LÀM SẠCH CARBON NANOTUBEs ĐƠN TƯỜN G SWCNTs

Một phần của tài liệu Nghiên cứu chế tạo pin MT DSSC nền polymer sử dụng chất điện ly gel (Trang 72)

c. So sánh động học các quá trình trao đổi điện tích trong pin DSSC

3.4. LÀM SẠCH CARBON NANOTUBEs ĐƠN TƯỜN G SWCNTs

Chất xúc tác sử dụng trong quá trình phản ứng chế tạo carbon nanotubes thường vẫn còn lưu lại trong sản phẩm, đồng thời trạng thái tập hợp của SWCNTs là dạng chùm sợi dính lại với nhau, cần làm sạch sản phẩm đồng thời làm các sợi SWCNTs tách ra tương đối so với nhau trước khi sử dụng.

Quy trình làm sạch carbon nanotubes trước khi sử dụng trong nghiên cứu này

Oxi hóa khô

Nung 450oC, 6h

trong không khí đểđốt cháy carbon vô định hình

Hòa tan oxide kim loại

Hòa tan SiO2

Phản ứng với HNO36M 84h, nhiệt độ 60oC trong bể siêu âm

Phản ứng với HF 3M 84h, nhiệt độ 60oC trong bể siêu âm

Lọc, rửa Lọc, rửa Lọc với giấy lọc và rửa bằng nước cất Lọc với giấy lọc và rửa bằng nước cất Phân tích RAMAN Không đạt đủđộ sạch yêu cầu Carbon nanotubes sạch Carbon nanotubes thô

Hình 3.14. Sơđồ quy trình làm sạch carbon nanotubes đơn tường

Chất xúc tác sử dụng trong quá trình chế tạo SWCNTs thường là muối, oxide của các kim loại chuyển tiếp, đôi khi SiO2 cũng được sử dụng. Việc làm sạch sản phẩm carbon nanotubes chủ yếu là việc loại bỏ đi phần carbon vô định hình và hòa tan các chất xúc tác có trong bột thô và làm cho các sợi SWCNTs tác rời nhau. Bằng cách cho bột SWCNTs thô phản ứng với các acid để hòa tan các chất xúc tác, và oxi hóa phần carbon vô định hình bằng cách nung bột SWCNTs thô ở nhiệt độ cao trong môi trường

không khí, đồng thời các sợi SWCNTs tách ra dưới tác động của sóng siêu âm, carbon nanotubes đơn tường đã được làm sạch và sẵn sàng cho các ứng dụng tiếp theo.

Một phần của tài liệu Nghiên cứu chế tạo pin MT DSSC nền polymer sử dụng chất điện ly gel (Trang 72)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(121 trang)