Tính chất cơ lý của vật liệu TiN/TKG316L

CHƯƠNG 3. KẾT QUẢ THẢO LUẬN

3.2. Tổng hợp và đặc trưng của màng HAp/TiN/TKG316L

3.2.1. Đặc trưng của nền TiN/TKG316L

3.2.1.2. Tính chất cơ lý của vật liệu TiN/TKG316L

a. Độ cứng

Độ cứng lớp phủ thường được thử nghiệm theo độ cứng tế vi với tải trọng < 1000 g. Tuy nhiên, đặc tính bề mặt màng ảnh hưởng đến sự phản hồi của bề mặt tiếp xúc và góp phần ảnh hưởng đến hệ số nhám, độ biến dạng và sự gãy nứt màng. Vì vậy, độ sâu và đầu vết lõm mũi đâm giảm khi độ cứng bề mặt màng cao [118].

73

Mẫu TiN/TKG316L với chiều dày khoảng 2,8 μm được xác định độ cứng bằng phương pháp Vickers với tải trọng đo 25 g để tránh hiệu ứng bề mặt. Độ sâu vết lõm của mũi đâm kim cương khoảng 30% độ dày màng để tránh ảnh hưởng của nền thép không gỉ. Giá trị độ cứng được lấy trung bình của ba phép đo (hình 3.23). Kết quả tính toán sau khi thử theo phương trình 2.4 cho thấy màng TiN có độ cứng khoảng 1900 kgf/mm2. Độ cứng của màng TiN cao gấp 10 lần so với nền TKG316L (190 kgf/mm2 [119]). Với độ cứng này, màng TiN đáp ứng yêu cầu làm vật liệu nẹp vít xương trong y tế.

b. Độ bền va đập

Để ứng dụng vật liệu TiN/TKG316L làm nẹp vít xương trong y tế, độ bền của vật liệu dưới các tác động của ngoại lực khác nhau cũng cần đạt được theo tiêu chuẩn y tế. Tùy theo từng vị trí sử dụng nẹp vít mà các yêu cầu về độ bền kéo, độ bền nén, độ bền va đập, độ bền uốn cần đạt ở các giá trị khác nhau.

Độ bền va đập là khả năng chịu đựng của vật liệu khi bị các tải trọng va đập đột ngột. Theo tiêu chuẩn ASTM B571-97(R03), dùng một tải trọng để làm thủng bề mặt mẫu (hình 3.24), sau đó quan sát miệng vành lỗ thủng để kiểm tra độ bám dính của màng TiN với nền. Bởi vì, độ bám dính là đặc tính quan trọng của màng kỹ thuật, đặc biệt là màng sử dụng trong môi trường ma sát. Độ bám dính của màng phụ thuộc vào cả sự tương tác vật lý và hóa học giữa lớp phủ, vật liệu nền và cấu trúc tế vi của vùng bề mặt chung. Do đó cấu trúc bề mặt chung đóng vai trò quan trọng trong việc xác định độ bám dính của TiN [118]. Kết quả quan sát không thấy có sự bong tróc của màng TiN khỏi nền. Vì vậy độ bền va đập của mẫu TiN/TKG316L đạt theo mục 12 của tiêu chuẩn ASTM B571-97(R03).

74

Hình 3.23: Hình ảnh vết lõm mũi đâm thử độ cứng trên bề mặt TiN

Hình 3.24: Bề mặt mẫu

TiN/TKG316L sau thử độ bền va đập c. Độ bóng

Độ bóng của vật liệu là độ phản xạ ánh sáng của vật liệu khi chiếu một chùm tia sáng dưới một góc xác định và thu được chùm phản xạ. Vật liệu TiN/TKG316L được xác định độ bóng tại hai góc hình học 20o và 85o ở 3 vị trí khác nhau trên bề mặt. Giá trị độ bóng được lấy trung bình của ba điểm đo chỉ ra trong bảng 3.7. Ở cả hai góc đo, màng TiN đều có độ bóng lớn hơn 100.

Kết quả này cho thấy phương pháp tổng hợp màng TiN bằng phương pháp phún xạ magnetron một chiều trong buồng chân không, là một trong những phương pháp thích hợp để tạo màng mỏng có cấu trúc nano, đồng đều và độ đặc khít cao đáp ứng yêu cầu chế tạo vật liệu ứng dụng trong y sinh.

