- A1, A2 ,A3, A0 là các ngõ vào mã BCD RBI là ngõ vào xố gợn sĩng
a. Sơ đồ khối của chân
9.1.4. Cấu trúc tế bào PROM
PROM cĩ cấu tạo như ROM nhưng cĩ hai đặc điểm khác biệt, đĩ là:
Tất cả các tế bào nhớ đều cĩ diode hay transistor lưỡng cực hay transistor MOS, tùy theo cơng nghệ chế tạo.
Phần tử bán dẫn được nối với cầu chì tích hợp. Cầu chì đứt rồi khơng thể nối lại được do đĩ ta chỉ cĩ thể lập trình PROM một lần thơi.
Muốn đổi từ bit 1 sang bit 0 người ta dùng một xung điện cĩ biên độ và độ rộng xung thích hợp (cho biết bởi nhà sản xuất) giữa đường từ và đường bit tương ứng để làm đứt cầu chì.
Hình 9.9 minh họa hoạt động lập trình của một PROM
211
9.1.5. EPROM
PROM chỉ lập trình được một lần vì cầu chì đứt khơng thể nối lại được từ bên ngồi. Nên khi nạp chương trình sai hay muốn đổi chương trình thì ta phải dùng một PROM mới. Do đĩ nguời ta đã chế tạo ra loại EPROM cho phép người sử dụng cĩ thể lập trình và xĩa được.
Cách nạp như sau:
Đặt mức điện áp đặt biệt (từ 25V – 50V tùy loại) vào ngõ vào (+Vpp) và cần một thời gian (50ns cho một vùng nhớ) do đĩ thời gian nạp một EPROM mất vài phút.
Ơ nhớ trong EPROM là những transistor MOS với cổng logic silic thả nổi. Ở trạng thái bình thường mọi transistor đều tắt và mỗi ơ nhớ lưu trữ logic 1. Xung điện áp sẽ đẩy các electron năng lượng cao vào khu vực cổng thả nổi và chúng vẩn cịn kẹt trong lúc xung điện đã kết thúc, do khơng cĩ đường phĩng điện. Vì vậy transistor cứ tiếp tục mở ngay khi ngắt điện với thiết bị và ơ nhớ lúc này lưu trữ logic 0.
Khi một ơ nhớ của EPROM được lập trình thì cĩ thể xĩa nĩ bằng cách chiếu tia cực tím (UV) qua một của sổ trên vỏ chip. Tia UV tạo một dịng quang điện từ cổng thả nổi trở về chân đế bằng silic, qua đĩ nĩ xĩa đi các điện tích lưu trữ, tắt transistor và phục hồi ơ nhớ về trạng thái logic 1. Quá trình xĩa này thường cần từ 15 đến 20 phút.
Nhược điểm của EPROM:
Phải tháo EPROM ra khỏi mạch mới để xĩa rồi mới nạp trình được.
Khi cần xĩa hay thay đổi một từ cũng khơng thể nạp chồng lên từ đĩ mà phải xĩa hết và nạp lại từ đầu.
9.2. RAM