Nghiên cứu xử lý lỗi trên cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình t

Nghiên cứu xử lý lỗi trên cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình t Nghiên cứu xử lý lỗi trên cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình t Nghiên cứu xử lý lỗi trên cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình t Nghiên cứu xử lý lỗi trên cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình t

LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP MỤC LỤC LÝ LỊCH KHOA HỌC i LỜI CAM ĐOAN iii LỜI CẢM TẠ iv TÓM TẮT LUẬN VĂN v MỤC LỤC ix DANH MỤC HÌNH xii DANH MỤC BẢNG xvi DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT xvii Chương TỔNG QUAN .1 1.1 Tổng quan lĩnh vực nghiên cứu 1.2 Mục đích đề tài .3 1.3 Nhiệm vụ giới hạn đề tài 1.4 Phương pháp nghiên cứu 1.5 Điểm đề tài 1.6 Giá trị thực tiễn đề tài Chương CƠ SỞ LÝ THUYẾT 2.1 Lý thuyết nghịch lưu 2.1.1 Khái niệm 2.1.2 Bộ nghịch lưu áp 2.1.3 Các cấu trúc nghịch lưu ba bậc thông dụng .5 2.2 Nghịch lưu tăng áp nghịch lưu nguồn Z : 10 2.2.1 Nghịch lưu truyền thống kết hợp với tăng áp: .10 2.2.2 Nghịch lưu nguồn Z: 10 Trang ix LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP 2.3 Các vấn đề lỗi xảy cấu hình nghịch lưu: 13 2.4 Lỗi dung sai lỗi không cho phép xảy 15 2.5 Quy trình xử lý 17 2.5.1 Phát lỗi 17 2.5.2 Cách ly linh kiện lỗi 18 2.5.3 Thay nhánh bị lỗi nhánh dự phòng .18 Chương CẤU HÌNH BỘ NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC NGUỒN Z HÌNH T CĨ KHẢ NĂNG CHỊU LỖI (ĐỀ XUẤT) 22 3.1 Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T có khả chịu lỗi .22 3.2 Nguyên lý hoạt động nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T có khả chịu lỗi 23 3.3 Giải thuật điều chế độ rộng xung (PWM) 27 3.4 Chế độ ngắn mạch chế độ không ngắn mạch .28 3.4.1 Chế độ không ngắn mạch 28 3.4.2 Chế độ ngắn mạch 28 Chương KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM .30 4.1 Xây dựng mơ hình thực nghiệm .30 4.1.1 Mơ hình thực nghiệm 30 4.1.2 Mô tả chi tiết 32 4.1.2.1 Kit điều khiển TMS320F28335 32 4.1.2.2 Kit FPGA Cyclone II EP2C5T144 32 4.1.2.3 Mạch nguồn kích 33 4.1.2.4 Mạch cảm biến áp 33 Trang x LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP 4.1.2.5 Mạch nghịch lưu đề xuất .35 4.2 Kết mô thực nghiệm: 35 4.2.1 Kết mô : 37 4.2.2 Kết thực nghiệm : 46 Chương KẾT LUẬN 58 5.1 Kết luận .58 5.2 Hướng phát triển .58 TÀI LIỆU THAM KHẢO 60 PHỤ LỤC 63 Trang xi LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP DANH MỤC HÌNH Hình 2.1: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc dạng NPC Hình 2.2: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc dạng tụ kẹp .7 Hình 2.3: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc dạng cascade .8 Hình 2.4: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T .9 Bảng 2.1: So sánh số linh kiện cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc Hình 2.5: Cấu hình nghịch lưu nguồn Z 11 Hình 2.6: Cấu hình nghịch lưu nguồn Z trạng thái khơng ngắn mạch .11 Hình 2.7: Cấu hình nghịch lưu nguồn Z trạng thái ngắn mạch 12 Hình 2.8: (a) S1a hở mạch 16 (b) S1a ngắn mạch (bậc zero) 16 (c) S1a ngắn mạch bậc âm 16 Hình 2.9: (a) S2a hở mạch 17 (b) S2a ngắn mạch 17 Hình 2.10: Thêm linh kiện dự phòng : cho nửa cho nửa cầu nghịch lưu .19 Hình 2.11: Thêm nhánh dự phòng cho pha