Kết luận chươn g2

Một phần của tài liệu Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100 (Trang 72 - 73)

Chương 2 đã thự c hiệ n trình bày được một s ố nội dung như sau :

- Phương trình xấ p x ỉ bậ c hai Boltzmann, trên cơ sở c ủa phương trình xấ p x ỉ bậ c hai Boltzmann để ta có th ể xác định các h ệ số chuyển động electron

- Áp d ụng lưu đồ thu ậ t toán tính toán hàm phân b ố năng lượng c ủa phương trình x ấ p xỉ bậ c hai Bolzmann để tính toán các h ằ ng số chuyển độ ng

- Dùng lưu đồ thu ậ t toán c ủa phương pháp Monte Carlo để xác định các ti ế t diệ n va ch ạ m t ừ đó khẳng định tính chính xác c ủa b ộ tiế t di ện ban đầ u l ấ y làm mẫu sau đó tính toán các tham số chuyển động electron bên c ạnh đó còn với m ụ c đích để so sánh v ới phương pháp của phương trình x ấ p x ỉ bậ c hai Boltzmann

- Lưu đồ thu ậ t toán c ủa phương pháp đám electron là cơ sở để khẳng định b ộ tiế t di ệ n va ch ạ m electron cu ố i cùng Nh ữ ng lý thuyết này đã đượ c nghiên c ứ u sinh sử dụng trong vi ệ c nghiên c ứ u, tính toán các k ế t qu ả và được công b ố trong 07 bài báo khoa h ọc đã được công bố trong danh mục công trình khoa học đã được công bố của nghiên cứu sinh

Sau khi đã nghiên cứ u nh ữ ng v ấn đề trên, tác gi ả đã áp dụng phương pháp đám electron và sử d ụ ng gi ả i các phương trình của Boltzmann và Monte -Carlo trong vi ệc xác định chính xác b ộ tiế t di ệ n va ch ạ m electron trong phân t ử khí

TRIES đồ ng th ời chủ động th ự c hi ệnđánh giá tính đúng đắ n c ủa các b ộ tiế t di ệ n va ch ạ m electron trong phân t ử khí O2 và các nguyên t ử khí Ar, Kr, Xe, He và Ne

CHƯƠNG 3: CÁC KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU

Như đã trình bày ở chương 1 và chương 2, việc xác định bộ tiết diện va chạm electron cho phân tử khí TRIES và các hệ số chuyển động electron trong chất khí/hỗn hợp khí sử dụng khí TRIES là cần thiết Thứ nhất, nghiên cứu sinh qua tìm hiểu thấy một số chất cùng họ với TRIES như TEOS, TMS đã được xác định đầy đủ về bộ tiết va chạm electron và các thông số kỹ thuật liên quan [42, 66], chất khí TRIES chưa được xác định đầy đủ về bộ tiết diện va chạm electron Do đó, nội dung chương 3 này sẽ thực hiện trình bày các kết quả nghiên cứu được trong việc xác định khá chính xác bộ tiết diện va chạm electron cho phân tử khí TRIES Thứ hai, nhằm mục đích xem xét khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch điện tử, các thông số va chạm electrontrong hỗn hợp các chất khí TRIES và các chất khí khác với các tỷ lệ phần trăm khác nhau đã được tính toán để hỗ trợ cho các nhà sản xuất trong lựa chọn theo mục đích riêng và xem xét khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch Hiện tại, các thông số kỹ thuật này còn thiếu, chưa có sẵn Tuy nhiên, do điều kiện trong nước không thể tiến hành thực nghiệm, luận án chỉ khiêm tốn thực hiện việc tính toán mô phỏng thông qua việc giải các phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann đối với các hệ số chuyển động electron trong các hỗn hợp của chất khí TRIES với các khí khác (O2, Ar, Kr, Xe, He, Ne) Các bộ tiết diện va chạm electron của các khí O2, Ar, Kr, Xe, He và Ne lần lượt được trình bày trong phụ lục 3 đến phụ lục 8 và đã được chủ động kiểm tra tính chính xác của các bộ tiết diện va chạm electron này

Một phần của tài liệu Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch 100 (Trang 72 - 73)

Tải bản đầy đủ (DOCX)

(165 trang)
w