656. (ĐH - 2012): Trong thí nghiệm Y-âng về giao thoa với ánh sáng đơn sắc có bước sóng λ, khoảng cách giữa hai khe hẹp là a, khoảng cách từ mặt phẳng chứa hai khe hẹp đến màn quan sát là 2m. Trên cách giữa hai khe hẹp là a, khoảng cách từ mặt phẳng chứa hai khe hẹp đến màn quan sát là 2m. Trên màn quan sát, tại điểm M cách vân sáng trung tâm 6 mm, có vân sáng bậc 5. Khi thay đổi khoảng cách giữa hai khe hẹp một đoạn bằng 0,2 mm sao cho vị trí vân sáng trung tâm không thay đổi thì tại M có vân sáng bậc 6. Giá trị của λ bằng
A.0,60 µm
B. 0,50 µm
C.0,45 µm
D.0,55 µm
2013
657. Câu 27 - CĐ- 2013- Mã đề : 851 : Công thoát êlectron của một kim loại bằng 3,43.10-19J. Giới hạn quang điện của kim loại này là hạn quang điện của kim loại này là
A.0,58 µm.
B. 0,43µm.
658. Câu 47 - CĐ- 2013- Mã đề : 851 : Chiếu bức xạ có tần số f vào một kim loại có công thoát A
gây ra hiện tượng quang điện. Giả sử một êlectron hấp thụ phôtôn sử dụng một phần năng lượng làm công thoát, phần còn lại biến thành động năng K của nó. Nếu tàn số của bức xạ chiếu tới là 2f thì động năng của êlectron quang điện đó là
A.K – A.
B. K + A.
C.2K – A.
D.2K + A.
659. Câu 31 - CĐ- 2013- Mã đề : 851 : Phôtôn có năng lượng 0,8eV ứng với bức xạ thuộc vùngA.tia tử ngoại. A.tia tử ngoại.
B. tia hồng ngoại.
C.tia X.
