ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ BÁO CÁO THỰC NGHIỆM TRANSISTOR TRƯỜNG FET - KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG FET Sinh viên: Nguyễn Minh Quang MSV: 19021616 Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS 1.1 Khảo sát khuếch đại chiều (DC): - Nêu đặc điểm khác biệt transistor trường (yếu tố điều khiển thế) transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển dòng) Transistor trường (FET) - Là transistor đơn cực - Có chân: drain, source gate - Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mang điện đa số lỗ trống electron - Trở kháng lối vào lớn - Là thiết bị điều khiển điện áp - Ít nhiễu (Do khơng có lớp chuyển tiếp tiếp giáp) - Độ ổn định nhiệt tốt - Đắt tiền - Kích thước nhỏ - Khơng offset - Trở kháng lối thấp (độ lợi ít) - Có tốc độ chuyển mạch tần số cắt cao - Cơng suất tiêu thụ thấp - Có hệ số nhiệt độ dương - Phân cực khó - Có hệ số nhiệt độ âm - Phân cực đơn giản 1.2 Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC) Bảng A4-B3 Vin (IN) Biên độ Vout A Bảng A4-B4 F Biên độ Vout A Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET 2.1 Khảo sát hoạt động với tín hiệu chiều (DC) Vin (IN) Biên độ Vout V →-12V Biên độ Vout (J1 nối) Kết luận mối liên hệ vào theo tín hiệu điều khiển - Khi Transistor trường T1 bị cấm (Nối V với nguồn -12V), tương đương trường hợp khoá mở lối Vout ≈ V - Khi nối J1, transistor đóng vai trị khố đóng, V out = 2.2 Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC) - Khi nối nguồn -12V Nhận xét: Khi nối chốt V với nguồn -12V, JFET đóng vai trị khố đóng, nhiên có vài thời điểm có dịng qua nên sóng lối bị nhơ lên vào vài thời điểm khiến cho xung có dạng nhọn - Khi ngắt nguồn -12V nối J1 Tháo dây từ tới lối vào (IN) Nối đất lối vào IN/A Quan sát xem có tín hiệu không Đo giá trị (thường gọi đế truyền qua) Ta thấy có tín hiệu Giá trị 1.85V Sơ đồ khóa song song dùng JFET Bảng A4 – B6 V ¿(¿) Biên độ Vout Nối đất với lối vào (IN), đo biên độ sóng đế truyền qua Biến độ sóng = 80mV Cấp nguồn xoay chiều ~9V từ nguồn AC SOURCE thiết bị cho lối vào IN/A sơ đồ A4-3 Chốt ~0V nối đất ( nguồn xoay chiều channel A, đầu channel B, xung điều khiển channel C) Các sơ đồ khuếch đại MOSFET 4.1 Sơ đồ source chung CS Giá trị dòng ban đầu qua T1 : I = 1.10mA Bảng A4 – B7 Vin 10mV Biên độ Vout 600uV A 0.06 Đổi chế độ phát thiết bị từ phát sóng vng sang phát sóng dạng hình sin Thay đổi tần số sóng vào từ cực tiểu đến cực đại (bằng cách chỉnh tần số máy phát thiết bị chính), giữ nguyên biên độ sóng vào Biên độ sóng vào Vin = 500mV Bảng A4 – B8 f Biên độ Vout A 4.2 Sơ đồ Drain chung CD Giá trị dòng ban đầu qua T2 : I = 0.29mA , V = 0.59V Bảng A4 – B9 Vin 10mV Biên độ Vout 1.75mV A 0.175 Vẽ dạng tín hiệu vào ra: 4.3 Sơ đồ Gate chung CG Giá trị dòng ban đầu qua T3 : I = 0.0mA , V = 12.0V Bảng A4 – B10 Vin 0.1V Biên độ Vout 92.7mV A 0.925 Vẽ dạng tín hiệu vào ra: ... đơn giản 1.2 Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC) Bảng A4-B3 Vin (IN) Biên độ Vout A Bảng A4-B4 F Biên độ Vout A Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET 2.1 Khảo sát hoạt động với tín hiệu chiều (DC) Vin...1 Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS 1.1 Khảo sát khuếch đại chiều (DC): - Nêu đặc điểm khác biệt transistor trường (yếu tố điều khiển thế) transistor lưỡng cực (yếu... transistor trường (yếu tố điều khiển thế) transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển dòng) Transistor trường (FET) - Là transistor đơn cực - Có chân: drain, source gate - Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào