CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN
2.2. Phƣơng pháp nghiên cứu
2.2.4. Đánh giá các đặc tính của màng
Độ lưu giữ (R): khả năng lƣu giữ protein (abumin) của màng đƣợc xác định
bằng công thức:
Với Cm và Cp là nồng độ protein trong dung dịch trƣớc và sau khi qua màng
Lưu lượng lọc (J): thể tích dịch lọc (V) thu đƣợc trong một đơn vị thời gian,
qua một đơn vị diện tích bề mặt màng (S) tại áp suất xác định, đƣợc tính bởi cơng thức:
Tỷ số J/J0 dùng để so sánh sự thay đổi lƣu lƣợng lọc giữa các màng, với J0
và J là năng suất lọc trung bình của màng trƣớc và sau khi biến tính bề mặt.
Độ thấm nước thể tích nƣớc tinh khiết đi qua màng trong một đơn vị thời
gian qua một đơn vị diện tích bề mặt màng tại áp suất xác định.
Mức độ duy trì lưu lượng lọc theo thời gian FM = Jđ/Jt (%), với Jđ là năng
suất lọc của màng sau 10 phút lọc và Jt là năng suất lọc của màng ở tại thời điểm t.
Hệ số fouling bất thuận nghịch của màng đƣợc xác định bằng công thức:
Với JW1 và JW2 [L/bar.h.m2] là lƣu lƣợng nƣớc tinh khiết qua màng trƣớc và sau khi dùng màng để lọc dung dịch tách. Màng có hệ số FRW càng thấp thì khả năng chống tắc nghẽn của màng càng tốt.
Các thí nghiệm đánh giá tính năng tách lọc của màng đƣợc thực hiện trên hệ thiết bị lọc màng (membrane cell):
Sơ đồ thiết bị lọc màng
Hình 2.3 : Sơ đồ thiết bị màng lọc trong phịng thí nghiệm
thích hợp. Dƣới tác động của khí nén, dung dịch trong bình đƣợc nén qua màng và dịch lọc đi ra ngoài qua ống dẫn, dịch cơ đặc lƣu lại trong bình chứa. Thiết bị có bộ phận khuấy từ (con từ đƣợc treo sát bề mặt màng để phá vỡ sự phân cực nồng độ trên bề mặt màng trong quá trình tách lọc).
Ảnh hiển vi lực nguyên tử AFM (Atomic Force Microscopy)
Nguyên lý: đầu dò rung quét qua bề mặt của mẫu vật liệu, tín hiệu detector
ghi nhận lực tƣơng tác giữa đầu dò với các nguyên tử bề mặt, nhận đƣợc hình ảnh bề mặt của vật liệu (2 hoặc 3 chiều), cho phép xác định đặc trƣng cấu trúc và độ thô nhám bề mặt màng.
Thiết bị: Multimode Scanning Probe Microsopy (SPM), mẫu gửi đo tại Viện
Khoa học Vật liệu Quốc gia (NIMS), Nhật Bản
Ảnh hiển vi điện tử quét SEM (Scanning electron microscopy)
Nguyên lý: Một chùm điện tử hẹp đƣợc quét trên bề mặt mẫu, các electron va
chạm bề mặt mẫu tạo ra các electron thứ cấp đi tới detector và chuyển thành tín hiệu điện, các tín hiệu này đƣợc khuếch đại đi tới ống tia catot và quét lên ảnh, biểu trƣng hình thái cấu trúc vật liệu.
Thiết bị: FE – SEM (Hitachi S – 4800), đo tại Viện Hàn lâm Khoa học và