.1 cấu tạo ăng ten phân cực kép với 4 khe được khắc trên tấm bức xạ

Một phần của tài liệu Đồ án tốt nghiệp: PHÂN TÍCH VÀ THIẾT KẾ ĂNGTEN, TIẾP ĐIỆN VI SAI, PHÂN CỰC KÉP, HAI BĂNG TẦN CHO TRẠM THU PHÁT DI ĐỘNG 5G (Trang 56 - 57)

Hình 3.2 Cấu trình ăng ten nhìn từ mặt bên (bên trái) và trên cao (bên phải)

Tên biến Kích thước

Hport 10 mm Hsub1 0.8 mm Lsub1 60 mm Lsub2 42 mm L1 39 mm Ls 31.8 mm L2 5 mm L21 3.3 mm W3 1 mm Hsub2 0.5 mm

Bảng 3.1 Một vài tham số cơ bản của ăng ten

3.2.3 Thiết kế bộ tiếp điện

Trong thiết kế ăng ten này em có áp dụng kỹ thuật tiếp điện vi sai cho ăng ten như một yếu tố vô cùng quan trọng. Vậy chúng ta cần làm rõ vì sao cần phải tiếp điện

hay cịn gọi là cấp nguồn vi sai. Như một số nghiên cứu gần đây đã chỉ ra mạch vi sai được áp dụng rộng rãi cho các thiết bị đầu cuối trong hệ thống liên lạc thơng tin vơ tuyến, vì nó triệt tiêu hài bậc cao cộng với việc ăng ten đơn không thể kết nối trực tiếp với mạch vi sai do đó nó ngày càng được quan tâm. Vậy để có thể kết nối được với các mạch vi sai các nhà khoa học thường áp dụng việc tích hợp balun hoặc bộ ghép lai 180 độ. Tuy nhiên hai phương pháp đó cũng chỉ ra một vài yếu điểm của nó như sẽ gây tổn thất bổ sung, cấu trúc ăng ten sẽ phức tạp hơn, chi phí tăng cao cho thiết bị đầu cuối. Do đó phương pháp sử dụng ăng ten tiếp điện vi sai được cho là vơ cùng thích hơp cho việc kết nối với mạch vi sai. Vì lợi thế của việc tích hợp dễ dàng với các mạch vi sai và hệ thống, các ăng ten microstrip vi sai ngày càng được sử dụng phổ biến. Trong thiết kế này em có sử dụng một cấu trúc tiếp điện vi sai cho ăng ten lệch pha nhau 180 độ. Khi 2 cổng lệch pha nhau 180 độ được tiếp điện chúng ta sẽ thu được một phân cực (Ví dụ như trong thiết kế này là 2 cặp: cổng 1 với cổng 2 và cổng 3 với cổng 4).

Một phần của tài liệu Đồ án tốt nghiệp: PHÂN TÍCH VÀ THIẾT KẾ ĂNGTEN, TIẾP ĐIỆN VI SAI, PHÂN CỰC KÉP, HAI BĂNG TẦN CHO TRẠM THU PHÁT DI ĐỘNG 5G (Trang 56 - 57)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(78 trang)