cầu nghịch lưu 20 Hình 2.12: Thêm cầu nghịch lưu dự phòng (bên phải) 21 Hình 3.1: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T có khả chịu lỗi22 Hình 3.2: Giai đoạn hoạt động bình thường 23 Hình 3.3: Giai đoạn xảy cố .24 Hình 3.4: Dạng sóng điện áp pha A trước tải S1a hở mạch 24 Hình 3.6: Cấu hình nghịch lưu ba bậc nguồn Z hình T sau đóng nhánh dự phòng .26 Hình 3.7: Giải thuật tạo PWM cho nghịch lưu ba pha ba bậc hình T .27 Hình 4.1: Sơ đồ khối mơ hình thực nghiệm 30 Hình 4.2: Mạch thực nghiệm đề xuất 31 Hình 4.3: Mơ hình thực tế thí nghiệm đề xuất 31 Hình 4.4: Kit vi xử lý DSP TMS320F28335 .32 Trang xii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.5: Kit FPGA Cyclone II EP2C5T144 32 Hình 4.6: Sơ đồ chân IC DCH01 33 Hình 4.7: Sơ đồ mạch nguồn kích 33 Hình 4.8: Sơ đồ nguyên lý mạch cảm biến áp .34 Hình 4.9: Mạch cảm biến áp 34 Hình 4.10: Hình dạng sơ đồ chân IGBT G40N60 G40N120 35 Hình 4.11: Hình dạng sơ đồ chân điốt DSEI60-06 35 Bảng 4.1: Thông số mạch sử dụng mô thực nghiệm 36 Hình 4.12: Điện áp dây VAB điều kiện bình thường 37 Hình 4.13: Điện áp pha VAN điều kiện bình thường 37 Hình 4.14: Dịng điện qua tải pha A điều kiện bình thường .38 Hình 4.15: Điện áp điều kiện bình thường 38 Hình 4.16: Điện áp tụ điều kiện bình thường 39 Hình 4.17: Tổng méo hài (THD) điều kiện bình thường 39 Hình 4.18: Điện áp dây VAB điều kiện lỗi S1a hở mạch khơng xử lý 40 Hình 4.19: Điện áp dây VAB điều kiện lỗi S4a hở mạch khơng xử lý 40 Hình 4.20: Điện áp pha VAN điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 41 Hình 4.21: Dịng điện qua tải pha A điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 41 Hình 4.22: Điện áp điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 42 Hình 4.23: Điện áp tụ điều kiện lỗi S1a hở mạch khơng xử lý .42 Hình 4.24: Tổng méo hài (THD) điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 43 Hình 4.25: Điện áp dây VAB điều kiện xử lý lỗi 43 Hình 4.26: Điện áp pha VAN điều kiện xử lý lỗi 44 Hình 4.27: Dịng điện qua tải pha A điều kiện xử lý lỗi .44 Hình 4.28: Điện áp điều kiện xử lý lỗi 45 Hình 4.29: Điện áp tụ điều kiện xử lý lỗi 45 Trang xiii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.30: Tổng méo hài (THD) điều kiện xử lý lỗi 46 Hình 4.31: Kết thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện bình thường .46 Hình 4.32: Kết thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện bình thường .47 Hình 4.33: Kết thực nghiệm dòng điện qua tải pha A điều kiện bình thường .47 Hình 4.34: Kết thực nghiệm điện áp điều kiện bình thường .48 Hình 4.35: Kết thực nghiệm điện áp tụ điều kiện bình thường 48 Hình 4.36: Kết thực nghiệm tổng méo hài (THD) điều kiện bình thường 49 Hình 4.37: Kết thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện lỗi S4a hở mạch không xử lý 49 Hình 4.38: Kết thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 50 Hình 4.39: Kết thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 50 Hình 4.40: Kết thực nghiệm dịng điện qua tải pha A điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 51 Hình 4.41: Kết thực nghiệm điện áp điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 51 Hình 4.42: Kết thực nghiệm điện áp tụ điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 52 Hình 4.43: Kết thực nghiệm tổng méo hài (THD) điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý 52 Hình 4.44: Kết thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện xử lý lỗi 53 Hình 4.45: Kết thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện xử lý lỗi .53 Hình 4.46: Kết thực nghiệm dịng điện qua tải pha A điều kiện xử lý lỗi 54 Hình 4.47: Kết thực nghiệm điện áp điều kiện xử lý lỗi .54 Hình 4.48: Kết thực nghiệm điện áp tụ điều kiện xử lý lỗi 55 Trang xiv LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.49: Kết thực nghiệm tổng méo hài (THD) điều kiện xử lý lỗi .55 Trang xv LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP DANH MỤC BẢNG Bảng 2.1: So sánh số linh kiện cấu hình nghịch lưu ba bậc Bảng 2.2: Các nguyên nhân thường gặp 14 Bảng 4.1: Thơng số dùng mơ thí nghiệm 36 Bảng 4.2: So sánh kết mô thực nghiệm 57 Trang xvi LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT DANH SÁCH KÝ HIỆU Ký hiệu Vin VC Io Vab Đơn vị V V A V Ý nghĩa Nguồn áp vào Điện áp tụ Dòng ngõ Điện áp ngõ DANH SÁCH CHỮ VIẾT TẮT MLIs NPC FC CHB AC DC SDC SC IGBT DSP PWM Multilevel inverters Neutral Point Clamped Flying capacitors Cascade H-Bridge Alternating Current Direct Current Switched-diode-capacitor Switched-capacitor Insulated-gate bipolar transistor Digital signal processing Pulse width modulation Trang xvii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Chương TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan lĩnh vực nghiên cứu Điện phát minh vĩ đại làm thay đổi sống loài người ngày Điện có vai trị quan trọng việc thúc đẩy phát triển kinh tế xã hội, đảm bảo an ninh quốc phòng… Ở nước ta, có hình thức sản xuất điện : lượng gió, lượng mặt trời, thủy điện, nhiệt điện… Hình thức sản xuất lượng từ thủy điện nhiệt điện có từ lâu, hai hình thức tồn nhược điểm ảnh hưởng đến môi trường sinh thái như: + Thủy điện : làm thay đổi dòng chảy tự nhiên ảnh hưởng nghiêm trọng đến mơi trường sống lồi thủy sinh người Ví dụ hàng loạt thủy điện xây dựng sơng MeKong góp phần đưa lồi cá heo nước đến bờ tuyệt chủng Người dân sinh sống khu vực đồng sông Cửu Long nước ta bị ảnh hưởng nghiêm trọng lụt lội, hạn hán… + Nhiệt điện: từ nguồn tài nguyên than, dầu, … dần cạn kiệt Việc nghiên cứu ,ứng dụng nguồn lượng tái tạo phát triển mạnh lượng mặt trời xu hướng giới Góp phần bảo vệ mơi trường, thiên nhiên, tạo phát triển bền vững hài hòa người với giới tự nhiên Xu hướng cần thiết cho phát triển đất nước ta Năng lượng mặt trời xem vô tận Tuy nhiên, nguồn lượng tạo từ mặt trời nguồn điện chiều Để sử dụng nguồn điện vào sinh hoạt gia đình, sản xuất, … cần phải chuyển đổi sang điện xoay chiều nhờ vào nghịch lưu công suất Các nghịch lưu cơng suất đóng vai trị ngày quan trọng công nghiệp sinh hoạt gia đình [1]-[5] Nâng cao hiệu suất chuyển đổi ln nhiệm vụ quan trọng lĩnh vực điện tử công suất Với nghịch lưu phổ biến : diode kẹp NPC [3],[6], tụ bay (FC) [5], cascade (CHB) [7],… Với nghịch lưu diode kẹp tụ kẹp sử dụng diode tụ điện để tạo Trang LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Tổng méo hài (THD) điện áp pha tải Hình 4.36: Kết thực nghiệm tổng méo hài (THD) điều kiện bình thường Hình 4.36 cho thấy tổng méo hài THD = 2.61% cho chất lượng điện tốt hoạt động điều kiện bình thường Điện áp dây VAB Hình 4.37: Kết thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện lỗi S4a