Bảng 3.7. Độ bóng của vật liệu TiN/TKG316L tại góc đo 20o và 85o

Góc đo 20o 85o

Độ bóng 111 126

d. Độ bền mài mòn

Kết quả đo độ mài mòn khô của vật liệu TiN/TKG316L theo thời gian được thể hiện trên hình 3.25a và hình 3.25b. Trong khoảng 59 giây đầu thử nghiệm, tốc độ mài mòn tăng nhanh. Sau đó tiếp tục tăng thời gian thử nghiệm, độ mài mòn ổn định và đạt giá trị 1,7 m trong thời gian thử nghiệm 1800 giây xác định theo phương trình 2.5. Kết quả này cho thấy màng TiN có độ chịu mài mòn rất tốt.

75

Hình 3.25: (a) Độ mài mòn của TiN/TKG316L theo thời gian thử nghiệm và (b) Bề mặt mẫu sau khi thử độ mài mòn

e. Mô đun đàn hồi

Mô đun đàn hồi của vật liệu là tỷ số giữa ứng suất kéo và độ biến dạng của vật liệu khi tiến hành thử nghiệm độ bền kéo. Sự phụ thuộc của ứng suất theo độ biến dạng của vật liệu TiN/TKG316L khi tốc độ kéo 0,03 mm/s là một đường thẳng tuyến tính theo phương trình y = 190112x + 4,9745 với dung sai R2 = 0,9991 (hình 3.26). Hệ số góc của phương trình này là 190112 MPa, đây chính là mô đun đàn hồi của vật liệu TiN/TKG316L.

f. Độ bền uốn

Độ bền uốn là giới hạn bị cong vênh khi vật liệu chịu ứng suất uốn.

Trước khi đến giới hạn uốn, vật liệu bị biến dạng đàn hồi và trở lại trạng thái ban đầu khi tải trọng bị loại bỏ. Khi vượt qua giới hạn uốn, một vài tổ chức nhỏ xuất hiện biến dạng vĩnh viễn, không thể phục hồi trạng thái ban đầu khi tải trọng được loại bỏ. Khi bị ngoại lực tác động sẽ sinh ra ứng suất phản hồi chống lại tác động ngoại lực của vật liệu. Ứng suất này đặt trưng cho khả năng chịu bền của vật liệu theo thời gian khi bị ngoại lực tác động. Với lực tác dụng biến đổi từ 0 đến 278 N trong thời gian thử nghiệm uốn khoảng 90s, vật liệu TiN/TKG316L có độ bền uốn 720 MPa theo phương trình 2.6 (hình 3.27). Giá trị này cho thấy màng TiN có khả năng chịu tác động tốt của điều kiện ngoài.

76

0.0000 0.0005 0.0010 0.0015 0.0020 -50

0 50 100 150 200 250 300 350 400

y= 190112x + 4.9745 R2= 0.9991

Độ biến dạng (%)

ứng suất (MPa)

Hình 3.26: Đồ thị xác định mô đun đàn hồi của vật liệu TiN/TKG316L

Hình 3.27: Đồ thị quan hệ giữa ứng suất và chuyển vị khi uốn của

TiN/TKG316L

* Tóm tắt mục 3.2.1:

Từ những kết quả nghiên cứu tính chất đặc trưng của màng TiN tổng hợp trên nền TKG316L bằng phương pháp phún xạ magnetron một chiều trong buồng chân không cho thấy màng TiN có cấu trúc tinh thể đơn pha, dạng hình cầu, kích thước khoảng 5-10 nm với tỷ lệ Ti:N xấp xỉ 1, độ cứng Vicker 1900kg/mm2, độ bóng > 100, độ bền va đập đạt theo tiêu chuẩn ASTM B571- 97 (R03), mô đun đàn hồi 190 GPa và độ bền uốn 720 MPa.

Màng TiN được phủ trên nền TKG316L bằng phương pháp phún xạ magnetron một chiều trong điều kiện: áp suất 0,13 Pa, công suất 400 W, thời gian 30 phút được làm vật liệu nền để tổng hợp HAp bằng phương pháp áp thế trong phần tiếp theo.

