Nội dung chương 3 đã trình bày được các kết quả nghiên cứu liên quan đến việc:
- Xác định chính xác bộ tiết diện va chạm electron của phân tử khí
TRIES Đồng thời, các bộ tiết diện va chạm của các electron khi xảy ra phóng điện trong các phân tử khí O2 và nguyên tử khí Ar, Kr, Xe, He và Ne đã được tác giả chủ động nghiên cứu tổng hợp và kiểm chứng tính chính xác của các bộ tiết diện thông qua tính toán và so sánh các hệ số chuyển động của electron trong từng phân tử nguyên tử/nguyên tử khí nguyên chất với kết quả trong thực nghiệm Các kết quả nghiên cứu liên quan đã được công bố ở các bài báo số [5] và [6] trong danh mục công trình khoa học đã được công bố của nghiên cứu sinh (công bố thuộc tạp chí nằm trong danh mục WoS (ISI/SCI))
- Trên cơ sở của phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann, luận ánđã thực hiện tính toán các hệ số chuyển động electron trong hỗn hợp khí của khí TRIES với các chất khí khác (O2, Ar, Kr, Xe, He và Ne) Các hệ số chuyển động electron bao gồm: vận tốc va chạm của các electron, hệ số chuyển động ngang và dọc của các electron, hệ số ion hóa và hệ số kết hợp Các kết quả này nhằm cung cấp dữ liệu, hỗ trợ việc xem xét khả năng ứng dụng của phân tử khí TRIES cũng như hỗn hợp của chất khí TRIES với các chất khí khác trong công nghệ chế tạo vi mạch Những kết quả này là nguồn tài liệu tham khảo quan trọng trong việc sử dụng quá trình plasma trong công nghệ chế tạo vi mạch
KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO 1 Những kết quả chính đã đạt được của luận án
- Luận án đã nghiên cứu cơ bản tổng quan về các quá trình xảy ra trong plasma cụ thể là các quá trình va chạm của nguyên tử, phân tử với electron trong plasma để xác định các bộ tiết diện va chạm và các tham số vật lý liên quan đến quá trình va chạm
- Bằng việc sử dụng phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann và phương pháp Monte-Carlo, luận án đã xác định bộ tiết diện va chạm electron thích hợp của phân tử khí dạng hợp chất hữu cơ TRIES khi xảy ra phóng điện để định hướng ứng dụng tạo nguồn plasma trong công nghệ chế tạo vi mạch Việc áp dụng thuật toán cùng các kết quả nghiên cứu liên quan đã được công bố ở các bài báo số [1], [2], [4], [5] và [6] trong danh mục công trình khoa học đã được công bố của nghiên cứu sinh
- Luận án đã xác định được các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của chất khí TRIES và hỗn hợp của chất khí TRIES với các chất khí khác (TRIES - O2, TRIES - Ar, TRIES - Kr, TRIES - Xe, TRIES - He và TRIES - Ne), cụ thể là các hệ số chuyển động electron: vận tốc va chạm của các electron, hệ số chuyển động ngang và dọc của các electron, hệ số ion hóa và hệ số kết hợp nhằm xem xét khả năng ứng dụng của phân tử khí TRIES cũng như hỗn hợp của chất khí TRIES với các chất khí khác trong công nghệ chế tạo vi mạch Các kết quả đã được công bố ở bài báo số [3], [5] và [7] trong danh mục công trình khoa học đã được công bố của nghiên cứu sinh
2 Những đóng góp mới của luận án
* Với các nội dung và kết quả nghiên cứu đã thực hiện được, luận án có những đóng góp mới về khoa học sau:
- Xác định bộ tiết diện va chạm electron thích hợp của phân tử khí dạng hợp chất hữu cơ TRIES khi xảy ra phóng điện thông qua giải phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann và phương pháp Monte-Carlo
