NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN ĐIỆN CỰC MÀNG BISMUT BIẾN TÍNH ĐỂ XÁC ĐỊNH CADMI VÀ CHÌ BẰNG PHƯƠNG PHÁP VON-AMPE HÒA TAN ANOT docx

TẠP CHÍ KHOA HỌC, Đại học Huế, tập 73, số 4, năm 2012 NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN ĐIỆN CỰC MÀNG BISMUT BIẾN TÍNH ĐỂ XÁC ĐỊNH CADMI VÀ CHÌ BẰNG PHƯƠNG PHÁP VON-AMPE HÒA TAN ANOT Nguyễn Văn Hợp, Võ Thị Bích Vân, Nguyễn Hải Phong Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế Tóm tắt Điện cực màng bismut tạo theo kiểu in situ đĩa rắn than thủy tinh biến tính Nafion (hay điện cực BiFEbt) dùng cho phương pháp von-ampe hòa tan anot sóng vng (SqW-ASV) để xác định cadmi (Cd) chì (Pb) đệm axetat Các yếu tố ảnh hưởng đến dòng đỉnh hòa tan (Ip) Cd Pb như: nồng độ Nafion dùng để biến tính điện cực, nồng độ BiIII, thời gian điện phân làm giàu, chất cản trở… khảo sát Ở điện phân làm giàu -1200 mV, thời gian điện phân làm giàu 120s điều kiện thí nghiệm khác thích hợp, phương pháp đạt độ nhạy cao (tương ứng Cd Pb 824 ± 36 1010 ± 40 nA/ppb), độ lặp lại tốt Ip (RSD  2,2%, n = Cd Pb), giới hạn phát (3) thấp (0,7 – 0,8 ppb Cd Pb); Ip nồng độ CdII, PbII có tương quan tuyến tính tốt khoảng – 20 ppb với R > 0,99 So sánh với điện cực màng bismut in situ đĩa rắn than thủy tinh khơng biến tính, điện cực BiFEbt đạt độ nhạy cao độ lặp lại tốt Kết kiểm tra chất lượng phương pháp mẫu thực tế cho thấy: phương pháp đạt độ lặp lại tốt Pb (RSD < 12%, n = 3), độ tốt với độ thu hồi tương ứng Cd Pb 83 - 87% 90 - 95% Mở đầu Phương pháp von-ampe hòa tan thừa nhận phương pháp đạt độ nhạy cao phân tích kim loại nặng, có Cd Pb - kim loại có độc tính cao thường có mặt mức vết siêu vết đối tượng sinh hóa mơi trường Điện cực màng bismut (BiFE) - loại điện cực “thân thiện” với môi trường - nghiên cứu phát triển mạnh cho phương pháp von-ampe hòa tan từ năm 2000 [10] Để nâng cao độ nhạy giảm ảnh hưởng chất cản trở, nhiều nghiên cứu tiến hành biến tính điện cực BiFE polime dẫn điện, chẳng hạn, Nafion (hình 1) - hợp chất polime trơ, khơng có tính điện hoạt, khơng tan nước đặc biệt, có khả trao đổi cation [1], [7], [9]… Trên giới có số cơng trình nghiên cứu sử dụng điện cực BiFE biến tính Nafion để xác định lượng vết kim loại nặng Pb, Cd, Zn [6], Cu [8], Ni 103 Co [4] Ở Việt Nam, N.H Phong nghiên cứu phát triển điện cực BiFE biến tính Nafion cho phương pháp von-ampe hịa tan hấp phụ xác định lượng vết Cd [1] Tuy vậy, nước ta, nghiên cứu phát triển điện cực BiFE nói chung điện cực BiFE biến tính nói riêng cho phương pháp von-ampe hòa tan von-ampe hòa tan anot (ASV) von-ampe hòa tan hấp phụ (AdSV) hạn chế [2] Bài báo đề cập đến kết nghiên cứu phát triển điện cực BiFE biến tính Nafion để xác định