3.2.2. Khảo sát các yếu tố ảnh hưởng đến quá trình tổng hợp HAp trên nền TiN/TKG316L

3.2.2.1. Ảnh hưởng của nồng độ H2O2

Để nghiên cứu ảnh hưởng của H2O2 đến quá trình tổng hợp màng HAp trên nền TiN/TKG316L, tiến hành đo đường cong phân cực catôt của điện cực TiN/TKG316L trong dung dịch: Ca(NO3)2 310-2 M + NH4H2PO4 1,810-2 M

77

+ NaNO3 0,15 M với nồng độ H2O2 thay đổi: 0%; 2%; 4%; 6% về khối lượng, tại nhiệt độ 25oC, khoảng điện thế quét từ điện thế cân bằng đến -2,5 V/SCE và tốc độ quét thế 5 mV/s (hình 3.28).

Trong khoảng thế từ -0,5 đến -0,7 V/SCE, mật độ dòng điện rất nhỏ tương ứng với quá trình khử H+ và O2 hoà tan trong nước theo phản ứng 3.1 và 3.2. Trong khoảng thế từ -0,7 đến -1,5 V/SCE, mật độ dòng tăng nhẹ tương ứng với quá trình khử H2O2 (phản ứng 3.3). Khi điện thế âm hơn -1,5 V/SCE mật độ dòng tăng mạnh, ở giai đoạn này tiếp tục xảy ra phản ứng khử H2O2 và khử nước, H2PO4- theo phản ứng 3.4 và 3.5 trong mục 3.1.1.

Trên bề mặt điện cực quan sát thấy có sự hình thành màng canxi photphat màu trắng. Kết quả này được giải thích: khi OH- được tạo ra trên bề mặt catôt làm giá trị pH ở khu vực xung quanh bề mặt catôt đạt giá trị trong khoảng từ 8 đến 12 dẫn đến các phản ứng hóa học tạo ion HPO42-

, PO43-

và phản ứng hình thành DCPD, HAp cũng đồng thời xảy ra theo phương trình từ 3.6 đến 3.10 (mục 3.1.1).

Sự biến đổi điện lượng quá trình tổng hợp HAp cũng như khối lượng của HAp hình thành trên TiN được tổng hợp bằng phương pháp quét thế trong khoảng từ 0 đến -1,65 V/SCE, 5 vòng, 5 mV/s, 25oC khi thay đổi H2O2 được chỉ ra trên bảng 3.8. Kết quả cho thấy điện lượng và khối lượng HAp hình thành trên bề mặt TiN tăng lên khi nồng độ H2O2 tăng. Tuy nhiên điện lượng tổng hợp HAp thấp chỉ đạt tối đa 2,05 C tương ứng lượng HAp thu được 1,2 mg/cm2 sau 5 lần quét thế với nồng độ H2O2 6%. Lượng HAp thu được rất ít và phủ không đồng đều trên toàn bề mặt nền TiN ở tất cả các nồng độ H2O2. Kết quả này được giải thích: do bề mặt TiN trơ và bóng, đồng thời do độ dẫn điện của TiN thấp hơn TKG316L, điện lượng quá trình tổng hợp HAp nhỏ, lượng ion PO4

3- và OH- sinh ra ít nên HAp tạo thành không thể bám dính và đủ nhiều để bao phủ toàn bề mặt nền TiN/TKG316L.

78

Bảng 3.8. Sự biến đổi điện lượng và khối lượng HAp hình thành trên nền TiN/TKG316L tổng hợp bằng phương pháp quét thế khi thay đổi H2O2

Nồng độ H2O2 (%) 0 2 4 6

Q (C) 1,15 1,55 1,9 2,05

Khối lượng HAp (mg) 0,65 0,72 0,98 1,2

Màng HAp cũng được tổng hợp trên nền TiN/TKG316L bằng phương pháp áp thế khi thay đổi nồng độ H2O2. Hình 3.29 biểu diễn giản đồ mật độ dòng theo thời gian của quá trình tổng hợp HAp trên TiN/TKG316L tại điện thế -1,65 V/SCE, nhiệt độ 25oC, thời gian 30 phút với nồng độ H2O2 từ 0 ÷ 6%. Khi thay đổi nồng độ H2O2, các đường biểu diễn sự biến đổi dòng theo thời gian tổng hợp đều có hình dạng tương tự nhau. Ban đầu, trong một thời gian rất ngắn mật độ dòng tăng đột ngột tương ứng với quá trình tích tụ lớp điện kép của ion H2PO4

