q2 En tant qu’acheteur de cette norme, quelle est votre fonction? (cochez tout ce qui convient) Je suis le/un: Q6 Je travaille: (cochez tout ce qui convient) dans l’industrie R comme consultant R pour un gouvernement R pour un organisme d’essais/ certification R dans un service public R dans l’enseignement R comme militaire R autre(s) Veuillez évaluer chacun des critères cidessous en utilisant les chiffres (1) inacceptable, (2) au-dessous de la moyenne, (3) moyen, (4) au-dessus de la moyenne, (5) exceptionnel, (6) sans objet publication en temps opportun qualité de la rédaction contenu technique disposition logique du contenu tableaux, diagrammes, graphiques, figures autre(s) Q8 Cette norme sera utilisée pour/comme (cochez tout ce qui convient) ouvrage de référence R une recherche de produit R une étude/développement de produit R des spécifications R des soumissions R une évaluation de la qualité R une certification R une documentation technique R une thèse R la fabrication R autre(s) Si vous avez répondu PAS DU TOUT Q5, c’est pour la/les raison(s) suivantes: (cochez tout ce qui convient) la norme a besoin d’être révisée R la norme est incomplète R la norme est trop théorique R la norme est trop superficielle R le titre est équivoque R je n’ai pas fait le bon choix R autre(s) Q7 Q4 R R R R Je lis/utilise: (une seule réponse) uniquement le texte franỗais uniquement le texte anglais les textes anglais et franỗais Q9 R R R Veuillez nous faire part de vos observations éventuelles sur la CEI: LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU agent d’un service d’achat R bibliothécaire R chercheur R ingénieur concepteur R ingénieur sécurité R ingénieur d’essais R spécialiste en marketing R autre(s) Q3 Cette norme répond-elle vos besoins: (une seule réponse) LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU ISBN 2-8318-5754-6 -:HSMINB=]Z\ZYV: ICS 01.040.31; 31.080 Typeset and printed by the IEC Central Office GENEVA, SWITZERLAND