hở mạch không xử lý Hình 4.37 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện lỗi S4a hở mạch không xử lý bị giảm bậc, giảm biên độ, tăng gai nhiễu so với lúc chưa xảy lỗi giống với kết mô Trang 49 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.38: Kết thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện lỗi S1a hở mạch khơng xử lý Hình 4.38 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý bị giảm bậc, giảm biên độ, tăng gai nhiễu so với lúc chưa xảy lỗi giống với kết mơ Điện áp pha VAN Hình 4.39: Kết thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý Hình 4.39 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý bị giảm bậc, giảm biên độ, tăng gai nhiễu so với trước xảy lỗi giống với mô Trang 50 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Dịng điện pha A tải Hình 4.40: Kết thực nghiệm dòng điện qua tải pha A điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý Hình 4.40 cho thấy dạng sóng thực nghiệm dịng điện qua tải pha A điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý bị nửa bán kỳ, biên độ giảm so với lúc trước xảy lỗi giống với mô Điện áp DC Hình 4.41: Kết thực nghiệm điện áp điều kiện lỗi S1a hở mạch khơng xử lý Hình 4.41 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý không thay đổi so với lúc trước xảy lỗi cố hở mạch bên phía mạch nghịch lưu khơng làm ảnh hưởng đến phía mạch nguồn Z Trang 51 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Điện áp tụ Hình 4.42: Kết thực nghiệm điện áp tụ điều kiện lỗi S1a hở mạch khơng xử lý Hình 4.42 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp tụ điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý không thay đổi so với lúc trước xảy lỗi cố hở mạch bên phía mạch nghịch lưu khơng làm ảnh hưởng đến phía mạch nguồn Z Tổng méo hài (THD) điện áp pha tải Hình 4.43: Kết thực nghiệm tổng méo hài (THD) điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý Hình 4.43 cho thấy tổng méo hài THD = 45.6% cho chất lượng điện lỗi S1a hở mạch xảy không xử lý Trang 52 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Điện áp dây VAB Hình 4.44: Kết thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện xử lý lỗi Hình 4.44 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện xử lý lỗi, dạng sóng lúc phục hồi đủ bậc biên độ trước xảy lỗi Điện áp pha VAN Hình 4.45: Kết thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện xử lý lỗi Hình 4.45 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện xử lý lỗi, dạng sóng lúc phục hồi đủ bậc biên độ trước xảy lỗi Trang 53 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Dịng điện pha A tải Hình 4.46: Kết thực nghiệm dòng điện qua tải pha A điều kiện xử lý lỗi Hình 4.46 cho thấy dạng sóng thực nghiệm dịng điện qua tải pha A điều kiện xử lý lỗi, dạng sóng lúc phục hồi biên độ dạng sin cân đối trước xảy lỗi Điện áp DC Hình 4.47: Kết thực nghiệm điện áp điều kiện xử lý lỗi Hình 4.47 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp điều kiện xử lý lỗi không thay đổi so với lúc trước xảy lỗi cố hở mạch bên phía mạch nghịch lưu khơng làm ảnh hưởng đến phía mạch nguồn Z Trang 54 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Điện áp tụ Hình 4.48: Kết thực nghiệm điện áp tụ điều kiện xử lý lỗi Hình 4.48 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp tụ điều kiện xử lý lỗi không thay đổi so với lúc trước xảy lỗi cố hở mạch bên phía mạch nghịch lưu khơng làm ảnh hưởng đến phía mạch nguồn Z Tổng méo hài (THD) điện áp pha tải Hình 4.49: Kết thực nghiệm tổng méo hài (THD) điều kiện xử lý lỗi Hình 4.49 cho thấy, sau phát lỗi xử lý đóng nhánh dự phịng, tổng méo hài THD tăng lên không đáng kể ~ 4.7% Kết cho thấy chất lượng điện tốt sau xử lý lỗi đóng nhánh dự phịng giống với kết mơ Cho phép hệ thống trì hoạt động, khơng bị gián đoạn Trang 55 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.50: Kết thực nghiệm thời gian đáp ứng cấu hình trạng thái xử lý đóng nhánh dự phịng Hình 4.50 dạng sóng thực nghiệm dịng qua tải điện áp pha tải cho thấy thời gian đáp ứng xử lý đóng nhánh dự phịng có lỗi xảy Mất khoảng ½ chu kỳ tương đương 0.01s thời gian đáp ứng nhanh kịp thời xử lý lỗi độ tin cậy cao Trang 56 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Bảng 4.2: So sánh kết mô thực nghiệm Giá trị VAN VAB Vthanh Vtụ IA THD Thời gian đáp ứng Mô Trước Sau xử lỗi lý lỗi 81 v 81 v 140 v 140 v 250 v 250 v 180 v 180 v 0.7 A 0.7 A 4% 4% 2.5 ms Thực nghiệm Trước Sau xử lỗi lý lỗi 71.8 v 71.8 v 133 v 133 v 250 v 250 v 180 v 180 v 0.7 A 0.7 A 3% 4.7% 10 ms Bảng 4.2 cho thấy kết đo giá trị điện áp pha điện áp dây làm thực nghiệm nhỏ mô bị hao tổn linh kiện Thời gian đáp ứng làm thực nghiệm chậm mô độ trễ thời gian đáp ứng linh kiện làm thực nghiệm Trang 57 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Chương KẾT LUẬN 5.1 Kết luận Luận văn phân tích, nghiên cứu vấn đề lỗi xảy cấu hình nghịch lưu tăng áp đa bậc đưa giải thuật xử lý lỗi cho nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T Bộ nghịch lưu đề xuất với tình vượt trội so với cấu hình nghịch lưu truyền thống khác :  Sử dụng khóa bán dẫn  Có thiết kế nhánh dự phịng cho phép hoạt động điều kiện lỗi  Có mạch nguồn Z giúp tăng áp ngõ lớn nguồn DC cung cấp Ngoài ra, phương pháp Sin PWM kỹ thuật sóng mang POD, giải thuật điều khiển cấu hình đơn giản Với ưu điểm kể trên, nghịch lưu chế tạo với chi phí rẽ khả hoạt động tương đương với nghịch lưu truyền thống khác Với giải thuật xử lý lỗi, nghịch lưu cịn có khả vận hành điều kiện lỗi ngắn mạch hở mạch Điều cần thiết làm tăng độ tin cậy cho hệ thống Phân tích mạch lý thuyết hoạt động trình bày Tuy nhiên, số hạn chế : bước đầu mơ hình thực nghiệm hoạt động công suất thấp; Thời gian đáp ứng chậm so với kết mô 5.2 Hướng phát triển Kết nghiên cứu tiến hành cho mạch nghịch lưu cơng suất thấp Có thể tiếp tục phát triển với cơng suất lớn Trong q trình làm thực nghiệm tổn hao mạch cịn lớn, tiếp tục tiến hành khảo sát để giảm tổn hao mạch thay đổi linh kiện có mức tổn hao thấp thay đổi phương pháp điều khiển cơng tắc bán dẫn,… Dựa cấu hình nghịch lưu đề xuất, tiến hành khảo sát thơng số mạch, nghiên cứu tính tốn tổn hao mạch đề xuất Tìm hiểu mạch Trang 58 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP hồi tiếp dòng áp điều khiển hòa lưới, ổn định dòng điện tải thay đổi áp lưới thay đổi Trang 59 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] A.Nabae, I.Takahashi, and H.Akagi, “A new neutral-point-clamped PWM inverter”, IEEE Trans Ind Appl Vol.17, No.5, pp.518-523, 1981 [2] Chenzhi Wang, Yunping Zou, Hongyuan Jin, Kai Ding, Yun Zhang, “A HighPerformance Three-Level Single-Phase