Đăng ký
  1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100

165 4 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Ngày đăng: 10/05/2022, 21:56

Xem thêm:

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 11 Hệ thống phóng điện phát sáng một chiều - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 11 Hệ thống phóng điện phát sáng một chiều (Trang 21)
Hình 16 Các bước tạo một mạch tích hợp [43,87] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 16 Các bước tạo một mạch tích hợp [43,87] (Trang 27)
Hình 17 Lắng đọng hơi hoá học tăng cường plasma trong hệ thống PECVD [85] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 17 Lắng đọng hơi hoá học tăng cường plasma trong hệ thống PECVD [85] (Trang 30)
Hình 110 Sự lắng đọng không phù hợp của SiO2 dùng SiH4/O2 [94] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 110 Sự lắng đọng không phù hợp của SiO2 dùng SiH4/O2 [94] (Trang 33)
Bước 2 Lựa chọn các hình dạng - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
c 2 Lựa chọn các hình dạng (Trang 34)
Hình 113 Plasma cảm ứng; Nhiệt độ electron được hiển thị dưới dạng biểu đồ lát cắt và mật độ dòng điện gây ra trong plasma được hiển thị dưới dạng các dòng - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 113 Plasma cảm ứng; Nhiệt độ electron được hiển thị dưới dạng biểu đồ lát cắt và mật độ dòng điện gây ra trong plasma được hiển thị dưới dạng các dòng (Trang 36)
Hình 115 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong phân tử O2 [37] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 115 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong phân tử O2 [37] (Trang 46)
Hình 116 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Ar [57, 82] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 116 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Ar [57, 82] (Trang 47)
Hình 117 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Kr [44] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 117 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Kr [44] (Trang 48)
Hình 118 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Xe [73, 92] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 118 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử Xe [73, 92] (Trang 49)
Hình 119 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử He [77, 92] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 119 Bộtiết diện va chạm của các electrontrong nguyên tử He [77, 92] (Trang 50)
Hình 21 Hàm phân bố Maxwellian và Druyvesteyn [14] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 21 Hàm phân bố Maxwellian và Druyvesteyn [14] (Trang 57)
Hình 23 Hàm phân phối đo ở môi trường áp suất (0,32 Torr) [14] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 23 Hàm phân phối đo ở môi trường áp suất (0,32 Torr) [14] (Trang 58)
Hình 22 Hàm phân phối đo ở áp suất thấp (1,3m Torr) [14] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 22 Hàm phân phối đo ở áp suất thấp (1,3m Torr) [14] (Trang 58)
Hình 25 Lưu đồ thuật toán áp dụng phương pháp Monte Carlo - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 25 Lưu đồ thuật toán áp dụng phương pháp Monte Carlo (Trang 68)
Hình 33 Hệ số ion hóa cho phân tử khí TRIES nguyên chất - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 33 Hệ số ion hóa cho phân tử khí TRIES nguyên chất (Trang 79)
(Hình 3 5a) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-O2 - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 5a) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-O2 (Trang 82)
(Hình 3 5b) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ar - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 5b) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Ar (Trang 83)
(Hình 3 5c) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Kr - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 5c) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Kr (Trang 84)
(Hình 3 5d) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 5d) Vận tốc dịch chuyển electron của hỗn hợp khí TRIES-Xe (Trang 85)
(Hình 3 6d) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 6d) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-Xe (Trang 91)
(Hình 3 6e) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-He - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 6e) Hệ số khuếch tándọc NDL của hỗn hợp khí TRIES-He (Trang 92)
(Hình 3 7a) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-O2 - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 7a) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-O2 (Trang 94)
(Hình 3 7c) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Kr - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 7c) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES – Kr (Trang 96)
(Hình 3 7d) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 7d) Hệ số khuếch tán theo chiều dọc với độ linh độngelectron (DL/µ) của hỗn hợp khí TRIES-Xe (Trang 97)
(Hình 3 8a) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-O2 - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 8a) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-O2 (Trang 100)
(Hình 3 8b) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ar - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 8b) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ar (Trang 101)
(Hình 3 8d) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Xe - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 8d) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Xe (Trang 103)
(Hình 3 8e) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-He - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 8e) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-He (Trang 104)
(Hình 3 8g) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ne - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100
Hình 3 8g) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ne (Trang 105)

TRÍCH ĐOẠN

Phương pháp đám electron Kết luận chươn g2 Xác định bộtiết diện va chạmelectron trong phân tử khí TRIES Cáchệ số chuyển độngelectron của hỗn hợp khí TRIES với O2,Ar, Kr, Xe, He Cáchệ số khuếch tán theo chiều dọc mật độ đặc trưng và tỷ lệ của hệ số

Cáchệ số ion hóa do va chạm (α/N)

Kết luận chương 3

Những đóng góp mới của luận án

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w