MẠCH DỜI TÍN HIỆU XUỐNG MỘT LƯNG ĐIỆN ÁP LỚN HƠN V M:

VI. MẠCH XÉN GHÉP CỰC PHÁT DÙNG TRANSISTOR:

3. MẠCH DỜI TÍN HIỆU XUỐNG MỘT LƯNG ĐIỆN ÁP LỚN HƠN V M:

Hình 5-7 trình bày một mạch dời tín hiệu sử dụng 1 diode, 1 điện trở R, 1 tụ điện và 1 nguồn VDC.

Hình 5-7. Mạch dời tín hiệu xuống 1 lượng lớn hơn Vm.

Cho tín hiệu vào là sĩng vng và tín hiệu ra đã bị dời xuống. Dạng sĩng tín hiệu vào ra như hình 5-8:

Chương 5: Mạch kẹp – mạch giao hốn. SPKT – Nguyễn Việt Hùng

Hình 5-8. Dạng sĩng vào ra.

Nguyên lý hoạt động – xem diode là lý tưởng: VD V 0V

Trong khoảng thời gian 

      2

0 T thì tín hiệu vào là bán kỳ dương: vi Vm, diode phân cực thuận nên xem như ngắn mạch.

Phương trình nạp cho tụ:   (1 ) t DC i C v V e V     

Do điện trở thuận của diode rD nhỏ hơn điện trở R nên thời hằng nạp cho tụ là n rDC. Sau khoảng thời gian bằng 5n 5rDC tụ nạp đầy VC VmVDC

Điện áp ra bằng điện áp của diode: vo VDCVD VDC V VDC

Trong khoảng thời gian 

     T T

2 thì tín hiệu vào là bán kỳ âm: vi Vm, diode phân cực ngược nên xem như hở mạch. Mạch được vẽ lại như hình 5-9:

Chương 5: Mạch kẹp – mạch giao hốn. SPKT – Nguyễn Đình Phú Hình 5-9. Mạch được vẽ lại.

Thời hằng xả của tụ là xRC cĩ giá trị lớn do R lớn nên tụ xả rất chậm – xem như khơng đáng kể.

Điện áp ra: vo IRvi VCVmVmVDC 2VmVDC

Do tụ xả khơng đáng kể nên xem điện áp trên tụ vẫn là VC VmVDC

Trong khoảng thời gian [T T

2 3

 ] thì tín hiệu vào là bán kỳ dương: vi Vm, điện áp của tụ và điện áp của nguồn VDC sẽ triệt tiêu nhau nên dịng điện sẽ bằng 0.

Điện áp ra bằng: vo VDCVD vi VC Vm VmVDC VDC

Ở bán kỳ này nếu tụ bị suy hao ở bán kỳ trước thì tụ sẽ được nạp đầy trở lại và điện áp ra vẫn bằng VDC.

Vậy tín hiệu ra chính là tín hiệu vào bị dời xuống một lượng điện áp Vm VDC