Cd Pb phương pháp ASV đệm axetat (pH = 4,5) Phương pháp nghiên cứu 2.1 Thiết bị hóa chất Thiết bị VA 693 Processor hệ điện cực 694 VA-Stand hãng Metrohm gồm điện cực (điện cực đĩa rắn than thủy tinh đường kính 2,8 ± 0,1 mm, điện cực so sánh Ag/AgCl/3M KCl điện cực đối Pt) Các hóa chất tinh khiết phân tích hãng Merck: CH3COONa, CH3COOH, Bi , PbII, CdII, CuII, ZnII; Nafion 5% (d = 0,843 g/mL) hãng Aldrich Các dung dịch Nafion làm việc chuẩn bị cách pha dung dịch Nafion 5% etanol (d = 0,772 g/mL) Nước cất hai lần (Fistream Cyclon, England) sử dụng để pha chế hóa chất tráng, rửa dụng cụ thủy tinh III CF2 CF2 CF CF2 x O y CF2 F3C CF O CF2 CF2 SO3- H+ Hình Cơng thức cấu tạo Nafion 2.2 Chuẩn bị điện cực làm việc - điện cực BiFE biến tính (BiFEbt) Điện cực đĩa rắn than thủy tinh (GC) đường kính 2,8 ± 0,1 mm mài bóng với bột nhơm oxit chun dụng có kích thước hạt 0,2 µm, sau rửa etanol nước để khô tự nhiên nhiệt độ phịng Tiến hành biến tính điện cực Nafion sau: nhỏ lên bề mặt điện cực µL Nafion 2,6 mg/mL cho dung dịch phủ kín bề mặt điện cực, để dung môi bay nhiệt độ phịng khoảng 10 phút; nhỏ µL dimethylformamide (DMF); cuối cùng, sấy nhẹ bề mặt điện cực phút (có thể dùng máy sấy tóc) Điện cực GC biến tính nhúng vào dung dịch nghiên cứu chứa BiIII, đệm axetat 0,1 M… màng bismut tạo theo kiểu in situ bề mặt điện cực GC biến tính giai đoạn điện phân làm giàu thời gian xác định, tạo điện cực làm việc BiFEbt 104 2.3 Tiến trình ghi đường von-ampe hòa tan Tiến hành điện phân dung dịch nghiên cứu (chứa CdII, PbII, BiIII đệm axetat 0,1 M, pH = 4,5) để kết tủa đồng thời Cd, Pb Bi lên bề mặt điện cực GC biến tính -1200 mV (Eđp) thời gian 120 s (tđp) Trong giai đoạn điện phân, điện cực quay với tốc độ không đổi lúc này, Bi kim loại bám bề mặt điện cực GC biến tính tạo điện cực BiFEbt đồng thời Pb Cd làm giàu bề mặt điện cực (do nồng độ Cd Pb bề mặt điện cực lớn nhiều so với nồng độ chúng dung dịch) Kết thúc giai đoạn làm giàu, ngừng quay điện cực 10 ÷ 15 s (trest) tiến hành quét biến thiên tuyến tính theo thời gian với tốc độ không đổi theo chiều anot (từ 1200  +400 mV) đồng thời ghi tín hiệu hịa tan kỹ thuật von-ampe sóng vng (SqW mode) von-ampe xung vi phân (DP mode) với thông số kỹ thuật thích hợp, thu đường von-ampe hịa tan có dạng đỉnh Kết thúc giai đoạn hịa tan, tiến hành làm bề mặt điện cực cách giữ điện cực +400 mV (Eclean) thời gian 30 s (tclean) để hịa tan hồn tồn Bi kim loại khác (có thể có) khỏi bề mặt điện cực Cuối xác định đỉnh (Ep) dòng đỉnh hòa tan (Ip) Cd Pb từ đường von-ampe thu Đường von-ampe hòa tan mẫu trắng - mẫu chuẩn bị từ nước cất, có thành phần tương tự dung dịch nghiên cứu, không chứa CdII PbII – ghi tương tự Tiến hành