1. Trang chủ
  2. Giáo Dục - Đào Tạo

BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

131 30 0
BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 25/05/2022, 15:59

Xem thêm:

Hình ảnh liên quan

Bảng 1.1 Yêu cầu đầu ra của mạch - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Bảng 1.1.

Yêu cầu đầu ra của mạch Xem tại trang 16 của tài liệu.
Hình 2.8 Cấu trúc của NMOS và ký hiệu - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.8.

Cấu trúc của NMOS và ký hiệu Xem tại trang 24 của tài liệu.
Hình 2.9 NMOS trong vùng ngắt - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.9.

NMOS trong vùng ngắt Xem tại trang 25 của tài liệu.
Hình 2.15 Xét một điểm x bất kỳ trên kênh dẫn - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.15.

Xét một điểm x bất kỳ trên kênh dẫn Xem tại trang 31 của tài liệu.
Hình 2.20 Đặc tuyến I-V của MOSFET 2.2.2.5 Hiệu ứng thứ cấp - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.20.

Đặc tuyến I-V của MOSFET 2.2.2.5 Hiệu ứng thứ cấp Xem tại trang 34 của tài liệu.
Hình 2.19 Khi Vds tăng, điểm thắt kênh dịch về phía cực nguồn Đặc tuyến iD − vDS của MOSFET được phân thành 3 vùng: - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.19.

Khi Vds tăng, điểm thắt kênh dịch về phía cực nguồn Đặc tuyến iD − vDS của MOSFET được phân thành 3 vùng: Xem tại trang 34 của tài liệu.
Hình 2.25 Layout của cổng Inverter 2.4.2 Các vấn đề lưu ý trong Layout - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.25.

Layout của cổng Inverter 2.4.2 Các vấn đề lưu ý trong Layout Xem tại trang 39 của tài liệu.
Hình 2.26 Các tụ kí sinh trong MOSFET - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.26.

Các tụ kí sinh trong MOSFET Xem tại trang 40 của tài liệu.
Hình 2.29 Multi-finger MOSFET - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.29.

Multi-finger MOSFET Xem tại trang 41 của tài liệu.
Hình 2.30 Điện trở kí sinh trên dây và MOSFET 2.4.2.1.3 STI Dishing - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.30.

Điện trở kí sinh trên dây và MOSFET 2.4.2.1.3 STI Dishing Xem tại trang 42 của tài liệu.
Hình 2.37 Hiện tượng S/D Asymmetry 2.4.2.1.8 Antenna Effect - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.37.

Hiện tượng S/D Asymmetry 2.4.2.1.8 Antenna Effect Xem tại trang 45 của tài liệu.
Hình 2.36 Khắc phục Pattern non uniformity 2.4.2.1.7 S/D Asymmetry - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.36.

Khắc phục Pattern non uniformity 2.4.2.1.7 S/D Asymmetry Xem tại trang 45 của tài liệu.
Hình 2.39 Mạch vi sai - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.39.

Mạch vi sai Xem tại trang 47 của tài liệu.
Hình 2.40 Metal Coverage - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.40.

Metal Coverage Xem tại trang 47 của tài liệu.
Hình 2.47 Cấu tạo mạch gương dòng - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.47.

Cấu tạo mạch gương dòng Xem tại trang 53 của tài liệu.
Hình 2.48 Kỹ thuật xen kẽ - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.48.

Kỹ thuật xen kẽ Xem tại trang 53 của tài liệu.
Hình 2.50 Kỹ thuật che chắn - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.50.

Kỹ thuật che chắn Xem tại trang 54 của tài liệu.
Hình 2.51 Thiết bị giả - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.51.

Thiết bị giả Xem tại trang 55 của tài liệu.
Hình 2.52 Vòng bảo vệ - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 2.52.

Vòng bảo vệ Xem tại trang 55 của tài liệu.
Hình 3.38 Cấu tạo khối ổn định đầu vào - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 3.38.

Cấu tạo khối ổn định đầu vào Xem tại trang 81 của tài liệu.
Hình 3.41 Sóng 2 đầu ra của khối tăng biên độ tín hiệu - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 3.41.

Sóng 2 đầu ra của khối tăng biên độ tín hiệu Xem tại trang 83 của tài liệu.
Hình 3.44 DCD khi chưa có cặp cổng đảo mắc theo dạng back to back - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 3.44.

DCD khi chưa có cặp cổng đảo mắc theo dạng back to back Xem tại trang 84 của tài liệu.
Hình 3.43 Sóng trước khi qua Buffer (tím) và sóng sau khi qua Buffer (đỏ) - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 3.43.

Sóng trước khi qua Buffer (tím) và sóng sau khi qua Buffer (đỏ) Xem tại trang 84 của tài liệu.
Hình 3.60 Mạch điều khiển tín hiệu đầu ra - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 3.60.

Mạch điều khiển tín hiệu đầu ra Xem tại trang 93 của tài liệu.
Hình 3.63 Đi dây cho nguồn/đất khối điều khiển tín hiệu đầu ra - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 3.63.

Đi dây cho nguồn/đất khối điều khiển tín hiệu đầu ra Xem tại trang 94 của tài liệu.
Hình 3.69 Sơ đồ nguyên lý toàn mạch - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 3.69.

Sơ đồ nguyên lý toàn mạch Xem tại trang 96 của tài liệu.
Bảng 4.1 Kết quả mô phỏng DC Operating Point - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Bảng 4.1.

Kết quả mô phỏng DC Operating Point Xem tại trang 104 của tài liệu.
Hình 4.5 Test-bench mô phỏng AC Analysis - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Hình 4.5.

Test-bench mô phỏng AC Analysis Xem tại trang 114 của tài liệu.
Bảng 4.11: Kết quả trước thiết kế vật lý khối khuếch đại vi sai - BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET

Bảng 4.11.

Kết quả trước thiết kế vật lý khối khuếch đại vi sai Xem tại trang 120 của tài liệu.

Trích đoạn

Ổn định hồi tiếp âm

Kết luận chương

.4 Mạch self-bias bổ sung điện trở Rs

.7 Cấu trúc đầy đủ của mạch phân cực

Mạch khuếch đại vi sai

.63 Đi dây cho nguồn/đất khối điều khiển tín hiệu đầu ra

KẾT QUẢ MÔ PHỎNG THIẾT KẾ

.6 Biểu đồ Bode khi mô phỏng AC

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan