(a) những chùm electron với năng lượng 6, 9, 12, 18 MeV.
(b) Những chùm photon với năng lượng 6, 15MV.
Theo hình 2.17.a, ta thấy so với liều cực ñại, liều hấp thụ tại bề mặt của electron ñạt từ 75% tới 95%, cao hơn nhiều so với trường hợp của photon. Hơn nữa, không giống như photon, liều hấp thụ tại bề mặt của electron tăng theo năng lượng của nó (do sự tán xạ của electron). ðối với electron năng lượng thấp, tỷ lệ của liều hấp thụ tại bề mặt và liều hấp thụ cực đại thì thấp hơn so với electron có năng lượng cao. Ở năng lượng thấp, electron tán xạ dễ dàng và với góc lệch lớn. ðiều này dẫn ñến vùng liều hấp thụ giữa z = 0 và z = zmax được hình thành khá nhanh chóng và độ xuyên sâu nhỏ.
Phân bố liều hấp thụ ở ñộ sâu vượt quá ñộ sâu zmax : Dựa vào phần đường cong có độ dốc lớn nhất của hình 2.17.a, ta thấy liều hấp thụ ở ñộ sâu z > zmax giảm một cách nhanh chóng. Nguyên nhân của sự suy giảm này là do sự tán xạ và mất
năng lượng liên tục của electron trong khoảng độ sâu này. Phần đi bức xạ hãm (bremsstrahlung tail) của ñường cong liều hấp thụ được tạo thành là do sự đóng góp bởi những bức xạ hãm ñược tạo ra trong khơng khí (giữa cửa sổ máy gia tốc và phantom, trong môi trường phantom bị chiếu xạ). Sự nhiễm bẩn bức xạ hãm phụ thuộc vào năng lượng electron, nhỏ hơn 1% ñối với electron 4 MeV, nhỏ hơn 4% ñối với electron 20 MeV [20] .
Mối liên hệ giữa liều sâu phần trăm và quãng chạy của chùm electron trong phantom được mơ tả trong hình 2.18. Sau đây là một số khái niệm về quãng chạy và các ñộ sâu thường ñược sử dụng trong phép ño liều.
ðộ sâu lớn nhất Rmax: ñược ñịnh nghĩa như là ñộ sâu mà tại ñó ñường ngoại suy của đi đường cong liều sâu theo trục trung tâm gặp đi của bức xạ hãm.
Rmax là ñộ sâu ñâm xuyên lớn nhất của electron trong môi trường hấp thụ.