định lượng Cd Pb phương pháp thêm chuẩn (3 – lần thêm) Trong trường hợp, bỏ kết phép ghi đầu tiên, thường khơng ổn định Tồn tiến trình ghi đường vonampe hịa tan điều khiển tự động theo chương trình đưa vào từ bàn phím Kết thảo luận 3.1 Ảnh hưởng kỹ thuật ghi tín hiệu hịa tan Kết thí nghiệm với dung dịch nghiên cứu có thành phần nhau: ppb kim loại (Cd, Pb), 500 ppb BiIII, đệm axetat 0,1M, pH = 4,5, ghi tín hiệu hịa tan kỹ thuật khác – von-ampe sóng vng (SqW mode) von-ampe xung vi phân (DP mode) với thông số kỹ thuật thích hợp, cho thấy: - Khi thêm vào dung dịch lần, lần ppb kim loại áp dụng phương pháp hồi quy tuyến tính (HQTT) để xác định độ dốc b đường HQTT (hay độ nhạy b) hệ số tương quan R, SqW mode cho độ nhạy cao (744 768 nA/ppb tương ứng Cd Pb) so với DP mode (109 73 nA/ppb Cd Pb) kỹ thuật cho R lớn, R > 0,99; - Khi nồng độ kim loại dung dịch ppb, dịng đỉnh hịa tan trung bình (Ip với n = 7) đạt SqW mode (3945 7887 nA Cd Pb) cao so với mode DP (708 545 nA Cd Pb); nhưng, độ lặp lại Ip SqW mode (RSD = 9,4 9,1% Cd Pb) lại so với DP mode (RSD = 105 7,1 4,2% Cd Pb) Từ kết trên, để nâng cao độ nhạy phương pháp, nên chọn SqW mode 3.2 Ảnh hưởng nồng độ Nafion Tiến hành thí nghiệm với dung dịch Nafion có nồng độ khoảng 1,6 – 21,1 mg/mL, thu kết bảng Bảng Ảnh hưởng nồng độ Nafion đến Ip Pb Cd (b) Kim loại Nồng độ Nafion (mg/mL) Thông số (a) 4,2 7,0 14,1 21,1 b (nA/ppb) 78 179 98 153 71 22 262 677 656 746 312 99 b (nA/ppb) 108 202 145 162 106 63 Ip (nA); n = Pb 2,6 Ip (nA); n = Cd 1,6 543 656 857 512 312 260 (a) Để xác định độ nhạy b, thêm chuẩn lần, lần ppb kim loại; giá trị Ip bảng giá trị trung bình phép đo lặp lại (n = 7) nồng độ kim loại ppb (b) ĐKTN: ppb kim loại; đệm axetat (Ax) 0,1 M; 500 ppb BiIII; Eđp = -1400 mV; tđp = 60 s;  = 2000 vòng/phút; trest = 15 s; khoảng quét (Erange) = -1400 mV  +400 mV; Eclean = 400 mV, tclean = 30 s; SqW mode: biên độ sóng vng Uampl = 50 mV, tần số sóng vng f = 60 Hz, thời gian bước tstep = 0,3 s, thời gian ghi dòng tmeas = ms, tốc độ quét v = 20 mV/s Người ta cho rằng, hình thành mao quản bề mặt điện cực GC biến tính Nafion màng bismuth tạo thành mao quản hệ vi điện cực Khi nồng độ Nafion lớn 7,0 mg/mL, Ip Pb Cd giảm mạnh (bảng 1) Theo chúng tơi, nồng độ cao Nafion, màng Nafion bề mặt điện cực GC dày vậy, cản trở không gian vận chuyển kim loại đến bề mặt điện cực, nên làm giảm hiệu trình làm giàu, dẫn đến làm giảm Ip Nồng độ Nafion 2,6 mg/mL thích hợp Ở nồng độ Nafion nhỏ hơn, hiệu làm giàu giảm 3.3 Ảnh hưởng nồng độ BiIII Khi có mặt BiIII, hiệu làm giàu Cd Pb bề mặt điện cực tăng lên rõ rệt (hình 3) Nồng độ BiIII thích hợp 500 ppb, Ip Pb Cd lớn Khi nghiên cứu điện cực màng bismut tạo theo kiểu