Inverter Using Repetitive Control and State Feedback”, IEEE Trans Ind Appl Vol.14, No.5, pp.112,134, july 2005 [3] Bruckner, T.Bernet, S.Guldner, “The active NPC converter and its lossbalancing control”, IEEE Trans Ind Appl.Vol.52,No.3, pp.855,868, June 2005 [4] Schweizer, M.Kolar, “High efficiency drive system with 3-level T-type inverter” Power Electronics and Applications (EPE 2011), Proceedings of the 2011-14th European Conference pp.1,10, Aug 30 2011 [5] S Dargahi, E Babaei, S Eskandari, V Dargahi, M Sabahi, “Flying-capacitor stacked multicell multilevel voltage source inverters: analysis and modelling,” IET Power Electron Vol.7, No.12, pp.2929-2987, Dec.2014 [6] Komatsu, K.Yatsu, M.Miyashita, S.Okita, S.Nakazawa, H.Igarashi, S.Takahashi, Y.Okuma, Y.Seki, Y.Fujihira , “New IGBT modules for advanced neutral-point-clamped 3-level power converters”, 2010 International Power Electronics Conference (IPEC) pp.523,527,21-24 June 2010 [7] X Zha, L Xiong, J Gong, F Liu, “Cascaded multilevel converter for mediumvoltage motor drive capable of regenerating with part of cells,” IET Power Electron Vol 7, No 5, pp 1313-1320, May 2014 [8] J Rodriguez, L G Franquelo, S Kouro, J I Leon, R C Portillo, M A M Prats, M A Perez, “Multilevel Converters: An Enabling Technology for HighPower Applications,” Proceedings of the IEEE Vol 97, No 11, pp 1786-1817, Nov 2009 [9] S Kouro, M Malinowski, K Gopakumar, J Pou, L Franquelo, B Wu, J Rodriguez, M Perez and J Leon, “Recent advances and industrial applications of multilevel converters,” IEEE Trans Ind Electron Vol 57, No 8, pp 25532580, Aug 2010 Trang 60 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP [10] J Chavarria, D Biel, F Guinjoan, C Meza, J J Negroni, “Energy balance control of PV cascaded multilevel grid-connected inverters under level-shifted and phase-shifted PWMs” IEEE Trans Ind Electron Vol 60, No 1, pp 98111, Jan 2013 [11] A Ajami, M R J Oskuee, A Mokhberdoran, A V D Bossche, “Developed cascaded multilevel inverter topology to minimize the number of circuit devices and voltage stresses of switches,” IET Power Electron Vol.7, No.2, pp.459466, Feb.2014 [12] K Tsang, W Chan, “Single DC source three-phase multilevel inverter using reduced number of switches,” IET Power Electron Vol 7, No 4, pp 775-783 April 2014 [13] Schweizer, M Kolar, J.W., "High efficiency drive system with 3-level T-type inverter" Power Electronics and Applications (EPE 2011), Proceedings of the 2011-14th European Conference on pp.1,10, Aug 30 2011-Sept 2011 [14] Komatsu, K Yatsu, M Miyashita, S Okita, S Nakazawa, H Igarashi, S Takahashi, Y Okuma, Y Seki, Y Fujihira, T., "New IGBT modules for advanced neutral-point-clamped 3-level power converters", 2010 International Power Electronics Conference (IPEC) pp.523,527, 21-24 June 2010 [15] Lezana, P Pou, J Meynard, T.A Rodriguez, J Ceballos, S Richardeau, F., "Survey on Fault Operation on Multilevel Inverters" IEEE Trans Ind Electron Vol.57, No.7, pp.2207,2218, July 2010 [16] Wenping Zhang, Guangyuan Liu, Dehong Xu, Joshua Hawke, Pawan Garg, Prasad Enjeti.,”A fault-tolerant T-type three-level inverter system” Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) pp.274,280, 2014 Twenty-Ninth Annual IEEE [17] Xiangyang Xing, Chenghui Zhang, Alian Chen, Jinwei He, Weisheng