- Xác định được các hệ số chuyển động electron: vận tốc va chạm của các electron, hệ số chuyển động ngang và dọc của các electron, hệ số ion hóa và hệ số kết hợp của chất khí TRIES và các hỗn hợp khí TRIES - O2, TRIES - Ar, TRIES - Kr, TRIES - Xe, TRIES - He và TRIES – Ne nhằm cung cấp dữ liệu, hỗ trợ việc xem xét khả năng ứng dụng của phân tử khí TRIES cũng như hỗn hợp của chất khí TRIES với các chất khí khác trong công nghệ chế tạo vi mạch Những kết quả này là nguồn tài liệu tham khảo quan trọng trong việc sử dụng quá trình plasma trong công nghệ chế tạo vi mạch
* Ý nghĩa thực tiễn của nghiên cứu:
- Trong quá trình nghiên cứu của nghiên cứu sinh đã tìm hiểu nhận thấy các kết quả về tạo nguồn plasma trên thế giới còn thiếu một khoảng trống trong các vấn đề của khí làm tiền chất TRIES nhằm xem xét khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch TRIES được xem làtiền chất cho quá trình tạo plasma để khắc plasma và lắng đọng màng mỏng trong quá trình chế tạo vi mạch giúp cho quá trình lắng đọng màng mỏng nhanh hơn, không bị lỗi, có thể thu nhỏ kích thước linh kiện
-Bộ tiết diện va chạm của chất khí TRIES được xác định là khá tin cậy và kết quả này cũng đã được công bố ở bài báo số [5] trong danh mục công trình khoa học đã được công bố Bộ tiết diện này là dữ liệu đầu vào phù hợp cho các phần mềm phục vụ nghiên cứu mô phỏng các mô hình plasma Các kết quả mô phỏng, đánh giá quá trình plasma và các tham số plasma chính xác sẽ giúp nâng cao hiệu quả và giảm chi phí so với phương pháp thử-sai bằng thực nghiệm
- Bộ dữ liệu về các hệ số chuyển động electron: vận tốc va chạm của các electron, hệ số chuyển động ngang và dọc của các electron, hệ số ion hóa và hệ số kết hợp của chất khí TRIES và các hỗn hợp khí TRIES - O2, TRIES - Ar, TRIES - Kr, TRIES - Xe, TRIES - He và TRIES – Ne sẽ là nguồn tài liệu tham khảo quan trọng cho các nhà nghiên cứu, nhà sản xuất áp dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
3 Hướng nghiên cứu và phát triển tiếp theo
- Dựa trên các bộ tiết diện va chạm electron của các chất khí, chúng ta có thể tiếp tục nghiên cứumô phỏng các mô hình plasma
- Dựa trên độ chính xác của các bộ tiết diện va chạm electron đã có trong nghiên cứu cũng như tính đúng đắn, phù hợp của thuật toán giải phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann cũng như phương pháp Monte – Carlo, chúng ta có thể tiếp tục mở rộng nghiên cứu đối với các chất khí khác hiện này còn thiếu dữ liệu
- Chủ động tiếp tục nghiên cứu thực nghiệm các thông số kỹ thuật của chất khí TRIES cũng như các hỗn hợp chất khí đã được nghiên cứu trong luận án này để tăng khả năng tin cậy, mở rộng khả năng ứng dụng cho các nhà nghiên cứu, sản xuất trong công nghệ chế tạo vi mạch cũng như các lĩnh vực kỹ thuật khác
DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ ĐƯỢC CÔNG BỐ
[1] Phan Thi Tuoi, Pham Xuan Hien, Tran Thanh Son, and Do Anh
Tuan, “Calculation and Analysis of Electron Transport Coefficients in BF3-N2 and TMS-N2 Gas Mixtures“, International Journal of Smart Grid and Clean Energy,
vol 6, no 2, pp 77-83, Apr 2017 (Q4-SCI)
[2] Phan Thi Tuoi, Pham Xuan Hien, Pham Ngoc Thang, and Do Anh Tuan, “Electron Transport Coefficients and Initial Electron Collision Cross Sections for
Triethoxysilane Molecule”, Tạ p chí Khoa h ọc và Công ngh ệ (Trường Đạ i h ọ c
Công nghi ệ p Hà N ội), s ố 43, pp 45-48, 12 2017
[3] Phan Thi Tuoi, Phạm Xuan Hien, Do Anh Tuan, “Electron Transport
Coefficients in Binary Mixtures of Tetramethylsilane Gas with Kr, Xe, He and Ne Gases”, MATEC Web of Conferences 189, 11006 – 1-7 (2018)
[4] Pham Xuan Hien, Phan Thi Tuoi, and Do Anh Tuan, “Electron Transport