in situ bề mặt điện cực GC khơng biến tính (kí hiệu điện cực BiFE), Đ V Khánh [2] cho rằng, nồng độ BiIII thích hợp cho phép xác định Cd Pb phương pháp ASV khoảng 200 - 800 ppb 106 Hình Ảnh hưởng nồng độ BiIII đến Ip Cd Pb Điều kiện thí nghiệm (ĐKTN): nồng độ Nafion (CNafion) = 2,6 mg/mL; ppb kim loại; ĐKTN khác bảng 3.4 Ảnh hưởng điện phân làm giàu Ở điện phân làm giàu (Eđp) âm -1200 mV, thích hợp cho tích lũy Zn, Co, Ni (nếu có dung dịch) bề mặt điện cực BiFEbt, nên ảnh hưởng đến làm giàu Cd Pb, dẫn đến làm giảm Ip Cd Pb (hình 4) Ở dương -1200 mV, gần với đỉnh hòa tan Cd Pb, làm giàu Cd Pb bề mặt điện cực hiệu quả, nên làm giảm Ip Eđp thích hợp 1200 mV Hình Ảnh hưởng Eđp đến Ip Cd Pb ĐKTN: CNafion = 2,6 mg/mL; ppb kim loại; 500 ppb BiIII; ĐKTN bảng 3.5 Ảnh hưởng thời gian điện phân làm giàu Trong khoảng thời gian điện phân làm giàu (tđp) 30 - 180 s, Ip tđp có tương quan tuyến tính tốt với R  0,99 Cd Pb (hình 5) Khi tăng tđp, hiệu làm giàu tăng làm tăng Ip Cd Pb Tuy nhiên, tđp tăng làm tăng thời gian phân tích đồng thời, tích lũy thêm kim loại cản trở Zn, Cu bề mặt điện cực tđp thích hợp 120 s (đối với nồng độ kim loại khoảng n ppb (n = – 10) 107 Hình Sự phụ thuộc Ip vào tđp ĐKTN: CNafion = 2,6 mg/mL; ppb kim loại; 500 ppb BiIII; Eđp = -1200 mV; ĐKTN bảng 3.6 Ảnh hưởng chất cản trở Kẽm (Zn) đồng (Cu) kim loại thường kèm với Cd Pb, Zn có đỉnh hịa tan gần đỉnh hịa tan Cd, cịn Cu có đỉnh hịa tan gần đỉnh hòa tan Pb, nên chúng thường ảnh hưởng mạnh đến phép xác định Cd Pb Kết thí nghiệm nồng độ CdII PbII cỡ ppb, tđp = 120 s ĐKTN thích hợp hình 5, cho thấy: - Zn khơng ảnh hưởng nồng độ ZnII lớn không 32 lần nồng độ kim loại; - Cu ảnh hưởng mạnh đến phép xác định Pb Cd: nồng độ CuII cỡ ppb, Ip Pb Cd giảm 55 – 65% Nguyên nhân điều chưa hiểu rõ Khi nghiên cứu điện cực BiFE, Đ V Khánh (2008), Wang J (2000) Prior C (2006) cho rằng: Cu ảnh hưởng mạnh đến Ip Pb Cd, có cạnh tranh chiếm chỗ Cu Bi bề mặt điện cực GC, mà khơng có hình thành hợp kim kép Bi-Cu Theo chúng tôi, sử dụng điện cực BiFEbt, mao quản bề mặt điện cực GC biến tính có lực mạnh với CuII vậy, Cu kết tủa nhiều bề mặt điện cực so với trường hợp dùng điện cực BiFE, nên ảnh hưởng mạnh đến Ip Pb Cd; - Trong khoảng nồng độ SO42- 50 - 2400 ppm (là nồng độ thường gặp nước tự nhiên), anion SO42- không ảnh hưởng đến phép xác định Cd Pb Anion Cl- ảnh hưởng không đáng kể đến phép xác định Pb, ảnh hưởng mạnh đến phép xác định Cd có mặt nồng độ lớn 100 ppm Như vậy, phân tích Cd mẫu có nồng độ Cl- lớn, cần có biện pháp loại Cl- khỏi mẫu - Chất hoạt động bề mặt Triton X-100 - chất hoạt động bề mặt tổng hợp khơng ion điển hình - ảnh hưởng mạnh đến phép xác định Cd Pb nồng độ lớn 10 ppb Như