Wang, Chunshui Du, “Space-Vector-Modulated Method for Boosting and Neutral Voltage Balancing in Three-Level T-Type Inverter”, IEEE Trans Ind Appl Vol.52, No.1621-1631, 2016 Trang 61 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP [18] M.R Banaei, A.R Dehghanzadeh, E Salary, H Khounjahan, R Alizadeh “Multilevel inverter with reduction of switches” IET Power Electronics October 2011 [19] Peng F.Z, "Z-source inverter”, IEEE Trans Ind Appl Vol.39, No2 pp504-510, march/april 2003 [20] Armando Cordeiro, João Palma, José Maia, Maria Resende “Combining Mechanical Commutators and Semiconductors in Fast Changing Redundant Inverter Topologies” IEEE Trans Ind Appl Pp11-14, 2011 [21] Sleszynski, W.Nieznanski, J Cichowski, “Open-Transistor Fault Diagnostics in Voltage-Source Inverters by Analyzing the Load Currents,” IEEE Trans Ind Appl Vol.56 No11, pp.4681-4688, Nov, 2009 [22] Rothenhagen, K Fuchs F W “Performance of Diagnosis Methods for Open Circuit Faults in Three Phase Voltage Source Inverters for AC Variable Speed Drives,” Proceedings EPE'2005 pp.1-10, Dresden [23] Sleszynski, W.Nieznanski, J.Cichowski, “Open-Transistor Fault Diagnostics in Voltage-Source Inverters by Analyzing the Load Currents” IEEE Trans Ind Appl Vol.56 No11, pp.4681-4688, Nov, 2009 [24] Bolognani, S Zordan, M Zigliotto, “Experimental FaultTolerant Control of a PMSM Drive.” IEEE Trans Ind Appl Vol 47, No.5, Outubro de 2000: pp.1134-1141 [25] Rothenhagen, K Fuchs F W “Performance of Diagnosis Methods for Open Circuit Faults in Three Phase Voltage Source Inverters for AC Variable Speed Drives,” Proceedings EPE'2005 pp.1-10, Dresden [26] Wenping Zhang, Guangyuan Liu, Dehong Xu (2014) “A Fault-tolerant T-type Three-Level Inverter System” IEEE Trans Ind Appl, pp 978-1-4799-2325, 2014 [27] O Husev, C Roncero-Clemente, E Romero-Cadaval, D Vinnikov, S Stepenko, “Single phase three-level neutral-point-clamped quasi-Z-source inverter” IET Power Electron Vol 8, No 1, pp 1-10, Jan 2015 Trang 62 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP PHỤ LỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CƠNG BỐ: [1] Nguyễn Trung Hiếu, Nguyễn Minh Khai, Đỗ Đức Trí, Võ Đại Vân “Xử lý lỗi dung sai cho nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T”, Hội nghị – Triển lãm quốc tế lần thứ Điều khiển Tự động hóa (VCCA-2017) , TB14.3 9:00-09:15 hrs, P[85], trang 69, tháng 12/2017 [2] Đỗ Đức Trí, Nguyễn Minh Khai, Quách Thanh Hải, Nguyễn Trung Hiếu “Bộ nghịch lưu ba bậc hình T tăng áp dựa chuyển mạch LC”, Hội nghị – Triển lãm quốc tế lần thứ Điều khiển Tự động hóa (VCCA-2017) , TB2.3 10:30-10:45 hrs, P[30], trang 42, tháng 12/2017 Trang 63 ... [17] Hình 2.4: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T Bộ nghịch lưu ba pha ba bậc hình T [17] đề xu? ?t sử dụng 12 khóa bán dẫn để t? ??o ba bậc điện áp nghịch lưu pha, ti? ?t kiệm diode so với cấu hình. .. hình 3.1 đưa cấu hình đề nghị nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T có khả chịu lỗi Hình 3.1: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T có khả chịu lỗi Hình 3.1 cấu hình nghịch lưu ba. .. lưu ba pha ba bậc hình T - Nghiên cứu vấn đề lỗi ngắn mạch/hở mạch xảy nghịch lưu ba pha ba bậc hình T - Đề xu? ?t giải thu? ?t điều khiển xử lý lỗi ngắn mạch/hở mạch cho nghịch lưu ba pha ba bậc