- Cd(Ac)2,2H2O, Zn(Ac)2,2H2O và lưu huỳnh bột cũng được phõn tỏn trong
2.2.4. Phộp đo huỳnh quang tắt dần và thời gian sống
Cỏc phộp ghi phổ HQ được tiến hành bằng nguồn kớch thớch tại cỏc bước súng
khỏc nhau, vớ dụ như 400 nm và 453 nm, lấy ra từ laser màu (Laser Photonics
LN102, Coumarine 420). Laser màu này được bơm bằng một laser xung Nitơ
(Laser Photonics LN 1000, năng lượng một xung là 0,15 mJ, độ rộng xung 0,6 ns).
Ánh sỏng phỏt ra từ mẫu, trong vựng nhỡn thấy, được thu vào một sợi quang hoặc
khe vào của mỏy đo, và được phõn tớch bằng một phổ kế Jobin-Yvon HR460 và một
detector CCD đa kờnh (2000 pixel), đõy là hệ đo thuộc nhúm nghiờn cứu Quang tử
Nano và Quang lượng tử (Nanophotonique et Optique quantique) của Viện cỏc
Khoa học về Nano Paris (đại học Pierre et Marie Curie, Phỏp). Cỏc phộp đo tại nhiệt độ thấp được tiến hành trong một thiết bị làm lạnh Janis Supertran-VP, nhiệt độ cú
thể thay đổi từ 4 K đến 300 K. Ở cỏc phộp đo này, cỏc mẫu CLT pha loóng trong
Toluene rồi được phõn tỏn trong poly-methylmethacrylate (nồng độ 2% về khối lượng) để cú được mẫu phõn tỏn trong nền rắn, đặt vào trong buồng lạnh của thiết bị. Ánh sỏng phỏt ra từ mẫu được thu trực tiếp từ cửa sổ thạch anh của thiết bị. Phộp đo HQ tắt dần được phõn tớch bằng một thiết bị PM Hamamatsu R5600U và
Tektronix TDS 784A.
Cỏc mẫu CLT được phõn tỏn trong Toluene với nồng độ 10-9 M hoặc phõn tỏn trong PMMA với tỷ lệ về khối lượng CLT/PMMA là 2%. Để đo HQ tắt dần, ỏnh
sỏng được dẫn tới ống nhõn quang (photomultip- licateur), rồi đến một dao động ký
số. Mỏy dao động ký này cho phộp ghi nhận sự tắt dần của HQ sau xung laser (sau
thời gian 0,6 ns) và cho phộp tớch lũy nhiều đường cong tắt dần. Thời gian đỏp ứng
(response) của hệ thiết bị là 1 ns và thời gian đo là 0,1 ns đối với mỗi điểm. Chương trỡnh mỏy tớnh cho phộp thu giữ cỏc số liệu và vẽ phổ I = f(t), với I là cường độ HQ. Đường cong HQ tắt dần được ghi tại cỏc bước súng phỏt xạ nhất định.
Cú hai cỏch để lấy dữ liệu phổ: hoặc bằng hệ đếm photon nhiều kờnh SR 430, cú thể đo thời gian từ 5 ns đến cỡ vài trăm μs, hoặc bằng dao động ký Tektronix
600, vựng sử dụng là 500 MHz với cỏc thời gian ngắn một vài ns và thời gian trung
bỡnh cỡ μs. Hai điện trở 50 Ω và 1 kΩ được nối với dao động ký để đo thời gian
ngắn và trung bỡnh tương ứng. Toàn bộ cỏc thụng số cú liờn quan trong thớ nghiệm
đo, được điều khiển bằng mỏy tớnh.
Kết luận chương 2
Cỏc CLT CdSe, CLT CdSe/ZnS cấu trỳc lừi/vỏ và CLT CdSe/ZnSe/ZnS cấu
trỳc lừi/vỏ/vỏ đó được chế tạo bằng phương phỏp phõn hủy cỏc tiền chất hữu cơ – kim loại và sử dụng kỹ thuật bơm núng. Cỏc quy trỡnh chế tạo mẫu được xõy dựng
dựa trờn sự tham khảo cỏc bài bỏo của cỏc tỏc giả quốc tế. Phương phỏp này đó được sử dụng để chế tạo thành cụng cỏc CLT cú vỏ dầy và hai lớp với vỏ dầy là
CdSe/ZnS và CdSe/ZnSe/ZnS.
Khi tớnh lượng húa chất để chế tạo lớp vỏ, chỳng tụi đó sử dụng cỏc cụng thức
thực nghiệm xỏc định kớch thước và hệ số dập tắt của Yu [99] như đó được trỡnh bày. Tuy nhiờn, độ dày thực tế của lớp vỏ cú thể sai khỏc so với kết quả tớnh toỏn do
hiệu suất phản ứng nhỏ hơn 100 %.
CHƯƠNG 3
CHẾ TẠO CÁC CHẤM LƯỢNG TỬ CdSe, CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe/ZnS VÀ