vậy, thiết phải loại trừ chất hoạt động bề mặt chất hữu 108 khác có mặt mẫu trước tiến hành định lượng cách phân hủy mẫu với hỗn hợp axit chiếu xạ xạ UV vi sóng Thực nghiệm cho thấy, Ip Pb Cd giảm mạnh tăng nồng độ Cu Ip Cd giảm mạnh nồng độ Cl- cao, Ip nồng độ PbII CdII có tương quan tuyến tính tốt vậy, định lượng Pb Cd Song, phân tích mẫu thực tế, trước hết cần phải kiểm tra độ độ lặp lại phương pháp II 3.7 Độ lặp lại, độ nhạy, giới hạn phát khoảng tuyến tính (A) (B) Hình (A) Các đường von-ampe hòa tan Cd Pb nồng độ khác kim loại; (B) Đường hồi quy tuyến tính Ip nồng độ kim loại (trong khoảng nồng độ kim loại  20 ppb) ĐKTN: đệm axetat 0,1 M (pH = 4,5); CNafion = 2,6 mg/mL; 500 ppb BiIII; Eđp = -1200 mV; tđp = 120 s;  = 2000 vòng/phút; trest = 15 s; Erange = -1200 mV  +400 mV; SqW mode: Uampl = 50 mV, f = 60 Hz, tstep = 0,3 s, tmeas = ms, v = 20 mV/s; Eclean = +400 mV; tclean = 30 s - Độ lặp lại: Ở điều kiện thí nghiệm thích hợp hình tđp = 120 s, Ip Cd Pb đạt độ lặp lại tốt với RSD  2,2% (n = 8) Cd Pb So sánh với điện cực BiFE (ở điều kiện thí nghiệm điện cực BiFEbt), Ip điện cực BiFE có độ lặp lại so với điện cực BiFEbt: RSD Ip điện cực BiFE Pb Cd tương ứng 13,3% 5,7% - Độ nhạy: Độ nhạy phương pháp đánh giá qua độ dốc (b) đường hồi quy tuyến tính Ở ĐKTN thích hợp, phương pháp von-ampe hịa tan anot sóng vng (SqW – ASV) dùng điện cực BiFEbt đạt độ nhạy cao, tương ứng Cd Pb 824 ± 36 1010 ± 40 nA/ppb Độ nhạy cao so với sử dụng điện cực BiFE (chỉ đạt độ nhạy Cd Pb tương ứng 220 – 222 nA/ppb 183 – 185 nA/ppb Pb) 109 - Giới hạn phát (LOD): Kết xác định LOD theo quy tắc 3 áp dụng hồi quy tuyến tính cho thấy, phương pháp SqW-ASV dùng điện cực BiFEbt đạt LOD thấp Cd Pb, khoảng 0,7 – 0,8 ppb (với Eđp = -1200 mV tđp = 120 s) - Khoảng tuyến tính: khoảng nồng độ kim loại  20 ppb, Ip nồng độ kim loại có tương quan tuyến tính tốt với R > 0,99 (hình 6) 3.8 Kiểm sốt chất lượng phương pháp phân tích Để khẳng định khả áp dụng phương pháp SqW – ASV với điện cực BiFEbt vào thực tế, cần kiểm tra chất lượng phương pháp qua độ lặp lại độ Bảng Kết kiểm tra độ lặp lại phương pháp xác định Pb Cd (*) Pb Mẫu Cd Nồng độ xác định được, ppb RSD(%) Nồng độ xác định được, ppb RSD(%) SH1 1,5 12 (n = 3) < LOD Kxđ SH2 1,7 10 (n = 3) < LOD Kxđ (*) - SH1 SH2: nước sông Hương lấy ngã ba Tuần trạm bơm nước Giả Viên – dòng độ sâu 50 cm - vào ngày 20/06/2011 Các mẫu nước lọc qua màng lọc sợi thủy tinh 0,45µm axit hóa HNO3 đến pH  làm giàu cách cô cách thủy để giảm thể tích 50 lần; - LOD Cd 0,8 ppb; kxđ: không xác định ĐKTN: hình (A) (B) 4 m m Hình (A) (B) Các đường von-ampe hòa tan Cd Pb mẫu SH1 SH2:m mẫu; thêm 1,5 ppb CdII 0,5 ppb PbII; thêm 2,5 ppb CdII 3,5 ppb PbII; 