- trên catôt, sau đó mật độ dòng giảm do ảnh hưởng của sự khuếch tán và tiếp theo mật độ dòng có xu hướng ổn định tương ứng với quá trình tổng hợp và phát triển của các tinh thể HAp trên bề mặt điện cực TiN/TKG316L [102]. Khi nồng độ H2O2 tăng từ 0 đến 6% thì mật độ dòng catôt tăng từ 9,5 đến 11,5 mA/cm2. Tuy nhiên với nồng độ H2O2 lớn (6%) dẫn đến lượng lớn OH- sinh ra ở xung quanh bề mặt của catôt, do đó HAp không chỉ hình thành trên bề mặt điện cực mà còn hình thành ngay trong dung dịch ở khu vực quanh catôt, hiện tượng này có thể quan sát được bằng mắt thường với những kết tủa trắng lắng xuống đáy của bình điện hóa. Để khẳng định thêm kết quả quan sát bằng mắt thường, khối lượng màng HAp hình thành trên vật liệu nền TiN/TKG316L đã được xác định.

Sự biến đổi điện lượng và khối lượng của HAp hình thành trên TiN được tổng hợp bằng phương pháp áp thế tại -1,65 V/SCE, 25oC trong 30 phút khi thay đổi H2O2 được chỉ ra trên bảng 3.9. Khi nồng độ H2O2 tăng từ 0 đến 6%, điện lượng quá trình tạo thành HAp tăng từ 15,6 đến 20,5 C. Tuy nhiên khối

79

lượng HAp đạt cực đại 5,5 mg/cm2 tại nồng độ H2O2 4%, sau đó lượng HAp giảm xuống 3,1 mg/cm2 với nồng độ H2O2 6%. So với quá trình tổng hợp HAp bằng phương pháp quét thế thì phương pháp áp thế có điện lượng và khối lượng HAp hình thành trên nền TiN/TKG316L cao hơn. HAp tổng hợp bằng phương pháp áp thế phủ đồng đều trên toàn bề mặt của nền. Do đó phương pháp áp thế được lựa chọn để tổng hợp HAp trên nền TiN/TKG316L và nồng độ H2O2 thích hợp là 4%.

-2.5 -2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 -60

-50 -40 -30 -20 -10 0

6% H2O2 4% H2O2 2% H2O2

0% H2O2

E (V/SCE) i (mA/cm2 )

-2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0

-12 -8 -4 0

6% H2O2

2% H2O2

4% H2O

2

0% H2O

2

0 300 600 900 1200 1500 1800 -14

-13 -12 -11 -10 -9

6% H2O2 4% H2O2

2% H2O2

Thêi gian (s)

0% H2O2

i (mA/cm2 )

Hình 3.28: Đường cong phân cực catôt của điện cực TiN/TKG316L trong dung dịch tổng hợp với nồng độ H2O2 thay đổi từ 0 đến 6%

Hình 3.29: Sự biến đổi mật độ dòng theo thời gian của quá trình tổng hợp màng HAp trên TiN/TKG316L, ở - 1,65 V/SCE, 25oC khi thay đổi H2O2 Bảng 3.9. Sự biến đổi điện lượng và khối lượng HAp hình thành trên nền TiN/TKG316L tổng hợp bằng phương pháp áp thế tại -1,6 V/SCE, 30 phút,

25oC khi thay đổi nồng độ H2O2

Nồng độ H2O2 (%) 0 2 4 6

Q (C) 15,6 16,8 18,2 20,5

Khối lượng HAp (mg) 2,3 3,2 5,5 3,1

Sự có mặt của H2O2 trong dung dịch tổng hợp đã làm tăng nồng độ ion OH- ở khu vực xung quanh điện cực catôt, do đó nó có ảnh hưởng đáng kể đến quá trình tổng hợp HAp, để khẳng định kết quả thu được, những phân

80

tích hình thái học bề mặt của màng HAp tổng hợp ở điện thế -1,65 V/SCE với sự biến đổi nồng độ H2O2 từ 0 ÷ 6% đã được thực hiện (hình 3.30). Hình ảnh SEM cho thấy sự thay đổi rõ ràng về hình dạng và kích thước của các tinh thể HAp tạo thành.