Coefficients and Rate Coefficients in C2H4-N2 Mixture for Fluid Model“, Tạ p chí
Khoa h ọ c và Công ngh ệ Năng lượng (Trường Đạ i h ọc Điệ n l ự c), s ố 16, pp 66- 72, 8 2018
[5] Phan Thi Tuoi, Pham Xuan Hien, and Do Anh Tuan, “Electron Collision
Cross Sections for the TRIES Molecule and Electron Transport Coefficients in TRIES-Ar and TRIES-O2 Mixtures“, Journal of the Korean Physical Society, vol
73, no 12, pp 1855-1862, Dec 2018 (Q3 -SCI)
[6] Pham Xuan Hien, Phan Thi Tuoi, Tang Cam Nhung, and Do Anh
Tuan, “Studying Effect of Adding Buffer Gases Studying Effect of Adding Buffer
Gases Transport Coefficients“, ICERA 2019, Springer Nature Switzerland, pp
693-703, 2020
[7] Pham Xuan Hien, Phan Thi Tuoi, and Do Anh Tuan , “Electron transport
coefficients in TRIES-SiH4 mixture”, T ạ p chí Nghiên c ứ u Khoa h ọc và Công ngh ệ
TÀI LIỆU THAM KHẢO TIẾNG VIỆT
1 Tạ Thị Phương Hòa (2012), Plasma và ứng dụng trong kỹ thuật vật liệu polyme, Nxb Bách Khoa–Hà Nội
TIẾNG ANH 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
全全全 (1999), Determination electron collision cross sections of O2 and C3 F8 molecules by electron swarm study, 全全全全全全
Kosaku Yoshida (2011), "Electron Transport Properties in HSi(OC2H5)3 Vapor", Japanese Journal of Applied Physics 50(12R), tr 120210
Do Anh Tuan (2014), "Calculations of electron transport coefficients in Cl2- Ar, Cl2-Xe and Cl2-O2 mixtures", Journal of the Korean Physical Society 64(1), tr 23-29
DA Tuan (2012), Determination of Electron Collision Cross Sections for F2, Cl2 Molecules, and Electron Transport Coefficients in Mixture Gases as Pro-spective Substitutes for the SF6 Gas in Industrial Applications, PhD Dissertation
H Tagashira, Y Sakai, S Sakamoto (1977), "The development of electron avalanches in argon at high E/N values II Boltzmann equation analysis",
Journal of Physics D: Applied Physics 10(7), tr 1051
Sabrina Spaggiari (2013), "Antiapoptotic activity of argon and xenon", Cell
cycle 12(16), tr 2636-2642
M Shimozuma and H Tagashira (1981), "Measurement of the ionisation coefficients in nitrogen and methane mixtures", Journal of Physics D:
Applied Physics 14(10), tr 1783
K Schmidt-Rohr (2020), Oxygen is the high-energy molecule powering complex multicellular life: fundamental corrections to traditional bioenergetics ACS Omega 5: 2221–2233
K Satoh (1988), "Electron swarm development in SF6 II Monte Carlo simulation", Journal of Physics D: Applied Physics 21(6), tr 931 Idris H Salih, Mohammad M Othman and Sherzad A Taha (2020), "Calculation of Electron Swarm Parameters in Tetrafluoromethane", Aro
the scientific Journal of koya University 8(2), tr 22-28
Y Sakai, H Tagashira and S Sakamoto (1977), "The development of electron avalanches in argon at high E/N values I Monte Carlo simulation", Journal of Physics D: Applied Physics 10(7), tr 1035 Ivan D Reid (1979), "An investigation of the accuracy of numerical solutions of Boltzmann's equation for electron swarms in gases with large inelastic cross sections", Australian Journal of Physics 32(3), tr 231-254 SW Rayment and ND Twiddy (1968), "Electron energy distributions in the low-pressure mercury-vapour discharge: the Langmuir paradox",
Proceedings of the Royal Society of London Series A Mathematical and Physical Sciences 304(1476), tr 87-98
15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
Xi Rao (2020), "Plasma deposited high density amines on surface using (3- aminopropyl) triethoxysilane for assembling particles at near-nano size",