3, lần thêm, lần thêm ppb kim loại ĐKTN: hình Kết bảng cho thấy: phương pháp đạt độ lặp lại tốt Pb Cd 110 với RSD  12% (n = 3) Người ta cho rằng, xác định nồng độ C bất kỳ, đạt RSD không vượt ½ RSDH đạt yêu cầu (RSDH độ lệch chuẩn tương đối tính tốn từ phương trình Horwitz: RSDH = 21 – 0,5lgC với C nồng độ biểu diễn phân số [5]) Như vậy, với C cỡ ppb, RSD  20% đạt yêu cầu Mặt khác, phương pháp SqW- ASV dùng điện cực BiFEbt đạt độ tốt (khi phân tích mẫu thêm chuẩn) với độ thu hồi 90  95% Pb 83  87% Cd (hình bảng 3) Bảng Kết xác định độ phương pháp SqW - ASV dùng điện cực BiFEbt(*) Mẫu Nồng độ kim loại mẫu (ppb), x Pb Cd Nồng độ kim loại Nồng độ kim loại thêm chuẩn (ppb) mẫu thêm chuẩn x (ppb), x Pb Cd Pb Cd Rev, % Pb Cd SH1 1,5 < LOD 0,5 1,5 1,8 2,0 90 87 SH2 1,7 < LOD 0,5 1,0 2,1 1,5 95 83 (*) Rev (độ thu hồi) = 100*x2/(x1+x0); LOD Cd 0,8 ppb; để tính Rev Cd, chấp nhận x1 = LOD = 0,8 ppb ĐKTN: hình Kết luận Điện cực màng bismut biến tính Nafion (BiFEbt) sử dụng cho phương pháp SqW – ASV để xác định lượng vết Cd Pb Phương pháp đạt độ nhạy cao (tương ứng Cd Pb 824 ± 36 1010 ± 40 nA/ppb), độ lặp lại tốt Ip (RSD  2,2%, n = Cd Pb), giới hạn phát (3) thấp (0,7 – 0,8 ppb Cd Pb); Ip nồng độ CdII, PbII có tương quan tuyến tính tốt khoảng – 20 ppb với R > 0,99 Điện cực BiFEbt kiểu điện cực nghiên cứu nước ta năm gần đây, nên vấn đề lý thuyết thực nghiệm cần tiếp tục nghiên cứu chi tiết thêm TÀI LIỆU THAM KHẢO Nguyễn Hải Phong, Nghiên cứu xác định cadmi số mẫu môi trường phương pháp von-ampe hòa tan hấp phụ, Luận án Tiến sĩ Hóa học, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội, 2011 Đặng Văn Khánh, Nghiên cứu phát triển ứng dụng điện cực màng bitmut để xác định vết chì cadmi số đối tượng môi trường, Luận án Tiến sĩ Hóa học, Đại học Quốc Gia Hà Nội, 2008 Cao G X., Zimenez O., Zhou F., Nafion-coated bismuth film and Nafion-coated mercury electrode for anodic stripping voltammetry combined on-line with ICP mass spectrometry, J Am Soc Mass Spectrom 17, (2006), 945-952 111 Economou A., Voulgaropoulos A., On-line stripping voltammetry of trace metals at a flow-through bismuth-film electrode by means of a hybrid flow-injection/sequentialinjection system, Talanta 71, (2007), 758-765 Horwitz W., Albert R., The Concept of Uncertainty as Applied to Chemical Measurement, Analyst 122, (1997), 615-617 Kefala G., Economou A., Polymer-coated bismuth film eletrodes for the determination of trace metals by sequential - injection analysis/anodic stripping voltammetry, Anaytica Chemica Acta 576, (2006), 283-289 Pauliukaite R., Brett C., Characterization and application of bismuth-film modified carbon film electrodes, Electroanalysis 17, (2005), 1354-1359 