Hình 3.30: Hình ảnh SEM của màng HAp tổng hợp trong dung dịch Ca(NO3)2

310-2 M + NH4H2PO4 1,810-2 M + NaNO3 0,15 M tại nhiệt độ 25 oC, pH=

4,5 với nồng độ H2O2 thay đổi: (a) 0 %; (b) 2 %; (c) 4 % và (d) 6 % Khi trong dung dịch tổng hợp không có H2O2 các tinh thể HAp tổng hợp có dạng hình que với chiều dài khoảng 100-150 nm. Khi thêm H2O2 hình dạng HAp thay đổi: với nồng độ H2O2 2% và 4%, màng HAp thu được có cấu trúc xốp hình dạng xương rồng với kích thước khó xác định và HAp thu được khi tổng hợp với 4% H2O2 lớn hơn nhiều so HAp tổng hợp với 2% H2O2. Với nồng độ H2O2 tăng lên 6%, HAp thu được có dạng hình cầu với kích thước không đồng đều biến đổi trong khoảng 60 - 400 nm (bảng 3.10). Sự thay đổi hình dạng HAp tổng hợp do lượng ion OH- sinh ra khác nhau khi nồng độ

81

H2O2 khác nhau đã ảnh hưởng đến quá trình hình thành cũng như độ kết tinh của HAp. Với hình dạng HAp thu được trong dung dịch tổng hợp có mặt H2O2 4% có cấu trúc tương tự như hình dạng của HAp hình thành trong dung dịch SBF [120] do đó nồng độ H2O2 4% là thích hợp để tổng hợp màng HAp.

Bảng 3.10. Hình dạng và kích thước HAp tổng hợp khi thay đổi nồng độ H2O2

Nồng độ H2O2 (%) 0 2 4 6

Hình dạng HAp Hình que Hình xương rồng

Hình xương

rồng Hình cầu Kích thước (nm) 100-150 Khó xác định Khó xác định 60-400 3.2.2.2. Ảnh hưởng của điện thế tổng hợp [1, 102]

Từ kết quả phân tích đường cong phân cực của điện cực TiN/TKG316L trong dung dịch tổng hợp, tiến hành tổng hợp HAp trong dung dịch Ca(NO3)2

310-2 M + NH4H2PO4 1,810-2 M + NaNO3 0,15 M + H2O2 4%, thời gian tổng hợp 30 phút, nhiệt độ 25C với sự thay đổi điện thế áp đặt từ -1,5 đến - 1,8 V/SCE. Giản đồ biểu diễn mật độ dòng theo thời gian của quá trình tổng hợp HAp tại các điện thế khác nhau được chỉ ra trên hình 3.31.

0 300 600 900 1200 1500 1800

-20 -15 -10 -5

-1.65V

-1.8V -1.7V -1.6V -1.5V

Thêi gian (s) i (mA/cm2 )

Hình 3.31: Sự biến đổi mật độ dòng theo thời gian tổng hợp HAp trong dung dịch Ca(NO3)2 310-2 M +NH4H2PO4 1,810-2 M + NaNO3 0,15M+ H2O2 4%,

pH= 4,5, tại nhiệt độ 25oC với điện thế áp đặt từ -1,5  -1,8 V/SCE

82

Các đường biểu diễn sự biến đổi mật độ dòng theo thời gian có hình dạng tương tự nhau. Khi điện thế áp đặt catôt tăng từ -1,5  -1,8 V/SCE thì mật độ dòng tổng hợp catôt tương ứng cũng tăng theo từ 5 đến 18 mA/cm2. Quan sát trên bề mặt điện cực TiN/TKG316L đều có sự hình thành màng HAp màu trắng, tuy nhiên với điện thế áp đặt catôt âm hơn -1,65 V/SCE, màng HAp thu được bám dính kém với nền và có sự kết tủa HAp trong dung dịch.

