- Cd(Ac)2,2H2O, Zn(Ac)2,2H2O và lưu huỳnh bột cũng được phõn tỏn trong
TÍNH CHẤT QUANG CỦA CHÚNG 3.1 Một số kết quả về chế tạo chấm lượng tử
3.1. Một số kết quả về chế tạo chấm lượng tử
Trong phần này, chỳng tụi sẽ trỡnh bày ảnh hưởng của nhiệt độ và thời gian
phản ứng tới kớch thước và tớnh chất quang của cỏc CLT. Cỏc CLT CdSe, CdSe/ZnS
và CdSe/ZnSe/ZnS được chế tạo bằng phương phỏp phõn hủy cỏc tiền chất hữu cơ –
kim loại trong hỗn hợp hai hợp chất hữu cơ phõn tử lớn và cú nhiệt độ sụi cao là TOPO và HDA, như được trỡnh bày trong phần 2.1. Sau đú, chỳng được phõn tỏn
trong dung mụi Toluene để nghiờn cứu dưới dạng huyền phự, hoặc được giữ ở dạng
nguyờn gốc sau khi chế tạo ra trong hỗn hợp TOPO + HDA dạng bột nhóo, hoặc dưới dạng bột khụ sau khi được rửa loại bỏ cỏc phõn tử hữu cơ cũn bỏm bờn ngoài
CLT bằng cỏch dựng Methanol và li tõm vài ba lần.
Hỡnh 3.1 là ảnh chụp cỏc CLT CdSe cú kớch thước khỏc nhau (a) và cỏc CLT CdSe/ZnS (b), CdSe/ZnSe/ZnS (c) dưới kớch thớch của ỏnh sỏng đốn tử ngoại cú bước súng ~ 360 nm. Cỏc CLT CdSe phỏt quang mạnh dưới kớch thớch của đốn tử
ngoại, màu sắc phỏt xạ thay đổi từ xanh da trời đến đỏ tựy theo kớch thước mẫu. Sau khi bọc thờm lớp vỏ ZnS hoặc ZnSe, ZnSe/ZnS, chỳng tụi quan sỏt thấy màu phỏt
xạ của cỏc CLT cấu trỳc lừi/vỏ dịch về phớa bước súng dài hơn và độ chúi của phỏt
xạ tăng lờn. Điều đú chứng tỏ lớp vỏ đó cú tỏc dụng tớch cực đến tớnh chất quang
của cỏc CLT CdSe lừi.
Chỳng tụi đó tiến hành khảo sỏt quỏ trỡnh hỡnh thành và phỏt triển của cỏc CLT
CdSe theo thời gian và nhiệt độ bằng cỏch giữ nguyờn điều kiện chế tạo và chỉ thay đổi
một thụng số chế tạo (nhiệt độ hoặc thời gian chế tạo mẫu). Chỳng tụi đó tiến hành
khảo sỏt sự hỡnh thành và phỏt triển kớch thước hạt với nhiệt độ thay đổi từ 180o
C
đến 300o
C và thời gian nuụi mẫu thay đổi từ 18 giõy đến 1 giờ. Kết quả cho thấy,
sau khi tiờm tiền chất của Cd và Se vào trong bỡnh phản ứng thỡ ngay lập tức cỏc
mầm tinh thể CdSe được hỡnh thành và phỏt triển rất nhanh trong khoảng thời gian 5 phỳt sau khi bắt đầu cú phản ứng. Sau đú, tốc độ phỏt triển hạt giảm dần thể hiện
ở sự dịch về phớa đỏ ớt trong phổ HT và HQ (hỡnh 3.2). Tốc độ hỡnh thành và phỏt
triển CLT CdSe phụ thuộc rất mạnh vào nhiệt độ. Nhiệt độ càng cao thỡ tốc độ hỡnh
thành và phỏt triển hạt càng lớn.
(a)
(b)
(c)
Hỡnh 3.1. Ảnh chụp cỏc mẫu CLT CdSe lừi cú kớch thước khỏc nhau (a), CLT
CdSe/ZnS (b) và CdSe/ZnSe 2ML/ZnS (c) cú chiều dầy lớp vỏ ZnS thay đổi phõn tỏn trong Toluen, dưới kớch thớch của đốn tử ngoại ở bước súng ~ 360 nm.
400 450 500 550 600 650 700 750 800C C ườ ng đ ộ (đ .v .t. đ. ) Bước sóng (nm) 1 phút 498 532 552 575 15 phút 565 589 18 phút
CLT CdSe chế tạo tại 200oC
Hỡnh 3.2. Phổ HT và HQ của CLT CdSe được chế tạo tại nhiệt độ ~ 200o
C trong những khoảng thời gian khỏc nhau.