- Điều chế dung dịch NaAl(OH)4: Hũa tan hoàn toàn 0.88g nhụm dạng bohmit vào dung dịch chứa 1,14g NaOH.
- lấy 23,6ml thủy tinh lỏng khuấy kĩ với dung dịch NaAl(OH)4 cho tới khi hỡnh thành gel.
+ Sau đú thờm nhanh 8,5 ml chất tạo cấu trỳc, Ph=12, gel được tạo ra cú thành phần:
2,7Na2O:Al2O3:30SiO2:1347H2O:15HMị
+ Sau khi được già húa gel được ủ trong bỡnh teflon đặt trong autoclavẹ Nhiệt
độ của lũ ủđược duy trỡ bởi pin nhiệt điện và rơ le tự ngắt ở nhiệt độ 1700C với sai số ±50C, thời gian kết tinh từ 24-72(giờ) tớnh từ khi đạt đến nhiệt độ nàỵ
+ Khi kết tinh xong, để nguội đến nhiệt độ phũng trong bỡnh teflon xuất hiện sự
tỏch lớp, lọc lấy chất rắn kết tinh, rửa nhiều lần bằng nước cất về PH= 7. Sấy khụ ở
1200C trong vũng 2 giờ, nung ở 5000C cú dũng khụng khớ thổi để loại hết template và ổn định cấu trỳc trong 5 giờ. Xỳc tỏc này trắng và rất xốp.
*/ Chuyển xúc tác về dạng H-MCM-22:
- Lấy 0,5 gam cho vào 500 ml dung dịch NH4Cl 1M khuấy và duy trì ở nhiệt độ 900C trong 72 giờ, lọc rửa xúc tác cho đến khi hết ion Cl-. Sau đó làm khô tại nhiệt độ T=1200C trong 12 giờ và nung trong không khí trong 4 giờ ở 1200C, trong quá trình nung thì:
NH4-MCM-22 → NH3 + H-MCM-22 Và quá trình này đ−ợc lặp lại ba lần
- Sau khi thu đ−ợc xúc tác dạng H-MCM-22, xúc tác đ−ợc trao đổi với dung dịch Cu(NO3)2.
- Sau quá trình này ta làm khô xúc tác ở 1200C trong 8 giờ và tiếp tục nung trong không khí trong 3 giờ tại nhiệt độ T= 5000C. Sau đó xúc tác đ−ợc đặc tr−ng bằng các ph−ơng pháp vật lý và đánh giá hoạt tính xúc tác phản ứng đồng phõn húa
α-pinene ở những nhiệt độ khác nhaụ
- Vậy quá trình tổng hợp vật liệu xúc tác CuMCM-22 có thể đ−ợc mô hình hoá nh− sau:
Hình2.1. Sơ đồ quá trình tổng hợp CuMCM-22 2.4.Các ph−ơng pháp nghiên cứu đặc tr−ng xúc tác
2.4.1.Ph−ơng pháp nhiễu xạ tia X
*/ Nguyên tắc:
Trong tinh thể các nguyên tử, ion đ−ợc phân bố đều đặn trong không gian theo một quy luật xác định. Khi chiếu tia X tới bề mặt tinh thể và đi sâu vào cấu trúc
NaAl(OH)4 Thuỷ tinh lỏng
Gel aluminosilicat
Khuấy
HMI
Gel Hoạt động Tinh thể
zeolit Già hoá
mạng tinh thể. Do tia X có vectơ c−ờng độ điện tr−ờng dao động rất nhanh ( tần số ν = 1018/giây) làm cho điện tử của nguyên tử dao động và phát ra sóng điện từ thứ cấp cùng tần số. Do khối l−ợng hạt nhân là quá lớn so với điện tử dao động không đáng kể nên mỗi nguyên tử (ion) trở thành một tập hợp điện tử bị dao động và là một tâm phát ra sóng điện từ thứ cấp. Nếu các nguyên tử (ion) thuộc các mặt phẳng song song cách nhau một khoảng d thì sẽ xẩy ra hiện t−ọng giao thoa khi đó cực đại giao thoa sẽ thoả mãn điều kiện định luật Vulf-Bragg.
Hình2.2. Sự phản xạ trên bề mặt tinh thể. 2dsinθ = nλ
Trong đó:
d - Là khoảng cách hai mặt phẳng song song θ - Góc giữa chùm tia X và mặt phẳng phản xạ
n - Bậc nhiễu xạ
Với một b−ớc sóng λ xác định, cho góc 2θ thay đổi, t−ơng ứng với cực đại giao thoa theo hệ thức trên ta có thể xác định đ−ợc thông số ô mạng hay xác định d từ đó xác định đ−ợc cấu trúc của tinh thể.
*/ Thực nghiệm:
Phổ nhiễu xạ tia X đ−ợc ghi trên máy D5005 của Đức, ống phát tia X bằng đòng với b−ớc sóng Kα=1,5406A0, điện áp 40KV, c−ờng độ dòng ống phát là 30mA, góc quét 2θ thay đổi từ 5 − 350, tốc độ quét là 0,20/phút tại khoa Hoá tr−ờng ĐHKHTN-ĐHQGHN.
2.4.2.Phương phỏp tỏn sắc năng lượng tia X (EDX)
B C O A 1 2 1' 2' d I II
Phổ tỏn sắc năng lượng tia X, hay phổ tỏn sắc năng lượng là kĩ thuật phõn tớch thành phần húa học của vật rắn dựa vào việc ghi lại phổ tia X phỏt ra từ vật rắn do tương tỏc với cỏc bức xạ ( mà chủ yếu là chựm điện tử cú năng lượng cao trong kớnh hiển vi điện tử).