Hình 3.32 và bảng 3.11 chỉ ra sự biến đổi về hình thái học và kích thước của HAp hình thành trên điện cực TiN/TKG316L tại các điện thế tổng hợp khác nhau. Hình thái học bề mặt của HAp thu được chia thành 2 nhóm: nhóm thứ nhất ứng với điện thế tổng hợp là -1,5; -1,6 và -1,65 V/SCE, các tinh thể HAp hình thành trên nền TiN/TKG316L có hình dạng xương rồng với kích thước khó xác định. Nhóm thứ hai ứng với điện thế áp đặt: -1,7 và -1,8 V/SCE, các tinh thể HAp thu được có dạng hình cầu với kích thước thay đổi từ 40 - 300 nm. Hình dạng của HAp tổng hợp ở điện thế áp đặt catôt lớn (-1,7 và -1,8V/SCE) tương tự như HAp tổng hợp trong dung dịch có hàm lượng H2O2 6%. Kết quả này có thể giải thích khi tăng điện thế áp đặt catôt, sự tạo thành ion OH- trên khu vực xung quanh catôt tăng, dẫn đến tốc độ phát triển mầm tinh thể HAp lớn và làm thay đổi hình thái học của HAp tạo thành. Với mong muốn tổng hợp HAp có hình dạng giống với HAp hình thành trong môi trường dịch cơ thể người, khoảng điện thế catôt được lựa chọn ≤ -1,65 V/SCE.

83

Hình 3.32: Hình ảnh SEM của màng HAp tổng hợp trong dung dịch Ca(NO3)2 310-2 M + NH4H2PO4 1,810-2 M + NaNO3 0,15 M + H2O2 4% có pH=4,5, tại nhiệt độ 25 oC, ở các điện thế áp đặt: (a) -1,5; (b) -1,6; (c) -1,65;

(d) -1,7 và (e) -1,8 V/SCE

Bảng 3.11. Hình thái học và kích thước HAp tổng hợp ở điện thế thay đổi từ -1,5 đến -1,8 V/SCE

E (V/SCE) -1,5 -1,6 -1,65 -1,7 -1,8

Hình dạng HAp

Hình xương rồng

Hình xương rồng

Hình

xương rồng Hình cầu Hình cầu Kích thước

(nm)

Khó xác định

Khó xác định

Khó xác

định 40 - 300 50 -200 3.2.2.3. Ảnh hưởng của nhiệt độ

Nhiệt độ của quá trình tổng hợp ảnh hưởng trực tiếp đến độ linh động của các ion trong dung dịch điện ly nên sẽ ảnh hưởng đến tốc độ phản ứng.

84

Tốc độ phản ứng nhanh tương ứng tốc độ trao đổi electron lớn, lượng các ion sinh ra nhiều sẽ thuận lợi cho quá trình tạo HAp. Vì vậy nhiệt độ đã được thay đổi: 25oC, 37oC, 50oC, 60oC và 70oC để nghiên cứu ảnh hưởng tới quá trình tổng hợp HAp trên nền TiN/TKG316L bằng phương pháp áp thế.

Sự biến đổi mật độ dòng theo thời gian tổng hợp màng HAp trên nền TiN/TKG316L trong dung dịch Ca(NO3)2 310-2 M + NH4H2PO4 1,810-2 M + NaNO3 0,15 M + H2O2 4% tại pH = 4,5 và điện thế áp đặt -1,65 V/SCE với nhiệt độ thay đổi được thể hiện trên hình 3.33. Nhìn chung các đường biến đổi mật độ dòng theo thời gian tổng hợp ở những nhiệt độ khác nhau đều có hình dạng như nhau và đặc trưng cho quá trình tổng hợp của HAp như mô tả trong phần 3.2.2.1 (hình 3.29). Khi nhiệt độ tăng từ 25oC đến 70oC thì mật độ dòng tương ứng với quá trình tổng hợp tăng từ 10 đến 50 mA/cm2 do đó điện lượng chuyển qua bình điện hóa tăng dẫn đến khối lượng HAp hình thành tăng theo sự tăng nhiệt độ. Tuy nhiên trong quá trình tổng hợp quan sát bằng mắt thường thấy có sự hình thành HAp trong dung dịch với khối lượng tăng theo sự tăng nhiệt độ. Vì vậy có thể dự đoán khối lượng HAp hình thành trên vật liệu nền không tăng khi nhiệt độ tăng.

0 300 600 900 1200 1500 1800 -65

-60 -55 -50 -45 -40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5

700C 600C 500C 370C

250C

Thêi gian (s) i (mA/cm2 )

Hình 3.33: Giản đồ biểu diễn sự biến đổi mật độ dòng theo thời gian tổng hợp HAp tại -1,65 V/SCE, pH=4,5, 30 phút với nhiệt độ thay đổi từ 25oC đến 70oC