Materials Chemistry and Physics 240, tr 121974
OV Proshin (2015), "Experimental and theoretical study of RF capacitively coupled plasma in Ar–CF4–CF3I mixtures", Plasma Sources Science and
Technology 24(5), tr 055006
DA Price and JL Moruzzi (1973), "Ionization in mixtures of oxygen and carbon monoxide", Journal of Physics D: Applied Physics 6(2), tr L17 V Prasad (2002), "Modeling and simulation of plasma enhanced
processing for integrated circuit fabrication", Vacuum 65(3-4), tr 443-455 Jacques Pelletier and André Anders (2005), "Plasma-based ion implantation and deposition: A review of physics, technology, and applications", IEEE
Transactions on Plasma Science 33(6), tr 1944-1959
Mohammad Mustafa Othman, Gullala YasenBakr and Sherzad Aziz Taha, "Study Of Electron Transport Coefficients And Critical Field Strength In N2O And N2O-SF6 Mixtures Using Boltzmann Equation Analysis" Mohammad M Othman and Saeed Rasool Hussein (2020), "Boltzmann equation studies on electron swarm parameters for oxygen plasma by using electron collision cross–sections", Zanco Journal of Pure and Applied
Sciences 32(5), tr 36-53
Ž Nikitović, V Stojanović and M Radmilović-Radjenović (2011),
"Transport Coefficients For Electrons in Mixtures CF4/Ar/O2 and CF, CF2 or CF3 Radicals", Acta Physica Polonica A 120(2), tr 289-291
Yoshiharu Nakamura (2013), "Electron swarm parameters and electron collision cross sections", Fusion Science and Technology 63(3), tr 378- 384
Y Nakamura, "Electron Swarm Study-An Effective Approach to Electron- Atom/Molecule"
Hisao Nagai (2003), "Fabrication of multilayered SiOCH films with low dielectric constant employing layer-by-layer process of plasma enhanced chemical vapor deposition and oxidation", Japanese journal of applied
physics 42(5R), tr 2775
Bassem Mouawad (2012), "Application of the spark plasma sintering technique to low-temperature copper bonding", IEEE Transactions on
Components, Packaging and Manufacturing Technology 2(4), tr 553-560
Faizan Mehmood, Tariq Kamal and Umair Ashraf (2018), "Generation and applications of plasma (an academic review)"
Thierry Materne, François de Buyl and Gerald L Witucki (2012), "Organosilane technology in coating applications: review and perspectives", Dow Corning 16
BP Marinković (2007), Cross section data for electron collisions in plasma physics, Journal of Physics: Conference Series, IOP Publishing, tr 012006
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
Hu Li (2019), "Computational study on silicon oxide plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process using
tetraethoxysilane/oxygen/argon/helium", Japanese Journal of Applied
Physics 58(SE), tr SEED06
Zhang Lei (2011), "Effects of double promoters on direct synthesis of triethoxysilane in gas–solid stirred fluidized bed", Applied Organometallic
Chemistry 25(7), tr 508-513
M Kurachi and Y Nakamura (1989), "Electron collision cross sections for the monosilane molecule", Journal of Physics D: Applied Physics 22(1), tr 107
Jaehong Kim (2009), "SiO2 films deposited by APCVD with a
TEOS/Ozone mixture and its application to the gate dielectric of TFTs",
Journal of The Electrochemical Society 157(2), tr H182
Satoru Kawaguchi (2019), "Dissociative reactions induced by electron impact and electron transport in TEOS vapor", Japanese Journal of Applied
Physics 58(6), tr 066003
O Kardasheva (2013), "Application of intert gases", ББК 81 2 Т65(9), tr 43
