Hình 2.19: Đồ thị hệ số Fano phụ thuộc vào điện áp đặt vào source và drain Vsd đốivới lưỡng chuyển tiếp n-p-n graphene với các thông số [L(nm), Vb(V), Vt(V)] = [25, 35, -6] (đường liền màu xanh) , [25, 40, -6] (đường đứt nét màu
đỏ) và [50, 40, -3.5] (đường màu xanh gạch ngang – chấm).
KẾT LUẬN
Trong luận văn này chúng tôi đã thu được các kết quả sau:
Giới thiệu một mô hình mới – mô hình thế dạng Gauss, để mô tả các chuyển tiếp n-p-n graphene. Sử dụng mô hình này, phối hợp với phương pháp T-matrận chúng tôi đã tính toán các giá trị dựa vào lập trình Matlap:
+ Xác suất truyền qua lưỡng chuyển tiếp n-p-n graphene phụ thuộc vào góc tới và năng lượng tới của electron (hình 2.11 và 2.12)
+ Điện trở của lưỡng chuyển tiếp phụ thuộc vào điện áp top-gate và điện áp back-gate (đồ thị 2 chiều hình 2.13 và đồ thị 3 chiều hình 2.14; 2.16)
+ Đặc trưng Vol-Ampe của lưỡng chuyển tiếp n-p-n graphene khi nhiệt độ thay đổi (như hình 2.18)
+ Hệ số Fano phụ thuộc vào điện áp bias cho các chuyển tiếp n-p-n và các tham số khác nhau lấy từ thực nghiệm (hình 2.19).
Kết quả nhận được giải thích tốt hơn các kết luận thực nghiệm so với các nhóm lí thuyết khác nhau.
Mô hình và phương pháp tính toán này có thể mở rộng để nghiên cứu tính truyền dẫn của các cấu trúc nano graphene khác như các dị cấu trúc dựa trên nanoribbons graphene hay các chấm lượng tử graphene.
DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO
Tiếng việt
[1] Bùi Thị Hạnh (2013), Trạng thái giả liên kết của hạt tải trong quantum
dot graphene hình đĩa tạo bởi thế gate dưới tác dụng của từ trường vuông góc, Luận văn thạc sĩ Viện vật lý.
[2] Nguyễn Văn Liễn (2013), Vật lý hiện đại: Đầy đủ - Ngắn gọn – Dễ hiểu, NXB Y học.
[3] Lê Xuân Thế (2009), Dụng cụ bán dẫn và vi mạch, NXB Giáo dục.
Tiếng anh
[4] Castro Neto A H, Guinea F, Peres N M R, Novoselov K S and Geim A
K (2009), “The electronic properties of graphen”, Phys. Rev. Lett 81, pp 109.
[5] E. H. Hwang (2007), “S. Adam, and S. Das Sarma, Carrier Transport in Two-Dimensional Graphene Layers”, Phys. Rev. Lett 98, pp 186806 – Published 3.
[6] Gorbachev R V, Mayorov A S, Savchenko A K, Horsell D W and Guinea (1995), “Conductance of p-n-p graphene structures with 'air- bridge' top gates”, Nano Lett 8, pp 233.
[7] H Chau Nguyen and V Lien Nguyen (2009), “Tunneling of Dirac electrons through one-dimensional potentials in graphene: a T -matrix approach”, J. Phys: Condens. Matter 21, pp 45305.
[8] Huard B, Sulpizio J A, Stander N, Todd K, Yang B and Goldhaber- Gordon (2007), “Zero-energy guided modes and vortices in graphene”,
[9] Jairo Velasco Jr, Gang Liu, Wenzhong Bao and Chun Ning Lau (2009), “Electrical transport in high-quality graphene pnp junctions”, New Journal of Physics 11, pp 095008
[10] Katsnelson M I, Novoselov K S and Geim A K (2006), “Chiral
tunneling and the Klein paradox in graphene”, Nature Phys 2, pp 620 [11] M Levinshtein, G Simin (2005), “Trasistors from crystals to integrated
circuits”, world scientific.
[12] Nhung T T Nguyen, D Quang To and V Lien Nguyen (2014), “A model for ballistic transport across locally gated graphene bipolar junctions”, J. Phys.Condens. Matter 26, pp 015301.
[13] Novoselov K S, Geim A K, Morosov S V, Jiang D, Zhang Y, Dubonos S V, Grigorieva I V and Firsov A A (2004), “Electric Field Effect in
Atomically Thin Carbon Films”, Science 306, pp 666
[14] Novoselov K S, Geim A K, Morosov S V, Jiang D, Katsnelson M I, Grigorieva I V, Dubonos S V and Firsov A A (2005), “Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene”, Nature 438, pp 197
[15] Stander N, Huard B and Goldhaber-Gordon D (2009), “Evidence of Klein tunneling in graphene p-n junctions”, Phys. Rev.Lett 102, pp
026807;
[16] V. V. Cheianow and V.I Falko (2006), “Selective transmission of Dirac electrons and ballitic magnetoresistance of n-p junctions in graphene”,
Phys. Rev. B 74, pp 41403.
[17] Young A F and Kim P (2009), “Quantum interference and carrier collimation in graphene heterojunctions”, Nature Phys 5, pp 222
[18] Zhang Z, Tan Y W and Kim P (2005), “Large-scale pattern growth of graphene films”, Nature 438, pp 201.