Nguyờn tắc:
Hình2.3. Nguyờn lý của phộp phõn tớch EDX
ảnh vi cấu trỳc vật rắn được ghi lại thụng qua việc sử dụng chựm điện tử cú năng lượng cao tương tỏc với vật rắn. Khi chựm điện tử cú năng lượng lớn được chiếu vào vật rắn, nú sẽ đõm xuyờn sõu vào nguyờn tử vật rắn và tương tỏc với cỏc lớp
điện tử bờn trong của nguyờn tử. Tương tỏc này dẫn đến việc tạo ra cỏc tia X cú bước súng đặc trưng tỉ lệ với nguyờn tử số (Z) của nguyờn tử theo định luật Mosley:
Cú nghĩa là, tần số tia X phỏt ra là đặc trưng với nguyờn tử của mỗi chất cú mặt trong chất rắn. Việc ghi nhận phổ tia X phỏt ra từ vật rắn sẽ cho thụng tin về cỏc nguyờn tố húa học cú mặt trong mẫu đồng thời cho cỏc thụng tin về tỉ phần cỏc nguyờn tố này
Hình2.4. Sơ đồ nguyờn lý của hệ ghi nhận tớn hiệu phổ EDX
Cú nhiều thiết bị phõn tớch EDX nhưng chủ yếu EDX được phỏt triển trong cỏc kớnh hiển vi điện tử, ở đú cỏc phộp phõn tớch được thực hiện nhờ cỏc chựm điện tử cú năng lượng cao và được thu hẹp nhờ hệ cỏc thấu kớnh điện từ. Phổ tia X phỏt ra sẽ
cú tần số (năng lượng photon tia X) trải trong một vựng rộng và được phõn tich nhờ
phổ kế tỏn sắc năng lượng do đú ghi nhận thụng tin nhờ detector dịch chuyển (thường là Si, Ge, Lị..) được làm lạnh bằng nitơ lỏng, là một con chip nhỏ tạo ra
điện tử thứ cấp do tương tỏc với tia X, rồi được lỏi vào một anốt nhỏ. Cường độ tia X tỉ lệ với tỉ phần nguyờn tố cú mặt trong mẫụ Độ phõn giải của phộp phõn tớch phụ
thuộc vào kớch cỡ chựm điện tử và độ nhạy của detector. Phương phỏp này cú thể
xỏc định đồng thời hỡnh dạng, kớch thước mao quản và tỉ lệ cỏc nguyờn tố phõn tỏn trờn bề mặt vật liệụ
Phổ tỏn xạ năng lượng tia X được đo trờn mỏy hiển vi điện tử HURACHI S-5200 tại viện vật liệu Việt Nam
2.4.3.Ph−ơng pháp kính hiển vi điện tử quét (SEM)
*/ Nguyên tắc:
Kính hiển vi điện tử quét (SEM) sử dụng chùm tia điện tử thứ cấp, chùm tia điện tử phản xạ ng−ợc trở lại sau khi đã đập vào bề mặt mẫu để tạo ảnh mẫu nghiên cứụ Sau đó chùm tia này đ−ợc gia tốc và chuyển thành tín hiệu ánh sáng, đ−a đến màn hình huỳnh quang và có thể đạt đ−ợc độ phóng đại theo yêu cầụ Ph−ơng pháp này dùng để nghiên cứu bề mặt, kích th−ớc và hình dạng tinh thể.
Mẫu đ−ợc chụp ảnh qua kính hiển vi điện tử quét trên máy SEM-JEOL- JSM 5410 của Nhật tại bộ môn vật lý chất rắn, khoa vật lý tr−ờng ĐHKHTN-ĐHQGHN.
2.4.4.Ph−ơng pháp hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao( HRTEM)
(High Resolution Transmission Electron Microscopy - HRTEM).
*/Nguyên tắc:
Ph−ơng pháp dựa trên việc sử dụng chùm tia điện tử để tạo ảnh mẫu nghiên cứụ Chùm tia đ−ợc tạo ra từ catot qua hai “tụ quang” điện tử sẽ đ−ợc hội tụ lên mẫu nghiên cứụ Khi chùm tia điện tử đập vào mẫu sẽ phát ra các chùm tia điện tử truyền quạ Các điện tử truyền qua này đ−ợc đi qua điện thế gia tốc rồi vào phần thu và biến đổi thành tín hiệu ánh sáng, tín hiệu đ−ợc khuếch đại, đ−a vào mạng l−ới điều khiển tạo độ sáng trên màn ảnh. Mỗi điểm trên mẫu cho một điểm t−ơng ứng trên màn. Độ sáng tối trên màn ảnh phụ thuộc vào l−ợng điện tử phát ra tới bộ thu và phụ thuộc vào hình dạng bề mặt mẫu nghiên cứụ
Ph−ơng pháp HRTEM đ−ợc sử dụng trong việc đặc tr−ng bề mặt và cấu trúc vật liệụ
*/Thực nghiệm:
ảnh HRTEM của mẫu đ−ợc chụp ở hiệu điện thế 80,0 KV tại phòng Hiển vi điện tử, Viện Vệ sinh dịch tễ Trung −ơng, có độ phóng đại ảnh từ 300000 đến 500000 lần.
2.4.5. Ph−ơng pháp giải hấp phụ amoniac NH3 theo ch−ơng trình nhiệt độ ( TPD-NH3).