Prior C., Lenehan C E., Walker G., S., Utilising gallium for enhanced electrochemical copper analysis at the bismuth film electrode, Analytica Chimica Acta 598, (2007), 6573 Stozhko N U., Malakhova N A., Fyodorov M V., Brainina K Z., Modified carboncontaining electrodes in stripping voltammetry of metal, Journal of Solid State Electrochemistry 12, (2008), 1185-1204 10 Wang J., Lu J., Hocevar S., Farias P., Bismuth-Coated Carbon Electrodes for Anodic Stripping Voltammetry, Analytical Chemistry 72, (2000), 3218-3222 DEVELOPMENT OF MODIFIED BISMUTH FILM ELECTRODE FOR ANODIC STRIPPING VOLTAMMETRIC DETERMINATION OF LEAD AND CADMIUM Nguyen Van Hop, Vo Thi Bich Van, Nguyen Hai Phong College of Sciences, Hue University Abstract Bismuth film electrode prepared in situ on Nafion-modified glassy carbon disk surface (hereinafter referred to as BiFEbt) was used for square-wave anodic stripping voltammetry (SqW-ASV) for the determination of lead (Pb) and cadmium (Cd) in acetate buffer as supporting electrolyte The influence of the factors on Pb and Cd stripping peak curent (Ip) such as: Nafion concentration for the electrode modification, BiIII concentration, deposition potential and deposition time, interferents… was investigated At the deposition potential of -1200 mV, the deposition time of 120s and under other suitable conditions, the method gained high sensitivity (1010 ± 40 and 824 ± 36 nA/ppb for Pb and Cd, respectively), good reproducibility of the Ip (RSD  2,2%, n = for both Pb and Cd), low detection limit (3) (0,7 – 0,8 ppb for each metal); linear correlation bewteen the Ip and the metal concentration was good in the range of – 20 ppb (R > 0,99) In 112 comparison with bismuth film electrode prepared in situ on non-modified glassy carbon disk surface, the BiFEbt had higher sensitivity and better reproducibility The results obtained from the analysis of two Huong river water samples showed that the method gained good precision for Pb (RSD < 12%, n = 3) and good accuracy with recovery of 90 - 95% and 83 - 87% for Pb and Cd, respectively 113 ... Phong nghiên cứu phát triển điện cực BiFE biến tính Nafion cho phương pháp von-ampe hòa tan hấp phụ xác định lượng vết Cd [1] Tuy vậy, nước ta, nghiên cứu phát triển điện cực BiFE nói chung điện cực. .. BiFE biến tính nói riêng cho phương pháp von-ampe hòa tan von-ampe hòa tan anot (ASV) von-ampe hòa tan hấp phụ (AdSV) hạn chế [2] Bài báo đề cập đến kết nghiên cứu phát triển điện cực BiFE biến tính. .. Nafion để xác định Cd Pb phương pháp ASV đệm axetat (pH = 4,5) Phương pháp nghiên cứu 2.1 Thiết bị hóa chất Thiết bị VA 693 Processor hệ điện cực 694 VA-Stand hãng Metrohm gồm điện cực (điện cực