Hình 3.16a trình bày SAXS profile của Grafted-ETFE với GD = 4,2%. Kết quả cho thấy rằng cường độ tán xạ I(q) đạt cực đại tại vị trí q = 0,027 nm-1, sau đó I(q) giảm khi giá trị q giảm và đạt được một vùng tuyến tính tại dãy giá trị q = 0,030,1 nm-1.
Hình 3.16. Profile mẫu Grafted-ETFE với GD=4,2%: (a) SAXS profile, (b) Hàm
Khi q < 0,03 nm-1 thì I(q) tăng với độ dốc lớn hơn. Điều này chứng tỏ rằng sự thay đổi của I(q) với q < 0,03 nm-1 có thể xuất phát từ một hình dạng cấu trúc nào đó (chưa xác định). Giả sử rằng cấu trúc này không có sự tương quan với cấu trúc lamellar tại vị trí q = 0,027 nm-1 thì chọn vùng I(q) thay đổi tuyến tính với q = 0,030,1 nm-1 để làm khớp tuyến tính, sau đó ngoại suy giá trị I(q) về giá trị q = 0,003 nm-1. Hàm của mẫu ngoại suy tuyến tính và khi chưa ngoại suy được trình bày trong hình 3.16b. Kết quả cho thấy rằng hàm của mẫu ngoại suy tuyến tính không khớp với khi chưa có ngoại suy. Hay nói cách khác việc ngoại suy tuyến tính của I(q) từ dãy giá trị vector tán xạ q = 0,030,003 nm-1 đã làm mất hay thay đổi thông tin của cấu trúc lamellar. Điều này có thể giải thích là do độ dốc thay đổi khác nhau của I(q) với q = 0,030,003 nm-1 khi chưa có ngoại suy và có ngoại suy. Như vậy ngoại suy tuyến tính trong trường
hợp này là không phù hợp. Kết quả cũng tương tự đối với phim Grafted-ETFE với GD = 6,6% như trình bày trong hình 3.17.
Hình 3.17. Profile mẫu Grafted-ETFE với GD = 6,6%: (a) SAXS profile, (b) Hàm
Với các bước ngoại suy giống như Grafted-ETFE với GD = 4,2%, kết quả cho trường hợp GD = 8,8% được trình bày trong hình 3.18.
Hình 3.18. Profile mẫu Grafted-ETFE với GD = 8,8%: (a) SAXS profile, (b) Hàm
Hình 3.18a trình bày SAXS profile của Grafted-ETFE với GD = 8,8%. Sau khi chọn vùng I(q) thay đổi tuyến tính để tiến hành làm khớp tuyến và ngoại suy về giá trị q = 0,003 nm-1 ta có được I(q) ngoại suy. Kết quả cho thấy rằng I(q) trước và sau khi ngoại suy có hình dạng thay đổi gần giống nhau (độ dốc gần giống nhau) dẫn đến hàm của Grafted-ETFE với GD = 8,8% trước và sau khi ngoại suy cũng gần như giống nhau (Hình 3.18b). Kết quả cũng tương tự với GD = 10,2% được trình bày ở hình 3, phục lục C. Như vậy nếu SAXS profile sau khi ngoại suy có hình dạng thay đổi giống hoặc khác với hình dạng SAXS profile ban đầu thì dẫn đến sự thay đổi tương ứng của hàm theo
(a) (b)
GD. Kết quả trên cho thấy rằng phương pháp ngoại suy tuyến tính có tác động đáng kể đến cấu trúc của lamellar (làm thay đổi hoặc mất đi thông tin của cấu trúc lamellar) và do đó không phù hợp cho việc áp dụng cho mẫu đang nghiên cứu. Kết quả trên cũng cho thấy rằng việc ngoại suy tuyến tính là không phù hợp với một số báo cáo đã trình bày [20], nguyên nhân do mẫu đo khác nhau hoặc cùng là cấu trúc lamellar nhưng có kích thước khác nhau (về sự phân bố lamellar, sự lặp lại của lamellar không đồng đều). Do đó việc ngoại suy tuyến tính trong trường hợp này là không phù hợp. Điều này cũng đúng trong đối với Grafted-ETFE với GD = 10,2117% được cho ở hình 3, phụ lục C.
Ngoài ra cần nhấn mạnh rằng việc ngoại suy tuyến tính đã làm sáng tỏ vai trò của SAXS profile của vùng giá trị q thấp. Trong trường hợp của mẫu ETFE đang nghiên cứu thì I(q) với q < 0,1 nm-1 có sự tương quan (liên hệ) với đỉnh tán xạ của cấu trúc lamellar. Do đó việc tính toán các kích thước của cấu trúc lamellar từ hàm
phải sử dụng I(q) trên toàn dãy giá trị q thu được từ thực nghiệm. Tuy nhiên kết luận trên cần được chứng minh bởi những phép ngoại suy khác. Do đó phần tiếp theo sẽ trình bày ngoại suy theo mô hình Debye-Bueche.