Masakoto Kanezashi (2017), "Pore size tuning of sol-gel-derived triethoxysilane (TRIES) membranes for gas separation", Journal of
Membrane Science 524, tr 64-72
Byoung-Hoon Jeon (2003), "Determination of electron collision cross- sections for the oxygen molecule by using an electron swarm study",
Journal of the Korean Physical Society 43(4), tr 513-525
H Itoh (1990), "Electron energy distribution and transport coefficients of electron swarms in SF6 and nitrogen mixtures", Journal of Physics D:
Applied Physics 23(4), tr 415
E Igenbergs (1995), "On the application of plasma pulses generated by electromagnetic and electrothermal launchers for surface treatment", IEEE
transactions on magnetics 31(1), tr 735-739
Leonard George Holden Huxley and Robert Woodhouse Crompton (1974), "Diffusion and drift of electrons in gases"
E Hnatiuc (2012), A review over the cold plasma reactors and their applications, 2012 International Conference and Exposition on Electrical
and Power Engineering, IEEE, tr 497-502
Pham Xuan Hien, Do Anh Tuan and Byung-Hoon Jeon (2012), "Electron collision cross sections for the TMS molecule and electron transport coefficients in TMS-Ar and TMS-O2 mixtures", Journal of the Korean
Physical Society 61(1), tr 62-72
Dennis W Hess (1979), "Process technology of silicon integrated- circuits",
44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59
Ml Hayashi (1982), "Luminous layers in the prebreakdown region of low pressure noble gases", Journal of Physics D: Applied Physics 15(8), tr 1411
H Hasegaw (1996), "The drift velocity and longitudinal diffusion coefficient of electrons in nitrogen and carbon dioxide from 20 to 1000 Td", Journal of Physics D: Applied Physics 29(10), tr 2664
IW Fomunung, Zhifan Chen and AZ Msezane (1996), "Electron excitation of optically-allowed transitions in CO2, SF6, CO, F2, and SO2", Physical Review A 53(2), tr 806
Germain L Fenger (2010), Development of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) gate dielectrics for TFT applications, Rochester
Institute of Technology
Norman G Einspruch and Dale M Brown (2014), Plasma processing for VLSI, Academic Press
Eda A Egüz (2019), Measurements of Swarm Parameters in C4F7N: O2 : CO2, C5F10O: O2: CO2 and C5F10O: O2: N2 Mixtures, The International
Symposium on High Voltage Engineering, Springer, tr 492-503
Daryl Ann Doane, David B Fraser and Dennis W Hess (1982), Proceedings of the Tutorial Symposium on Semiconductor Technology, Vol 82,
Pennington, NJ: Electrochemical Society
Francis F Chen (1995), "Industrial applications of low‐temperature plasma physics", Physics of Plasmas 2(6), tr 2164-2175
National Research Council (1996), Database Needs for Modeling and Simulation of Plasma Processing, National Academies Press
Shiyuan Cong (2021), "Numerical simulation of the cathode erosion by ion sputtering in hollow cathode arc discharges", Physics of Plasmas 28(5), tr 053506
H Conrads and M Schmidt (2000), "Plasma generation and plasma sources", Plasma Sources Science and Technology 9(4), tr 441 JW Coburn and Harold F Winters (1983), "Plasma-assisted etching in microfabrication", Annual Review of Materials Science 13(1), tr 91-116 Comsol bv and Comsol oy (1998), "Comsol Multiphysics User’s Guide© Copyright 1998–2010 Comsol ab"
GL Braglia and A Baiocchi (1978), "The diffusion and drift of electrons in gases: II A Monte-Carlo simulation in argon", Physica B+ C 95(2), tr