Đặc trƣng phóng nạp của vật liệu

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) hiệu ứng pha tạp và độ hạt trong phổ hóa tổng trở của hệ lani5 xgex (Trang 50 - 52)

CHƢƠNG III : KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN

3.3 Đặc trƣng phóng nạp của vật liệu

Trong phép đo phóng nạp dòng tĩnh, hệ đƣợc phân cực bằng dịng điện khơng đổi 50mA. Điện thế đƣợc đo theo thời gian. Các đƣờng cong phóng nạp đƣợc thể hiện trên hình 3.6.

42

Hình 3.6 : Đường cong phóng nạp của các mẫu LaNi4.6Ge0.4 và LaNi4.8Ge0.2

Từ hình 3.6 ta thấy : đối với các mẫu, ở các chu kì đầu hiệu suất phóng nạp cịn nhỏ. Nhƣng ở các chu kì sau hiệu suất phóng nạp tăng dần. Đến chu kì thứ 7 -8 thì bắt đầu ổn định và đến chu kì thứ 10 thì hiệu suất có thể đạt tới 97 -99 %. Các thế phóng điện giảm ít . Ở cuối giai đoạn, thế phóng điện cực cịn khoảng -0.8V.

43

Thế ngắt mạch vẫn cịn ở mức -1.040V. Nhƣ vậy, q trình phóng điện nằm trong khoảng cho phép. Điện cực làm việc theo các chu kì phóng nạp một cách thuận lợi. Điều này phù hợp với chế độ làm việc lâu dài và khơng xảy ra hiện tƣợng phóng q. Q trình nạp diễn ra tƣơng tự nhƣ q trình phóng. Giá trị thế nạp tƣơng đối thấp, khơng vƣợt q -1250mV/VCE.

Hình 3.7 : Đường cong phóng nạp của mẫu LaNi5

So sánh với đƣờng cong phóng nạp của LaNi5, ta thấy rằng q trình phóng nạp của LaNi5 là kém ổn định. Q trình khơng thể lặp lại, mặc dù chỉ trong 10 chu kì phóng nạp. Các mẫu pha tạp Ge có chất lƣợng chu kì phóng nạp tốt hơn. Q trình phóng nạp nhanh chóng ổn định hơn. Chỉ trong vịng vài chu kì phóng nạp ban đầu, vật liệu đã trở nên ổn định bền vững hơn và có thể làm việc giống nhƣ một điện cực của pin.

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) hiệu ứng pha tạp và độ hạt trong phổ hóa tổng trở của hệ lani5 xgex (Trang 50 - 52)